电子线路-线性部分-晶体三极管
《晶体三极管》课件
晶体三极管的分类
有两种主要的晶体三极管 类型：PNP和NPN。
2. 晶体三极管的工作原理
1
简单电路
晶体三极管可以作为放大器、开关和振荡器在各种电路中发挥作用。
2
放大器电路
晶体三极管可以放大信号的幅度，使其更适合其他电路的输入。
3
开关电路
晶体三极管可以控制电流的通断，用于构建开关电路。
3. 晶体三极管的应用
5. 晶体三极管的优缺点
1 优点
小巧、高频响应、低功耗、可靠性高、成 本低。
2 缺点
温度敏感、容易受到噪声干扰、容易烧毁。
6. 结论
总结
晶体三极管是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电路和电子设备中。
展望
随着科技的发展，晶体三极管不断改进，将在更广泛的领域发挥作用。
《晶体三极管》PPT课件
晶体三极管是电子学中重要的元器件之一，本课件将介绍晶体三极管的结构、 工作原理、应用、特性以及优缺点，帮助您全面了解晶体三极管。
1. 介绍晶体三极管
ห้องสมุดไป่ตู้
什么是晶体三极管？
晶体三极管是一种半导体 器件，可用作放大，开关 和振荡器。
晶体三极管的结构
晶体三极管由三个不同掺 杂的半导体区域构成：发 射区，基区和集电区。
放大器
晶体三极管可用于构建各类放 大器，如音频放大器、射频放 大器等。
开关
晶体三极管可以用于构建数字 电路和模拟电路中的开关。
振荡器
晶体三极管可以作为振荡器的 关键元件，产生无线电频率信 号。
4. 晶体三极管的特性
基本参数
• 电流放大倍数 • 最大可承受电压 • 最大可承受功率
变化规律
• 输入特性曲线 • 输出特性曲线 • 电流-电压关系
晶体三极管及其应用全解
I CBO
IB
I BN
IE
(动画2-1)
① 发射区向基区注入多子
I CN
电子， 形成发射极电流 IE。
②电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略)
多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。
少数与空穴复合，形成 IBN 。
基区空 穴来源
基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO)
即：
IBN IB + ICBO IB = IBN – ICBO
2
4
10 µA IB = 0 6 u8CE /V
第14页/共57页
（3） 饱和区 uCE u BE uCB = uCE u BE 0 条件：两个结正偏 特点：IC IB
临界饱和时：uCE = uBE 深度饱和时：
iC / mA 4饱
3和 区
放大区
2
1
ICEO
O
截止区
2
4
50 µA 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA IB = 0 6 u8CE /V
iC T2 > T1
O
iiiBBB===
00 0uCE
温度每升高 1C， (0.5 1)%。
输出特性曲线间距增大。
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三、晶体三极管的工作状态
三种工作状态
判断导通还是截止：
以 NPN为 例： UBE > U(th) 则导通 UBE < U(th) 则截止
状态
放大
饱和 临界 截止
电流关系
基极 B
base
P — 基区
N
发射结 — 发射区
发射极 E emitter
C
B NPN 型 E
晶体三极管的工作原理详解
PN 结的本质：在 P 型半导体和 N 型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为 PN 结。
1、切入点：要想很自然地说明问题，就要选择恰当地切入点。
讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起。
二极管的结构与原理都很简单，内部一个 PN 结具有单向导电性，如示意图B。
很明显图示二极管处于反偏状态， PN 结截止。
我们要特殊注意这里的截止状态，实际上 PN 结截止时，总是会有很小的漏电流存在，也就是说 PN 结总是存在着现象， PN 结的单向导电性并非百分之百。
为什么会浮现这种现象呢？这主要是因为PN 结反偏时，能够正向导电的多数载流子被拉向电源，使PN 结变厚，多数载流子不能再通过 PN 结承担起载流导电的功能。
所以，此时漏电流的形成主要靠的是少数载流子，是少数载流子在起导电作用。
反偏时，少数载流子在电源的作用下能够很容易地反向穿过 PN 结形成漏电流。
漏电流之所以很小，是因为少数载流子的数量太少。
很明显，此时漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。
如果要想人为地增加漏电流，只要想办法增加反偏时少数载流子的数量即可。
所以，如图B漏电流就会人为地增加。
其实，光敏二极管的原理就是如此。
光敏二极管与普通光敏二极管一样，它的 PN 结具有单向导电性。
因此，光敏二极管工作时应加之反向电压，如图所示。
当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流，普通为1×10-8 —1×10-9A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止；光敏二极管工作在反偏状态，因为光照可以增加少数载流子的数量，于是光照就会导致反向漏电流的改变，人们就是利用这样的道理制作出了光敏二极管。
既然此时漏电流的增加是人为的，那末漏电流的增加部份也就很容易能够实现人为地控制。
2、强调一个结论：讲到这里，一定要重点地说明 PN 结正、反偏时，多数载流子和少数载流子所充当的角色及其性质。
为什么呢？这就导致了以上我们所说的结论：反偏时少数载流子反向通过 PN 结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过 PN 结还要容易。
电子线路单元复习测试题《晶体三极管》
（）
5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使
用。（ ）
6 晶体三极管具有两个 PN 结，二极管具有一个 PN 结，因此可以把两个二极管
反向连接起来当作一只三极管使用
（）
7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。 （ ）
8. NPN 型三极管是由硅材料制成的。
姓名：
考号：
班级：
电子线路单元复习测试题
————《晶体三极管》
一 是非题：（每题 2 分，共 40 分）
1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。
（）
2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。（ ）
3.三极管按半导体材料分为 NPN 型和 PNP 型。
（）
4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。
Ｃ. VE >VB> V C Ｄ. VE >VC>VB
9.某放大器中三极管三个极的电位分别是 2V，1.3V，5V，可判断该管为（ ）。
A.PNP 型锗管 B. NPN 型锗管 Ｃ.NPN 型硅管 Ｄ. PNP 型硅管
10.用指针万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻
均较小，则说明该晶体管是（ ）。
A.截止区
B.放大区
C.饱和区
Ｄ.击穿区
16.三极管管是通过改变（ ）来控制集电极电流的
A.基极电流 B.发射极电流 C.源极电流 Ｄ基极电压
17.下面不是场效应管的管脚的是（ ）
A.，漏极（D） B.栅极（G） C. 源极（S） Ｄ. 基极（B）
18.三极管输出特性曲线可分为三个区，为（ ）。
A. 击穿区 截止区 饱和区
2.3埃伯尔斯-莫尔模型_《电子线路(线性部分)》第四版课件
VBE VT
1 ） R IC
VBC VT
同理： 式中
I C F I E I CBO （e
1 ）
I CBO （ 1 R F）I CBS
I E I EBO （e
VBE VT
1 ） R IC
VBC VT
根据方程组
I C F I E I CBO （e
第三节
埃伯尔斯
—————— 莫尔模型
埃伯尔斯——莫尔模型：是晶体三极管的通用模型， 适用于各种工作模式。 设 晶体三极管处于饱和模式时，两个结均加正偏。 根据第二节的分析可知： IF 为发射结的正向偏置电流； IR 为集电结的正向偏置电流。 它们与结电压之间均满足指数关系：
VBE VT
I F I EBS （e
I R I CBS （e
1 ）
将其代如下式
VBC VT
1 ）
I E I F R IR
IC F I F I R
则 晶体三极管的 IE 与 IC 可分别表示为：
VBE VT VBC VT
I E I EBS （e
1 ） R I CBS （e
VBE VT
1 ）
I C F I EBS （e
IE
VBE VT
1） （1 R）I CBS （e
IC
C
1）
IF
E
RIR
B
IB
I E I EBS （e
VBE VT
1 ） R I CBS （e
VBE VT
VBC VT
VBC VT
1 ）
1 ）
I E I F R IR
晶体三极管频谱线性搬移电路
有频率变换作用。因此，当多个信号同时作用时，非线性电路
就不满足叠加定理。
线性电路的分析方法在非线性电路中是不适用的，它有其
特有的分析方法，主要有级数展开法和时变参数分析法等。
《高频电子线路》
5
第5章 频谱的线性搬移电路
补充：泰勒级数
设函数f(x)在点x0有任何阶导数，则称幂级数
n0
f
(
n)( x0 n!
第5章 频谱的线性搬移电路
其频率分量产生的规律是： (1) 凡是p＋q为偶数的组合分量，均由幂级数中n为偶 数且大于等于p＋q的各次方项产生的； (2) 凡是p＋q为奇数的组合分量，均由幂级数中n为奇 数且大于等于p＋q的各次方项产生的。 (3) 当U1和U2的幅度较小时，它们的强度将随着p＋q 的增大而减小。
i
an u1n
a
nU
n 1
cos
n
1t
(5-6)
n0
n0
cos2 t 1 1 cos 2t
22
cos3
t
1 2
1 2
cos 2t
cos
t
3 4
cos t
1 4
cos 3t
cos4 t 1 (1 cos 2t)2 1 (1 2cos 2t 1 1 cos 4t)
4
4
22
3 1 cos 2t 1 cos 4t
第5章 频谱的线性搬移电路
频谱搬移的概念：频谱搬移电路是通信系统最基本的单元电 路之一，主要完成将信号频谱从一个位置搬移至另一个位置。 频谱搬移的分类：频谱的线性搬移和非线性搬移两大类。
f
f
0
0
fc
(a)
f
f
电子线路第四版线性部分教学大纲
电子线路第四版线性部分教学大纲一、课程简介电子线路是现代电子技术中的基础课程之一，是掌握电子技术的必修课程。
本课程为电子线路第四版，主要围绕电路中的线性部分展开教学。
通过本课程的学习，学生将会掌握电路的基本理论和方法，包括电子元器件、线性电路基础、放大器、滤波器等知识点。
二、课程内容1.电子元器件•电子元器件的种类及其特点•半导体材料和二极管•三极管的基本原理及应用•MOS场效应管的基本原理及应用2.线性电路基础•电路基本理论及基本电路变换•节能器、电阻、电容、电感等电子元器件的应用•戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用3.放大器•放大器的原理及分类•功率放大器的特点和应用•反馈的基本理论和应用4.滤波器•滤波器的基本原理及分类•有源RC滤波器和有源滤波器的应用•操作放大器和滤波器的结合三、教学目标通过本课程的学习，学生应该能够： - 深入了解电子元器件的种类及其特点，掌握半导体材料和二极管的原理及应用 - 熟悉三极管和MOS场效应管的基本原理及应用，并能在电路中灵活运用 - 掌握电路基本理论，重点掌握戴维南定理和环路定理在电路分析中的应用，能够运用节能器、电阻、电容、电感等电子元器件进行电路设计 - 熟悉放大器的原理及分类，了解功率放大器的特点和应用，了解反馈的基本理论和应用场景 - 掌握滤波器的基本原理及分类，熟悉有源RC滤波器和有源滤波器的应用场景，掌握操作放大器和滤波器的结合应用四、教学方法本课程采用理论教学与实践教学相结合的方式进行教学。
理论教学的主要内容包括： - 课前预习：让学生在课前对所要学习的知识点进行了解，为后续的理论讲解打下基础。
- 讲解理论：通过对电路基本理论、电子元器件、放大器、滤波器等内容进行详细的讲解，使学生逐步掌握这些知识点的核心要点。
- 练习：通过课堂练习、作业等方式，巩固学生的理论基础，同时培养学生的分析和解决问题的能力。
实践教学的主要内容包括：- 实验：通过设计与实验相结合的方式，让学生亲手操作电路，加深对理论知识的理解和掌握。
常用电子元器件系列知识培训——三极管篇
电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体全然元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距特别近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三局部，中间局部是基区，两侧局部是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分不为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结喊发射结，集电区和基区之间的PN结喊集电极。
基区特别薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管足识不常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引足的排列方式具有一定的规律，如图关于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引足构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ebc；关于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引足朝下放置，那么从左到右依次为ebc。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管足的排列不尽相同，在使用中不确定管足排列的三极管，必须进行测量确定各管足正确的位置，或查寻晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，事实上质是三极管能以基极电流微小的变化量来操纵集电极电流较大的变化量。
这是三极管最全然的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β〞表示。
电流放大倍数关于某一只三极管来讲是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失往了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
晶体三极管及其特性
晶体三极管及其特性半导体三极管又称品体三极管。
在各种屯子电路中都离不开这里所讲的三极管是目前使用十分普遍的半导体三极管。
1 •电路符号及外形三极管的电路符号及部分常见三极管的外形，如图图(a)所示为国标最新规定的NPN型半导体三极管电路符号图(b)所示为我国最新规定的PNP型半导体三极管电路符号。
在集成电路中仅用这两种电路符号。
图(c)所示是我国最新规定的集电极接管子外壳的NPN型管子电路符号，这种管子迥常是功率较大的管于，它的引脚只有两个，即只有基极和发射极两个引脚，而集电极是接外壳的，外壳接电路。
对于PNP型管子集电极接外壳时，电路符号基本相同，只是发射极的箭头方向不同。
图(d)所示是我国以前使用的三极管电路符号，在目前大量书刊、资料的电路图个还有这种电路符号。
图(e)所示是B96普遍采用的塑料封装三极管，塑料封装的三极管还有许多其他形状。
图⑴所示是金局外壳的三极管外形图(g)所示是大功率三极管，管子外壳体积很大2 •半导体三板管的结构 三极管按照极TI 代理性划分有两种，即 PNP 型和NPN 型，三极管的结构示意 图如图2所示。
图（a ）所示为N 州型管结构示意图，从图中可以看出，它由三块半导体 组成，构成两个PN 结，即集电结和发射结，共引出三个电极，分别是集电极、基 极和发射极。
管中工作电流有集电极电流 IC 、基极电流IB 、发射极电流IE ； IC 、IB汇合后从发射极流出，电路符号中发射极箭头方向朝外形象地表明了电流的流动方向， 这对读固有帮助。
上述代表各极的字母也可用小写字母 c 、b 、e 表示|】E =十♦其中1匚=* A ；》J" /c Q Zg图（b ）所示是PNP 型管结构示意图，不同之处是 P 、N 型半导体的排列方向不同,其他基本一样。
电流方向是从发射极流向管子内，基极电流和集电极电流都是从管子 流出，这从PNP 型管电路符号中发射极箭头所指方向也可以看出。
三极管工作原理(详解)
三极管工作原理(详解)三极管，也叫晶体三极管，简称晶体管，是一种能够放大电路中微小信号的电子元器件。
它的原理是通过控制一个区域的电子流，来改变另一个区域的电流。
晶体管最早由贝尔实验室的威廉·肖克利发明，是现代电子技术的基础之一。
本文将详细讲解三极管的工作原理。
一、晶体管的结构晶体管由三个掺杂不同材料的半导体层构成，分别为发射极（EB）、基极（CB）和集电极（CE）。
发射极（E）：它是一个P型半导体，它的厚度很少，通常在0.01毫米以上，但是面积很大，通常在平方数分米。
基极（B）：它是一个N型半导体，尽管它的尺寸比发射极大，但它的浓度很低，它是晶体管的控制电极。
集电极（C）：它是一个N型半导体，通常比基极大几倍，是晶体管的输出电极。
为了保护晶体管的内部结构，晶体管需要封装成小型的金属或塑料外壳。
封装的芯片会被裸露出来，然后通过银色的金属脚连接电路板。
二、晶体管的工作原理晶体管是一种由硅和其他半导体材料构成的小型电子元件。
它的最重要的特性是可以放大信号。
晶体管的三个引脚在应用中被分别用作发射极、基极和集电极。
晶体管通过控制基极的电压，就能够放大电路中的微小信号。
晶体管具有三个工作区，它们分别是截止区、放大区和饱和区。
1. 截止区当基极电压低于截止电压时，晶体管处于截止状态，整个晶体管的结构中没有电流流动。
2. 放大区当基极电压高于截止电压时，晶体管处于放大状态。
此时，基极电压对晶体管的集电极电流产生控制作用。
如果基极电压升高，晶体管中的电流流向集电极方向就会升高，从而放大晶体管输入的电信号。
3. 饱和区当基极电压继续升高，晶体管中的电流达到最大值时，晶体管就会进入饱和状态。
在饱和区，晶体管可以用作开关，输出高电平或低电平。
三、晶体管的偏置要正确使用晶体管，需要对其进行偏置操作。
晶体管的偏置，是指将晶体管连接到电路中，并用一个外部电源提供所需要的电力。
基极电压在适当的电压下，即可使晶体管处于放大状态。
中职电子线路教案晶体三极管(全3课时)
共集放大电路组成及工作原理
组成
共集放大电路由晶体三极管、输入电阻、输出电阻、电源等组成。与共射放大电路不同的是，输出信号从发射极 取出。
工作原理
在共集放大电路中，输入信号加在基极与发射极之间，输出信号从发射极取出。与共射放大电路相比，共集放大 电路的电压放大倍数小于1，但电流放大倍数和功率放大倍数都大于1。此外，共集放大电路还具有输入阻抗高、 输出阻抗低的特点。
共基放大电路组成及工作原理
组成
共基放大电路由晶体三极管、输入电阻、输出电阻、电源等组成。与共射和共集放大电路不同的是，输入 信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
工作原理
在共基放大电路中，由于晶体管的电流放大作用，使得输出电流比输入电流大得多。同时，由于输出电阻 的存在，使得输出电压也得到了相应的放大。与共射和共集放大电路相比，共基放大电路具有更高的频率 响应和更低的噪声系数。
培养学生的实践能力和分析解 决问题的能力
实验器材和步骤
实验器材：晶体三极管、万用表、
电阻器、电容器、导线等
01
实验步骤
02
1. 识别晶体三极管的三个电极， 并确定其类型（NPN或PNP）
03
2. 使用万用表检测晶体三极管
的放大倍数β值
04
3. 搭建简单的晶体三极管放大
电路，并观察其放大效果
05
4. 改变输入信号的频率和幅度，
中职电子线路教案晶体三极 管(全3课时)
目录
• 课程介绍与教学目标 • 晶体三极管基础知识 • 晶体三极管基本放大电路 • 晶体三极管放大电路分析方法 • 晶体三极管放大电路应用实例 • 实验操作与技能训练 • 课程总结与拓展延伸
01 课程介绍与教学 目标
三极管基本知识及电子电路图详解
三极管基本知识及电子电路图详解
"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。
广义上，三极管有多种，常见如下图所示。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。
本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:
三极管的发明
晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。
真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
小功率三极管一般为塑料包封；
大功率三极管一般为金属铁壳包封。
三极管核心结构
核心是“PN”结
是两个背对背的PN结
可以是NPN组合，也或以是PNP组合
由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！
NPN型三极管结构示意图
硅NPN型三极管的制造流程
管芯结构切面图。
晶体三极管及其作用
电脑是由很多很多各种各类的电子元件组成的，而三极管就在其中，并发挥重要作用。
其作为电子线路板的重要组成部分在电脑维修过程中使得我们要经常与其“打交道”。
晶体三极管``````三极管是电流控制型器件，按导电类型分为PNP管和NPN管。
其在电路中的作用常是放大、开关和稳压。
电路符号及常见型号：三极管电路符号及常见型号(点击看大图)图中箭头的方向是发射极e加正向电压时电流的方向型号T04、SIA、IAM、KIN、IP、IAP都是NPN型三极管；型号T06、2B、2A、都是PNP型三极管；三极管的作状态在实际电路中，主要应用了放大电路和开关电路。
1、放大电路：当基极（输入端）输入一个较小的基极电流时，其集电极（输出端）将按比例产生一个较大的集电极电流，这个比例就是三极管的电流放大系数。
（VC ＞Vb ＞ Ve）2、开关电路：三极管在电路中通常用做电子开关。
在开关状态下的三极管处于饱和（导通）状态和截止状态。
a、饱和（导通）状态：三极管的发射极加正向电压时，这时集电极与发射极之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三极管处于饱和（导通）状态；（ Vb ＞Ve ）b、截止状态：三极管的发射极加反向电压或两断电压为零时,这时集电极与发射极之间的电阻很大，就像开关断开一样，三极管处于截止状态；；（Vb ≤Ve）三极管的检测与代换用档找基极：用一个表笔接任意一脚，另一表笔分别接另外两脚，如果两次都有400~600的数值，则不动的表笔接的就是基极b；集电极与发射极：两次阻值中，较大的一次接的是发射极e，小的一次是集电极c；红表笔接基极b，能测出两组数值的是NPN管；黑表笔接基极b，能测出两组数值的是PNP管；注意：在路测量时，无论表笔怎么接，所测阻值不能为0或1（∞）。
超详细的晶体三极管原理讲解和应用分析，以水龙头比喻太恰当了
超详细的晶体三极管原理讲解和应用分析，以水龙头比喻太恰当了什么是三极管？三极管，全称为半导体三极管、双极型晶体管或者晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
晶体三极管是一种三端器件，内部含有两个相距很近的PN结（发射结和集电结），两个PN结加上不同极性、不同大小的偏置电压时，晶体三极管呈现不同的特性和功能。
晶体三极管由于结构不同，可以分为NPN型三极管和PNP型三极管，NPN型三极管和PNP型三极管的逻辑符号如下图1所示。
图1 NPN型三极管和PNP型三极管逻辑符号三极管的三种工作状态是非常重要的，是无线电基础中的基础。
对此我是这样理解的。
无论是NPN型三极管还是PNP型三极管，当发射结加正向偏置电压，而集电结加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在放大模式；而当其发射结和集电结都加正向偏置电压时，该三极管就工作在饱和模式；而当发射结和集电结同时加反向偏置电压时，那么该三极管就工作在截止模式。
为此我编了一句顺口溜：发正集反是放大；全正饱和全反截，希望对大家理解有用。
既然晶体三极管那么重要，那么我们改如何正确理解三极管的工作原理，并正确使用三极管呢？小何下面就跟大家一一分享。
三极管的工作原理三极管的放大原理如下图2所示，晶体管中大小与输入信号呈正比的输出信号可以认为是从电源来的，他们的输入信号从基级进入而从发射级出来，晶体管只是吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号，这就是放大的原理。
图2 三极管放大原理值得注意的是，对于三极管放大作用的理解，必须切记一点：根据能量守恒定律，能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。
晶体管的内部工作原理就是对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源，使基极-发射极间电流的数十至数百倍（因晶体管种类而异）的电流在集电极与发射极之间流动。
第4讲晶体三极管及场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS＜ 极 SS＞ 极00， 性 ， 性uu任 D任 DS＜ S＞ 意 意 00)u)u， ， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS，恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
晶体三极管的工作原理
晶体三极管的工作原理晶体三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它是由一块半导体材料制成的，具有三个电极，分别是发射极、基极和集电极。
晶体三极管的工作原理是基于半导体材料的特性和PN结的正向、反向偏置效应。
我们来了解一下晶体三极管的结构。
晶体三极管由两个PN结组成，其中一个PN结是发射结，另一个PN结是集电结。
发射结和集电结之间有一块极薄的P型或N型半导体材料，称为基区。
发射极连接到P型材料，集电极连接到N型材料，而基极则连接到基区。
晶体三极管的工作原理可以通过PN结的正向、反向偏置来解释。
当PN结处于正向偏置时，即P端连接正电压，N端连接负电压，这时发射结和集电结都处于正向偏置状态。
在这种情况下，发射结和集电结之间形成一个导电通道，电流可以从发射极流向集电极。
这时，晶体三极管处于放大状态，从而实现信号放大的功能。
当PN结处于反向偏置时，即P端连接负电压，N端连接正电压，这时发射结和集电结都处于反向偏置状态。
在这种情况下，发射结和集电结之间的导电通道被截断，电流无法通过。
晶体三极管处于截止状态，不起放大作用。
晶体三极管的放大作用是基于PN结的正向偏置效应。
当输入信号加在发射结上时，发射结的电流会随着信号的变化而变化。
这时，发射结的电流会引起基极电流的变化，而基极电流的变化会进一步引起集电极电流的变化。
因此，晶体三极管可以放大输入信号，并输出一个放大后的信号。
晶体三极管的工作原理还涉及到三极管的工作区域。
根据输入信号的幅度和极性，晶体三极管可以分为截止区、放大区和饱和区。
当输入信号很小或为负值时，三极管处于截止区，不起放大作用。
当输入信号逐渐增大时，三极管进入放大区，可以放大输入信号。
当输入信号达到一定幅度时，三极管进入饱和区，无法继续放大信号。
总结来说，晶体三极管的工作原理是基于PN结的正向、反向偏置效应。
通过正向偏置，晶体三极管可以放大输入信号，并输出一个放大后的信号。
而通过反向偏置，晶体三极管处于截止状态，不起放大作用。
电子线路第二章知识讲解
如同两个彼此独立的二极管失去了三极管的正向受控作用。
3. 集电结面积大于发射结，保证扩散集电结边界处的非平衡少子 全部漂移到集电区，形成受控的集电极电流。
最后：发射结正偏电压控制IE和IB，IE中的IEN通过注入、扩散、 收 集而转化为IC，这种转化过程几乎不受集电结反偏电压大小 的影响。但反偏电压必须存在，否则这个过程是无法完成的。
上式中IEBS为发射结的反向饱和电流，其详细推导见教材第三版。
由传输方程得IC IE = IEBSEXP（VBE/VT） ----------（P46-2）
= ISEXP（VBE/VT）
IB IE / （1+ ） IC /
IS
EXP（VBE/VT）
2. 简化电路模型：三极管发射结相当于一个正偏二极管，集电结 相当于一个受控电流源（受发射结正偏电压）控制，而发射结 正偏电压决定IE和IB得大小，故受控电流源也可看成是受IE或IB
1. 发射结为不对称结：发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度（几
十倍到上百倍）， 使 IEN 》IEP IEN是IE 的主要组成部分，减 少无用成分IEP 2. 基区宽度很薄，一般μm数量级，保证发射区扩散过来的自由
电子在向集电结扩散过程中仅有小部分被复合掉，绝大部分能
到达集电结。否则，若基区宽度大，发射区扩散过来的自由电
Байду номын сангаас
ICN1 IEN – ICN1
正向传输电流
IC
基区复合电流
IB
表示集电极电流受基 极电流控制得能力
远大于1（ =0.99, =99）, 说明在共发射极连接时，三极管具
有电流放大作用，但该参数离散性较大。再看ICEO 它是 基极 开路（ IB =0）时的集电极电流，当基极开路时，发 射结仍然正偏， 集电结仍然反偏，通过集电结电流ICBO必然通过发射结， （IB 中的 正向受控部分IEP+IEN – ICN1 = ICBO ），其值被放大了倍，这样通过 集电结电流为ICEO = （1+ ） ICBO ，其值远大于ICBO