可控硅符号与工作原理
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可控硅符号与工作原理
目录
一、可控硅的符号
1.什么是可控硅
2.可控硅长什么样
3.可控硅符号
二、可控硅的工作原理
1.单向可控硅的工作原理
2.双向可控硅的工作原理
三、可控硅的伏安特性
一、可控硅的符号
1.什么是可控硅?
可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
2.
可控硅长什么样
(平板型)系列ks200a可控
硅
双向可控硅
普通晶闸管(螺栓型) |可控硅
可控硅
3.可控硅的符号
有三个电极,阳极A,阴极K和控制极G 。
K A
G
二、可控硅的工作原理
1.单向可控硅的工作原理
2.双向可控硅的工作原理
三、可控硅的伏安特性
晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系,称晶闸管的伏安特性。晶闸管的伏安特性位于第一象限的是正向伏安特性,位于第三象限的是反向伏安特性。反向特性是晶闸管的反向阳极电压(阳极相对阴极为负电位)与阳极漏电流的伏安特性,它与一般二极管的反向特性相似。在正常情况下,当晶闸管承受反向阳极电压时,晶闸管总处于阻断状态。当反向电压增大到一定数值时,反向漏电流增长较快。若再继续增大反向电压,会导致晶闸管的反向击穿,造成晶闸管损坏。晶闸管的正向特性又有阻断状态和导通状态之分(简称断态和通态)。在门极电流IG=0情况下,逐渐增大晶闸管的正向阳极电压。先是晶闸管处于断态,只有很小的正向漏电流,随着正向阳极电压的增加,当达到正向转折电压VBO时,漏电流突然剧增,特性从高阻区(阻断状态)经负阻区到达低阻区(导通状态)