无机材料科学基础习题与解答

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无机材料科学基础习题答案第一章晶体几何基础1-1解释概念:等价点:晶体结构中的一个点,其几何环境和物理环境在同一方向上是相同的。

空间点阵:一种几何图形,通常代表晶体结构中等价点的排列。

节点:空间晶格中的点称为节点。

水晶:内部粒子在三维空间中周期性重复排列的固体。

对称性:物体的相同部分有规律地重复。

对称型:晶体结构中所有点(对称平面、对称中心、对称轴和旋转反延伸轴)的对称元素集是对称的,也称为点群。

晶体:相同对称类型的晶体被归为一类,称为晶体。

晶体取向:将坐标系引入晶体中,以便用数字表示晶体中点、线和平面的相对位置的过程。

空间组:它是指晶体结构中所有对称元素的集合。

Brafi网格:根据晶体结构的顶点群和平移群以及空间晶格的平行六面体的对称性原理,法国学者A .布拉菲将所有晶体结构的空间晶格分为14种类型的空间晶格。

单元电池:能够反映晶体结构特征的最小单位。

单元电池参数:代表晶胞形状和大小的六个参数(A、B、C、α、β、γ)。

1-等效点: 晶体结构中的一个点,其几何环境和物理环境在同一方向上是相同的。

空间点阵:一种几何图形,通常代表晶体结构中等价点的排列。

节点:空间晶格中的点称为节点。

水晶:内部粒子在三维空间中周期性重复排列的固体。

对称性:物体的相同部分有规律地重复。

对称型:晶体结构中所有点(对称平面、对称中心、对称轴和旋转反延伸轴)的对称元素集是对称的,也称为点群。

晶体:相同对称类型的晶体被归为一类,称为晶体。

晶体取向:将坐标系引入晶体中,以便用数字表示晶体中点、线和平面的相对位置的过程。

空间组:它是指晶体结构中所有对称元素的集合。

Brafi网格:根据晶体结构的顶点群和平移群以及空间晶格的平行六面体的对称性原理,法国学者A .布拉菲将所有晶体结构的空间晶格分为14种类型的空间晶格。

单元电池:能够反映晶体结构特征的最小单位。

单元电池参数:代表晶胞形状和大小的六个参数(A、B、C、α、β、γ)。

1: ⑴晶体结构的基本特征:①晶体是一种固体,其内部粒子在三维空间中周期性重复排列。

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⽆机材料科学基础习题与解答4.1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错(c )类质同象与同质多晶解:(a )当晶体热振动时,⼀些能量⾜够⼤的原⼦离开平衡位置⽽挤到晶格点的间隙中,形成间隙原⼦,⽽原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原⼦,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表⾯,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

(b )滑移⽅向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移⽅向相互平⾏的位错称为螺型位错。

(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离⼦或原⼦位置被性质相似的其它离⼦或原⼦所占有,共同组成均匀的、呈单⼀相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同⼀化学组成在不同热⼒学条件下形成结构不同的晶体的现象。

6-3 名词解释(并⽐较其异同)⑴晶⼦学说:玻璃内部是由⽆数“晶⼦”组成,微晶⼦是带有晶格变形的有序区域。

它们分散在⽆定形介中质,晶⼦向⽆定形部分过渡是逐渐完成时,⼆者没有明显界限。

⽆规则⽹络学说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构⼀样,也是由⼀个三度空间⽹络所构成。

这种⽹络是由离⼦多⾯体(三⾓体或四⾯体)构筑起来的。

晶体结构⽹是由多⾯体⽆数次有规律重复构成,⽽玻璃中结构多⾯体的重复没有规律性。

⑵单键强:单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。

⑶分化过程:架状[SiO 4]断裂称为熔融⽯英的分化过程。

缩聚过程:分化过程产⽣的低聚化合物相互发⽣作⽤,形成级次较⾼的聚合物,次过程为缩聚过程。

⑷⽹络形成剂:正离⼦是⽹络形成离⼦,对应氧化物能单独形成玻璃。

即凡氧化物的单键能/熔点﹥0.74kJ/mol .k 者称为⽹络形成剂。

⽹络变性剂:这类氧化物不能形成玻璃,但能改变⽹络结构,从⽽使玻璃性质改变,即单键强/熔点﹤ 0.125kJ/mol .k 者称为⽹络变形剂。

5.1试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

无机材料科学基础习题课习题解答

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1,(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。

解:(a)根据热缺陷浓度公式:exp(-)由题意△G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19JK=1.38×10-23 J/KT1=25+273=298K T2=1600+273=1873K298K:exp=1.92×10-511873K:exp=8×10-9(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:此时产生的缺陷为[ ]杂质。

而由上式可知:[Al2O3]=[ ]杂质∴当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为[ ]杂质=[Al2O3]=10-6由(a)计算结果可知:在1873 K,[]热=8×10-9显然:[ ]杂质>[ ]热,所以在1873 K时杂质缺陷占优势。

2,非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位浓度及x值。

解:非化学计量化合物Fe x O,可认为是α(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:Fe2O32Fe+ V+3O Oα2αα此非化学计量化合物的组成为:Fe Fe O已知:Fe3+/Fe2+=0.1则:∴α=0.044∴x=2α+(1-3α)=1-α=0.956又:∵[V3+]=α=0.044正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956∴空位浓度为3,试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。

(a)判断方程的合理性。

(b)写出每一方程对应的固溶式。

解:3MgO2++3OO (1)2MgO2+ +2O O(2)YF3Y+F+2F F (3)2YF32Y++6F F (4)(a)书写缺陷方程首先考虑电价平衡,如方程(1)和(4)。

无机材料科学基础课后习题答案3

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⽆机材料科学基础课后习题答案33-1 名词解释(a)萤⽯型和反萤⽯型(b)类质同晶和同质多晶(c)⼆⼋⾯体型与三⼋⾯体型(d)同晶取代与阳离⼦交换(e)尖晶⽯与反尖晶⽯答:(a)萤⽯型:CaF2型结构中,Ca2+按⾯⼼⽴⽅紧密排列,F-占据晶胞中全部四⾯体空隙。

反萤⽯型:阳离⼦和阴离⼦的位置与CaF2型结构完全相反,即碱⾦属离⼦占据F-的位置,O2-占据Ca2+的位置。

(b)类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离⼦或原⼦位置被性质相似的其它离⼦或原⼦所占有,共同组成均匀的、呈单⼀相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同⼀化学组成在不同热⼒学条件下形成结构不同的晶体的现象。

(c)⼆⼋⾯体型:在层状硅酸盐矿物中,若有三分之⼆的⼋⾯体空隙被阳离⼦所填充称为⼆⼋⾯体型结构三⼋⾯体型:在层状硅酸盐矿物中,若全部的⼋⾯体空隙被阳离⼦所填充称为三⼋⾯体型结构。

(d)同晶取代:杂质离⼦取代晶体结构中某⼀结点上的离⼦⽽不改变晶体结构类型的现象。

阳离⼦交换:在粘⼟矿物中,当结构中的同晶取代主要发⽣在铝氧层时,⼀些电价低、半径⼤的阳离⼦(如K+、Na+等)将进⼊晶体结构来平衡多余的负电荷,它们与晶体的结合不很牢固,在⼀定条件下可以被其它阳离⼦交换。

(e)正尖晶⽯:在AB2O4尖晶⽯型晶体结构中,若A2+分布在四⾯体空隙、⽽B3+分布于⼋⾯体空隙,称为正尖晶⽯;反尖晶⽯:若A2+分布在⼋⾯体空隙、⽽B3+⼀半分布于四⾯体空隙另⼀半分布于⼋⾯体空隙,通式为B(AB)O4,称为反尖晶⽯。

3-2 (a)在氧离⼦⾯⼼⽴⽅密堆积的晶胞中,画出适合氧离⼦位置的间隙类型及位置,⼋⾯体间隙位置数与氧离⼦数之⽐为若⼲?四⾯体间隙位置数与氧离⼦数之⽐⼜为若⼲?(b)在氧离⼦⾯⼼⽴⽅密堆积结构中,对于获得稳定结构各需何种价离⼦,其中:(1)所有⼋⾯体间隙位置均填满;(2)所有四⾯体间隙位置均填满;(3)填满⼀半⼋⾯体间隙位置;(4)填满⼀半四⾯体间隙位置。

无机材料科学基础试题及答案

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1螺位错:柏格斯矢量与位错线平行的位错。

2同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

3晶胞:指晶体结构中的平行六面体单位,其形状大小与对应的空间格子中的单位平行六面体一致。

4肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,迁移到晶体的表面,在晶格内正常格点上留下空位,即为肖特基缺陷。

肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,迁移到晶体的表面,在晶格内正常格点上留下空位,即为肖特基缺陷。

5聚合:由分化过程产生的低聚合物,相互作用,形成级次较高的聚合物,同时释放出部分Na2O,这个过程称为缩聚,也即聚合。

6非均匀成核:借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置而形成晶核的过程。

7稳定扩散:扩散质点浓度分布不随时间变化。

8玻璃分相:一个均匀的玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成两个互不溶解或部分溶解的玻璃相(或液相),并相互共存的现象称为玻璃的分相(或称液相不混溶现象)。

9不一致熔融化合物:是一种不稳定的化合物。

加热这种化合物到某一温度便发生分解,分解产物是一种液相和一种晶相,两者组成与化合物组成皆不相同,故称不一致熔融化合物。

10晶粒生长:无应变的材料在热处理时,平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续增大的过程。

11非本征扩散:受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散。

或由不等价杂质离子取代造成晶格空位,由此而引起的质点迁移。

(2.5)本征扩散:空位来源于晶体结构中本征热缺陷,由此而引起的质点迁移。

12稳定扩散:若扩散物质在扩散层dx内各处的浓度不随时间而变化,即dc/dt=0。

不稳定扩散:扩散物质在扩散层dx内的浓度随时间而变化,即dc/dt≠0。

这种扩散称为不稳定扩散。

(2.5分)(2.5分)13可塑性:粘土与适当比例的水混合均匀制成泥团,该泥团受到高于某一个数值剪应力作用后,可以塑造成任何形状,当去除应力泥团能保持其形状,这种性质称为可塑性。

无机材料科学基础课后习题

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晶体结构2、(1)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求出该晶面的米勒指数;(2)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的米勒指数。

解:(1)h:k:l=1/2:1/3:1/6=3:2:1,∴该晶面的米勒指数为(321);(2)(321)5、已知Mg2+半径为0.072nm,O2-半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。

解:MgO为NaCl型,O2-做密堆积,Mg2+填充空隙。

rO2- =0.140nm,rMg2+=0.072nm,z=4,晶胞中质点体积:(4/3×πr O2-3+4/3×πrMg2+ 3)×4,a=2(r++r-),晶胞体积=a3,堆积系数=晶胞中MgO体积/晶胞体积=68.5%,密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=3.49g/cm3。

6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。

解:体心:原子数2,配位数8,堆积密度55.5%;面心:原子数4,配位数6,堆积密度74.04%;六方:原子数6,配位数6,堆积密度74.04%。

7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。

MgO的熔点为2800℃,NaC1为80l℃, 请说明这种差别的原因。

解:u=z1z2e2N0A/r0×(1-1/n)/4πε0,e=1.602×10-19,ε0=8.854×10-12,N0=6.×1023,NaCl:z1=1,z2=1,A=1.748,n Na+=7,n Cl-=9,n=8,r0=2.81910-10m,u NaCl=752KJ/mol;MgO:z1=2,z2=2,A=1.748,n O2-=7,n Mg2+=,n=7,r0=2.1010m,u MgO=392KJ/mol;∵u MgO> u NaCl,∴MgO的熔点高。

9、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%;解:设球半径为a,则球的体积为4/3πa3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4×4/3πa3,立方体晶胞体积:(2a)3=16a3,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,空隙率=1-74.1%=25.9%。

无机材料科学基础课后习题答案

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名师整理优秀资源4.1 名词解释(a)弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b)刃型位错和螺型位错解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

(b)滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

4.2试述晶体结构中点缺陷的类型。

以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。

试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。

在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;空位缺陷的表示符号为:VM或VX。

如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:AM或AX(取代式)以及Ai(间隙式)。

当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:++2Cl CaCl Cl2CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为:+2CaCl+2Cl Cl24.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?解:位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确。

电中性是指在方程式两边应具有相同的b:X=a:M的比例关系,即.名师整理优秀资源有效电荷。

质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

4.4(a)在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

(b)如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。

解:(a)根据热缺陷浓度公式:(-)exp由题意△G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19JK=1.38×10-23 J/KT1=25+273=298K T2=1600+273=1873K-5110=1.92:×exp 298K-9×10=8exp1873K:(b)在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:[ ]杂质。

无机材料科学基础习题与解答

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4.1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 (c )类质同象与同质多晶解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

6-3 名词解释(并比较其异同)⑴晶子学说:玻璃内部是由无数“晶子”组成,微晶子是带有晶格变形的有序区域。

它们分散在无定形介中质,晶子向无定形部分过渡是逐渐完成时,二者没有明显界限。

无规则网络学说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样,也是由一个三度空间网络所构成。

这种网络是由离子多面体(三角体或四面体)构筑起来的。

晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成,而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。

⑵单键强:单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。

⑶分化过程:架状[SiO 4]断裂称为熔融石英的分化过程。

缩聚过程:分化过程产生的低聚化合物相互发生作用,形成级次较高的聚合物,次过程为缩聚过程。

⑷网络形成剂:正离子是网络形成离子,对应氧化物能单独形成玻璃。

即凡氧化物的单键能/熔点﹥0.74kJ/mol .k 者称为网络形成剂。

网络变性剂:这类氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变,即单键强/熔点﹤ 0.125kJ/mol .k 者称为网络变形剂。

5.1试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

解:1.离子尺寸因素 :从晶体稳定性考虑,相互替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。

无机材料科学基础习题答案

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无机材料科学基础习题答案无机材料科学基础习题答案无机材料科学是一门研究无机材料的结构、性质和制备方法的学科。

它在材料科学领域中占据重要地位,广泛应用于电子、能源、催化、生物医学等领域。

在学习无机材料科学的过程中,习题是不可或缺的一部分。

下面将针对一些常见的无机材料科学基础习题给出详细的解答。

1. 无机材料的分类有哪些?无机材料可以根据其化学成分和结构特点进行分类。

根据化学成分,无机材料可分为金属材料、陶瓷材料、玻璃材料和复合材料等。

根据结构特点,无机材料可分为晶体材料和非晶体材料。

晶体材料又可细分为单晶体、多晶体和纤维晶体等。

2. 什么是晶体?晶体是指具有规则、有序的周期性排列结构的物质。

晶体的结构由晶格和晶胞组成。

晶格是指由无限多个点构成的空间点阵,晶胞则是晶格的最小重复单元。

晶体的结构决定了其特定的物理和化学性质。

3. 什么是晶体的晶格常数?晶格常数是指晶体晶格中相邻两个晶格点之间的距离。

晶格常数可以用来描述晶体的结构特征,常用的单位是埃(Å)或纳米(nm)。

4. 什么是晶体的晶胞参数?晶胞参数是指晶胞的尺寸和形状参数。

晶胞参数包括晶胞的长度、角度和对称性等。

晶胞参数可以通过X射线衍射等实验手段来确定。

5. 什么是晶体的晶系?晶系是指晶体的晶胞对称性。

常见的晶系包括立方晶系、四方晶系、正交晶系、单斜晶系、三斜晶系、六方晶系和三角晶系等。

6. 什么是晶体的晶面?晶面是指晶体表面的平面。

晶面可以用晶体的晶面指数来表示,晶面指数是由晶面与坐标轴相交的长度比值的倒数。

晶面的不同排列和组合决定了晶体的外观和性质。

7. 什么是晶体的晶体结构?晶体结构是指晶体中原子、离子或分子的排列方式。

晶体结构可以通过X射线衍射等实验手段来确定。

常见的晶体结构包括离子晶体、共价晶体和金属晶体等。

8. 什么是无机材料的晶体缺陷?晶体缺陷是指晶体中存在的原子、离子或分子的缺失、插入、替代或位错等不完整性。

晶体缺陷对晶体的物理和化学性质有着重要影响,可以改变晶体的导电性、热导性和光学性质等。

无机材料科学基础 陆佩文 课后答案

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2-1名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错(c )类质同象与同质多晶解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

2-6(1)在CaF 2晶体中,弗仑克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在25°C 和1600°C 时热2缺陷的浓度?(k=1.38X10-23j/K )(2)如果CaF 2晶体中,含有百万分之一的YF 3杂质,则在1600C 时,。

&耳晶体中时热缺陷占优势还是杂质缺陷232占优势?说明原因。

解:(1)弗仑克尔缺陷形成能为2.8eV ,小于肖特基缺陷形成能5.5eV ,所以CaF 2晶体中主要是弗仑克尔缺陷,肖特基缺陷可忽略不计。

1分当T =25°C=298K 时,热缺陷浓度为:当T =1600C=1873K 时,热缺陷浓度为:(2)CaF 2中含百万分之一(10-6)的YF 3时的杂质缺陷反应为:2YF caF 2>2Y ・+6F +V"3CaFCa由此可知:[YF3]=2[V ;],所以当加入10-6YF3时,杂质缺陷的浓度为:ca[V"]=^[YF ]=5x10-71分Ca 杂23此时,在1600C 下的热缺陷计算为:Ca T Ca ••+V"CaiCaxx +5X 10-7I N 丿298-AG=exp(匚)=exp(2kT—2.8x1.602x10-19 2x1.38x10-23x298)二2.06x10-242分<N 丿1873二exp(-AG 寸)二exp( —2.8x1.602x10-192x1.38x10-23x1873 1.7x10-42分则: [Ca]Ca 即:x (x+5x 10-7)1 =2.89x 10-8, x ^8.1X 10-4-AG二k二沁(寸)=d.7x10-4)2二2.89x10-8显然:[V\]>[V〃],所以在1600°C时是弗仑克尔热缺陷占优势Ca杂Ca热2-10ZnO是六方晶系,a=0・3242nm,c=0・5195nm,每个晶胞中含2个ZnO分子,测得晶体密度分别为5.74,5・606gcm3,求这两种情况下各产生什么型式的固溶体?解:六方晶系的晶胞体积—a2c—>;3.2422x5.19510-24V===4.73cm3在两种密度下晶胞的重量分别为W]=d]V=5.74X4.73X10-23=2.72X10-22(g)W2=d2v=5.606X4.73X10-23=2.65X10-22(g)理论上单位晶胞重W=—瓦—=2.69山旷^@)・•・密度是d1时为间隙型固溶体,是d2时为置换型固溶体。

无机材料科学基础试题与答案

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1螺位错:柏格斯矢量与位错线平行的位错。

2同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

3晶胞:指晶体结构中的平行六面体单位,其形状大小与对应的空间格子中的单位平行六面体一致。

4肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,迁移到晶体的表面,在晶格内正常格点上留下空位,即为肖特基缺陷。

肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,迁移到晶体的表面,在晶格内正常格点上留下空位,即为肖特基缺陷。

5聚合:由分化过程产生的低聚合物,相互作用,形成级次较高的聚合物,同时释放出部分Na2O,这个过程称为缩聚,也即聚合。

6非均匀成核:借助于表面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置而形成晶核的过程。

7稳定扩散:扩散质点浓度分布不随时间变化。

8玻璃分相:一个均匀的玻璃相在一定的温度和组成范围内有可能分成两个互不溶解或部分溶解的玻璃相(或液相),并相互共存的现象称为玻璃的分相(或称液相不混溶现象)。

9不一致熔融化合物:是一种不稳定的化合物。

加热这种化合物到某一温度便发生分解,分解产物是一种液相和一种晶相,两者组成与化合物组成皆不相同,故称不一致熔融化合物。

10晶粒生长:无应变的材料在热处理时,平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下,连续增大的过程。

11非本征扩散:受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散。

或由不等价杂质离子取代造成晶格空位,由此而引起的质点迁移。

(2.5)本征扩散:空位来源于晶体结构中本征热缺陷,由此而引起的质点迁移。

12稳定扩散:若扩散物质在扩散层dx内各处的浓度不随时间而变化,即dc/dt=0。

不稳定扩散:扩散物质在扩散层dx内的浓度随时间而变化,即dc/dt≠0。

这种扩散称为不稳定扩散。

(2.5分)(2.5分)13可塑性:粘土与适当比例的水混合均匀制成泥团,该泥团受到高于某一个数值剪应力作用后,可以塑造成任何形状,当去除应力泥团能保持其形状,这种性质称为可塑性。

无机材料科学基础课后答案

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第二章晶体结构答案2-4定性描述晶体结构的参量有哪些定量描述晶体结构的参量又有哪些答:定性:对称轴、对称中心、晶系、点阵。

定量:晶胞参数。

2-5依据结合力的本质不同,晶体中的键合作用分为哪几类其特点是什么答:晶体中的键合作用可分为离子键、共价键、金属键、范德华键和氢键。

离子键的特点是没有方向性和饱和性,结合力很大。

共价键的特点是具有方向性和饱和性,结合力也很大。

金属键是没有方向性和饱和性的的共价键,结合力是离子间的静电库仑力。

范德华键是通过分子力而产生的键合,分子力很弱。

氢键是两个电负性较大的原子相结合形成的键,具有饱和性。

2-6等径球最紧密堆积的空隙有哪两种一个球的周围有多少个四面体空隙、多少个八面体空隙答:等径球最紧密堆积有六方和面心立方紧密堆积两种,一个球的周围有8个四面体空隙、6个八面体空隙。

2-7n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙不等径球是如何进行堆积的答:n个等径球作最紧密堆积时可形成n个八面体空隙、2n个四面体空隙。

不等径球体进行紧密堆积时,可以看成由大球按等径球体紧密堆积后,小球按其大小分别填充到其空隙中,稍大的小球填充八面体空隙,稍小的小球填充四面体空隙,形成不等径球体紧密堆积。

2-8写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。

答:面心立方格子的单位平行六面体上所有结点为:(000)、(001)(100)(101)(110)(010)(011)(111)(0)(0)(0)(1)(1)(1)。

2-9计算面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。

答::面心:原子数4,配位数6,堆积密度六方:原子数6,配位数6,堆积密度2-10根据最紧密堆积原理,空间利用率越高,结构越稳定,金刚石结构的空间利用率很低(只有%),为什么它也很稳定答:最紧密堆积原理是建立在质点的电子云分布呈球形对称以及无方向性的基础上的,故只适用于典型的离子晶体和金属晶体,而不能用最密堆积原理来衡量原子晶体的稳定性。

无机材料科学基础课后习题答案1

无机材料科学基础课后习题答案1

无机材料科学基础课后习题答案1一,名词解释1. 同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

2. 反萤石结构:这种结构与萤石完全相同,只是阴,阳离子的个数及位置刚好与萤石中的相反,即金属离子占有萤石结构中Fˉ的位置,而O2-离子或其他负离子占Ca2+的位置,3. 正尖晶石:在AB2O4尖晶石型晶体结构中,若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙,称为正尖晶石;4. 反尖晶石:若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙,通式为B(AB)O4,称为反尖晶石。

5. 结构缺陷:6. 点缺陷:由于各种原因使晶体内部质点有规则的周期性排列遭到破坏,引起质点间势场畸变,产生晶体结构不完整性,但其尺度仅仅局限在1个或若干个原子级大小的范围内,这种缺陷就称为点缺陷。

零维缺陷。

7. 热缺陷:当晶体的温度高于0K时,由于晶格上质点热振动,使一部分能量较高的质点离开平衡位置而造成缺陷。

8. 杂质缺陷:外来杂质质点进入晶体中就会生成杂质缺陷,从位置上看,它可以进入结点位置,也可以进入间隙位置。

9. 非化学计量结构缺陷:一些化合物的化学组成会明显地随着周围气氛性质和压力大小的变化而发生组成偏离化学计量的现象,由此产生的晶体缺陷称为非化学计量缺陷。

10. 固溶体:一个(或几个)组元的原子(化合物)溶入另一个组元的晶格中,而仍保持另一组元的晶格类型的固态晶体。

11. 线缺陷:如果晶体内部质点排列的规律性在某一方向上达到一定的尺度范围遭到破坏,就称为线缺陷,也称位错。

一维缺陷。

12.表面:物质和它产生的蒸汽或者真空接触的面。

(液体或固体和气体的接触面)13.界面:任意两种物质接触的两相面。

(液体与液体,固体与固体或液体的接触面)14.表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)15。

表面力:在晶体表面质点排列的周期性中断,质点方面受内部质点的作用使其对称性被破坏。

无机材料科学基础课后习题

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晶体结构2、(1)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6c,求出该晶面的米勒指数;(2)一晶面在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2、c,求出该晶面的米勒指数。

解:(1)h:k:l=1/2:1/3:1/6=3:2:1,∴该晶面的米勒指数为(321);(2)(321)5、已知Mg2+半径为0.072nm,O2-半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。

解:MgO为NaCl型,O2-做密堆积,Mg2+填充空隙。

rO2- =0.140nm,rMg2+=0.072nm,z=4,晶胞中质点体积:(4/3×πr O2-3+4/3×πrMg2+ 3)×4,a=2(r++r-),晶胞体积=a3,堆积系数=晶胞中MgO体积/晶胞体积=68.5%,密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=3.49g/cm3。

6、计算体心立方、面心立方、密排六方晶胞中的原子数、配位数、堆积系数。

解:体心:原子数2,配位数8,堆积密度55.5%;面心:原子数4,配位数6,堆积密度74.04%;六方:原子数6,配位数6,堆积密度74.04%。

7、从理论计算公式计算NaC1与MgO的晶格能。

MgO的熔点为2800℃,NaC1为80l℃, 请说明这种差别的原因。

解:u=z1z2e2N0A/r0×(1-1/n)/4πε0,e=1.602×10-19,ε0=8.854×10-12,N0=6.×1023,NaCl:z1=1,z2=1,A=1.748,n Na+=7,n Cl-=9,n=8,r0=2.81910-10m,u NaCl=752KJ/mol;MgO:z1=2,z2=2,A=1.748,n O2-=7,n Mg2+=,n=7,r0=2.1010m,u MgO=392KJ/mol;∵u MgO> u NaCl,∴MgO的熔点高。

9、证明等径圆球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%;解:设球半径为a,则球的体积为4/3πa3,求的z=4,则球的总体积(晶胞)4×4/3πa3,立方体晶胞体积:(2a)3=16a3,空间利用率=球所占体积/空间体积=74.1%,空隙率=1-74.1%=25.9%。

无机材料科学基础课后答案

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⽆机材料科学基础课后答案第⼆章晶体结构答案2-4定性描述晶体结构的参量有哪些?定量描述晶体结构的参量⼜有哪些?答:定性:对称轴、对称中⼼、晶系、点阵。

定量:晶胞参数。

2-5依据结合⼒的本质不同,晶体中的键合作⽤分为哪⼏类?其特点是什么?答:晶体中的键合作⽤可分为离⼦键、共价键、⾦属键、范德华键和氢键。

离⼦键的特点是没有⽅向性和饱和性,结合⼒很⼤。

共价键的特点是具有⽅向性和饱和性,结合⼒也很⼤。

⾦属键是没有⽅向性和饱和性的的共价键,结合⼒是离⼦间的静电库仑⼒。

范德华键是通过分⼦⼒⽽产⽣的键合,分⼦⼒很弱。

氢键是两个电负性较⼤的原⼦相结合形成的键,具有饱和性。

2-6等径球最紧密堆积的空隙有哪两种?⼀个球的周围有多少个四⾯体空隙、多少个⼋⾯体空隙?答:等径球最紧密堆积有六⽅和⾯⼼⽴⽅紧密堆积两种,⼀个球的周围有8个四⾯体空隙、6个⼋⾯体空隙。

2-7n个等径球作最紧密堆积时可形成多少个四⾯体空隙、多少个⼋⾯体空隙?不等径球是如何进⾏堆积的?答:n个等径球作最紧密堆积时可形成n个⼋⾯体空隙、2n个四⾯体空隙。

不等径球体进⾏紧密堆积时,可以看成由⼤球按等径球体紧密堆积后,⼩球按其⼤⼩分别填充到其空隙中,稍⼤的⼩球填充⼋⾯体空隙,稍⼩的⼩球填充四⾯体空隙,形成不等径球体紧密堆积。

2-8写出⾯⼼⽴⽅格⼦的单位平⾏六⾯体上所有结点的坐标。

答:⾯⼼⽴⽅格⼦的单位平⾏六⾯体上所有结点为:(000)、(001)(100)(101)(110)(010)(011)(111)(0)(0)(0)(1)(1)(1)。

2-9计算⾯⼼⽴⽅、密排六⽅晶胞中的原⼦数、配位数、堆积系数。

答::⾯⼼:原⼦数4,配位数6,堆积密度六⽅:原⼦数6,配位数6,堆积密度2-10根据最紧密堆积原理,空间利⽤率越⾼,结构越稳定,⾦刚⽯结构的空间利⽤率很低(只有34.01%),为什么它也很稳定?答:最紧密堆积原理是建⽴在质点的电⼦云分布呈球形对称以及⽆⽅向性的基础上的,故只适⽤于典型的离⼦晶体和⾦属晶体,⽽不能⽤最密堆积原理来衡量原⼦晶体的稳定性。

无机材料科学基础复习题

无机材料科学基础复习题

无机材料科学基础复习题一、选择题1. 无机材料的分类包括以下哪些选项?A. 金属材料B. 陶瓷材料C. 玻璃材料D. 所有以上选项答案:D2. 陶瓷材料的主要成分是什么?A. 金属元素B. 非金属元素C. 有机元素D. 金属和非金属元素答案:B3. 玻璃材料的制造过程中,以下哪个步骤是必不可少的?A. 熔融B. 冷却C. 固化D. 所有以上步骤答案:D二、填空题1. 无机材料的强度通常与其______结构有关。

答案:晶体2. 陶瓷材料的硬度通常比金属材料______。

答案:高3. 玻璃材料的透光性是由其______结构决定的。

答案:无定形三、简答题1. 简述无机材料的一般特性。

答案:无机材料通常具有高硬度、高熔点、良好的化学稳定性和热稳定性等特点。

2. 描述陶瓷材料在现代工业中的应用。

答案:陶瓷材料在现代工业中广泛应用于电子、化工、航空航天、医疗等领域,如电子器件的绝缘体、化工设备的耐腐蚀材料、航空航天器的热防护材料以及医疗领域的人工骨骼等。

3. 阐述玻璃材料的制造过程。

答案:玻璃材料的制造过程主要包括原料的混合、高温熔融、成型、退火和冷却等步骤。

四、论述题1. 论述无机材料科学在新材料研究中的重要性。

答案:无机材料科学是研究无机材料的组成、结构、性能及其加工工艺的科学,它在新材料研究中具有重要的地位。

无机材料的广泛应用推动了材料科学的发展,同时新材料的不断涌现也为无机材料科学提供了新的研究领域和挑战。

2. 分析无机材料在环境友好型材料开发中的作用。

答案:无机材料在环境友好型材料开发中起着至关重要的作用。

例如,陶瓷材料和玻璃材料可以替代一些对环境有害的材料,减少污染。

此外,无机材料的回收和再利用也是环境友好型材料开发的重要组成部分。

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无机材料科学基础习题与解答4.1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 (c )类质同象与同质多晶解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

6-3 名词解释(并比较其异同)⑴晶子学说:玻璃内部是由无数“晶子”组成,微晶子是带有晶格变形的有序区域。

它们分散在无定形介中质,晶子向无定形部分过渡是逐渐完成时,二者没有明显界限。

无规则网络学说:凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样,也是由一个三度空间网络所构成。

这种网络是由离子多面体(三角体或四面体)构筑起来的。

晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成,而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。

⑵单键强:单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。

⑶分化过程:架状[SiO 4]断裂称为熔融石英的分化过程。

缩聚过程:分化过程产生的低聚化合物相互发生作用,形成级次较高的聚合物,次过程为缩聚过程。

⑷网络形成剂:正离子是网络形成离子,对应氧化物能单独形成玻璃。

即凡氧化物的单键能/熔点﹥0.74kJ/mol .k 者称为网络形成剂。

网络变性剂:这类氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变,即单键强/熔点﹤ 0.125kJ/mol .k 者称为网络变形剂。

5.1试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

解:1.离子尺寸因素 :从晶体稳定性考虑,相互替代的离子尺寸愈相近,则固溶体愈稳定。

若以r 1和r 2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。

当它们半径差< 15%时,形成连续置换型固溶体。

若此值在15~30%时,可以形成有限置换型固溶体。

而此值>30%时,不能形成固溶体。

2、晶体的结构类型:形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的晶体结构。

结构不同最多只能生成有限固溶体。

3、离子的电价因素:只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时,才可能形成连续置换型固溶体。

4、电负性因素:电负性相近,有利于固溶体的生成。

4.2试述晶体结构中点缺陷的类型。

以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。

试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。

在MX 晶体中,间隙原子的表示符号为MI 或XI ;空位缺陷的表示符号为:VM 或VX 。

如果进入MX 晶体的杂质原子是A ,则其表示符号可写成:AM 或AX (取代式)以及Ai (间隙式)。

当CaCl2中Ca2+置换KCl 中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:CaCl 2++2Cl ClCaCl2中Ca2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为: CaCl 2+2+2Cl Cl4.3在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?解:位置平衡是指在化合物MaXb 中,M 格点数与X 格点数保持正确的比例关系,即M :X=a :b 。

电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。

质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

4.4(a )在CaF2晶体中,肖特基缺陷的生成能为2.8ev ,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

(b )如果MgO 晶体中,含有百万分之一mol 的YF3杂质,则在1600℃时,CaF3晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。

解:因为n/N=exp (-∆Gf/2kT )∆Gf=5.5×1.602×10-19=8.817×10-19J T=1600+273=1873K所以 n/N=exp (-8.817×10-19/2×1.38×10-23×1873)= exp (-17.056)=3.9×10-8 (5分) 在CaF2晶体中,含有百分之一的YF3 杂质,缺陷方程如下:Fi Ca CaF F F Y YF 2'32++−−→−⋅此时产生的缺陷为'i F ,]['i F =10-6大于热缺陷浓度3.9×10-8,故在1873K 时杂质缺陷占优势或FCa Ca CaF F V Y YF 622''32++−−→−⋅ )此时产生的缺陷为 ''Ca V ,][''Ca V =5.5×10-7大于热缺陷浓度3.9×10-8,故在1873K 时杂质缺陷占优势5.6 ZnO 是六方晶系,a=0.3242nm ,c=0.5195nm ,每个晶胞中含2个ZnO 分子,测得晶体密度分别为5.74,5.606 g/cm 3,求这两种情况下各产生什么型式的固溶体? 解:六方晶系的晶胞体积V===4.73cm 3在两种密度下晶胞的重量分别为W 1=d 1v=5.74×4.73×10-23=2.72×10-22(g) W 2=d 2v=5.606×4.73×10-23=2.65×10-22(g)理论上单位晶胞重 W==2.69(g)∴密度是d1时为间隙型固溶体,是d2时为置换型固溶体。

试简述硅酸盐熔体聚合物结构形成过程和结构特点?答:聚合物的形成是以硅氧四面体为基础单位,组成大小不同的聚合体。

可分为三个阶段 初期:石英的分化;中期:缩聚并伴随变形;后期:在一定时间和一定温度下,聚合和解聚达到平衡。

产物中有低聚物、高聚物、三维晶格碎片以及游离碱、吸附物,最后得到的熔体是不同聚合度的各种聚合物的混合物,构成硅酸盐结构。

聚合物种类、大小和数量随熔体的组成和温度而变化。

4.5对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol ,计算该晶体在1000K 和1500K 时的缺陷浓度。

解:根据热缺陷浓度公式:exp (-)由题意 △G=84KJ/mol=84000J/mol则 exp ()其中R=8.314J/mol ·K当T1=1000K 时, exp ()= exp =6.4×10-3当T2=1500K 时, exp ()= exp =3.45×10-24.8非化学计量化合物FexO 中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO 中的空位浓度及x 值。

解: 非化学计量化合物Fe x O ,可认为是α(mol)的Fe 2O 3溶入FeO 中,缺陷反应式为:Fe 2O 32Fe+ V+3O Oα 2α α此非化学计量化合物的组成为:FeFe O已知:Fe 3+/Fe 2+=0.1则: ∴ α = 0.044 ∴x =2α+(1-3α)=1-α=0.956又:∵[V3+]=α=0.044正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956 ∴空位浓度为4.9 非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:(a)试列出其缺陷反应式。

(b)求其缺陷浓度表达式。

解:非化学计量氧化物TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。

(a)缺陷反应式为:2Ti Ti?/FONT>O2↑→2++3O OO O→+2e′+O2↑(b)缺陷浓度表达式:[ V]4.10试比较刃型位错和螺型位错的异同点。

刃型位错和螺型位错的异同点刃型位错螺型位错与柏格斯矢量的位置关系柏格斯矢量与刃性位错线垂直柏格斯矢量与螺型位错线平行位错分类刃性位错有正负之分螺形位错分为左旋和右旋位错是否引起晶体畸变和形成应力场引起晶体畸变和形成应力场,且离位错线越远,晶格畸变越小引起晶体畸变和形成应力场,且离位错线越远,晶格畸变越小位错类型只有几个原子间距的线缺陷只有几个原子间距的线缺陷5.2 从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差别。

解:从化学组成、相组成考虑,固溶体、化合物和机械混合物的区别列下表5-1比较之。

表5-1 固溶体、化合物和机械混合物比较以AO溶质溶解在B2O3溶剂中为例)比较项固溶体化合物机械混合物化学组成B2-x A x O(x =0~2)AB2O4AO+B2O3相组成均匀单相单相两相有界面5.3试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点。

列出简明表格比较。

解:固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物都属晶体结构缺陷,但它们又各有不同,现列表5-2比较之。

表5-2 固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物比较分类形成原因形成条件缺陷反应固溶式溶解度热缺陷肖特基缺陷晶格热振动0K以上MX只受温度控制弗伦克尔缺陷M M =X X=MX固溶体无限置换型固溶体掺杂溶解< 15% ,A2+电价=B2+电价,AO结构同BO,电负性相近AOB1-x A x O 受温度控制x=0~1有限固溶体间隙型间隙离子半径小,晶体结构开放,空隙大YF3掺杂量<固溶度,受温度控制组分缺陷< 30% ,Ca2+电价≠Zr4+电价2CaOCaO掺杂量<固溶度,受温度控制非化学计量化合物阳离子缺位环境中气氛性质和压力变化变价元素氧化物在氧化气氛中O2(g)→2Fe+V+O O[h][P O]阴离子间隙O2(g)→+U(2h)[]阳离子间隙变价元素氧化物在还原气氛中ZnO+2e ′+O 2(g)[]阴离子缺位O O →+2+O2(g)[ V]5.4试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。

(a)判断方程的合理性。

(b)写出每一方程对应的固溶式。

解:3MgO2++3OO (1)2MgO2+ +2O O(2)YF3Y+F+2F F (3)2YF32Y++6F F (4)(a)书写缺陷方程首先考虑电价平衡,如方程(1)和(4)。

在不等价置换时,3Mg2+→2Al3+;2Y3+→3Ca2+。

这样即可写出一组缺陷方程。

其次考虑不等价离子等量置换,如方程(2)和(3)2Mg2+→2Al3+;Y3+→Ca2+。

这样又可写出一组缺陷方程。

在这两组方程中,从结晶化学的晶体稳定性考虑,在离子晶体中除萤石型晶体结构可以产生间隙型固溶体以外,由于离子晶体中阴离子紧密堆积,间隙阴离子或阳离子都会破坏晶体的稳定性。

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