元器件降额规范

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目录

1 目的 (2)

2 适用范围 (2)

3 引用标准 (2)

4 质量等级及工作状态定义 (2)

4.1 质量等级 (2)

4.2 工作状态 (2)

5 各类器件降额度要求 (3)

5.1 集成电路 (2)

5.2 分立半导体器件 (4)

5.3 固定电阻器、保险丝、热敏电阻 (5)

5.4 电位器 (5)

5.5 电容器 (6)

5.6 磁性器件 (7)

5.7 机电元件 (8)

5.8 连接器、电缆 (8)

5.9 风扇、PCB (9)

6 应用说明 (9)

6.1 半导体器件结温Tj 确定 (9)

表目录

表1 集成电路降额表 (3)

表2 分立半导体降额表 (4)

表3 固定电阻降额表 (5)

表4 电位器降额表 (5)

表5 电容器降额表 (6)

表6 磁性器件降额表 (7)

表7 机电元件降额表 (8)

表8 连接器及电缆降额表 (8)

图目录

图1 电源工作状态示意图 (2)

修订次修订内容修订日期制定审核核准A/0 初次发布2010-5-13

陈超

A/1 更新优化2011-5-17

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1 目的

为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求，特制定本文件。

2 适用范围

本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。

3 引用标准

GJB/Z35-93 元器件降额准则

4 质量等级及工作状态定义

4.1 质量等级

A：免费维护期（保修期）为大于3 年。

B：免费维护期（保修期）为小于等于3 年。

注：默认情况下，本公司的ＬＥＤ电源质量等级为Ａ级，消费类电源质量等级为B级，特别地，当客户有要求时，按客户的要求执行。

4.2 工作状态

图1 电源工作状态示意图

状态I：

如图中的阴影部分，为电源的正常工作区，绝大部分时间电源工作在此区域，因此在此状态

下，器件的降额使用更加严格。

工作在状态 I 的电源满足如下条件：

（a）按操作手册或目录使用或安装。

（b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。

（c）输入在规定的电压和频率范围内。

（d）对环境条件而言，温度和湿度将在额定最大值以内。

状态Ⅱ：

如图中阴影之外的部分均表示电源工作在状态II，例如输入欠压、OCP 过流保护、OVP 过压

保护等情况，由于电源工作在II 状态的时间一般来说很短，因此在此状态下器件的降额百分

比不如状态I 严格。但必须注意，实际设计时常常因为疏忽了此状态的降额而导致损坏（例

如在开机、输出短路等情况下的损坏，等等！）。

5 各类器件降额度要求

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5.1 集成电路

表1集成电路降额表

元器件种类降额参数

降额度

ⅠⅡA B A,B

数字电路双极型

供电电压容差±3% ±3% ±3%

频率0.8 0.9 0.9 输出电流0.85 0.95 0.95

最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8 MOS

电源电压0.9 0.95 0.95

输出电流0.85 0.95 0.95

频率0.8 0.9 0.9 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

线性电路

放大器

供电电压0.85 0.95 0.95

输入电压0.85 0.85 0.85

输出电流0.85 0.85 0.85

功耗0.8 0.8 0.8 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

比较器

供电电压0.8 0.9 0.9

输入电压0.85 0.85 0.85

输出电流0.85 0.85 0.85

功耗0.8 0.8 0.8 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

电压调整器

输入电压0.85 0.95 0.95 输入输出电压差0.8 0.8 0.8

输出电流0.85 0.85 0.85

功耗0.8 0.8 0.8 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

驱动器，PWM控制IC

供电电压0.8 0.9 0.9 输入电压0.85 0.85 0.85 输出电流0.85 0.85 0.85 功耗0.8 0.8 0.8 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

复杂微电路供电电压容差±3% ±3% ±3% 输入电压0.85 0.85 0.85 输出电流0.85 0.85 0.85 功耗0.8 0.8 0.8 最高结温，Tj 0.8 0.8 0.8

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5.2分立半导体器件

表2分立半导体器件降额表

注：Tj 为器件最高允许结温

元器件种类

降额参数 降额度

Ⅰ

Ⅱ A B A,B 二 极 管

快恢复二极管

正向电流 0.85 0.95 0.95 功耗 0.8 0.8 0.9 反向电压 0.95 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.8 0.8 肖特基二极管

功耗 0.8 0.8 0.9 正向电流 0.85 0.95 0.95 反向电压 0.85 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.8 0.8 普通二极管 正向电流 0.85 0.95 0.95 功耗 0.8 0.9 0.8 反向电压 0.85 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.8 0.8 瞬变抑制二极管 平均电流 0.85 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.8 0.9 稳压二极管 工作电流 0.85 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.9 0.9 晶体管

三极管

反向电压

0.85 0.95 0.95 电流

平均值

0.85 0.85 0.95 峰值 0.85 0.95 0.95 功耗

0.8 0.8 0.8 安全工作区 集电极一发射极电压 0.8 0.9 0.9 集电极最大允

许电流 0.8 0.8 0.9 最大Tj 0.8 0.9 0.9 MOS 管 电流 0.85 0.95 0.95 功耗 0.6 0.8 0.9 击穿电压 0.85 0.95 0.95 最大Tj 0.8 0.9 0.9 可控硅 电压 0.85 0.95 0.95 电流 0.85 0.95 0.95 最高结温，Tj

0.8 0.8 0.9 光电器件

电压 0.85 0.95 0.95 电流 光耦 0.85 0.95 0.95 发光二极管

0.65 0.85 0.85 最高结温Tj

0.8

0.9

0.9