可控硅触发电路必须满足的三个主要条件
2020—2021学年上学期自动化专业《电子技术基础》期末考试题试卷(试卷十三)
2020—2021学年上学期自动化专业《电子技术基础》期末考试题试卷（试卷十三）一、填空题。
1．若使放大电路产生自激振荡，在满足相位条件的情况下，电路的放大倍数为1000，则引入反馈的反馈系数应大于 。
2．三点式振荡器有__________三点式和__________三点式,它们的共同点都是从LC 回路中引出三个端点和三极管的__________相连。
3．正弦波振荡器由＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿四部分组成。
4．自激振荡电路的条件有两个：一是＿＿＿＿＿＿＿＿条件，用公式＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿表示；二是＿＿＿＿＿＿＿＿条件，用公式＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿表示。
5．根据选频网络的不同，正弦振荡电路主要来分＿＿＿＿＿＿院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………＿＿＿振荡电路和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿振荡电路两大类。
改变选频网络的电参数，可以调节电路的＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
6．石英晶体具有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿效应，一定条件下会产生＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿谐振，因此可用于振荡器。
它的优点是＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
7．石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，此时它等效于＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；另一个是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，此时它等效于＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
8．可控整流电路是使输出＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿可以调节的电路。
9．单向晶闸管有三个电极__________、____________和____________。
10．可控整流电路的控制角越__________导通角___________整流输出直流电压越低；最大导通角为_____________。
11．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
2020—2021学年秋季学期输配电及用电工程专业《电力电子技术》期末考试题试卷(试卷A)
2020—2021学年秋季学期输配电及用电工程专业《电力电子技术》期末考试题试卷 （试卷A ）一、填空题。
1．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
2．利用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿特性可实现整流，若要实现可控整流可采用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件。
3．单向可控硅内部有＿＿＿个PN 结，双向可控硅有＿＿＿个PN 结。
4．要使导通的可控硅关断，必须＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
5．可控硅具有＿＿＿＿电控制＿＿＿＿＿电的作用。
6．单向可控硅触发电路常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路，双向可控硅常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路。
7．单结晶体管的负阻特性指的是当＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电流增加时，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿反而减少。
8．双向可控硅有三个电极＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………9．二极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿，三极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，可控硅的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿。
10．单向可控硅导通必须具备两个条件：一是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，二是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
11．电子线路中的电信号按其信号形式分为＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿两大类，其中＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿都是离散的信号叫数字信号。
12．数字信号的基本工作信号是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿进制的数字信号，对应在电路上需要在＿＿＿＿＿＿种不同状态下工作，即＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
13．数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的＿＿＿＿＿＿＿关系。
14．二极管作为开关使用时，应满足条件：其＿＿＿＿＿＿电阻和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电阻有＿＿＿＿＿＿＿差别。
可控硅触发电路的设计
变得非 常难 以控 制 。
作 者 在无 锡 某 工 业 自动 化有 限公 司教 科 研 结合实践期间 ， 与公 司科 研 人 员合 作 ， 可 控 硅 对
触 发 电路在 变频 器设备 中的应用做 了探 索 。
收 稿 日期 ：０ ７ ０ — ９ ２ ０ — ２ １
作 者 简 介 ： 长颖 （９ ９ ）女 ， 芮 １ ７一 ， 天津 人 。 无 锡 职业 技 术 学 院 助教 ， 京 航 空航 天 大 学机 电学 院 研 究 生 。研 究 方 向 ： 南 电 力 电 子技 术 应 用 。
控硅 不会 被错 误地 打 开 ． 防止 快速 充 电所 形成 以 的大 电流导致外 部 的过流保 护 动作 。 ２ｚ （ ）控制 电路在 打 开 可 控硅 的时候 应 最 大
为 了满 足可 控硅 整 流 电路触 发脉 冲 的基本 要
求， 设计 了如 图 ３所示 的触 发 电路 。
图 ３双 向可控硅过零触发 电路
一
路 乃至 整个 设 备 ． 因而 近年 来 工业 大 功率 设备 中
用 无 触 点 控 制 取代 有 触 点 控 制 已经 成 为 一种 趋
势 。可 控 硅作 为无 触点 开关 能 快速 通 断 电路 ， 不 存 在 电弧 及 噪声等 现象 ， 全可 靠 ， 用 寿命 长 ， 安 使 是 进行 无 触点 改造 的理 想元 件 ． 是 它在 变频 器 但 设 备 中 的使用 却一 直没 有被 广 泛推 广 ． 因在 于 原 变频 器可 控硅 系统 的特 别 要求 ： 频 器 中可 控硅 变 不但 要 取 代 原有 的接 触 器 ．还要 承 担 整 流 的功 能 ， 且 在 可控 硅 之后 ， 一个 电容 量大 的 电容 而 是
2020—2021学年上学期集成电路设计与集成系统专业《电子技术基础》期末考试题试卷(试卷五)
2020—2021学年上学期集成电路设计与集成系统专业《电子技术基础》期末考试题试卷（试卷五）一、填空题。
1．一个理想运放应具备下列条件： ①、开坏电压放大倍数A od →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ②、输入电阻r id →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ③、输出电阻r od →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿； ④、共模抑制比K CMR →＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
22．比例运算放大器的闭环电压放大倍数与集成运放本身的参数＿＿＿＿，与外围电阻＿＿＿＿的比值有关，这是引入＿＿＿的结果。
3．差动输入放大电路输入和输出电压关系的公式是＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
4．在同相比例运算电路当R f ＝0,R 1=∞时，这是电路称为＿＿＿＿＿＿。
5．功率放大器通常位于多级放大器的＿＿＿＿＿＿＿＿＿级，其主要任务是放大＿＿＿＿＿＿。
院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………6．双电源互补对称功放电路简称＿＿＿电路，单电源互补对称功放电路简称＿＿＿电路。
7．功放电路出现交越失真，可在两功放管之间串入＿＿＿＿，供给功放管一定的＿＿＿＿＿＿，使之在静态时处于＿＿＿＿＿状态，从而消除交越失真。
8．复合管的电流放大系数约等于两只管子电流放大系数＿＿＿＿＿＿＿。
9．复合管组合的原则是：（1）、保证参与复合的每只管子三个电极的＿＿＿＿＿＿＿按各自的正确方向流动；（2）、复合管的类型由＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿管子的类型所决定。
10．复合管的优点是＿＿＿＿＿＿＿，缺点是＿＿＿＿＿＿，使其热稳定性变差，克服这一缺点，可在第一只管子的发射极接一＿＿＿＿＿。
11． LM386有两个信号输入端，脚2为＿＿＿＿＿＿＿＿＿，脚3为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
脚1 和8之间用外接电阻、电容元件以调整电路的＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
2024年广东高压电工模拟考试高压电工复审模拟考试题库(全国版)
本套试卷为电工精选题库，总共500道题！本套题库全国通用，题型为常考题。
题库说明：本套电工题库包含（单项选择题350道，多选题50道，判断题100道）一、单选题(共计350题,每题1分)1.组合开关用于电动机可逆控制时，( )允许反向接通。
A.不必在电动机完全停转后就B.可在电动机停后就C.必须在电动机完全停转后才答案:C2. 电容器可用万用表( )档进行检查。
A.电压B.电流C.电阻答案:C3. 电源相序的排列方法中，( )是正相序。
A.ABCB.ACBC.BACD.CBA答案:A4. 当线圈中的磁通减少时，感应电流的磁通方向与原磁通方向( )。
A.相同B.相反C.无关D.相同或相反答案:A5. 负荷开关必须与( )串联安装。
A.高压隔离开关B.高压断路器C.高压电容器D.高压熔断器答案:D6. 两只阻值相同的电阻串联后，其阻值( )。
A.等于两只电阻阻值的乘积；B.等于两只电阻阻值的和；C.等于两只电阻阻值之和的1/2；D.等于其中一只电阻阻值的一半。
答案:B7. 对于10KV电容器的电流速断保护,动作时间为( )秒。
A.0B.0.1C.0.5答案:A8. 电容量的单位是( )。
B.乏C.安时答案:A9. 线圈采用f级绝缘的干式变压器，最高允许温度为( )A.105℃B.120℃C.155℃D.130℃答案:C10. 三相变压器Dyn11绕组接线标明一次绕组接成( )。
A.星形B.三角形C.方形答案:B11. 阀型避雷器都由火花间隙和阀电阻片组成，装在密封的瓷套管内。
火花间隙用铜片冲制而成，每对间隙用( )厚的云母垫圈隔开。
A.0.5-1.5mmB. 1.5-2.0mmC.0.5-1.0mmD. 1.0-2.0mm答案:C12. 当某一电力线路发生接地，距接地点愈近，跨步电压( ).A.不变;B.愈低;C.愈高.答案:C13. 在建筑物，电气设备和构筑物上能产生电效应.热效应和机械效应，具有较大的破坏作用的雷属于( )。
2023年【电工(高级)】试题100道及答案
2023年【电工（高级）】试题100道及答案1、【单选题】35KV油开关的主要结构有哪些( )。
（ C ）A、提升机构、油箱、导电系统B、电容套管、电流互感器操作机构C、油箱灭弧室、导电系统、电容套管D、油箱、铁架、升降机构、导电系统2、【单选题】35KV油开关的技术性能，以额定容量为1000兆伏安为例说明：断开1000兆伏安负荷多少次以下，开关不大修( )。
（ C ）A、8次B、16次C、4次D、2次3、【单选题】35～110kV架空线路与居民区在导线最大驰度时的最小垂直距离为( )。
（ C ）A、5米B、6.5米C、7米D、9米4、【单选题】500～1000V直流发电机励磁回路其绝缘电阻不小于多少( )。
（ D ）A、8MΩB、5MΩC、4MΩD、1MΩ5、【单选题】DH型自动重合闸装置中没有下列哪种继电器( )。
（ C ）A、SJB、ZJC、BCJD、XJ6、【单选题】三相半波可控整流电路中，各相触发脉冲相差为( )。
（ B ）A、90°B、120°C、180°D、360°7、【单选题】三相半波可控整流电路中，每一个晶闸管的最大导通角是多少度( )。
（ C ）A、180°B、150°C、120°D、90°8、【单选题】三相隔离开关触头接触的先后偏差不应超过( )。
（ A ）A、3mmB、5mmC、10mmD、20mm9、【单选题】三端集成稳压器内部设有( )等电路，使用方便可靠。
（ A ）A、过流保护和芯片过热保护B、调整管过载保护C、过压保护D、含A，B10、【单选题】下列( )不是同步发电机并网条件。
（ A ）A、发电机电压的平均值等于电网电压平均值B、发电机电压相位与电网电压相位相同C、发电机频率与电网频率相同D、发电机电压相序和电网电压相序一致11、【单选题】下列( )项违反了倒闸操作的安全措施。
（ B ）A、倒闸操作必须执行操作票制度B、可带负荷拉、合刀闸C、严禁带地线合闸D、雷雨时，禁止进行倒闸操作12、【单选题】下列不属于单结管触发电路特点的是( )。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
可控硅 防误触发电阻
可控硅防误触发电阻可控硅（SCR）是一种常用的电子器件，用于控制电流的导通和截断。
它具有防误触发电阻的特性，能够在电路中起到重要的作用。
防误触发电阻是指可控硅在特定条件下，能够有效防止误触发导致电路意外触发的现象。
在实际应用中，误触发可能导致电路的失效和损坏，因此防误触发电阻的存在是十分重要的。
可控硅通常由一个PNPN结构组成，它有三个电极，分别是阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。
当控制极施加足够的正向电压时，可控硅将变为导通状态，电流可以从阳极流向阴极。
而当控制极施加负向电压或无电压时，可控硅将变为截断状态，电流无法通过。
然而，可控硅在导通状态下，一旦失去控制极的控制信号，就有可能造成误触发。
例如在电路中，当控制极的电压波动或干扰时，可控硅可能会突然失去控制，导致电流无法截断。
这种误触发可能会引发电路故障，甚至给设备和人身安全带来风险。
为了解决这个问题，可控硅需要具备防误触发电阻。
防误触发电阻的作用是在控制信号发生波动或干扰时，提供一个稳定的电压，使可控硅保持在截断状态。
通过这种方式，防误触发电阻能够防止误触发的发生，保证电路的正常运行。
防误触发电阻的实现主要依靠可控硅的结构和材料。
通过优化可控硅的PNPN结构和材料的选择，可以提高其防误触发的能力。
目前，一些新型的可控硅已经具备了较好的防误触发性能，能够在复杂的电路环境中稳定工作。
除了可控硅本身的结构和材料，电路设计中的其他因素也对防误触发起着重要的影响。
例如，合理的电路布局和电源的稳定性，都能够提高可控硅的防误触发能力。
因此，在实际应用中，需要综合考虑电路设计和可控硅的特性，以确保防误触发的效果。
可控硅作为一种重要的电子器件，具备防误触发电阻的特性，能够在电路中起到重要的作用。
通过优化可控硅的结构和材料，并合理设计电路，可以提高可控硅的防误触发能力，确保电路的正常运行。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择合适的可控硅，并注意防误触发电阻的设计，以提高电路的可靠性和稳定性。
双向可控硅及其触发电路
双向可控硅及其触发电路双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。
双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。
为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。
（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）推荐电路：为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。
当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。
过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
可控硅触发电路原理详解
可控硅触发电路原理详解：
可控硅触发电路的原理是利用可控硅的导通和关断特性，通过控制触发信号的相位和占空比等参数，实现对主电路中可控硅的精确控制，从而达到调整电压、电流等参数的目的。
可控硅触发电路通常由电源、控制信号输入、触发脉冲输出等部分组成。
当控制信号输入端接收到一个控制信号时，该信号会被整形、放大，并通过触发脉冲输出端输出一个与可控硅导通和关断特性相匹配的脉冲信号。
这个脉冲信号的宽度、幅度和相位等参数可以通过调整电路中的电阻、电容等元件来改变。
当可控硅触发电路输出的脉冲信号加到可控硅的门极和阴极之间时，可控硅将开始导通。
随着脉冲信号的宽度增加，可控硅的导通时间也会延长，从而使得主电路中的电流增加。
相反，当脉冲信号的宽度减小时，可控硅的导通时间会缩短，主电路中的电流也会减小。
另外，通过调整触发脉冲的相位和占空比等参数，还可以实现主电路中可控硅的精确控制。
例如，在交流电机控制中，通过改变触发脉冲的相位，可以改变电机转子的旋转角度，从而实现电机的调速和正反转控制。
直流系统技术问答
直流系统技术问答直流系统技术问答--问答题(1-170) 1、何谓铅酸蓄电池的极板硫化,答:蓄电池长期处于放电或半放电状态，极板上就会生成一种白色的粗晶粒硫酸铅，正常充电时它不能转化为二氧化铅和绒状铅，这称为硫酸铅的硬化，简称硫化。
2、蓄电池产生自放电的主要原因是什么,答:产生自放电的主要原因首先是由于电解液及极板含有杂质，形成局部小电池，小电池两极双形成短路回路，短路回路内的电流引起自放电。
其次，由于电解液上下密度不同，极板上下电动势的大小不等，因而在正负极板上下之间的均压电流也引起蓄电池的自放电。
它随电池的老化程度而加剧。
3、蓄电池定期充放电的意义是什么?答:蓄电池定期充放电也叫核对性放电。
以全浮充方式运行的蓄电池应每三个月进行一次核对性放电，以核对其容量，并使极板有效物质得到均匀活化。
对已运行两年以上的蓄电池可适当延长核对性放电周期。
一方面检查电池容量和健康水平，做到发现问题及时检修;另一方面能够活化极板上的有效物质，保证蓄电池的正常运行。
4、何谓镉镍蓄电池的瞬时放电倍率选择性?答:即镉镍蓄电池的瞬时负荷(如车辆启动，断路器合闸等)，能以1,30的倍率进行放电的特性。
如额定容量为40A?h的镉镍蓄电池，瞬时最大可以对冲击性负荷放出40X30=1200(A)的电流。
5、简述镉镍蓄电池的工作原理。
答:镉镍蓄电池极板的活性物质在充电后，正极板为氧基氢氧化镍，负极板为金属镉。
而放电终止时，正极板转化为氢，氧化亚镍，负极板转化为氢氧化镉。
电解液选用氢氧化钾溶液添加少量的氢氧化锂，蓄电池在充电时将化学能转变为电能贮存起来，放电时将化学能变为电能，两极的化学反应是可逆的。
6、无端电池直流系统有哪些优点?答:无端电池直流系统优点有:(1)蓄电池总数减少，并省去了端电池调整器。
(2)减少了施工安装工作量。
(3)降低了充电硅整流器的输出电压。
7、镉镍电池有什么特点?答:镉镍电池的主要特点有:(1)电解液只作为电流的传导体，浓度不起变化。
电子科学与技术专业研究生《电子技术基础》模拟考试题试卷(卷二)
电子科学与技术专业研究生 《电子技术基础》模拟考试题试卷 （卷二） 题号 一 二 三 四 五 六 七 总 分 得分 一、单项选择题。
1．把电力用户从单方向取得电能的电力网叫做（ ）。
A ．开式电力网； B ．闭式电力网； 2．根据电力用户负荷的重要程度可以分为（ ）。
A. 一个等级； B. 两个等级； C. 三个等级； 3．三类负荷对供电可靠性的要求是（ ）。
A ．任何时候都不能突然停电； B ．一般情况下不能突然停电； C. 可以随时突然停电； 4．磁电式电工仪表一般用来测量（ ）电流、电压。
A ．交流； B ．直流； 5．电磁式仪表的优点是（ ）测量直流，（ ）测量交流。
A ．能； …○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：B．不能；6．二进制数10101转换为十进制数为( )。
A．15；B．21；C．18；7．8421BCD码0110表示十进制数为( )。
A．8；B．6；C．42；8．欲表示十进制数的十个数码，需要二进制数码的位数是( )。
A．2位；B．3位；C．4位；9．逻辑函数式E+EF,化简后结果是( )。
A．E；B．F；C．EF；10．逻辑函数式F=ABC+A+B+C的逻辑值为( )。
A．0；B．1；C．ABC；11.对三极管放大作用的实质，下列说法正确的是( )；A．三极管可把小能量放大成大能量；B．三极管把小电流放大成大电流；C．三极管可把小电压放大成大电压；D．三极管用较小的电流控制较大电流；12.PN结加反向电压会变( )；A. 宽；B. 窄；C. 不变；D. 不定；13.有反馈的放大器的电压放大倍数( )；A. 一定提高；B. 一定降低；C. 保持不变；D. 说法都不对；14.下列哪种电路属于正反馈电路的应用( )；A. 分压式偏置电路；B. 射极输出器；C. 自激振荡器；D. 线性集成电路；15.有一放大电路需要稳定输出电压,提高输入电阻,则需引入（）。
可控硅触发电路
中图分类号：ＴＱ１１４．２６ 文献标识码：Ｂ
文章编号：１００９－ １７８５（２００８）０４－ ００２５－ ０５
Ｔｈｙｒ ｉｓｔｅｒ ｔｒ ｉｇｇｅｒ ｃｉｒ ｃｕｉｔ
ＨＵＡＮＧ Ｄｅ－ ｓｈｅｎｇ （Ａｎｈｕｉ Ｂａｙｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｇｒｏｕｐ， Ｂｅｎｇｂｕ ２３３０００， Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒ ａｃｔ： Ｔｈｅ ｃｌａｓｓｉｃａｌ ａｎｄ ｏｒｉｇｉｎａｌ ｔｒｉｇｇｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ， ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｔｒｉｇｇｅｒ ｏｆ ｈｉｇｈ － ｐｏｗｅｒ ｒｅｃｔｉｆｙｉｎｇ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｗｉｔｈ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｔｈｙｒｉｓｔｅｒ ｅｌｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｄｉｇｉｔａｌ ｃｉｒｕｉｔ ｔｒｉｇｇｅｒ ｗｅｒｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ． Ｋｅｙ ｗｏｒ ｄｓ： ｔｒｉｇｇｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ； ｓｉｍｕｌａｔｅｄ ｔｒｉｇｇｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ； ｄｉｇｉｔａｌ ｔｒｉｇｇｅｒ ｃｉｒｕｉｔ
Ｑ１、Ｑ２ 在锯齿波电压高于控制电压时产生，Ｔ１、 Ｔ２ 经非门后产生 Ｑ１、Ｑ２，经异或非运算后得到 ＱＺ，故 只有当 Ｑ１、Ｑ２ 均为高电平时，ＱＺ 才高电平；ＱＵ 则是 随 Ｔ１、Ｔ２ 的到来而发生翻转的输出端。６ 脚接高电平 （高于 ８ Ｖ 时），Ｔ１、Ｔ２、Ｑ１、Ｑ２ 等输出信号正常；当 ６ 脚接低电平（低于 １．７ Ｖ）时，各输出端全被封锁，
３ 数字触发电路
随着数字技术的发展，晶闸管触发信号本质上 又是一种离散量，可由数字信号实现。目前，已有大 量的数字式触发器产品问世。这些数字触发器大体 由过零检测器、计数器、脉冲分配器等组成。随着微 型计算机的广泛应用，采用以单片机为控制核心设 计数字式触发器，可以大大简化硬件电路的组成并 可提高触发的控制精度，其中，触发角 α的分辨率 可达 ０．１０￣０．０１°，甚至更高。另外，由于软件的可编 程性，使微机数字触发器的调节范围相当灵活，能满 足多方面的需要。目前，国内使用的单片机数字触发 器分成 ２ 大类，即进口的如 ＡＢＢ 公司、西门子公司 生产的和国内拥有自主知识产权的数字触发器。进 口的数字触发器性能好，但价格昂贵。以比较先进的 单片机８０Ｌ１９６ＫＣ 为核心组成的数字触发板是我国 自主开发的数字融发器。 ３．１ 硬件
可控硅触发电路的设计
图 ４ 可控硅开关模拟测试电路图
４．１ 开通、关断测试如表 １。
表 １ 可控硅控制电路正常工作测试
项目 开通测试 关断测试
实验条件
实验过程
实验结果
首 先 按 下 ＳＢ１ 使 测 试 电 ＬＥＤ１￣ ＬＥＤ７ 发光， 且万用
ＵＡＢ＝６Ｖ， ２４Ｖ， １１０Ｖ 单 片 路通电， 同时给光耦发低 表 读 数 分 别 为 ８．４Ｖ， ３４Ｖ，
机送低电平
电平
１５４Ｖ
ＬＥＤ１￣ ＬＥＤ７ 由 发 光 转 为
ＵＡＢ＝６Ｖ， ２４Ｖ， １１０Ｖ 单 片 在可控硅开通的情况下同 熄 灭 ， 且 万 用 表 读 数 都 为
机送高电平
时给光耦发高电平
０Ｖ
结论 可控硅全开通
可控硅关断
８１
由此可见， 可控硅在正常工作时能可靠的开 通和关断。
４．２ 干扰测试 通过上述实验我们可以看出， 该可控硅触发电路在正常工作时的抗干扰能力 很强。但是， 晶闸管有一个重要的特性参数－ 断态 电压临界上升率 ｄｖ／ｄｔ， 若电压上升率超过可控硅 的电压临界上升率 ｄｖ／ｄｔ 的值， 则会在无门极信 号的情况下开通， 即造成误触发。此类问题多发 生于电源的接通与断开的瞬间。为了限制电路电 压上升率过大， 确保可控硅安全运行， 我们在可 控硅两端并联 ＲＣ 阻容吸收电路。Ｒ、Ｃ 的参数可 通过下列公式选择： 电容的选择：
表二 可控硅控制电路干扰测试
实验条件
实验过程 实验数据 评 价
单片机发低 电平， 即 ｍｏｃ３０８３ 不工 作， 可控硅处 于断开状态
循环按下 ＳＢ１ 和 ＳＢ２ 连 续 １０００ 次
万用表读 数为零
晶闸管整 Ｃ 吸收回路可以 较好地抑制 ｄｖ／ｄｔ 的干扰。
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可控硅触发电路必须满足的三个主要条件
一、可控硅触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度
为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发，可控硅触发电路所送出的触发电压和电流，必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的最大值，并且留有足够的余量。
另外，由于可控硅的触发是有一个过程的，也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间，不是一触即通，只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时，管子才能导通，所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。
例如：一般可控硅的导通时间在6μs左右，故触发脉冲的宽度至少在6μs以上，一般取20～50μs，对于大电感负载，由于电流上升较慢，触发脉冲宽度还应加大，否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上，则可控硅又重新关断，所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取
1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。
二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触发电路导通时间的一致性
对于可控硅串并联电路，要求并联或者串联的元件要同一时刻导通，使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。
否则，由于元件特性的分散性，在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围，在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏，所以，针对上述问题，通常采取强触发措施，使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。
三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步
为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作，必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。
同时，无论是在可控整流、有源逆变还是在交流调压的触发电路中，为了使每—周波重复在相同位置上触发可控硅，触发信。