模电1-3章课后习题

填空

1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。若工

作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。

4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。

5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增

大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。

6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；

若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。

7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真

的原因是Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。

8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是

共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是

共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是

共射电路。

9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率

f H时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差

-225 度。

10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍

数为100 倍，上限频率f H＝2×106Hz，下限频率f L＝20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB。

11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生

的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

13. 在三极管多级放大电路中，已知A V1＝20，A V2＝-10，A V3＝1，A V1是共基

放大器，A V2是共射放大器，A V3是共集放大器。

14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 、输入电阻比较大、输出电阻比较小。

15. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

16．温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。

17.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

18.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

19.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

21.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

22.BJT所代表的电气元件是双极型三极管。

23.三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区和截止区。

24.静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。

25.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。

26. MOSFET所代表的电气元件是金属－氧化物－半导体场效应管。

27.共集电极电路又被称为电压跟随器；共基极电路又被称为电流跟随器。

28.静态工作点Q点选得过低会导致截止失真；Q点选得过高会导致饱和失真。

29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电

路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。

31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共

射极放大电路；仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路；仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。

32. 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；

反向击穿）。

34. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。

35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 ；输入电阻很大；输

出电阻很小。

36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。 37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。

38. JFET 是利用PN 结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，

从而控制漏极电流的大小；而MOSFET 则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。 39.对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω，V BE =0.7V ，V CE （sat ）=0.3V,当β=50，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3.2V ；若换

上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。

40.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0.7V ，若要求静态电流

I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282.5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。

41.对于下图所示电路，已知V CC =12V ，R b1=27 k Ω，R c =2 k Ω,R e =1 k Ω,V BE =0.7V,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2= 12 k Ω 。

42.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE =0.7V ，稳压管的稳定电压V Z =6V ，则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。