去胶工艺培训材料PPT课件
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
设灯照，则灯打开。 6) 系统检测参数，UV激发工艺气体，加RF功率，开始去
胶工艺；灯到设定的时间后关闭。 7) 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； 8) 腔体充气至大气状态，圆片传至冷却腔，冷却完毕下
料到片架中。
13
其他及其注意事项
为了保持A1000的工艺稳定，通常采用复合 式菜单，如菜单BC、DE，即在进行去胶工艺 之前，运行一个程序B、D，过程中打开卤素 灯进行加热，并且通入工艺气体。采用复合 程序去胶能增强去胶能力。但设备允许最多 连续依次运行3个程序。
O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止离化后的O*再次结合为O2 以及增强离子轰击。
5
A1000设备结构原理图
6
3510设备结构原理图
7
A1000/3510设备基本参数
Equipment
parameter
A1000
3510
Temperature 150-250 degrees Centigrade 250 degrees Centigrade
11
A1000的工艺过程简介
1) 圆片传至工艺腔，门关上； 2) 3盏卤素灯开始工作； 3) 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 4) 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至
2MT； 5) 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2&O2）； 6) 系统检测参数，火花塞点火，加RF功率，开始去胶工艺； 7) 关闭LAMP1&3 ,LAMP2继续工作； 8) 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； 9) LAMP2、RF功率、火花塞停止工作； 10) 腔体充气至大气状态，圆片传至下料腔；
湿法清洗 干法去胶+湿法清洗 干法去胶+湿法清洗 干法去胶+湿法清洗+干法去胶
去胶菜单 PR-L/R/1 “BC” +“PR-L/R”/“1” “BC” + “PR-L/R”/“1”
“BC” + “PR-L/R”/“1”
“BC” + “PR-L/R”/“1” “DE” + “PR-L/R” /“1”+“SC-1”
3
A1000/3510干法去胶工艺
4
A1000/3510干法去胶工艺简 介
Aura1000/3510干法去胶设备为一种等离子下 游式去胶，其去胶方式可以更小地减少对硅片 的等离子损伤，去胶使用气体主要为O2，与 光刻胶中的C反应生成CO，去胶温度一般为 150-250℃。
O2在低压反应室中由于受到高频电场的作用， 被激发成游离态氧原子O*，并发生反应：
Press
2Torr/2.5Torr
1.2Torr
Magnetron
2.45GHz,1000Watts, Pulse/constant duty cycles
Lamp 1&3
1000watts/120v,Lamp2
IR QuartzHalogenLamp2s50w/120v
lamp 1000watts
MFC Calibration
O2:0-10Liters,N2:0-1 Liters
8
A1000/3510工艺原理
当反应气体进入PLASMA TUBE，流经PREFIRE SPARKER或UV时，SPARKER产生高 压火花或UV激发气体，打破部分O2分子的 分子键，并增强气体分子的能量，然后进入 由磁电管产生1000W，2.45GHz的微波的 PLASMA TUBE，进一步促使O2分子分解 成游离基O1，O1是极不稳定的，具有很强 的活性，与光刻胶中的主要成分C结合形成 CO、CO2，由泵抽出工艺腔。
Gasonic Aura 1000 /3510/IPC21011等离子
体去胶
2
CSMC去胶工艺模块
项目
去胶工艺
注入剂量≤E14
湿法去胶
注入剂量≤E14但双电荷注入
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≤E14连续两次(含)
以上注入
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≤E14 干法/湿法腐
wk.baidu.com
蚀以后注入
干法去胶+湿法去胶
E14<注入剂量<4.0E14
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≥4.0E14
干法去胶+湿法去胶+SC-1清洗
WET ETCH
湿法去胶
SDG ETCH
干法去胶+湿法去胶+ SC-1清洗
WINDOW ETCH
干法去胶+湿法去胶
干法去胶+漂洗+湿法去胶+ SC-
POLY/WSI ETCH
1清洗
METAL ETCH VIA PAD(24#) PAD(涂20#和28#胶)
去胶工艺培训材料
1
去胶工艺简介
目前线上采用多种方式的去胶工艺
溶剂去胶:主要用于金属之后的去胶，如：SST， WCAKR01；WCDNS01。 氧化去胶:H2SO4/H2O2=10：1去胶、SC1 （NH4OH/H2O2）去胶 干法去胶:有等离子去胶、紫外光分解法去胶等，
目前我们在用的干法去胶工艺主要采用
9
PLASMA的形成
10
工艺温度的控制：温度是影响去胶时间唯一一个也是最为
重要的因素。温度越高去胶速率就越快。
1.A1000的工艺温度控制： A1000设备是通过3盏卤素灯（LAMP1 1000W/120V，
LAMP2 250W/120V，LAMP3 1000W/120V）来加热 的，其中LAMP1、LAMP3为高温灯，一般设定工作时间 为10-15秒，LAMP2为低温灯，一般设定为工艺时间。 三盏卤素灯都打开可以很快的加热圆片，一般10-13秒就 能使圆片的温度达到200℃。 在工艺腔进行去胶工艺时，一般圆片被加热至250℃左右。 2.3510的温度：主要靠热板（一般设定为250℃）来预热圆 片，为了增加去胶速率，圆片顶部的灯也开出一定的灯的 强度，但灯的强度越大则腐蚀均匀性越差。
12
3510的工艺过程简介
1) 圆片传至工艺腔，门关上； 2) PIN把圆片放到热板上（大剂量注入后圆片去胶STEP1
无须放到热板上）； 3) 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 4) 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至
2MT； 5) 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2&O2），如预
"PR-L/R”/“1” “BC” +“PR-L/R”/“1” +“SC-1”
“BC” + “PR-L/R”/“1” “BC”+WE99+ “PR-L/R”/“1”+“SC-1”
“HOT-AL（HOTMETAL）”/“P5000 （COLD METAL）” “A” + “ACT-CLN” “A” +“CAPS” “A” +“CAPS” + “A”
胶工艺；灯到设定的时间后关闭。 7) 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； 8) 腔体充气至大气状态，圆片传至冷却腔，冷却完毕下
料到片架中。
13
其他及其注意事项
为了保持A1000的工艺稳定，通常采用复合 式菜单，如菜单BC、DE，即在进行去胶工艺 之前，运行一个程序B、D，过程中打开卤素 灯进行加热，并且通入工艺气体。采用复合 程序去胶能增强去胶能力。但设备允许最多 连续依次运行3个程序。
O2 O*+ O*；CXHY+ O* CO2 +H2O N2 的作用是阻止离化后的O*再次结合为O2 以及增强离子轰击。
5
A1000设备结构原理图
6
3510设备结构原理图
7
A1000/3510设备基本参数
Equipment
parameter
A1000
3510
Temperature 150-250 degrees Centigrade 250 degrees Centigrade
11
A1000的工艺过程简介
1) 圆片传至工艺腔，门关上； 2) 3盏卤素灯开始工作； 3) 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 4) 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至
2MT； 5) 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2&O2）； 6) 系统检测参数，火花塞点火，加RF功率，开始去胶工艺； 7) 关闭LAMP1&3 ,LAMP2继续工作； 8) 到达设定工艺时间，去胶工艺结束； 9) LAMP2、RF功率、火花塞停止工作； 10) 腔体充气至大气状态，圆片传至下料腔；
湿法清洗 干法去胶+湿法清洗 干法去胶+湿法清洗 干法去胶+湿法清洗+干法去胶
去胶菜单 PR-L/R/1 “BC” +“PR-L/R”/“1” “BC” + “PR-L/R”/“1”
“BC” + “PR-L/R”/“1”
“BC” + “PR-L/R”/“1” “DE” + “PR-L/R” /“1”+“SC-1”
3
A1000/3510干法去胶工艺
4
A1000/3510干法去胶工艺简 介
Aura1000/3510干法去胶设备为一种等离子下 游式去胶，其去胶方式可以更小地减少对硅片 的等离子损伤，去胶使用气体主要为O2，与 光刻胶中的C反应生成CO，去胶温度一般为 150-250℃。
O2在低压反应室中由于受到高频电场的作用， 被激发成游离态氧原子O*，并发生反应：
Press
2Torr/2.5Torr
1.2Torr
Magnetron
2.45GHz,1000Watts, Pulse/constant duty cycles
Lamp 1&3
1000watts/120v,Lamp2
IR QuartzHalogenLamp2s50w/120v
lamp 1000watts
MFC Calibration
O2:0-10Liters,N2:0-1 Liters
8
A1000/3510工艺原理
当反应气体进入PLASMA TUBE，流经PREFIRE SPARKER或UV时，SPARKER产生高 压火花或UV激发气体，打破部分O2分子的 分子键，并增强气体分子的能量，然后进入 由磁电管产生1000W，2.45GHz的微波的 PLASMA TUBE，进一步促使O2分子分解 成游离基O1，O1是极不稳定的，具有很强 的活性，与光刻胶中的主要成分C结合形成 CO、CO2，由泵抽出工艺腔。
Gasonic Aura 1000 /3510/IPC21011等离子
体去胶
2
CSMC去胶工艺模块
项目
去胶工艺
注入剂量≤E14
湿法去胶
注入剂量≤E14但双电荷注入
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≤E14连续两次(含)
以上注入
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≤E14 干法/湿法腐
wk.baidu.com
蚀以后注入
干法去胶+湿法去胶
E14<注入剂量<4.0E14
干法去胶+湿法去胶
注入剂量≥4.0E14
干法去胶+湿法去胶+SC-1清洗
WET ETCH
湿法去胶
SDG ETCH
干法去胶+湿法去胶+ SC-1清洗
WINDOW ETCH
干法去胶+湿法去胶
干法去胶+漂洗+湿法去胶+ SC-
POLY/WSI ETCH
1清洗
METAL ETCH VIA PAD(24#) PAD(涂20#和28#胶)
去胶工艺培训材料
1
去胶工艺简介
目前线上采用多种方式的去胶工艺
溶剂去胶:主要用于金属之后的去胶，如：SST， WCAKR01；WCDNS01。 氧化去胶:H2SO4/H2O2=10：1去胶、SC1 （NH4OH/H2O2）去胶 干法去胶:有等离子去胶、紫外光分解法去胶等，
目前我们在用的干法去胶工艺主要采用
9
PLASMA的形成
10
工艺温度的控制：温度是影响去胶时间唯一一个也是最为
重要的因素。温度越高去胶速率就越快。
1.A1000的工艺温度控制： A1000设备是通过3盏卤素灯（LAMP1 1000W/120V，
LAMP2 250W/120V，LAMP3 1000W/120V）来加热 的，其中LAMP1、LAMP3为高温灯，一般设定工作时间 为10-15秒，LAMP2为低温灯，一般设定为工艺时间。 三盏卤素灯都打开可以很快的加热圆片，一般10-13秒就 能使圆片的温度达到200℃。 在工艺腔进行去胶工艺时，一般圆片被加热至250℃左右。 2.3510的温度：主要靠热板（一般设定为250℃）来预热圆 片，为了增加去胶速率，圆片顶部的灯也开出一定的灯的 强度，但灯的强度越大则腐蚀均匀性越差。
12
3510的工艺过程简介
1) 圆片传至工艺腔，门关上； 2) PIN把圆片放到热板上（大剂量注入后圆片去胶STEP1
无须放到热板上）； 3) 打开SOFT VALVE，腔体抽真空至10MT； 4) 打开MAIN VALVE、THROTTLE VALVE，腔体抽至
2MT； 5) 压力达到2MT，开始通工艺气体（N2&O2），如预
"PR-L/R”/“1” “BC” +“PR-L/R”/“1” +“SC-1”
“BC” + “PR-L/R”/“1” “BC”+WE99+ “PR-L/R”/“1”+“SC-1”
“HOT-AL（HOTMETAL）”/“P5000 （COLD METAL）” “A” + “ACT-CLN” “A” +“CAPS” “A” +“CAPS” + “A”