石英晶体谐振器实用培训知识教材
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当Q值最大时，晶体的谐振电阻最小。
八、激励电平(Level of drive)
激励功率测试方法:
一种用耗散功率表示的，施加于晶体元件的激励条件的量度。所有晶体元 件的频率和电阻都在一定程度上随激励电平的变化而变化，这称为激励电平相关性 (DLD)，因此订货规范中的激励电平须是晶体实际应用电路中的激励电平。正因为 晶体元件固有的激励电平相关性的特性，用户在振荡电路设计和晶体使用时，必须
注意和保证不出现激励电平过低而起振不良或过度激励频率异常的现象。
九、DLD
DLD2(单位：欧姆) 不同激励电平下的负载谐振电阻的最大值与最小值之间的差值。
(如：3225产品:从0.1uw~200uw,总共20步)。
十、TKD晶体电气参数对比图
产品
C0 C1
L1
(pf) (Ff) (H)
R1 Q (Ω)
五、AT切型,振动模式
1、频率范围: 500K～350MHZ
2、压电活性高: 阻抗范围10Ω～120Ω
3、宽温度范围内（55°~85℃）频率温度特 性好
4、加工方便，体积小， 适于大批量生产。
BT切石英晶体具有频率常 数大,机械品质Q高,老化率小, 易加工,但频率温度系数大,压 电活性小,故其应用受到一定 限制,目前用于高频范围.
振动频率方程：fn=n Kr/t (n=1、3、57…) Kr=1670KHz.mm 计算晶片厚度 t=1670/fn (mm)
例：25MHz基频时，厚度是66.8μm 再薄的实际上加工不可能， 而利用泛音的形式，可加工具有从25MHz 到200MHz 频率的晶体。
第四章:石英晶体的电气参数
一、石英晶体等效电路电气参数
符号 FL FR CL PPM Rr C0 C1 L1 Q TS DLD
定义 负载频率(晶体在CL负载电容下的频率) 串联谐振频率(晶体本身的谐振频率) 负载电容,于晶体一起决定负载频率的外界电容 频率误差,描述频率偏差的相对值 等效电阻,晶体在谐振状态下的电阻值 静态电容,等效电路中电极之间的电容 动态电容,等效电路中电容值 动态电感,等效电路中的电感 品质因数,一个周期储存能量与消耗能量的比值 牵引能力,负载电容每变化1pf,FL的变化量 驱动功率依赖性
一、石英晶体的结构：
1. 分子式：SiO2呈四面体排列，其基本结构特征都为 [SiO4]4-排列。 三个基本的原子间距分别为：Si-O 1.62Å，O-O 2.65Å，Si-Si 3.12Å；Si-O-Si键角分布中最大值为
1440±10％。
2. 石英的形态：
分为晶态与非晶态SiO2 ： a .晶态：分子石英晶体，分子结构有规则排列，具有压
在Y、Z方向上的分量为 （P1+P2+P3）Y=0 （P1+P2+P3）Z=0
由上式看出，在X轴的正向出现正电荷，在 Y、Z轴方向则不出现电荷。
Y
-
+
+ P1
P3 - X
P2
-
+
(a) FX=0
FX－ -
Y +
+FX
－ + P1 P3 - + X
－ －
-
P2 +
+ +
(b) FX<0
(2)：压电效应解释
电效应，而Y、Z方向则不产生压电效应。
晶体在Y轴方向力FY作用下的情况与FX相似。当FY＞0时，晶体的形 变与图（b）相似；当FY＜0时，则与图（c）相似。由此可见，晶体 在Y（即机械轴）方向的力FY作用下，使它在X方向产生正压电效应， 在Y、Z方向则不产生压电效应。
三. 石英晶体的化学性：
a. 石英材料常温常压下 不溶于水，不与硫酸，盐酸，硝 酸，烧碱反应；但表面有微弱的吸水吸潮并与OH－ 结
合-O-Si-OH影响晶体的介电强度与压电效应；
b.石英材料及半导体Si常态下 能与氢氟酸HF；氟化氢铵NH4HF2 的水溶液发生化学反应，
NH4HF2水解 = NH4F+HF， 4HF+ Si=SiF4+2H2 6HF+ SiO2=H2SiF6+2H2O，
c.石英晶体 腐蚀具有异向性：
在Z向的腐蚀速率明显，在X,Y向的腐蚀速率则不明显， Z:Y:X=100:10:5
电效应。 b.非晶态：方石英，石英玻璃，鳞石英，
分子排列近程有序，远程无序。
3、石英晶体的形状：5组面，每组6个面 m,R,r,s,x
。
二、压电效应：
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
（1）石英晶体的压电效应
天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学中它可用三根互相
垂直的轴来表示，其中纵向轴Z－Z称为光轴；经过正六面体棱线，并垂直于 光轴的X－X轴称为电轴；与X－X轴和Z－Z轴同时垂直的Y－Y轴（垂直于正
五、动态电容C1
等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积 ，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。
六、动态电感L1:为等效电路中串联臂里的电感
七、石英晶体的Q值
Q值的影响：在振荡电路中Q越大选择 择性越好,通频带越小,频率稳定度越高.
石英晶体元件的品质因数Q值随银层厚度的变化说 明，银层厚度有个最佳值，在该值时Q最大。
三、并联电容C0
对于高频石英晶体,C0减至最小值是很重要的,否则就可能使振荡器产 生自激振荡.
四、动态电阻R1,等效电阻RL
对于音叉晶体,两音叉臂的对称性对电阻影响很大,对称性越好,电阻越小. 石英晶体等效电阻R1,可在某种程度上衡量晶体活性的好坏,R1越小,活性越高.在 晶体过激励,电流过大,或在某一温度(50℃)出现活力下降,出现不良或停振现象.
3225 2520 2016 1612
第三章 石英晶体工艺特性
一、石英晶体的切型
二、各种切型的温度频率特性曲线
三、音叉晶体的切型(适用于低频振荡器20khz～200KHZ)
四、音叉晶体的温特曲线(实测图)
1、音叉32.768KHZ晶体频率温度曲线为二次抛物线，随着工作温度偏离 常温25℃越远，温漂也随之变大 。 2、音叉在10℃～40℃温度范围,频差变化小,超过这个范围变化很大。
基础产品
◆高频系列（ＡＴ） ＭＨｚ
◆高频声表系列(ＳＡＷ) 100MHz～ＧＨｚ
拓展应用产品
◆钟振系列
VCXO,TCXO,OCXO
◆传感器系列 /陀螺仪
Gyro Sensor & Pressure Sensor
湖北泰晶产品系列(表晶)
3×8系列
插件32.768K
2×6系列
32.768K HZ晶振
蛙脚32.768K 耐高温32.768K(可过回流焊)
2)、频率误差( Frequency tolerance(standard)) 4)、老化率(Frequency aging)
2、负性阻抗问题
如图为测试试负性阻抗的方法：将一可调电阻与晶体串联接入电路，调节可调电 阻至0ohm，使电路稳定振荡，再慢慢增大可调电阻，至电路停止振荡，记下此时可 调电阻的阻值为VR。
TS
C0/C1 W
(ppm/pf)
(μw)
3×8(32.768K) 1.7 3.3 7000 30k 110k 9
600 1
2×6(32.768K) 1.5 2.5 9000 40k 90k 15
600 1
M6 (32.768K) 0.9 2.2 10000 65k 60k 17
400 1
3215(32.768K) 1.1 3.8 6000 50k 25k 11
六、常用AT切温度特性(实测图)
七、音叉型石英晶体频率计算
W: 音叉单臂宽度， L：音叉叉深 mm N: 为频率常数与切型切角有关.
由频率公式可得出∶ 音叉的叉 深 L 越浅,频率越高.通过磨削 可改变叉深和质量分布,改变频 率.
八、AT切石英振荡器频率厚度计算
AT切频率方程 ρ为晶体的密度 C66为弹性常数,它与切角有关 i 为泛音次数 T为晶片厚度
第二章 石英振荡器种类组成
1. 通常以振动模式及其频率高低范围分为 ： KHz低频:(20KHZ～200KHZ) 通常是音叉结构 叉宽度方向 弯曲振动 模式； MHz高频:(AT35°500KHZ～350MHZ) 通常是片式结构 厚度方向 切 变振动模式；
2、振荡器分类和缩写
◆低频系列 Crystal UnitsｋＨｚ
当晶体受到沿X方向的拉力（FX＞0）作用时，其变化情况如图（c）.
此时电极矩的三个分量为.
（P1+P2+P3）X<0
FX +
Y
FX
-
+－
（P1+P2+P3）Y=0 （P1+P2+P3）Z=0
(c)
+ FX>0 + +
+
P1
- P2
P3
-
－ －
+－
X
在X轴的正向出现负电荷，在Y、Z方向则不出现电荷。
可见，当晶体受到沿X(电轴)方向的力FX作用时，它在X方向产生正压
图3.5.3 石英晶体产 品的标称频率
二、晶体的阻抗频率特性
三、晶体振荡电路,负载电容,杂散电容对频率的关系
Cd ,Cg 分别接在晶振两端的对地电容。 一般为几PF到几十PF。
Rf为反馈电阻 几M欧到十几兆欧。 Am为反相放大器。
CS为线路的杂散电容
四、晶体振荡频率对负载电容 变化曲线
负载电容越小,频率对负载电容的变化灵敏度越高.负载电容CL调节谐振频率的能力 叫做牵引力
四、晶体基频电路,泛音电路
第六章:石英晶体的匹 配
匹配是为了确保晶体规格和IC内部吻合所进行的 主要有如下内容：
1、频率特性参数 2、负性阻抗 3、电容的匹配 4、激励功率
1、频率特性参数
1)、标称频率 (Nominal frequency range)
3)、温度变化量(Parabolic coefficient )
六面体的棱面）称为机械轴。
通常把沿电轴X－X方 向的力作用下产生电荷
的压电效应称为“纵向
压电效应”，而把沿机 械轴Y－Y方向的力作 用下产生电荷的压电效
应称为“横向压电效应 ”，沿光轴Z－Z方向 受力则不产生压电效应
。
Z
Z
Y X
X (a)
石英晶体
(a)理想石英晶体的外形
Y
(b) (b)坐标系
(2)：压电效应解释
单位/备注 KHZ,MHZ KHZ,MHZ PF 10e-6 kΩ Ω pF fF mH K Ppm/pF
TC 温度频率特性
二、石英晶体精度误差的计算 频率:单位时间内振动的次数 单位:HZ 符号:F 周期: 一次全振动所要的时间 单位:s 符号:T PPM: 描述频率偏差
音叉晶体PPM的计算:
PPM 是百万分之一. PPM 是实际频率和标称频率的比 . 例如标称频率是20 .000000MHz,实际频率是20.000210 MHz 那么频率偏差: ppm=((20000210-20000000)/20000000) *1000000=10.5ppm
当作用力FX=0时，正、负离子（即 Si4+和2O2-）正好分布在正六边形顶角上， 形成三个互成120º夹角的偶极矩P1、P2、 P3，如图（a）所示。此时正负电荷中心 重合，电偶极矩的矢量和等于零，即
P1＋P2＋P3＝0
当晶体受到沿X方向的压力（FX<0）作用 时，晶体沿X方向将产生收缩，正、负离 子相对位置随之发生变化，如图（b）所 示。此时正、负电荷中心不再重合，电偶 极矩在X方向的分量为(P1+P2+P3)X>0
275 0.5
2012(32.768K) 1.3 6.4 3700 60k 14k 16
200 0.5
4M(49S) 26M(49S)
1.3 4.2 370
3.0 10
3.0
40 200k 5 10 60k 10
300 100 300 100
8M(3225) 26M(3225) 8M(2520) 26M(2520)
1.4 4.8 7.8mH 6
13k 5
290 100
第五章:石英晶体的振荡电路
一、Colpitts(皮尔斯)振荡电路
二、晶体的阻抗频率特性 (L,C1,R1支路谐振频率)
(L,C1,R1,C0整个等效电路谐振频率)
串联谐振频率：
并联谐振频率：
石英晶体产品的标称频率为 fN ，负载电容 CL
研发部编写整理
第一章 石英晶体材料物性
石英通常指纯净的天然水晶、石英石，人造石英。 自然界中的石英，从地壳表面往下十六公里，几 乎有65％，普通形状为细小的无规则颗粒，或者菱锥 体；其杂质较多，纯度不足以做电子元器件。 石英晶体通常指人造石英，是高纯度（99.999%） 的无色透明结晶完整的石英。
音叉 晶体
M6
贴片32.768K
M8 3215
2012
特频晶振 订制38KHZ 40.003KHZ 60.003KHZ 76.8KHZ 77.503KHZ
湖北泰晶产品系列(MHZ)
HC-49U
AT类
高频晶 体
49系列
(3.5M～ 48MHZ)
49S晶振 49SMD贴片
SMD系列 (12M～
60MHZ)
八、激励电平(Level of drive)
激励功率测试方法:
一种用耗散功率表示的，施加于晶体元件的激励条件的量度。所有晶体元 件的频率和电阻都在一定程度上随激励电平的变化而变化，这称为激励电平相关性 (DLD)，因此订货规范中的激励电平须是晶体实际应用电路中的激励电平。正因为 晶体元件固有的激励电平相关性的特性，用户在振荡电路设计和晶体使用时，必须
注意和保证不出现激励电平过低而起振不良或过度激励频率异常的现象。
九、DLD
DLD2(单位：欧姆) 不同激励电平下的负载谐振电阻的最大值与最小值之间的差值。
(如：3225产品:从0.1uw~200uw,总共20步)。
十、TKD晶体电气参数对比图
产品
C0 C1
L1
(pf) (Ff) (H)
R1 Q (Ω)
五、AT切型,振动模式
1、频率范围: 500K～350MHZ
2、压电活性高: 阻抗范围10Ω～120Ω
3、宽温度范围内（55°~85℃）频率温度特 性好
4、加工方便，体积小， 适于大批量生产。
BT切石英晶体具有频率常 数大,机械品质Q高,老化率小, 易加工,但频率温度系数大,压 电活性小,故其应用受到一定 限制,目前用于高频范围.
振动频率方程：fn=n Kr/t (n=1、3、57…) Kr=1670KHz.mm 计算晶片厚度 t=1670/fn (mm)
例：25MHz基频时，厚度是66.8μm 再薄的实际上加工不可能， 而利用泛音的形式，可加工具有从25MHz 到200MHz 频率的晶体。
第四章:石英晶体的电气参数
一、石英晶体等效电路电气参数
符号 FL FR CL PPM Rr C0 C1 L1 Q TS DLD
定义 负载频率(晶体在CL负载电容下的频率) 串联谐振频率(晶体本身的谐振频率) 负载电容,于晶体一起决定负载频率的外界电容 频率误差,描述频率偏差的相对值 等效电阻,晶体在谐振状态下的电阻值 静态电容,等效电路中电极之间的电容 动态电容,等效电路中电容值 动态电感,等效电路中的电感 品质因数,一个周期储存能量与消耗能量的比值 牵引能力,负载电容每变化1pf,FL的变化量 驱动功率依赖性
一、石英晶体的结构：
1. 分子式：SiO2呈四面体排列，其基本结构特征都为 [SiO4]4-排列。 三个基本的原子间距分别为：Si-O 1.62Å，O-O 2.65Å，Si-Si 3.12Å；Si-O-Si键角分布中最大值为
1440±10％。
2. 石英的形态：
分为晶态与非晶态SiO2 ： a .晶态：分子石英晶体，分子结构有规则排列，具有压
在Y、Z方向上的分量为 （P1+P2+P3）Y=0 （P1+P2+P3）Z=0
由上式看出，在X轴的正向出现正电荷，在 Y、Z轴方向则不出现电荷。
Y
-
+
+ P1
P3 - X
P2
-
+
(a) FX=0
FX－ -
Y +
+FX
－ + P1 P3 - + X
－ －
-
P2 +
+ +
(b) FX<0
(2)：压电效应解释
电效应，而Y、Z方向则不产生压电效应。
晶体在Y轴方向力FY作用下的情况与FX相似。当FY＞0时，晶体的形 变与图（b）相似；当FY＜0时，则与图（c）相似。由此可见，晶体 在Y（即机械轴）方向的力FY作用下，使它在X方向产生正压电效应， 在Y、Z方向则不产生压电效应。
三. 石英晶体的化学性：
a. 石英材料常温常压下 不溶于水，不与硫酸，盐酸，硝 酸，烧碱反应；但表面有微弱的吸水吸潮并与OH－ 结
合-O-Si-OH影响晶体的介电强度与压电效应；
b.石英材料及半导体Si常态下 能与氢氟酸HF；氟化氢铵NH4HF2 的水溶液发生化学反应，
NH4HF2水解 = NH4F+HF， 4HF+ Si=SiF4+2H2 6HF+ SiO2=H2SiF6+2H2O，
c.石英晶体 腐蚀具有异向性：
在Z向的腐蚀速率明显，在X,Y向的腐蚀速率则不明显， Z:Y:X=100:10:5
电效应。 b.非晶态：方石英，石英玻璃，鳞石英，
分子排列近程有序，远程无序。
3、石英晶体的形状：5组面，每组6个面 m,R,r,s,x
。
二、压电效应：
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
（1）石英晶体的压电效应
天然结构石英晶体的理想外形是一个正六面体，在晶体学中它可用三根互相
垂直的轴来表示，其中纵向轴Z－Z称为光轴；经过正六面体棱线，并垂直于 光轴的X－X轴称为电轴；与X－X轴和Z－Z轴同时垂直的Y－Y轴（垂直于正
五、动态电容C1
等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积 ，另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。
六、动态电感L1:为等效电路中串联臂里的电感
七、石英晶体的Q值
Q值的影响：在振荡电路中Q越大选择 择性越好,通频带越小,频率稳定度越高.
石英晶体元件的品质因数Q值随银层厚度的变化说 明，银层厚度有个最佳值，在该值时Q最大。
三、并联电容C0
对于高频石英晶体,C0减至最小值是很重要的,否则就可能使振荡器产 生自激振荡.
四、动态电阻R1,等效电阻RL
对于音叉晶体,两音叉臂的对称性对电阻影响很大,对称性越好,电阻越小. 石英晶体等效电阻R1,可在某种程度上衡量晶体活性的好坏,R1越小,活性越高.在 晶体过激励,电流过大,或在某一温度(50℃)出现活力下降,出现不良或停振现象.
3225 2520 2016 1612
第三章 石英晶体工艺特性
一、石英晶体的切型
二、各种切型的温度频率特性曲线
三、音叉晶体的切型(适用于低频振荡器20khz～200KHZ)
四、音叉晶体的温特曲线(实测图)
1、音叉32.768KHZ晶体频率温度曲线为二次抛物线，随着工作温度偏离 常温25℃越远，温漂也随之变大 。 2、音叉在10℃～40℃温度范围,频差变化小,超过这个范围变化很大。
基础产品
◆高频系列（ＡＴ） ＭＨｚ
◆高频声表系列(ＳＡＷ) 100MHz～ＧＨｚ
拓展应用产品
◆钟振系列
VCXO,TCXO,OCXO
◆传感器系列 /陀螺仪
Gyro Sensor & Pressure Sensor
湖北泰晶产品系列(表晶)
3×8系列
插件32.768K
2×6系列
32.768K HZ晶振
蛙脚32.768K 耐高温32.768K(可过回流焊)
2)、频率误差( Frequency tolerance(standard)) 4)、老化率(Frequency aging)
2、负性阻抗问题
如图为测试试负性阻抗的方法：将一可调电阻与晶体串联接入电路，调节可调电 阻至0ohm，使电路稳定振荡，再慢慢增大可调电阻，至电路停止振荡，记下此时可 调电阻的阻值为VR。
TS
C0/C1 W
(ppm/pf)
(μw)
3×8(32.768K) 1.7 3.3 7000 30k 110k 9
600 1
2×6(32.768K) 1.5 2.5 9000 40k 90k 15
600 1
M6 (32.768K) 0.9 2.2 10000 65k 60k 17
400 1
3215(32.768K) 1.1 3.8 6000 50k 25k 11
六、常用AT切温度特性(实测图)
七、音叉型石英晶体频率计算
W: 音叉单臂宽度， L：音叉叉深 mm N: 为频率常数与切型切角有关.
由频率公式可得出∶ 音叉的叉 深 L 越浅,频率越高.通过磨削 可改变叉深和质量分布,改变频 率.
八、AT切石英振荡器频率厚度计算
AT切频率方程 ρ为晶体的密度 C66为弹性常数,它与切角有关 i 为泛音次数 T为晶片厚度
第二章 石英振荡器种类组成
1. 通常以振动模式及其频率高低范围分为 ： KHz低频:(20KHZ～200KHZ) 通常是音叉结构 叉宽度方向 弯曲振动 模式； MHz高频:(AT35°500KHZ～350MHZ) 通常是片式结构 厚度方向 切 变振动模式；
2、振荡器分类和缩写
◆低频系列 Crystal UnitsｋＨｚ
当晶体受到沿X方向的拉力（FX＞0）作用时，其变化情况如图（c）.
此时电极矩的三个分量为.
（P1+P2+P3）X<0
FX +
Y
FX
-
+－
（P1+P2+P3）Y=0 （P1+P2+P3）Z=0
(c)
+ FX>0 + +
+
P1
- P2
P3
-
－ －
+－
X
在X轴的正向出现负电荷，在Y、Z方向则不出现电荷。
可见，当晶体受到沿X(电轴)方向的力FX作用时，它在X方向产生正压
图3.5.3 石英晶体产 品的标称频率
二、晶体的阻抗频率特性
三、晶体振荡电路,负载电容,杂散电容对频率的关系
Cd ,Cg 分别接在晶振两端的对地电容。 一般为几PF到几十PF。
Rf为反馈电阻 几M欧到十几兆欧。 Am为反相放大器。
CS为线路的杂散电容
四、晶体振荡频率对负载电容 变化曲线
负载电容越小,频率对负载电容的变化灵敏度越高.负载电容CL调节谐振频率的能力 叫做牵引力
四、晶体基频电路,泛音电路
第六章:石英晶体的匹 配
匹配是为了确保晶体规格和IC内部吻合所进行的 主要有如下内容：
1、频率特性参数 2、负性阻抗 3、电容的匹配 4、激励功率
1、频率特性参数
1)、标称频率 (Nominal frequency range)
3)、温度变化量(Parabolic coefficient )
六面体的棱面）称为机械轴。
通常把沿电轴X－X方 向的力作用下产生电荷
的压电效应称为“纵向
压电效应”，而把沿机 械轴Y－Y方向的力作 用下产生电荷的压电效
应称为“横向压电效应 ”，沿光轴Z－Z方向 受力则不产生压电效应
。
Z
Z
Y X
X (a)
石英晶体
(a)理想石英晶体的外形
Y
(b) (b)坐标系
(2)：压电效应解释
单位/备注 KHZ,MHZ KHZ,MHZ PF 10e-6 kΩ Ω pF fF mH K Ppm/pF
TC 温度频率特性
二、石英晶体精度误差的计算 频率:单位时间内振动的次数 单位:HZ 符号:F 周期: 一次全振动所要的时间 单位:s 符号:T PPM: 描述频率偏差
音叉晶体PPM的计算:
PPM 是百万分之一. PPM 是实际频率和标称频率的比 . 例如标称频率是20 .000000MHz,实际频率是20.000210 MHz 那么频率偏差: ppm=((20000210-20000000)/20000000) *1000000=10.5ppm
当作用力FX=0时，正、负离子（即 Si4+和2O2-）正好分布在正六边形顶角上， 形成三个互成120º夹角的偶极矩P1、P2、 P3，如图（a）所示。此时正负电荷中心 重合，电偶极矩的矢量和等于零，即
P1＋P2＋P3＝0
当晶体受到沿X方向的压力（FX<0）作用 时，晶体沿X方向将产生收缩，正、负离 子相对位置随之发生变化，如图（b）所 示。此时正、负电荷中心不再重合，电偶 极矩在X方向的分量为(P1+P2+P3)X>0
275 0.5
2012(32.768K) 1.3 6.4 3700 60k 14k 16
200 0.5
4M(49S) 26M(49S)
1.3 4.2 370
3.0 10
3.0
40 200k 5 10 60k 10
300 100 300 100
8M(3225) 26M(3225) 8M(2520) 26M(2520)
1.4 4.8 7.8mH 6
13k 5
290 100
第五章:石英晶体的振荡电路
一、Colpitts(皮尔斯)振荡电路
二、晶体的阻抗频率特性 (L,C1,R1支路谐振频率)
(L,C1,R1,C0整个等效电路谐振频率)
串联谐振频率：
并联谐振频率：
石英晶体产品的标称频率为 fN ，负载电容 CL
研发部编写整理
第一章 石英晶体材料物性
石英通常指纯净的天然水晶、石英石，人造石英。 自然界中的石英，从地壳表面往下十六公里，几 乎有65％，普通形状为细小的无规则颗粒，或者菱锥 体；其杂质较多，纯度不足以做电子元器件。 石英晶体通常指人造石英，是高纯度（99.999%） 的无色透明结晶完整的石英。
音叉 晶体
M6
贴片32.768K
M8 3215
2012
特频晶振 订制38KHZ 40.003KHZ 60.003KHZ 76.8KHZ 77.503KHZ
湖北泰晶产品系列(MHZ)
HC-49U
AT类
高频晶 体
49系列
(3.5M～ 48MHZ)
49S晶振 49SMD贴片
SMD系列 (12M～
60MHZ)