MOSFET选型

机电工程系
MOSFET的分类
从结构上分
从有无原始导 电沟道上分
增强型
(IGFET) 绝缘栅型 JFET 结型
静电感应晶体管
N沟道 P沟道
MOSFET 电力场 效应管
耗尽型 N沟道
N沟道
P沟道
从半导体 （耗尽型） 导电沟道 类型上分 P沟道
耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道，电 力场效应管以增强型为主
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如何选型
4、对于开关频率的要求
开关损耗其实也是一个很重要的指标，一定程度上决定了器件的开关性能 。不过，这里没必要进行复杂的计算，如果系统对开关性能要求比较高，可以选 择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET，实际应用中要详细阅读所选的器件的 datasheet。在对开关频率要求比较高的场合，其开关损耗不可忽略。
MOSFET选型
什么是MOSFET？
功率场效应管（功率MOSFET）。功率场效应管是一种 电压控制型单极晶体管。它是通过栅极电压来控制漏极 电流的。因而它的一个显著特点是驱动电路简单、驱动 功率小、开关速度快、工作频率高（100khz以上）、为 所有功率电子开关器件中频率之最。因而最适合应用于 开关电源、高频感应加热器等高频场合。其缺点是电流 容量较小、耐压低、通态压降大。目前制造水平在 1kv/0.02ka/2000khz和0.06kv/0.2ka/2000khz。
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3、导通电阻RDS对于散热需求的意义
功率器件的导通损耗和开关损耗构成了器件的总功耗。对于MOSFET来说 ，由于开关速度快，在估算时可以近似认为导通损耗为主要损耗。这样用总功耗 除以工作电流的平方得到RDS。RDS≈P/I2LOAD 当然，导通电阻值也是需要留有 一定裕量的，因为这是近似计算的结果。这里计算需要考虑的情况是，导通电阻 值是随温度而变化的（可选最大值作选择依据），而且也会受VGS影响（VGS 越大，RDS越小），设计时要根据系统实际情况设定VGS值。
MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有 很大关系：如果是阻性负载，那就是来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身 的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载 ，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定 律），其方向与VCC方向相同（楞次定律），承受的最大电压为VCC与感生电 动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的 感应电动势。 对于以上几种负载情况，在计算出（或测出）最大电压后，再留 有20%~30%的裕量，就可以确定所需要的MOSFET的额定 额定电压确定后，电流就可以计算出来了。但这里需要考虑两个参数：一个 是连续工作电流值和脉冲电流尖峰值（Spike和Surge），这两个参数决定你应该 选多大的额定电流值。电压VDS值。
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以IRF540为例
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MOSFET主要生产厂家
1、美国APT公司，APTXX系列 2、美国IR公司，IRFXX系列 3、德国艾赛斯IXYS，IXFXX系列 4、日本富士，2SKXX系列 5、日本三社，FBAXX/FCAXX/SF系列
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谢 谢
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MOSFET的使用
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如何选型
1、确定所需的MOSFET的类型，N沟道还是P沟道
负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电 压的考虑。当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择 N沟道MOSFET。
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如何选型
2、确定额定电压与额定电流