磁控溅射操作流程及注意事项

磁控溅射操作流程及注意事项

磁控溅射操作流程及注意事项

一、打开冷却水箱电源（注：水箱电源是设备的总电源。）

检查水压是否足够大（0.1MPa），水压控制器是否起作用。

二、放气

2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温；

2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态；

2.3 磁控溅射室的放气阀是V2，放气时旋钮缓慢打开，这能够保证进入气流不会太大；

2.4 放气完毕将气阀关紧。

三、装卸试样与靶材

3.1 打开B柜总电源（在B9面板上），电源三相指示灯全亮为正常。

3.2 提升或降落（B4“升”或“降“）样品台要注意点动操作，不要连续操作。

3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。

3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。

3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应，并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。

3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合，并用工业酒

精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。

四、抽真空

4.1 确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时；

4.2 确认闸板阀G2、G4已经关闭；

4.3 打开B4上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀V1，开始抽低真空。

4.4 打开B3面板的电源开关，同时关闭“复合”键。能够从B3－1处观察低真空度。(低真空测量下限为0.1Pa）。当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。

4.5 关闭气阀V1，打开B4上“电磁阀Ⅰ”（确认听到响声表示电磁阀已开）

4.6 打开B8面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数字开始逐步上升，等大于H100.0后打开闸板阀G1，随后分子泵速上升并稳定到H400.0。

4.7 磁控室的高真空度在B2面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开关, 一般每隔1-2小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭（一般不超过3分钟）。

五、充气

5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级，在充气之前必须关闭高真空计；

5.2 打开A1面板上MFC电源，预热3分钟；

5.3 稍关闭闸板阀G1到一定程度，但不要完全关紧

5.4 打开V4、V6（若是二路进气，V5应和V6同时打开）

阀门

5.5 将控制阀扳到“阀控“位置

5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可；

5.7 调节MFC阀控的设定（一般在30左右），再进一步关紧闸板阀使得低真空（B3－1）读数接近所需的溅射压强，然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。

六、溅射

6.1 确认溅射靶位电源已经连接。

6.2 确认定位销已经脱开。

6.3直流溅射

6.3.1 打开电源开关，调节旋钮至电压达到一定值（一般不超过0.3kv），直流能够顺利启辉，此时电流开始有数值。

6.3.2 电压与电流乘积为功率值，可继续调节旋钮到所需溅射功率，可是要小于160W。

6.3.3 直流溅射的关闭：调节旋钮至最小，关闭电源。

6.4 射频溅射

6.4.1打开U f预热5分钟

6.4.2 面板E或F上的量程按钮设定为200/40

6.4.3 打开Ua，并经过粗调与微调Ua，接近设定工艺功率，然后经过匹配调节，即调整面板E或F上的C1和C2，得到所需溅射功率。

匹配的调整规定如下：F为设定功率（小于160W），R要小于1.5或F的8%；对于绝缘材料，在满足F功率的要求下，R要尽量小，且最大不能超过F的15%。

6.4.4 射频溅射的关闭：粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。

注：连续溅射一小时后需暂停溅射，关闭气路，等抽真空30分钟后再重新充气溅射。

七、溅射结束

7.1 关闭气瓶阀门，旋松减压阀至压力示数为0；

7.2 将MFC阀开关置于“关闭”位，并将流量调至零，然后关闭电源开关；

7.3 关闭V6和V4阀门（若是二路进气，V5应和V6同时关闭）；

7.4 打开闸板阀，继续抽真空30分钟后关闭闸板阀；

7.5 关闭分子泵：按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。

7.6 关闭电磁阀I与机械泵I。

7.7 等30分钟后，关冷却水电源。

八、其它操作说明

8.1加负偏压

加偏压方法：打开偏压电源，调整偏压为200v即可。偏压要在开始镀膜之前施加。

8.2基板加热