多晶硅片质量检验规范
太阳能多晶硅国标
太阳能级多晶硅1范围本标准规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于使用（改良）西门子法和硅烷等方法，生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅。
产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试直流两探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 14264 半导体材料术语SEMI MF1389 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1535 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法SEMI MF1630 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质SEMI MF1723 利用区熔生长和光谱法评价多晶硅产品规范SEMI MF1724 利用酸提取原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污的测试方法3 要求3.1分类产品按外型分为棒状、块状和颗粒状，根据等级的差别分为三级。
3.2牌号多晶硅牌号表示为：SGPSi—□—□阿拉伯数字表示多晶硅等级字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状表示太阳能级多晶硅4 技术要求4.1等级太阳能级多晶硅的等级及相关技术要求应符合表1的规定。
原料检验标准
原生多晶硅原料检验标准1.规格：纯度：≥99.9999%颗粒状硅料粒度范围为1 mm～3mm破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机的尺寸分布，即线型尺寸最小为3mm，最大可达200mm。
块状多晶的分布范围：1）3mm～25mm的重量占总重量的比重≤15%2）25mm～100mm的重量占总重量的比重15%～35%3）100～200mm的重量占总重量的比重≥65%2.物化特性：断面结构应致密，无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面，不允许出现氧化夹层。
3.材料明细：（产品内在技术指标）太阳能多晶硅等级及技术要求应符合表1规定。
表1：块状、棒状多晶硅断面结构应致密。
多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。
所有多晶硅的外观应无色班、变色，无目视可见的污染物和氧化的外表面。
多晶硅中不允许出现氧化夹层。
埚底料1、外观检验1.1块状埚底料为规则的形状。
1.2埚底料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3埚底料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞7Ω.cmP型＞5Ω.cm2.3规格尺寸单块埚底料尺寸必须大于2厘米（非线性）边皮/头尾料1、外观检验1.1块状边皮/头尾料为规则的形状。
1.2边皮/头尾料表面应无氧化夹层、杂质、色斑、变色，无目视可见的污染物。
1.3边皮/头尾料的表面经酸腐蚀后表面应无色斑、变色、无可见的污染物（石墨、石英片、胶等）。
2、指标检验2.1型号检验：N型、P型；2.2电阻率检验：最低电阻率作如下分类：N型＞10Ω.cmP型＞1Ω.cm2.3规格尺寸单块边皮/头尾料尺寸必须大于2厘米（非线性）。
多晶硅片外观检验
6.左手执片，右手撮动硅片数数，25PCS1个单位，数好 放置于备有太阳能级垫片纸的洁净泡沫盒内。
数
数
25PCS放置
9
7.检验合格后4个25片，放一打，再整体检验四边，有无崩 边、缺口等，数量补齐放置盒中。
复检四边
挑 出崩 边
100PCS
10
8.套上塑料袋、加上白卡和外袋
套上内层PVC袋
放入装有白卡的外袋
11
9.300PCS归入一个泡沫盒，并称重确认数量
300PCS 称重、计数
10.确认好的硅片送至包装区包装.
12
小结
结合实际操作,个人总结出多晶硅片外观检验的动作要点为: 1提2取， 3看四边,4查边缘； 5检表面分正反； 6数二五（25pcs)归入盒 ； 7要四个二五(25pcs)并成百 (100pcs) ； 8（把）好关口再复检(四边）； 套好袋子再加袄(白卡加塑料袋）； 最后称重并计数（核对数据）。
13
14
合作愉快
MARKETING
15
4. 将硅片展开：整体检查硅片边缘的线痕、崩边、污片情况。
污片
展
开
7
5. 扇形打开，逐片检验硅片正反面：微晶、雪花晶、分布 晶线痕、污片、凹坑、崩边、裂纹、穿孔、色差、废片(注
意：此环节一定要每一片从上而下，自左而右认真检验，25PCS一面检验完毕，再打
开检验另一面）
展开，逐片检验
微晶
单多晶硅片检验规范
检测项目 A级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手 感刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V B级 1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污, 无清洗剂残余3.硅片表面无明显手感 刀痕,凹坑现象. 无裂痕,裂纹,孔洞V 1.缺口长度＜1MM深度＜0.5MM崩边缺 口在整片中小于2个. 2.沿硅片径向长度小于1MM,宽度小于 1MM,不超过硅片厚度1/2的崩边,在整 片中不允许超过3个. ＜100＞+2。 ≦3000/CM2 15um~30um P型 0.5-3ohm*cm 3-6ohm*cm ＜15% ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15%~20% <30um ＜75um 125+0.5MM*62.5+1MM 0.5 游标卡尺 90+0.3
＜15% 电阻率不均均 （中心点与四个角上距离两边10MM的 性 四个点） 裸片少子寿命 氧含量 碳含量 掺杂剂 厚度 单片厚度变化 TTV 翘曲度 硅片边长尺寸 倒角差 直线段长 直角偏离 ≧1.3us ＜1X1018atoms/cm3 ＜5X1016atoms/cm3 B 200+20um ＜单片厚度的15% <30um ＜50um 125+0.5MM*62.5+0.5MM 0.5 83+1MM 90+0.3
。
SEMILAB RT-110 SEMILAB WT-2000 傅立叶红外光谱仪 傅立叶红外光谱仪
SEMILAB RT-110 SEMILAB RT-110 微分表ID-C 游标卡尺
角规
注:1.不同直径的硅片不可同时包装，必须分开单独包装。 2.待包装的货不可封盒，必须整箱6盒货全部准备后后才可封盒入箱包装。 3.需要并货时要确定好是否是同规格的硅片之后再进行并货。 编制: 审核: 批准:
多晶硅片检验标准
检验分类：1.正常晶 2.雪花晶 3.微晶 4.分布晶
定义：
正常晶——无典型分布晶、微晶、雪花晶和其他异常晶粒特征的正常多晶硅片。
雪花晶——除典型微晶、分布晶和正常晶外的所有多晶硅片。
包括典型雪花晶和除分布晶和微晶以外的所有非正常晶。
微晶——晶粒尺寸小于等于2mm，呈连续分布具有一定面积的晶体。
分布面积大于1cm2，不具有典型分布晶特征（如图所示）。
分布晶——大晶粒上分布的具有“圈点”特征的小晶粒（如图所示）。
检验流程：
关键点：
1.典型分布晶的特征——“圈点”特征小晶粒。
2.典型微晶特征——密集型连续分布的小晶粒，无典型分布晶特征。
3.对具有一定面积密集型小晶粒分布的多晶硅片要严格把握，尽量归入分布晶（具有典型分
布晶特征）或微晶中。
4.对于极度分散的非典型分布晶，不要归入分布晶。
可归入雪花晶。
典型微晶图
典型分布晶图
以每1000片计算，因原料问题造成的损失为：
1000*返工比例*返工成本+1000*返工比例*返工碎片率*硅片价格+1000*返工比例*降低的转换效率*电池价格/平均转化效率+1000*C级色斑比例*（A级片价格-C级片价格）+1000*B级色斑比例*（A级片价格-B级片价格）。
晶硅进料检验规范
晶硅进料检验规范（初稿）编制：审核：批准：发布日期：实施日期：1 目的1.1 为规范所有生产原材料进厂检验的标准，验证进厂原辅材料是否满足规定要求，正确地开展检验工作，确保未经检验或不合格的原辅材料不入库、不投入生产。
2 适用范围2.1 与本公司产品有关的原辅材料、外调品等均适用。
3 术语3.1 严重缺点：（CRITICAL DEFECT）影响人身安全、产品安全的缺陷，违反相关法律法规要求。
3.2 主要缺点：(MAJOR DEFECT)使用后丧失其功能，或不能达到设计者所期望的目的、显著降低其实用性的缺陷。
3.3 次要缺点：(MINOR DEFECT)不影响产品的使用性能，在使用和操作效果上无影响的缺陷。
4 职责4.1 质量管理部：进料检验员负责原辅材料的检验及判定。
4.2 采购物流部：负责与供应商处理来料检验不合格事项及追踪不良改善效果。
4.3 调度中心：负责对质量管理部检验合格的产品清点数量后入库管理。
5 工作内容5.1 抽样检验时取样原则依《抽样计划》规定要求执行。
5.1.1 外观检验依据《GB/T 2828.1-2003/ISO2859-1:1999正常检验单次抽样计划表》正常单次抽样。
严重缺点：CR=0 ；主要缺点：MA(AQL)=0.40 ；次要缺点5.2 外观检测条件: 检验光源：一般日光灯光源之正下方30cm左右。
距离：眼睛离被测物约 20~50cm。
角度：上下左右45度观察。
检测位置：产品六个面均需检验。
6 技术规格及相关内容6.1 产品外型检验要求及质量等级分类。
6.2 正面印刷质量与反面印刷质量的检测与分类。
6.3 性能测试。
6.1：外型尺寸要求3（共12页）6.1.2：外观要求4（共12页）5（共12页）6.2：正面印刷质量6（共12页）7（共12页）6.2.1：背面印刷质量8（共12页）备注：对外观、印刷质量和外形进行检测时，可用标准样片进行对比。
9（共12页）6.3：性能测试缺损不满足A、B 级要求归为C2 级。
多晶硅标准
多晶硅标准
多晶硅（Polycrystalline silicon）是一种晶体结构不完整的硅材料，由多个小晶体（晶粒）组成。
多晶硅是太阳能电池、集成电路等高技术领域的关键材料之一。
为了保证多晶硅材料的质量和性能，制定了一系列的标准和规范。
1. 多晶硅质量标准（GB/T 5420-2010）：该标准规定了多晶硅的分类、包装、标志、试样制备和性能测试等要求，对多晶硅的质检提供了参考依据。
2. 多晶硅材料及其中晶粒度测定方法（GB/T 6699-2017）：该标准规定了多晶硅材料的晶粒度测试方法，包括显微镜观察法和X射线衍射法等方法。
3. 太阳能电池用多晶硅片（GB/T 16532-2017）：该标准规定了太阳能电池用多晶硅片的分类、要求、检验方法等内容，包括外观、尺寸、电气性能等方面的要求。
4. 半导体级多晶硅材料（GB/T 16534-2017）：该标准规定了半导体级多晶硅材料的分类、要求、检验方法等内容，主要涉及杂质含量、电阻率、位错密度等方面的要求。
这些标准和规范旨在保证多晶硅材料的质量和稳定性，为相关行业的产品生产和质检提供统一的技术要求，促进多晶硅技术的发展和应用。
同时，这些标准也为消费者选择和购买多晶硅产品提供了参考依据。
多晶硅片质量标准
（Sort）
规格 尺寸
（Dimen sion）
电学 性能 参数
（perfo rmance paramet er）
外观 质量 指标
（Surfa cequali
ty）
项目（Item）
宽度（Width） 对角线
（Wafer Diagonal） 倒角
（Bevel angle）
厚度（Thickness）
生长方法 （Growth method）
多晶硅片指标/参数/要求 （Index/Parameter/Request）
A 类成品硅片 156±0.5mm 219.2±0.5mm 1.5±0.5mm 角度:45°±10° 200±20um （五点平均值） 定向生长
P B 1-3Ω.cm ≥2us ≤10 Pcs/cm2 ≤7× 1017atoms/cm3
≤9×1017atoms/cm3 ≤30um ≥3 mm2
≤15um
900±0.30 ≤50um 不允许
长度≤硅片边长的 1/3，宽度≤片厚的 1/3
单面崩边宽度≤0.5 mm；延伸≤0.2mm；每片总数量≤2 个， 间隔≥30mm（不允许穿透）
摇动无“吧啦”声响
硅片表面不允许有明显线痕,手感不明显,凹坑,无硅胶残 留，表面无沾污和异常斑点
线痕（Saw marks）
边缘角度 （Rectangular angle）
翘曲度（Warpage） 裂痕、缺口、穿孔 （Crack、Gap、Hole）
小亮边 （Tiny Luminance Edge）
崩边、缺角 （Edge chips）
应力（Stress）
表面质量 （Surface quality）
Байду номын сангаас
多晶质量检验
多晶质量检验、抽样范围：生产中沉积的多晶硅、被测性能：外观及断面检查型号、电阻率、氧、碳含量，重金属杂质含量1〕：基磷电阻率和寿命：取300毫米长的多晶棒段H2气氛下区熔一次检测次数：￠≤40毫米硅棒：全检回收料不定期抽样、检验仪器：区熔炉，回探针电阻率测试仪，小数载流子寿命测试仪2〕基硼电阻率：从试验棒上取￠150×200 毫米，磷硼检验炉、次数：批量的20％检验仪器：区熔炉，回探针电阻率测试仪，3〕氧、碳含量—从多晶硅棒上取片检测、次数：按要求抽查、检验仪器：室温红外分光光度计4〕重金属杂质：硅芯表面金属杂质的含量，电感耦合等离子体质谱仪、次数：每年不小于45次5〕断面腐蚀：肉眼检测几何形状和表面状况、次数：100％〈二〉工艺技术规范 1：主要原辅材料1〕纯SIHCL3:：Fe≤ 10ppb B≤ 0.03ppb p ≤ 0.1ppb Al≤ 10ppb 纯H2:露点≤ -50℃O2≤ 5ppm、2硅芯：直径￠7-8mm有效长度：2.800米、N型：电阻率50～250欧姆、弯曲度：≤3/10003〕：N2气：含N2 ≥ 99.99％，氧≤5PPm露点：≤-50℃、4〕：纯水：电阻率10≥欧姆, Al≤ 4ppm Cu≤ 0.8ppb Ca≤ 4ppb B≤ 0.3ppb P≤ 0.5ppb、5〕石墨：光谱纯，调密质，内部结构均匀，无空洞，灰分≤ 0.01％，比电阻≤20欧姆抗压强度≥900kg/cm2，假比重≥1.8g/Cm3、硬度45-80Kg/Cm2,加工成型后，经水浸泡，纯水煮至中性，干燥，高温煅烧后备用SIHCL3杂质分析中痕量硼的分析根据SIHCL3部分水解物能吸附杂质的实践经验，使SIHCL3中杂质硼被部分水解物吸附，而让基体SIHCL3自然挥发，用氢氟酸除去SIO2,加入三苯基-氯甲烷络合剂，使之生成稳定的络合物，它的分解温度为150℃，而SIHCL3的沸点为31.5℃，所以可以在较高的温度下挥发基体SIHCL3,残渣用ICP分析测定。
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
硅片检验SOP
晶体硅多晶硅片检验作业指导书
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1.目的
规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。
2.范围
适用于正常购入及代加工的多晶硅片的检验判定
3.职责
3.1电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。
3.2电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门
3.3电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准
3.4电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。
4.内容
4.1多晶硅片基本检验要求
4.1.1 检验环境
室温、有良好光照（光照度≧700lux左右）
4.1.2 运输/储存要求
4.1.2.1 产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘
颗粒气氛。
4.1.2.2 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施4.1.3 核对相关信息
4.1.3.1收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。
4.1.3.2报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。
4.2晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准
注：部分完整不良硅片（例如色差硅片、崩点硅片、轻微线痕等）根据客户要求考量是否投料。
soi硅片检验标准
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
硅片质量的七大标准
硅片质量的七大标准硅片是半导体行业中至关重要的材料之一，它被广泛用于制造集成电路和太阳能电池等应用。
为了确保硅片的质量和性能，有七个关键标准需要被考虑。
本文将详细介绍硅片质量的七大标准。
1. 净度和杂质控制硅片的净度和杂质控制是硅片质量的首要标准。
杂质的存在会对硅片的电学和光学性能产生负面影响。
硅片应该具有极高的净度，特别是对于一些高纯度硅片，杂质的控制尤为重要。
常见的杂质包括金属杂质和非金属杂质，如铁、铜、氧和碳等。
通过严格的杂质控制和净化工艺，可以确保硅片的高纯度和杂质含量的极低水平。
2. 厚度均匀性硅片的厚度均匀性是评估硅片质量的重要指标之一。
硅片的厚度在制造过程中需要被精确控制，以确保产品的一致性和可靠性。
任何过大或过小的厚度变化都可能导致硅片的性能降低。
通过使用先进的制造工艺和仪器设备，可以实现硅片的高度均匀性。
3. 表面平整度硅片的表面平整度是衡量硅片质量的重要指标之一。
表面平整度不仅影响硅片的外观，还直接影响到硅片在后续工艺中的加工性能。
高度平整的表面能够提供更好的光学特性和更高的精度加工。
通过表面处理和抛光工艺，可以实现硅片表面的高度平整度。
4. 晶体结构和晶格质量硅片的晶体结构和晶格质量是评估硅片质量的重要指标之一。
硅片应具有高度有序的晶体结构和完整的晶格。
任何晶体结构和晶格缺陷都可能对硅片的性能和可靠性产生负面影响。
通过严格的制造和质量控制工艺，可以实现硅片的高质量晶体结构和晶格。
5. 衬底的平整度和晶向硅片的衬底平整度和晶向也是评估硅片质量的重要指标之一。
衬底平整度是指硅片表面的平整度和平坦度，对于一些高精度的应用尤为重要。
晶向指的是硅片中晶体的方向，它会对硅片的电学性能和加工特性产生影响。
通过精密的加工和晶体生长工艺，可以实现硅片衬底的高平整度和理想的晶向。
6. 绝缘性能硅片的绝缘性能是评估硅片质量的重要指标之一，特别是对于一些应用需要电绝缘的场景。
绝缘性能可以通过测量硅片的绝缘电阻和击穿电压来评估。
多晶硅块检验标准
多晶硅锭/块质量检验规范编制：审核：批准：年月日发布年月日正式实施目录一. 适用范围二. 引用标准三. 检验项目四. 检验工具五. 实施细则1. 硅锭/块电性能检测2. 多晶硅块阴影检验3. 硅块电性能阴影判定4. 多晶硅块外观尺寸检验附表1：硅锭/块性能检验标准附表2：硅块外观尺寸检验标准一.适用范围本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。
二. 引用标准 《硅锭内控标准》《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》 《硅片切割工艺文件》三.检验项目电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹四.检验工具四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm 精度）、万能角度尺、钢板尺五.实施细则1. 硅锭/块电性能检测1.1 硅块测试取样及测试面的选取16块规格的硅块每锭抽测A 块、B 块和F 块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A 块、B 块、G 块、M 块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位臵的其他硅块代替。
（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。
通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。
若A 块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D 块第3、4面或M 块第1、2面或P 块第1、4面其中一面进行测试；B 、G 、F 、M 样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A 块测量方式测量；并在记录中注明。
16块规格 25块规格A B C D E F G H IJK LM N OPA B C D E FGHIJK L M N O PQRSTU V W X Y注：电性能参数不影响209mm切割高度的生产锭：16块规格:A块代表该硅锭四角的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、E、H、I、L、N、O块，共8块）F块代表该硅锭中间的硅块（硅块F、G、J、K块，共4块)；25块规格：A块代表该硅锭四周的硅块（硅块A、D、M、P块，共4块）；B块代表四周的硅块（B、C、D、F、J、K、O、P、T、V、W、X块，共12块）；G、M块代表中间的硅块（G、H、I、L、M、N、Q、R、S块，共9块）。
多晶硅成品取样及送检规定
多晶硅成品取样及送检规定1.取样：每一批成品的取样由出装炉人员负责，每一炉成品必须取样测试。
离硅棒石墨卡头10mm以下部位及桥型硅棒硅芯搭接处不准取样按每一炉取一根硅棒，并取硅棒上、中、下、3个点各一份样品作为测试样品。
上点取样位置离硅芯搭接处10cm处，下的取样位置离石墨卡头10cm处，中点位于硅棒中间。
每取一个样品，要用双层聚乙烯薄膜包装，并在包装上贴上表明样品重量，尺寸，取样部位，炉号，取样人，取样日期。
取样过程中要细心，严禁搞混，污染样品。
取样完成后，将封装好的样品交至前后处理人员。
交接过程中要由前后处理人员对每一批样品进行登记，备案。
并在接收单上签上接收人员姓名，日期。
2.样品处理样品处理由前后处理人员负责。
接收样品后对认真对样品进行酸洗，处理。
处理过程中要细心，要防止搞混样品。
样品处理完成后，装入双层聚乙烯塑料薄膜包装袋内密封好。
并标明样品的前后处理人员姓名，处理日期。
样品由前后处理人员送至硅芯室进行拉制。
样品交接过程中由硅芯室人员在接收单上签上接收人员姓名，日期，并对对每一批样品进行登记，备案。
3.硅芯拉制样品的拉制成型由硅芯室负责。
拉制成型的样品要符合规定，表面均匀平整，无突结。
拉制完成后将样品装入样品包装带内，送至前后处理人员处对样品进行喷砂处理。
处理完成后由前后处理人员送检。
4.样品检验样品的检验由分析室人员负责。
在接收样品过程中要细心检查每个样品的包装是否完好，标明的样品数据是否清晰可见，有无与样品实际情况不符。
如各项情况符合，鉴定接收单，并注明接收样品的尺寸，重量，接收人姓名，送检人姓名，日期。
检验结束后，对每批样品的检验结果进行认真登记，备案。
并出具检验报告。
样品由分析室人员送至硅芯室样品专柜保存三个月，以备复查。
5．样品采样，交接规定样品在交接过程中要做到包装完好，标签完整，字迹清晰，工整。
样品与标签所标注的相符合。
如有一项不符，则拒绝交接。
接收人员要对所接收的样品每一项进行认真登记，并记录在案。
单多晶硅片检验标准(新版)
目录1.目的：........................................................................................................... 错误！未定义书签。
2.范围：........................................................................................................... 错误！未定义书签。
3.内容：........................................................................................................... 错误！未定义书签。
单多晶硅片检验标准1．目的规范马鞍山中弘光伏有限公司的硅片检验流程，保证和持续产品质量。
2．范围用于马鞍山中弘光伏有限公司硅片的来料检验过程。
3．职责质量部负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4．内容4.1．硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1.表1 硅片中的金属杂质浓度和氧、碳含量4.2硅片检验方法：4.3 P型单晶硅片检验标准，见表2表2 P型单晶硅片检验标准4.4 P型多晶硅片检验标准，见表3表3 P型多晶硅片检验标准4.5 P型多晶硅片检验标准，见表4表4 P型多晶硅片检验标准备注：检验过程中若发现以下异常现场处理：1. 少片：在检验过程中单盒少片随时记录盒号、箱号、晶体编号、并拍取照片。
单箱少片不得超过50片，超出50片马上单独隔离该箱并马上告知采购部，有采购部通知供应商，待供应商回复后继续检验该箱。
2. 碎片：在检验过程中允许出现缺角、裂纹，来料缺角、裂纹在千分之三之内视为正常范围，超出千分之三IQC停止检验并告知采购部通知供货商，得到供货商认可后方可继续检验。
《质量检验-多晶硅片质量检验规范(31页)》
多晶硅片质量检验规范文件编号：IC-IG-102修订状态：发放编号:编制：审核：批准：年月日发布年月日正式实施目录一. 适用范围二. 引用标准三. 检验项目四. 检验工具五. 实施细则六. 相关记录附表1：硅片检验项目及判定标准附件1：二级硅片分类及标识方法附件2：125×125mm划片技术要求及标识方法附件3：硅片“亮线”的判定标准1.适用范围本细则规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
2.引用标准《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》《太阳能级多晶硅片内控标准》3.检验项目电性能、外形尺寸、外观4.检测工具硅片自动分选机、游标卡尺（0.02mm）、测厚仪、万能角度尺。
5.实施细则5.1表面质量目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4，B7、TTV、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、TTV片手感表现较重的，利用分选机重新分选；油污一般为斑点形式，擦拭不掉，无论面积大小均需重新清洗。
5.2 外型尺寸通过硅片自动分选机分选判定，符合附表1相关要求。
5.3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
5.3抽检方法（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于０.5％。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
注：针对分选机现状，分选机分选A等硅片由清洗工序包装时进行简易分选；B3、B5、B9硅片人工分选，B7、B8硅片分选时加大抽检力度，避免不合格硅片混入。
1、相关记录附表1：硅片检验项目及判定标准附件1：二级硅片分类及标识方法按优先级B1至B9无重复排序标示如下：B1几何尺寸偏差，其它检验参数符合一级品标准。
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多晶硅片
质量检验规范
编制：赵荣伟
审核：
批准：
年月日发布年月日正式实施
目录
一. 适用范围
二. 引用标准
三. 检验项目
四. 检验工具
五. 实施细则
六. 相关记录
附表1：硅片检验项目及判定标准
附件1：二级硅片分类及标识方法
附件2：125×125mm划片技术要求及标识方法附件3：硅片“亮线”的判定标准
1.适用范围
本细则规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
2.引用标准
《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》
《太阳能级多晶硅片内控标准》
3.检验项目
电性能、外形尺寸、外观
4.检测工具
硅片自动分选机、游标卡尺（0.02mm）、测厚仪、万能角度尺。
5.实施细则
5.1表面质量
目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4，B7、TTV、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；
B7、TTV片手感表现较重的，利用分选机重新分选；油污一般为斑点形式，擦拭不掉，无论面积大小均需重新清洗。
5.2 外型尺寸
通过硅片自动分选机分选判定，符合附表1相关要求。
5.3 电性能
依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
5.3抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于０.5％。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
注：针对分选机现状，分选机分选A等硅片由清洗工序包装时进行简易分选；
B3、B5、B9硅片人工分选，B7、B8硅片分选时加大抽检力度，避免不合格硅片混入。
6.相关记录
附表1：硅片检验项目及判定标准
附件1：二级硅片分类及标识方法
按优先级B1至B9无重复排序标示如下：
B1几何尺寸偏差，其它检验参数符合一级品标准。
注：具体情况在标签上注明（尺寸、倒角）。
B2晶粒小，其它检验参数符合一级品标准。
B3少子寿命1～2μｓ，其它检验参数符合一级品标准。
B4小崩边，其它检验参数符合一级品标准。
B5电阻率2～4Ω·ｃｍ，其它检验参数符合一级品标准。
B6 156mm*156mm硅片划片后的125mm*125mm硅片
B7锯痕20～40μｍ或亮线二级（参考《亮线判定标准》。
），其它检验参数符合一级品标准。
B8 35um<ttv≤45um,其它检验参数符合一级品标准。
B9 表面沾污
如果存在两种以上的二级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：
附件2：125×125mm划片技术要求及标识方法
1、156*156硅片划为125*125硅片，少子寿命≥2μｓ，电阻率为0.7-2Ω.ｃｍ，
锯痕小于20μｍ，其它检验参数也符合一级品标准。
2、标识：Ingot（锭号）标 H ，等级标B6。
3、表面沾污的脏面硅片，一定要重新清洗，否则按不合格片处置。
4、划片后,外形尺寸超过125±0.5mm,倒角尺寸超过1.5±0.5mm,角度超过45º
±10°判不合格。
附件3：硅片“亮线”的判定标准
一、亮线处，测试深度小于10µm的硅片
1、单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 等2、双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 等
二、亮线处，测试深度10～20µm的硅片
1、单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7
亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 等
2、双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为不合格亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7
注：检测亮线深度使用自动分选设备。
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