可控硅模块MTC160A
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100 A/μs
40
100
mA
1.0
2.5
V
100
mA
0.2
V
第1页
可控硅(晶闸管)模块
Thyristor Module
Rth(j-c) Rth(c-h)
热阻抗(结至壳) 热阻抗(结至散)
Viso
绝缘电压
Fm
Tsbg Wt Outline
安装扭矩(M5) 安装扭矩(M6) 储存温度 质量(约)
180°正弦半波,单面散热 180°正弦半波,单面散热 50HZ , R.M.S , t=1min Iiso:1mA(max) 装在散热器上
M234
MTC160A
0.170 0.08
℃/W ℃/W
2500
V
4.0±15%
N·m
5.0±15%
N·m
-40
125
℃
210
350
g
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可控硅(晶闸管)模块 Thyristor Module
的任何部位。
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参数值 典型
1600
最大 160 251 1800
单位
A A V
20
mA
5.40
KA
146
103A2S
0.8
V
1.69 mΩ
1.40
1.50
V
800 V/μs
IT(AV) VDRM/VRRM IFSM I2t
160A 600~1800V 5.4 KA 146 103A2S
符号
IT(AV)
IT(RMS) VDRM VRRM IDRM IRRM ITSM
I2t VTO RT VTM dv/dt
di/dt
IGT VGT IH VGD
参数
通态平均电流
方均根电流 断态重复峰值电压 反向重复峰值电压 断态重复峰值电流 反向重复峰值电流 通态不重复浪涌电流 浪涌电流平均时间积 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升率
M 234
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可控硅(晶闸管)模块 Thyristor Module
MTC160A
matters needing attention: 1、模块实际负载电流大于 5A 时务必要加装散热器,需提供良好的通风条件。 2、工作环境温度高于 40℃时,应优化散热通风条件。 3、模块工作后会发热,在设备未断电及模块未完全冷却降温之前,严禁用手触摸模块
可控硅(晶闸管)模块
Thyristor Module
attribute data
■芯片与底板电气绝缘,2500V 交流绝缘 ■采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的温
度特性和功率循环能力 ■体积小,重量轻
typical application
■交流开关 ■交直流电机控制 ■加热控制器 ■各种整流电源
MTC160A
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可控硅(晶闸管)模块 Thyristor Module
Install Size Diagram:
MTC160A
circuit Diagram:
结温 Tj(℃)
125 125 125
125 125 125
最小 600
125
ITM=480A
25
VDM=67%VDRM
125
ITM=480A 门 极 触 发 电 流 幅 值
IGM=1.5A,门极电流上升时间 125
tr≤0.5μs
30
VA=12V,IA=1A
25
0.8
20
VDM=67%VDRM
125
通态电流临界上升率
门极触发电流 门极触发电压 维持电流 门极不触发电压
测试条件
180°正弦半波,50HZ 单面散 热,Tc=85℃
VDRM&VRRM tp=10ms VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V VDM= VDRM VRM= VRRM 10ms 底宽,正弦半波 VR=0.6 VRRM