单晶制绒
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制绒过程
清洗槽，去除槽内的碎硅片及其它有机物， 新使用的槽需要洗洁精清洗槽内的有机物 清洗后加水到指定位置：
配液： NaOH
（g）
参考值 范围
2500 2000-4000 10 8-12 1500 1000-2000
异丙醇 参考值 （L） 范围 硅酸钠 参考值 范围
加温至80度
单晶制绒
1 2 3 4 目的 原理 方法 检测
单晶的各种形貌
单晶原始形貌（500倍）
单晶绒面 （500倍）
单晶粗抛（500倍）
单晶绒面（SEM）
反射率
原始硅片的反射率
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
单晶绒面的反射率
由此我们可以看出绒面对光吸收的影响,增加 %的光吸收
1010 1080
380 450
520
590
660
730
800
870
940
WL
来自百度文库 单晶制绒的原理：
硅的各向异性腐蚀，在不同的晶向上的腐 蚀速度不一致，在100面上的腐蚀速率与 111面上的腐蚀速率R111的比值 R100： R111在一定的弱碱溶液中可以达到500
反应方程式：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑