单晶制绒
单晶制绒工艺
酸洗槽体 配液及添加 HCL（L) 初始配液 / 氢氟酸槽 自动添加 （每200片） / 初始配液 盐酸槽 自动添加 （每200片）
HF（L)
水（L) 共计（L) 25.3 114.7 140 0.5 / / 106.5 / / 140
/ ±0.1% / / / ±0.5% / ±0.5% / / / /
共计（L） 140 / 140.06 /
温度控制范围 60±2℃ 50±2℃ 80±1℃ RT RT RT RT RT RT RT RT 60±2℃ 80±2℃
时间控制范围 4-5min 3±1min 25-30min 3±1min 3±1min 3±1min 7±1min 3±1min 7±1min 3±1min 3±1min 5±1min 7±1min
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
工序 去损伤层 温水隔离 单晶制绒 QDR 纯水清洗 喷淋 HCL处理 纯水清洗 HF处理 喷淋 漂洗 预脱水 槽式烘干
处理液 初始配液浓度 NaOH 7% DI水 / NaOH/IPA/添加剂 1%/6%/0.4% DI水 / DI水 / DI水 / HCL 10% DI水 / HF 10% DI水 / DI水 / DI水 / 热空气 /
温度设定值 60℃ 50℃ 80℃ RT RT RT RT RT RT RT RT 60℃ 80℃
时间设定值 4min 3min 25min 3min 3min 3min 7min 3min 7min 3min 3min 5min 7min
初始配液添加量及自动补液量 制绒槽体 配液及添加 NaOH（L） 异丙醇（L) 添加剂（L）水（L) 初始配液 26.5 / / 113.5 去损伤层 自动添加 槽 （每200片） 0.3 / / / 初始配液 4 8.5 0.56 127 制绒槽 自动添加 （每200片） 0.15 0.5 0.03 /
单晶硅制绒原理
单晶硅制绒原理一、前言单晶硅制绒是一种新型的纳米材料制备技术，其原理基于单晶硅的特殊性质和化学反应，通过控制反应条件和工艺参数，使得单晶硅表面形成微米级别的绒毛结构。
这种绒毛结构具有特殊的物理和化学性质，在光电、生物医学、能源等领域具有广泛的应用前景。
本文将详细介绍单晶硅制绒的原理及其相关机理。
二、单晶硅的特殊性质单晶硅是一种高纯度、高结晶度的半导体材料，其独特的物理和化学性质决定了它在纳米材料制备中具有重要作用。
首先，单晶硅具有高密度和高结晶度，因此在反应过程中能够提供稳定的反应场所，并且可以保证所得到的纳米材料具有较好的结晶性和形态稳定性。
其次，单晶硅表面具有天然氧化层，在空气中易于形成SiO2薄层。
这种氧化层可以保护单晶硅表面不受外界环境的影响，并且可以提供反应所需的活性位点。
最后，单晶硅具有良好的光学和电学性质，可以用于制备光电器件和传感器等。
三、单晶硅制绒的原理单晶硅制绒是一种化学反应过程，其基本原理是在特定条件下，将单晶硅表面氧化层上的Si-O键断裂，然后在空气中形成Si-OH活性位点，并通过这些活性位点进行化学反应，最终形成微米级别的绒毛结构。
具体来说，单晶硅制绒可以分为以下几个步骤：1. 单晶硅表面氧化层处理首先需要对单晶硅表面进行氧化层处理。
这一步骤通常采用湿法或干法氧化方法，在高温高压下使得Si表面形成一层厚度为数纳米至数十纳米的SiO2薄层。
这种薄层可以保护单晶硅表面不受外界环境影响，并且提供反应所需的活性位点。
2. 活性位点生成在第一步处理完成后，需要将SiO2薄层上的Si-O键断裂，生成活性位点。
这一步骤通常采用酸或碱处理，使得Si-O键断裂并形成Si-OH 活性位点。
在此过程中，需要控制处理时间和处理浓度，以避免产生过多的缺陷和损伤。
3. 化学反应在活性位点生成后，需要进行化学反应。
这一步骤通常采用氧化、还原、加热等方法，在空气中形成Si-O-Si键，并通过这些键进行化学反应。
制绒总结
单晶部分
1 单制绒的工艺过程 ：
上料
预清洗
温水隔离
制绒
喷淋
HF清洗
纯水清洗
盐酸清洗
漂洗
预脱水
烘干
下料
纯水清洗 纯水隔离
2、制绒的目的：
1 去除硅片表面的机械损伤层。 2 减少光的反射。 酸洗的目的： 1 氢氟酸：去除表面氧化物。 2 盐酸：去除金属离子。
3、制绒的原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向 异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 。角锥体 四面全是由〈111〉面包围形成。 反应式为：
引起。
反应温度过高（显示温度与实 际温度不符）
经技术员确认后，通知设备人员调整。
NaOH浓度过高，反应时间过长。下 应时一间筐。补液时适当减少NaOH添加量或适当降低反
硅酸钠残留，制绒后没有保持 硅片湿润
制绒后禁止将硅片长时间暴露在空气中
多晶部分
1、多晶制绒的工艺过程
上料
制绒
吹干
水洗
吹干
碱洗
水洗
酸洗
氢氟酸
1、理化性质 氢氟酸是氟化氢气体的水溶液，为无色透明至淡黄色冒烟液体。有刺激性气味。分子式 HFH2O，相对密度 1.15～1.18，沸点 112.2℃（按重量百分比计为38.2%）。市售通常浓度：约 49%，是弱酸。
单多晶制绒基础知识
单晶绒面图片
多晶绒面图片
四、制绒生产过程控制
4.1、单晶制绒液的组成及其作用
制绒溶液主要是由碱性物质（NaOH、KOH、Na2CO3 等）及添加剂（硅酸钠、酒精或异丙醇）组成的 混合溶液。
碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反 应，从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。
酒精或异丙醇有三个作用：a、协助氢气泡从硅片 表面脱附；b、减缓硅的腐蚀速度；c、调节各向 异性因子。酒精或异丙醇的适宜浓度为5~10%。
I0
I3
A
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二、单晶制绒原理
单晶制绒原理:利用碱性溶液对单晶硅片进行各向异性
腐蚀的特点来制备绒面。
从本质上讲,绒面形成过程是: NaOH溶液对不同晶面 的腐蚀速率不同，(100)面的腐蚀速度比(111)面大十倍以 上,所以(100)晶向的单晶硅片经各向异性腐蚀后，最终在 表面形成许许多多表面为(111)的四面方锥体,即 “金字 塔”结构。
4.5影响制绒液稳定性的因素:
1、初配液NaOH浓度及异丙醇浓度
2、制绒槽内硅酸钠的累计量
3、制绒腐蚀的温度及制绒腐蚀时间的长短
4、中途NaOH和异丙醇的添加量 5、槽体密封程度、异丙醇的挥发程度
4.6理想单晶绒面的要求
1、绒面外观应清秀，不能有白点、 发花、水印等 2、金字塔大小均匀，单体尺寸在2~10чm之间 3、相邻金字塔之间没有空隙，即覆盖率达100%。
五、HCL及HF漂洗过程
5.1 HCL漂洗过程
采用盐酸水溶液,HCl可以去除硅片表面金 属杂质及残留的NaOH： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子 能与 Pt铂 2+、Au金 3+、Ag银 +、Cu铜 +、Cd 镉2+、Hg 汞2+等金属离子形成可溶于水的络 合物。
单晶制绒工艺培训
单晶制绒工艺培训一、单晶制绒工艺概述单晶制绒是一种特殊的面料处理工艺，它通过将细密的绒毛布料置于高温条件下，使得布料表面的绒毛呈现出一种晶莹剔透的效果。
单晶制绒面料具有柔软、透亮、富有弹性的特点，因此在服装、家居用品和汽车内饰中得到广泛应用。
单晶制绒工艺的关键在于控制温度和时间，以及对化学品的使用和织造技术的熟练掌握。
二、单晶制绒工艺培训内容1. 基础知识学习单晶制绒工艺培训的第一步是学习基础知识。
这包括单晶制绒的原理、工艺流程、设备使用、危险品处理等方面的内容。
学员需要掌握单晶制绒工艺的基本原理和步骤，了解设备的使用和维护方法，同时还需要了解危险品的处理和安全防护知识。
2. 设备操作培训单晶制绒工艺的设备操作对于学员来说是至关重要的。
培训学员需要熟悉单晶制绒设备的操作方法，掌握设备的运转原理和操作流程，熟练掌握设备的日常使用和维护。
此外，还需要学习如何解决设备故障和应对突发情况。
3. 工艺技术培训单晶制绒工艺技术对于学员来说是培训的重点。
学员需要学习如何控制温度和时间，以及使用化学品的方法和注意事项。
同时，还需要掌握单晶制绒的织造技术，包括面料的选材、织造工艺和后处理工艺等方面的知识。
4. 实操实训除了理论学习和设备操作外，学员还需要进行实操实训。
这需要在专业的工厂或实验室中进行，学员需要按照实际工艺流程进行练习，并在老师的指导下逐步提高自己的实际操作水平。
5. 安全知识培训单晶制绒工艺是一种高温高压的工艺，因此安全问题也是培训的重点。
学员需要学习化学品的危害性及其使用方法，熟悉急救知识和安全防护措施，以确保自己和他人的安全。
三、培训机构选择想要进行单晶制绒工艺培训，首先就需要选择一所专业的培训机构。
在选择培训机构时，应该综合考虑以下因素：1. 机构资质：培训机构的资质是参加培训的首要条件，一般来说，国家认可的职业培训机构和专业的织造学校是比较好的选择。
2. 师资力量：培训机构的师资力量决定着培训的质量，应该选择有丰富实践经验和教学经验的老师来进行培训。
晶体硅太阳电池设计-制绒
单晶制绒(各向异性腐蚀)硅的各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具用不同的腐蚀速率.各向异性腐蚀剂一般分为两类:一类是有机腐蚀剂,包括EPW和联胺等,另一类无机腐蚀剂,包括无机碱性腐蚀剂,如KOH NaOH LiOH等,我们单晶制绒腐蚀剂用的是无机碱性腐蚀剂.在腐蚀液浓度一致的前提下, 改变腐蚀液的温度, 各晶面的腐蚀速率随温度的变化示于图5单晶制绒溶液通常用低浓度（0.5.—1.5wt%）的氢氧化钠混合（5---10vol%）的异丙醇（或乙醇）配制成，在75---80℃温度范围内对（100）晶向的硅片表面进行各向异性腐蚀，便可以得到由（111）面包围形成的角锥体分布在表面上构成的绒面。
我们将<100>晶向上腐蚀速率与<111>晶向上腐蚀速率比值定义为各向异性因子AF.当AF=1时,腐蚀硅片可以得到平坦的表面.当制绒液在<100>方向上具有相对高的腐蚀速率(0.6um/min)和AF=10的各向异性系数时在硅片表面上得到最高的角锥体密度,能够腐蚀出高质量绒面.腐蚀碱溶液的浓度,温度对AF有显著影响.一般来说,低浓度的碱溶液和较低的温度具有较高的AF值;反之,高浓度的碱溶液和较高溶液温度则对应低的AF数值.因此,前者用于制绒工艺,后者用于抛光工艺,在实验和生产实践中发现,制绒溶液配制好后,初次使用时AF不高,并且锥体的覆盖率也不高.使用若干次以后,AF值和绒面覆盖率逐渐提高并趋进最大值.再继续使用若干次后,AF值和绒面覆盖率逐渐降低,直到溶液失效不能使用,这时候就要重新配制溶液了.硅在碱溶液中的腐蚀现象，可以用电化学腐蚀的微电池理论进行解释.阳极处Si+6O HˉSiO3-2+3H2O +4e阴极处2H+ +2e H2↑总的反应式Si +2NaOH +H2O Na2SiO3+ 2H2↑NaOH的作用Si在NaOH腐蚀液中反应过程，首先由水分子分解出氢氧根离子, 氢氧根离子与表面原子未配对的电子结合形成Si—O键, 然后打断表面原子与其它硅原子连接的共价键,最后生成Si(OH )4. 我们以(100) 面的原子为例, 其反应过程可表示为:在第二步反应中, 由于硅表面存在成键的OH 基团,使硅表面原子的背键强度降低,Si(OH )2 团中的Si—Si 背键被打开, 形成了带正电荷的氢氧化硅复合物:氢氧化硅复合物进一步与两个OH- 反应产生原硅酸:从以上反应过程可以看出, 在硅表面的原子被“移去”的过程中.除去硅原子未受腐蚀的起始态和被腐蚀反应为原硅酸的最终态之外, 还有若干个中间状态, 从微观角度来说, 各中间状态反映出腐蚀的微观过程, 可用来说明腐蚀的机制. 我们认为, 处在不同晶面的硅原子的腐蚀速率之所以不同, 一方面是与被反应原子所处的初始状态有关, 另一方面也与反应过程中存在的各个中间状态有关.硅(100) 晶面原子在NaOH 腐蚀过程中出现的状态示意图(图1)首先, 我们根据反应的过程看图1 中八种微观状态之间的转换.相应于图1 中八种不同的状态, 就反应中各个状态之间可能的转换示于图2 中. 其中, 有的状态在反应条件不确定的情况下, 受各种因素的影响, 有可能有多种形式状态的转化.硅(100) 晶面原子在腐蚀过程中各微观状态之间转化关系(图2)IPA的作用IPA 1)增加硅片表面的可湿润性2)碱溶液对硅片的腐蚀速率随着IPA浓度的增加而降低3)适当浓度发IPA在溶液中起到消泡的作用我可以从碱腐蚀硅的化学原理可知,伴随腐蚀的进行,硅表面有气泡产生,气泡的尺寸与溶液的粘度,溶液的表面张力有关,气泡的大小和在硅片表面的附着时间,的表面反应的进行乃至腐蚀形成的表面形貌有直接音响.谈到气泡的大小我们就必须谈到接触角(润湿角)接触角定义为液—固—气界面相交点,液—气界面的切线与液—固界面切线的夹角.CosØ =(δg-s –δl-s)/δg-l图.液体与固体表面的接触角定温定压平衡时液体在固体表面的接触角决定于固—气相、固—液相和液—气相三个界面张力的大小关系。
单晶硅制绒原理
单晶硅制绒原理介绍单晶硅制绒是一种常用的制备技术，用于制备具有高质量表面的材料。
本文将详细介绍单晶硅制绒的原理及其相关的工艺流程和应用。
原理单晶硅制绒是通过晶体生长技术在硅基底上制备一层高质量的薄膜。
其原理主要包括以下几个方面：1.晶体生长：在制备单晶硅制绒时，首先需要选择适合的基底材料，通常选择硅基底。
然后，在基底上进行晶体生长，通常采用化学气相沉积（CVD）技术。
CVD技术通过将气相材料在高温条件下加热，使其分解并在基底上生成薄膜。
2.控制晶体方位：在单晶硅制绒中，晶体方位的控制是非常重要的。
晶体的方位决定了其物理和化学性质。
为了控制晶体方位，可以通过在基底上引入一层缓冲层，促使晶体在特定方位生长。
3.制备薄膜：通过晶体生长技术，可以在基底上制备一层薄膜。
这层薄膜通常具有高度的结晶度和平整度，能够提供良好的表面质量和机械性能。
工艺流程单晶硅制绒的工艺流程通常包括以下几个步骤：1.基底准备：选择适合的基底材料，并进行表面处理。
通常，基底会经过清洗、打磨和去除氧化层等工艺步骤，以保证基底的纯净性和平整度。
2.缓冲层生长：为了控制晶体的方位，常常需要生长一层缓冲层。
这层缓冲层通常由非晶态或微晶态硅材料组成，可以通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技术实现。
3.单晶硅生长：在缓冲层的基础上，进行单晶硅的生长。
通常，采用低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等技术进行生长。
这些技术可以提供较高的晶体质量和较高的生长速度。
4.表面处理：在单晶硅制绒后，通常需要进行一些表面处理，以提高薄膜的质量。
常用的表面处理方法包括化学机械抛光（CMP）、湿法腐蚀和离子注入等。
应用单晶硅制绒广泛应用于半导体器件、太阳能电池、显示器件等领域。
其应用主要包括以下几个方面：1.半导体器件：单晶硅制绒在半导体器件制造中起到重要作用。
通过控制晶体的方位和表面质量，可以提高器件的性能和可靠性。
单晶制绒工艺
一、中电1、配制溶液1.1、浓度粗抛液：NaOH:H2O=11.8%wt粗抛液自动补碱箱中NaOH:H2O=15%wt。
制绒液：NaOH:H2O=1.76%wt；Na2SiO3:H2O=1.26%wt；C2H5OH:H2O=5.0%vol 可采用异丙醇替代无水乙醇。
1.2、配液过程粗抛液：清洗好粗抛槽，关闭排水阀门，打开进水阀门向槽中缓慢放水，同时向槽中倒入NaOH粉末，控制速度，在槽中约放入2/3槽水的同时加入10kg NaOH，关闭槽盖，在控制面板上打开加热开关对槽中液体开始加热。
待温度升至70℃时，打开槽盖，再向槽中倒入10kg NaOH粉末并注水，同时用水瓢对溶液进行搅拌，以使NaOH充分溶解，液面升至溢水口下方2cm处时停止注水。
制绒液：按照3.3.1条的浓度计算出170L制绒液所含有的NaOH、Na2SiO3和无水乙醇的量，清洗好制绒槽，关闭排水阀门，打开进水阀门向槽中缓慢放水，同时向槽中倒入NaOH、Na2SiO3和无水乙醇，过程中用水瓢不断搅拌溶液，待加完NaOH、Na2SiO3和无水乙醇后，放水调整液面至溢水口下2cm处，关闭槽盖，在控制面板上打开加热开关对槽中液体开始加热。
生产时再向槽中加入1L无水乙醇。
2、参数设置粗抛：温度85℃±2℃；时间2～3.5min。
NaOH:H2O=11.8%wt制绒：温度77℃±2℃；时间20～30min。
NaOH:H2O=1.76%wt；C2H5OH:H2O=5.0%vol；Na2SiO3:H2O=1.26%wt。
喷淋：时间1.8min以上。
鼓泡漂洗：温度70℃±5℃；时间2.0min以上。
二、百事得11、配置溶液1.1、溶液浓度去损伤层液：NaOH：H2O=20%wt制绒液：NaOH：H2O=1.43%wt (CH3)2CHOH：H2O=5%vol Na2SiO3:H2O=0.7%wt 2、参数设置三、百事得21、配置溶液预清洗：清洗剂：H2O=1%vol制绒液：NaOH：H2O=1.5%wt 异丙醇：H2O=5%vol Na2SiO3:H2O=1%wt 补液：批量生产，异丙醇每30min补液1.2L，氢氧化钠每批补充300g，并适量补水。
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1 2 3 4 目的 原理 方法 检测
单晶的各种形貌
单晶原始形貌（500倍）
单晶绒面 （500倍）
单晶粗抛（500倍）
单晶绒面（SEM）
反射率
原始硅片的反射率
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0
单晶绒面的反射率
由此我们可以看出绒面对光吸收的影响,增加 %的光吸收
1010 1080380 450Fra bibliotek520
590
660
730
800
870
940
WL
单晶制绒的原理：
硅的各向异性腐蚀，在不同的晶向上的腐 蚀速度不一致，在100面上的腐蚀速率与 111面上的腐蚀速率R111的比值 R100： R111在一定的弱碱溶液中可以达到500
反应方程式：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
制绒过程
清洗槽，去除槽内的碎硅片及其它有机物， 新使用的槽需要洗洁精清洗槽内的有机物 清洗后加水到指定位置：
配液： NaOH
（g）
参考值 范围
2500 2000-4000 10 8-12 1500 1000-2000
异丙醇 参考值 （L） 范围 硅酸钠 参考值 范围
加温至80度