led芯片的制造工艺流程(1)
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LED 芯片制作工艺知识
LED 芯片工艺（以红色芯片为例） 1、LED 红色芯片基本结构
2. 工程设备 MOCVD 目前比较通用(金屬有机物化学氣相沉淀法) VPE 比较早期 (气相磊晶)
3. LED 芯片制作工艺流程
上游成品（外延片）
研磨（wenku.baidu.com薄、抛光） 去腊清洗、库房
正面涂胶保护（P面）
化学抛光 去胶清洗
称为几元芯片。 例如：AlCaInP 就称为四元， CaAs 就称为二元。 （3）、调节 X 的值就能改变材料的能级结构，即改变 LED 的发光 颜色。 此即所谓的能带工程。
后期切割。
6.LED 颜色跟材料之间关系
X 的取值 X=0.2
三元化合物 Ga PX As 1-X Ga As 0.8P0.2
X=0.35
GaAs0.65P0.35
禁带宽度 1.66eV 1.848eV
波长与颜色
λ=747nm 红色
λ=671nm 橙色
（1）、芯片的发光颜色跟发光区选择的材料有关， （2）、芯片的元的计算，就是发光区选择的材料含几种元素，就
腐蚀 清洗
蒸镀（P面） 清洗
蒸镀（N面）
黄光室涂胶 涂胶前先涂光阻附着液
光罩作业 显影、定影
腐蚀金、铍 去胶清洗
合金
蒸镀钛、铝（P面）
涂胶 套刻
显影定影 腐蚀铝、钛
去胶清洗 切割工序
客户要求较高的
半切
全切
点测
中游成品
客 户 一要 刀求 切不 高
送各封装厂
详细主工艺： 4.1. LED 制程工艺（1） — P 面蒸镀
Au
AuBe
Au
N 面蒸镀 Au
AuGeNi
Ni
Au
电极
涂胶
光罩 显影、定影 腐蚀
清洗
P 极蒸镀 钛
铝
CHIP 半全切割 清洗
（1）、芯片工序多、工艺复杂，但灵活性高、技术含量强。
（2）、各厂家使用设备、工艺流程、化学配方都形成自己的一套并不断更
新。
（3）、万变不离其宗，其主要路线是一样：外延片的生长、电极的制作、
4.2. LED 制程工艺（2） — N 面蒸镀
4.3. LED 制程工艺（3）— 电极制作（A） 4.4. LED 制程工艺（3） — 电极制作（B）
4.5. LED 制程工艺（4）— 切割 SIZE
5. LED 制程工艺初步统计及小结
1
2
3
4
5
6
P 面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-Al P-GaP-Mg
LED 芯片工艺（以红色芯片为例） 1、LED 红色芯片基本结构
2. 工程设备 MOCVD 目前比较通用(金屬有机物化学氣相沉淀法) VPE 比较早期 (气相磊晶)
3. LED 芯片制作工艺流程
上游成品（外延片）
研磨（wenku.baidu.com薄、抛光） 去腊清洗、库房
正面涂胶保护（P面）
化学抛光 去胶清洗
称为几元芯片。 例如：AlCaInP 就称为四元， CaAs 就称为二元。 （3）、调节 X 的值就能改变材料的能级结构，即改变 LED 的发光 颜色。 此即所谓的能带工程。
后期切割。
6.LED 颜色跟材料之间关系
X 的取值 X=0.2
三元化合物 Ga PX As 1-X Ga As 0.8P0.2
X=0.35
GaAs0.65P0.35
禁带宽度 1.66eV 1.848eV
波长与颜色
λ=747nm 红色
λ=671nm 橙色
（1）、芯片的发光颜色跟发光区选择的材料有关， （2）、芯片的元的计算，就是发光区选择的材料含几种元素，就
腐蚀 清洗
蒸镀（P面） 清洗
蒸镀（N面）
黄光室涂胶 涂胶前先涂光阻附着液
光罩作业 显影、定影
腐蚀金、铍 去胶清洗
合金
蒸镀钛、铝（P面）
涂胶 套刻
显影定影 腐蚀铝、钛
去胶清洗 切割工序
客户要求较高的
半切
全切
点测
中游成品
客 户 一要 刀求 切不 高
送各封装厂
详细主工艺： 4.1. LED 制程工艺（1） — P 面蒸镀
Au
AuBe
Au
N 面蒸镀 Au
AuGeNi
Ni
Au
电极
涂胶
光罩 显影、定影 腐蚀
清洗
P 极蒸镀 钛
铝
CHIP 半全切割 清洗
（1）、芯片工序多、工艺复杂，但灵活性高、技术含量强。
（2）、各厂家使用设备、工艺流程、化学配方都形成自己的一套并不断更
新。
（3）、万变不离其宗，其主要路线是一样：外延片的生长、电极的制作、
4.2. LED 制程工艺（2） — N 面蒸镀
4.3. LED 制程工艺（3）— 电极制作（A） 4.4. LED 制程工艺（3） — 电极制作（B）
4.5. LED 制程工艺（4）— 切割 SIZE
5. LED 制程工艺初步统计及小结
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P 面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-Al P-GaP-Mg