《电子技术基础》康华光第五版模电课后问答题答案

第二章运算放大器

2.1 集成电路运算放大器

2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。

2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。

2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。

2.2 理想运算放大器

2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。

3.运放的开环电压增益很大。

2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。

2.3 基本线性运放电路

2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。

2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。

3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。

虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。

2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。

由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有Vp≈Vn=0.

2.3.3答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1，至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。

反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。

电路的不同：1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。

2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。

2.3.5 答：电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。

2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用

2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。

2.4.2

成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。谢了！(*^__^*) 嘻嘻……

第三章二极管

3.2.1答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。

3.2.2答：使PN结外加电压VF的正端接P区，负端接N区，外加电场与PN结内电场方向相反，此时PN出于正向偏置。

3.2.3答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结，使耗尽区厚度增加。

3.2.4答：只有在外加电压是才能显示出来。

3.2.5答：P67页。

3.3.1答：P71页

3.3.2

3.3.4答：P71页

3.3.5答：P71页

3.4.1答：P73页

3.4.2答：P74，76页

3.4.3答：P83页

第四章

4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。

4.1.2 不行。内部结构不同。

4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。反偏，都正偏。

4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。 IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO

4.1.5（p106)

第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。

第四章

4.1.1 不可以，因为BJT有集电区、基区和发射区。

4.1.2 不行。内部结构不同。

4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。反偏，都正偏。

4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流IE。 IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO

4.1.5（p106)

第一问没有找到；BJT输入电流Ic（或IE）正比于输入电流IE(或Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT成称为电流控制器件。

4.1.6 (VCE=常熟) a=D IC / D IE(VCB=常熟)

4.1.8 IC,IE,VCE

4.1.9 IC,IE b上升

4.2.1 微弱电信号放大，信号源，外加直流电源VCC

4.2.2（p119）

4.2.3（p117）

4.2.4 不能 IC, a上升

4.3.1 P120

4.3.2 P123

4.3.3 改变Vcc的极性（自己判断是否正确）；截止失真

4.3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下，P128

4.3.5 找不到，个人理解：放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位。

4.3.6 P130公式(4.3.7B) P111公式（4.1.11A）不是

4.3.7 P126 P132

4.4.1 电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度

4.4.2 基极分压式射极偏置电路（理由见P135），含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见P139）

4.4.3 不能（答案不确定）

4.4.4 不能，Ce对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻Re上的电流信号电压有旁路作用

4.5.1 有共射，共基和共集；判断方法P147，4.5.3

4.5.2 P147，4.5.3的2

4.5.3 P141的4.5.1的2.动态分析

4.5.4 可以，根据式(4.4.1）-（4.4.4），可见静态电流Icq只与直流电压及电阻Re有关，以此温度变化时，Icq基本不变。

4.7.1

书上155页第一段，这主要是由BJT的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。

4.7.2 频带宽度BW是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：BW=f（H）-f （L）

4.7.3 低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。

高频是不会

4.7.4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；

共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。

书上176

第五章

5.1.1答：二氧化硅是绝缘体

5.1.2答：P237

5.1.3答：P237

5.1.4答：P207

5.2.1答：P226 JFET 不能

BJT不能

P205耗尽型MOSFET 可以答案在P205画波浪线处