第2节 外光电效应探测器

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(3)光电管光谱特性
由于光阴极对光谱有选择性,因此光电管对光谱也有选择 性。保持光通量和阴极电压不变,阳极电流与光波长之间的关 系叫光电管的光谱特性。一般对于光电阴极材料不同的光电管 ,它们有不同的红限频率υ0,因此它们可用于不同的光谱范围 。除此之外,即使照射在阴极上的入射光的频率高于红限频率 υ0,并且强度相同,随着入射光频率的不同,阴极发射的光电 子的数量还会不同,即同一光电管对于不同频率的光的灵敏度 不同,这就是光电管的光谱特性。所以,对各种不同波长区域 的光,应选用不同材料的光电阴极。
光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电 流,记为ID。光电倍增管的暗电流值在正常应用的情况下 是很小的,一般为~nA,是所有光电探测器件中暗电流最 低的器件。
影响暗电流的主要因素:热发射、残余气体放电、欧姆 漏电、场致发射、玻璃壳放电和玻璃荧光
本底电流:光电倍增管与闪烁体放在一起时,由于宇宙 射线引起闪烁体发光而照射在光电倍增管上出现的脉冲 式的电流
真空光电管构造示意图
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
光电阴极即光电发射材料,涂于玻壳内壁,受光 照时,可向外发射光电子。阳极置于光电阴极的 对面,加正的高电压,用来收集从阴极发射出来 的电子。
特点:光电阴极面积大,灵敏度较高,一般积分灵 敏度可达20~200μA/lm;暗电流小,最低可达1014A;光电发射弛豫过程极短。
10-3
阳 10-5 极 10-7
与直线最大 偏离是3%
电 流
10-9 10-10
/A
10-13
10-14 10-10 10-6
在 45mA 处饱和
10-2
光电 倍增 管的 光照 特性
光通量/1m
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
4.变像管与像增强器
• 变像管是指把不可见光转换为可见光的器 件。通常是指红外变像管。其核心部分是 对红外光敏感的光电阴极。当红外光照射 到阴极时,产生光电发射,经过电子光学 系统,实现光谱变换。
• 像增强器是指将微弱像变为明亮像的器件
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
基本原理
光电阴极将光学图像转换为电子图像,电子 光学成像系统(电极系统)将电子图像传递到 荧光屏,在传递过程中增强电子能量并完成电 子图像几何尺寸的缩放,荧光屏完成电光转换, 即将电子图像转换为可见光图像,图像的亮度 已被增强到足以引起人眼视觉,在夜间或低照 度下可以直接进行观察。
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
1.外光电效应原理
• 在光线的作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的 现象称为外光电效应。向外发射的电子叫做光电子。
• 一个电子接受一个光子的能量,一个电子从物体表面逸出 时,必须使其能量大于该物体的表面逸出功,超过部分的 能量表现为逸出电子的动能。
h
缺点:真空光电管一般体积都比较大、工作电压高 达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等
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充气型光电管的工作原理
光照电子在电场的作用下运动,途 中与惰性气体原子碰撞而电离,电 离又产生新的电子,它与光电子一 起都被阳极收集,形成数倍于真空 型光电管的光电流 。
第2章 光接收器件
M N
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
当考虑到光电阴极发射出的电子被第1倍增极所收集, 其收集系数为η1,且每个倍增极都存在收集系数ηi,因 此,增益G应修正为
G 1(i )N
对于非聚焦型光电倍增管, η1近似为90%。 ηi要高于 η1 ,但小于1;
对于聚焦型的,尤其是在阴极与第1倍增极之间具有 电子限束电极F的倍增管,其η1≈ηi ≈ 1。
1 2
m02
A0
h:普朗克常数,6.626×10-34J·s
•外光电效应多发生于金属和金属氧化物,从光开始照射 至金属释放电子所需时间不超过10-9s。
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2 光电管
真空光电管工作原理
(phototube)
结构与工作原理
真空光电管由玻壳、光电 阴极和阳极三部分组成 。
电位下降,表面电位降低Ed。光 电子在表面受到耗尽区电场的作
用。
EAe
EC1
-
EA2 Ed E0
Ef Ev1
+ -+
+
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Ev2
从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时, 电子只需克服EA2就能逸出表面。对于P型Si的光电 子需克服的有效亲和势为
EAe=EA2-Ed
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第2节 外光电效应探测器
EA
Ec11 Eg1
Ev1
Ec2 Ev2
EA E0 2 Eg2
Cs2O
Si
Si-CsO2光电阴极:在p型Si 基上涂一层金属Cs,经过 特殊处理而形成n型Cs2O。 在交界区形成耗尽层,耗 尽区的电位下降Ed,造成能 带弯曲。
对于P型Si的发射阈值是
Ed1=EA1+Eg1,电子进入导带后需要 克服亲和势EA1才能逸出表面。由 于表面存在n型薄层,使耗尽区的
第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
工作原理:
1.光子透过入射窗口入射在光电阴极上;
2.光电阴极上的电子受光子激发,离开表面发射到真空中;
3.光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍 增级上,倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子。 入射电子经N级倍增极倍增后,光电子就放大N次; 4.经过倍增后的二次电子由阳极收集,形成阳极光电流。
由于能级弯曲,使Ed>EA2,这样就形成了负电子亲 和势。 负电子亲和势阴极与正电子亲和势阴极的区别在于:
1)参与发射的电子是导带的未热化电子,或称为 “冷”电子; 2)NEA阴极中导带的电子逸入真空不需作功。
第2节 外光电效应探测器
• 1888 Hallwachs发现 在赫兹实验中 光照射 一起电子发射
• 1905 爱因斯坦
• 1909 Richtmeyer 真空中投射到Na光电 阴极所发射电子总数 与入射果子数成正比
• 之后不久 Zwakyn 制 造出光电倍增管
• 非放大Fra Baidu bibliotek 真空光电管、 充气光电管
• 放大型 光电倍增管、 变像管、 像增强器、 摄像管
0
50
100 150 200
阳极与末级倍增极间的电压/V
应用光电传感器参数 的主要依据。
第2章图光4.接2收-2器件光电管的伏安第2特节 性外光电效应探测器
(2) 光电管的光照特性
通常指当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定
时,光通量与光电流之间的关系为光电管的光照特性。
其特性曲线如图所示。曲线1表示氧铯阴极光电
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真空、充气光电管性能比较
项目 优点 缺点
第2章 光接收器件
真空光电管
充气光电管
1.光电阴极面积大,暗电 流小
2.驰豫过程小
光照灵敏度高
1.灵敏度低
1.稳定性差
2.体积大
2.线性度差
3.玻璃体,易碎
3.噪声大
4.要和放大器配合,使用 受限制
第2节 外光电效应探测器
4.响应时间长
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第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
光电倍增管的主要特性参数
(1) 电流放大倍数(倍增系数)
电流放大倍数表征了光电倍增管的内增益特性,
它不但与倍增极材料的二次电子发射系数δ有关,而且
与光电倍增管的级数N有关。理想光电倍增管的增益M与
电子发射系数δ的关系为
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第2节 外光电效应探测器
国产GD-4型的光电管,阴极是用锑铯材料制成的。其红限 λ0=7000Å,它对可见光范围的入射光灵敏度比较高,转换效率: 25%~30%。它适用于白光光源,因而被广泛地应用于各种光电式 自动检测仪表中。对红外光源,常用银氧铯阴极,构成红外传感 器。对紫外光源,常用锑铯阴极和镁镉阴极。另外,锑钾钠铯阴 极的光谱范围较宽,为3000~8500Å,灵敏度也较高,与人的视觉 光谱特性很接近,是一种新型的光电阴极;但也有些光电管的光 谱特性和人的视觉光谱特性有很大差异,因而在测量和控制技术 中,这些光电管可以担负人眼所不能胜任的工作,如坦克和装甲 车的夜视镜等。
IA/ μA
管的光照特性,光电 流I与光通量成线性关
系。曲线2为锑铯阴极
100
的光电管光照特性,
75
2
50
25
1
它成非线性关系。光 照特性曲线的斜率 (光电流与入射光光 通量之间比)称为光
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Φ/1m
电管的灵敏度。
第2章 光光接收电器管件 的光照特性第2节 外光电效应探测器
第2节 外光电效应探测器
(4)、负电子亲和势光电阴极
常规的光电阴极属于正电子亲和势(PEA)类型, 即表面的真空能级位于导带之上。如果给半导体 的表面作特殊处理,使表面区域能带弯曲,真空 能级降低到导带之下,从而使有效的电子亲和势 为负值,经过特殊处理的阴极称作负电子亲和势 光电阴极(NEA)。
1963年Simon根据半导体物理的研究提出了负电子亲和势 的理论,1965年J.J.Scheer和J.V.Laar首先研制出了GaAsCs负 电子亲和势阴极。
第2章 光接收器件
第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
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5. 光电阴极材料 (1)、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极
350nm,800nm
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(2)、单碱锑化物光电阴极 金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种
化合,能形成具有稳定光电发射的发射体。最常 用的是锑化铯,其阴极灵敏度最高,广泛用于紫 外和可见光区的光电探测器中。
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(4)光电倍增管的光谱特性
光谱特性反应了光电倍增管的阳极输出电流与照射在光电阴
极上的光通量之间的函数关系。对于较好的管子,在很宽的光 通量范围之内,这个关系是线性的,即入射光通量小于10-4lm时, 有较好的线性关系。光通量大,开始出现非线性,如图所示。
10-1
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第2节 外光电效应探测器
二代管采用了不同于一代管的增益机构MCP,MCP由上百万个紧密排列的空芯通道管 组成。通道芯径间距约12,长径比为40—60。 通道的内壁具有较高的二次电子发射特性, 入射到通道的初始电子在电场作用下使激发 出来的电子依次倍增,从而在输出端获得很 高的增益。MCP的两个端面镀镍,构成输入和 输出电极。
主要性能
光电器件的性能主要由伏安特性、光照特性、光谱 特性、响应时间、峰值探测率和温度特性来描述。
(1) 光电管的伏安特性
IA/ μA
12 10 8 6 4 2
120μlm 100μlm 80μlm 60μlm 40μlm 20μlm
在一定的光照射 下,对光电器件的阴 极所加电压与阳极所 产生的电流之间的关 系称为光电管的伏安 特性。光电管的伏安 特性如图所示。它是
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(2) 光电阴极灵敏度与光电倍增管总灵敏度
阴极灵敏度
定义光电倍增管阴极电流Ik与入射光谱辐射通量之比
为阴极的光谱灵敏度,并记为
S k ,λ
Ik Φe,λ
若入射辐射为白光,则以阴极积分灵敏度,IK与光谱
辐射通量的积分之比,记为Sk
Sk
Ik
0
e,λ
d
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(3)、多碱锑化物光电阴极
当锑和几种碱金属形成化合物时,具有更高的响应率
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第2节 外光电效应探测器
第2章 光接收器件
锑铯(Cs3Sb)光电阴 极是最常用的,量子效率 很高的光电阴极。长波限 约为650nm,对红外不灵 敏。锑铯阴极的峰值量子 效率较高,一般高达 20%~30%,比银氧铯光电 阴极高30多倍。两种或三 种碱金属与锑化合形成多 碱锑化物光阴极。其量子 效率峰值可高达30% 。
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光电倍增管总灵敏度或阳极灵敏度
定义光电倍增管阳极输出电流Ia与入射光谱辐射
通量之比为阳极的光谱灵敏度,并记为
Sa ,λ
Ia Φe, λ
若入射辐射为白光,则定义为阳极积分灵敏度,记为Sa
Sa
Ia
0
e,λ
d
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(3)暗电流 与本底脉冲
一般充气光电管当入射光频率大于8000Hz时,光电流将有下 降趋势,频率愈高,下降得愈多。
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3 光电倍增管(Photomultiplier Tube (PMT) )
光电倍增管是一种真空光电发射器件。
光入射窗 光电阴极 电子光学系统 电子倍增系统 阳极
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