下变频器系列
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下变频器系列
概述
该系列采用集成化的超外差三级混频结构设计变频器,具有宽带、小型化、低杂散、高灵敏度、大动态范围等特点。采用合成技术设计本振,具有高纯、高分辨率的特点。下变频器的中频输出调理电路针对宽带模数转换电路优化设计,具有多带宽抗混叠滤波通道可选、带内抖动低,增益调节范围大等特点。
系列产品
•11101系列:VXI总线下变频器(含本振)
•11102系列:PXI总线下变频器(含本振)
•11103系列:3GHz下变频器模块(不含本振)
• 11104系列:8GHz下变频器模块(不含本振)
1.11101系列VXI总线射频下变频器模块
1.1产品特点
该产品基于先进的设计手段,基于YTO采用Σ-Δ小数分频低相噪频率合成技术设计本振,基于双平衡混频器及低噪声放大器、高性能滤波器设计下变频通道。整体性能指标达到国际高端VXI总线模块水准,处于国内领先水平。该系列提供9kHz到4GHz输入范围,并可扩展至毫米波段,具有优秀技术指标。
1.2 产品技术参数
频率特性
•频率范围9kHz ~4GHz(可扩展)
•最大信道带宽70MHz(3dB带宽)
•SPAN 精确度≤±0.5%
•频率参考
频率100MHz
温度稳定性±2×10-8
老化率±1×10-7/年
预热时间15分钟
•射频调谐分辨率1Hz
•相位噪声≤-100dBc/Hz @ offset 10kHz,1GHz信号•剩余调频≤3Hz p-p(10ms内)
•中频输出76±20MHz或160±35MHz
幅度特性
•射频最大输入电平+30dBm(1W),
•RF输入衰减0~50dB (10dB步进)
•绝对精度≤校准点),≤频响(其它点)
•频响≤(至4GHz处)
•显示平均噪声电平≤-155dBm/Hz (1GHz典型值,低噪声放大器打开时)
•三阶交调失真≤-75dBc (1GHz处间隔200kHz双音-30dBm 输入)
•二次谐波失真≤-70dBc(1GHz处单音-30dBm 输入)
•剩余响应≤-90dBm(至4GHz典型值)
系统软件特性
•驱动提供模块底层驱动、数据处理和编程指令集
•用户界面提供全功能虚拟面板
前面板输入/输出
•所有连接器均为SMA阴头,50Ω
•外时钟参考:10MHz,TTL电平
系统工作环境
模块环境性能遵循GJB3947A-20094级军用标准设计。用户可按特定工作环境标准定制。标准型号主要工作环境条件为:工作温度:10~40°C ,存储温度:-40~70°C,可靠性:MTBF(θ0)≥3000小时。
结构形式与外形尺寸
模块化结构,3U尺寸VXI模块,2 槽。
1.3典型应用及案例
产品可广泛应用于测试系统搭建,测量及设备研发生产,其优异的电平精度和频谱纯度,以及便于配置的体系结构,因而也是一般研制开发、制造应用的理想设备。
2.11102系列PXI总线射频下变频器模块
2.1产品特点
该产品基于先进的设计手段,基于VCO或YTO采用Σ-Δ小数分频低相噪频率合成技术设计本振,基于双平衡混频器及低噪声放大器、高性能滤波器设计下变频通道。整体性能指标达到国际高端PXI总线模块水准,处于国内领先水平。该系列提供9kHz到4GHz输入范围,并可扩展至毫米波段。
11102系列PXI总线下变频器模块
2.2 产品技术参数
频率特性
•频率范围9kHz~4 GHz(可扩展)
•最大信道带宽70MHz(3dB带宽,可定制)
• SPAN 精确度≤±0.1%
•相位噪声≤-100dBc/Hz @ offset 10kHz,1GHz信号
•中频输出76±20MHz或160±35MHz
幅度特性
•射频最大输入电平+20dBm(50Ω), 25V DC
• RF输入衰减0~50dB (10dB步进)
•绝对精度≤±0.75dB (校准点),≤频响±0.75dB(其它点)•频响≤±1.5dBm(至4GHz处)
•显示平均噪声电平≤-155dBm/Hz (1GHz典型值,低噪声放大器打开时)
•三阶交调失真≤-75dBc (1GHz处间隔200kHz双音-30dBm 输入)
•二次谐波失真≤-70dBc(1GHz处单音-30dBm 输入)
•剩余响应≤-90dBm(至4GHz典型值)
系统软件特性
•驱动提供模块底层驱动、数据处理和编程指令集
•用户界面提供全功能虚拟面板
前面板输入/输出
•所有连接器均为SMA阴头,50Ω
•外时钟参考:10MHz,TTL电平
系统工作环境
模块环境性能遵循GJB3947A-2009 4级军用标准设计。用户可按特定工作环境标准定制。标准型号主要工作环境条件:工作温度:10~40°C ,存储温度:-40~70°C。
结构形式与外形尺寸
模块化结构,3U尺寸PXI模块,3槽。
2.3典型应用及案例
产品可广泛应用于测试系统搭建,测量及设备研发生产,其优异的电平精度和频谱纯度,以及便于配置的体系结构,因而也是一般研制开发、制造应用的理想设备。
3.11103系列3GHz射频下变频器模块
3.1产品特点
该产品基于先进的设计手段,一体化结构。该系列提供9kHz到3GHz输入范围,内嵌可旁路的低噪声放大器,具有优秀技术指标,是高性能测试系统及整机的理想选择。
3.2 产品技术参数
频率特性
•输入频率9kHz~3 GHz(可扩展)
•第一本振 3.9107GHz~6.9107GHz
(LO1= RF +3.9107GHz), +12dBm±1dB
•第二本振 3.6GHz,+12dBm±1dB
•第三本振300MHz,+12dBm±1dB
•中频输出10.7±6MHz
幅度特性
•射频最大输入电平+30dBm(1W),0 V DC
•增益≥+20dB(1GHz处,低噪放关闭时)
•低噪放增益≥+15dB(1GHz处)
•增益稳定度≤ 0.5dB (+10到+40摄氏度,半小时后) •三阶交调失真≤-75dBc (1GHz处间隔200kHz双音-30dBm 输入)
•二次谐波失真≤-70dBc(1GHz处单音-30dBm 输入)