第1章 思考题和习题
机械加工第一章 思考题与练习题
第一章思考题与练习题1.1 外圆车削加工时，工件上出现了哪些表面？试绘图说明，并对这些表面下定义。
1.2 何谓切削用量三要素？怎样定义？如何计算？1.3 刀具切削部分有哪些结构要素？试给这引起要素下定义。
1.4 为什么要建立刀具角度参考系？有哪两类刀具角度参考系？它们有什么差别？1.5 刀具标注角度参考系有哪几种？它们是由哪些参考平面构成？试给这些参考平面下定义。
1.6 绘图表示切断车刀和端车面刀的和和。
1.7 确定一把单刃刀具切削部分的几何形状最少需要哪几个基本角度？1.8 切断车削时，进给运动怎样影响工作角度？1.9 纵车时进给运动怎样影响工作角度？1.10 为什么要对主剖面，切深，进给剖面之间的角度进行换算，有何实用意义？1.11 试判定车刀前角，后角和刃倾角正负号的规则。
1.12 刀具切削部分材料应具备哪些性能？为什么？1.13 普通高速钢有哪些牌号，它们主要的物理，机械性能如何，适合于作什么刀具？1.14 常用的硬质合金有哪些牌号，它们的用途如何，如何选用？1.15 刀具材料与被加工材料应如何匹配？怎样根据工件材料的性质和切削条件正确选择刀具材料？1.16 涂层刀具，陶瓷刀具，人造金刚石和立方氮化硼各有什么特点？适用场合如何？第二章思考题与练习题2.1 阐明金属切削形成过程的实质？哪些指标用来衡量切削层金属的变形程度？它们之间的相互关系如何？它们是否真实的反映了切削形成过程的物理本质？为什么？2.2 切屑有哪些类型？各种类型有什么特征？各种类型切屑在什么情况下形成？2.3 试论述影响切削变形的各种因素。
2.4 第一变形区和第二变形区的变形特点是什么？2.5 试描述积屑瘤现象及成因。
积屑瘤对切削过程有哪些影响？2.6 为什么说背吃刀量对切削力的影响比进给量对切削力的影响大？2.7 切削合力为什么要分解成三个分力 ? 试分析各分力的作用。
2.8 分别说明切削速度，进给量及背吃刀量的改变对切削温度的影响？2.9 刀具磨损的原因有多少种？刀具的磨损过程分多少阶段？2.10 何谓刀具磨钝标准？试述制订刀具磨钝标准的原则。
第一章数字逻辑基础思考题与习题
第一章 数字逻辑基础 思考题与习题题1-1将下列二进制数转换为等值的十六进制数和等值的十进制数。
⑴（10010111）2 ⑵（1101101）2⑶（0.01011111）2⑷（11.001）2题1-2将下列十六进制数转换为等值的二进制数和等值的十进制数。
⑴（8C ）16 ⑵（3D.BE ）16⑶（8F.FF ）16⑷（10.00）16题1-3将下列十进制数转换为等值的二进制数和等值的十六进制数。
要求二进制数保留小数点以后4位有效数字。
⑴（17）10⑵（127）10⑶（0.39）10 ⑷（25.7）10题1-4将十进制数3692转换成二进制数码及8421BCD 码。
题1-5利用真值表证明下列等式。
⑴))((B A B A B A B A ++=+ ⑵AC AB C AB C B A ABC +=++⑶A C C B B A A C C B B A ++=++ ⑷E CD A E D C CD A C B A A ++=++++)( 题1-6列出下列逻辑函数式的真值表。
⑴ C B A C B A C B A Y ++=⑵Q MNP Q P MN Q P MN PQ N M Q NP M PQ N M Y +++++=题1-7在下列各个逻辑函数表达式中，变量A 、B 、C 为哪几种取值时，函数值为1？⑴AC BC AB Y ++= ⑵C A C B B A Y ++=⑶))((C B A C B A Y ++++= ⑷C B A BC A C B A ABC Y +++=题1-8用逻辑代数的基本公式和常用公式将下列逻辑函数化为最简与或形式。
⑴ B A B B A Y ++=⑵C B A C B A Y +++=⑶B A BC A Y += ⑷D C A ABD CD B A Y ++= ⑸))((B A BC AD CD A B A Y +++= ⑹)()(CE AD B BC B A D C AC Y ++++= ⑺CD D AC ABC C A Y +++=⑻))()((C B A C B A C B A Y ++++++= 题1-9画出下列各函数的逻辑图。
第1章过程控制系统概述习题与思考题
第1章 过程控制系统概述习题与思考题1.1 什么是过程控制系统，它有那些特点？1.2 过程控制的目的有那些？1.3 过程控制系统由哪些环节组成的，各有什么作用？过程控制系统有那些分类方法？1.4 图1.11是一反应器温度控制系统示意图。
A 、B 两种物料进入反应器进行反应，通过改变进入夹套的冷却水流量来控制反应器的温度保持不变。
试画出该温度控制系统的方框图，并指出该控制系统中的被控过程、被控参数、控制参数及可能影响被控参数变化的扰动有哪些？1.5 锅炉是化工、炼油等企业中常见的主要设备。
汽包水位是影响蒸汽质量及锅炉安全的一个十分重要的参数。
水位过高，会使蒸汽带液，降低了蒸汽的质量和产量，甚至会损坏后续设备；而水位过低，轻则影响汽液平衡，重则烧干锅炉甚至引起爆炸。
因此，必须对汽包水位进行严格控制。
图1.12是一类简单锅炉汽包水位控制示意图，要求：1）画出该控制系统方框图。
2）指出该控制系统中的被控过程、被控参数、控制参数和扰动参数各是什么。
3）当蒸汽负荷突然增加，试分析该系统是如何实现自动控制的。
V-1图1.12 锅炉汽包水位控制示意图1.6 评价过程控制系统的衰减振荡过渡过程的品质指标有那些？有那些因素影响这些指标？1.7 为什么说研究过程控制系统的动态特性比研究其静态特性更意义？1.8 某反应器工艺规定操作温度为800 10℃。
为确保生产安全，控制中温度最高不得超过850℃。
现运行的温度控制系统在最大阶跃扰动下的过渡过程曲线如图1.13所示。
1）分别求出稳态误差、衰减比和过渡过程时间。
2）说明此温度控制系统是否已满足工艺要求。
T/℃图1.13 某反应器温度控制系统过渡过程曲线1.9 简述过程控制技术的发展。
1.10 过程控制系统与运动控制系统有何区别？过程控制的任务是什么？设计过程 控制系统时应注意哪些问题？第3章 过程执行器习题与思考题3.1 试简述气动和电动执行机构的特点。
3.2 调节阀的结构形式有哪些？3.3 阀门定位器有何作用？3.4 调节阀的理想流量特性有哪些？实际工作时特性有何变化？3.5 已知阀的最大流量min v q =50m 3，可调范围R=30。
第一章习题答案
第⼀章习题答案第⼀章思考题答案1.基于总线结构的计算机系统通常由哪5个部分构成？并简述各部分的主要作⽤。
解答：1.中央处理器CPU(central processor unit)或称微处理器(microprocessor unit)中央处理器具有算术运算、逻辑运算和控制操作的功能，是计算机的核⼼。
2.总线总线是把计算机各个部分有机地连接起来的导线，是各个部分之间进⾏信息交换的公共通道。
3.存储器(memory)存储器的功能是存储程序、数据和各种信号、命令等信息，并在需要时提供这些信息。
4.输⼊输出（I/O）接⼝外部设备与CPU之间通过输⼊输出接⼝连接。
5.输⼊输出(I/O)设备输⼊设备是变换输⼊信息形式的部件。
它将⼈们熟悉的信息形式变换成计算机能接收并识别的信息形式。
输出设备是变换计算机的输出信息形式的部件。
它将计算机处理结果的⼆进制信息转换成⼈们或其他设备能接收和识别的形式，如字符、⽂字、图形等。
2.试举例说明计算机进⾏加法运算的⼯作过程。
解答：⽰例如下：inta,b,c;c=a+b;⼯作过程简述：a，b，c都为内存中的数据，CPU⾸先需要从内存中分别将a，b的值读⼊寄存器中，然后再执⾏加法运算指令，加法运算的结果暂存在寄存器中，因此还需要执⾏数据存储指令，将运算结果保存到内存中，因此像上例中的C语⾔语句，实际上需要经过两条数据读取指令，⼀条加法运算指令，⼀条数据存储指令才能完成。
3.“冯·诺依曼型结构”计算机与哈佛结构计算机的差别是什么？各有什么优缺点？解答：冯·诺依曼结构计算机具有以下⼏个特点：①有⼀个存储器；②有⼀个控制器；③有⼀个运算器，⽤于完成算术运算和逻辑运算；④有输⼊和输出设备，⽤于进⾏⼈机通信；⑤处理器使⽤同⼀个存储器存储指令和数据，经由同⼀个总线传输。
哈佛结构计算机：①使⽤两个独⽴的存储器模块，分别存储指令和数据，每个存储模块都不允许指令和数据并存；②具有⼀条独⽴的地址总线和⼀条独⽴的数据总线，利⽤公⽤地址总线访问两个存储模块（程序存储模块和数据存储模块），公⽤数据总线则被⽤来完成程序存储模块或数据存储模块与CPU 之间的数据传输；③两条总线由程序存储器和数据存储器分时共⽤。
热工基础 张学学主编 第三版思考题及习题答案详解
根据理想气体的状态方程可得到系统的终态体积，为：
V2
p1V1 p2
2.939 105 100 104 1.959 105
10 102
1.526 103 m3
所以活塞上升的距离为：
ΔL
V2
V1 A
1.526
103 100 100 104
10
10 6
0.0526m 5.26cm
由于理想气体的内能是温度的函数，而系统初温和终温相同，故此过程中系统的内能变 化为零，同时此过程可看作定压膨胀过程，所以气体与外界交换的热量为：
3
情况三:
V气球＋贮气罐＝
p贮气罐V贮气罐 pb
0.15 2 0.09
3.333m3
所以气球只能被充到V气球＝3.333－2＝1.333m3 的大小，故气体对外作的功为：
W 0.9 105 1.333 1.2 105 J
第二章
思考题
1.绝热刚性容器，中间用隔板分为两部分，左边盛有空气，右边为真空，抽掉隔板，空气将 充满整个容器。问：⑴ 空气的热力学能如何变化？ ⑵ 空气是否作出了功？ ⑶ 能否在坐
6. 没有盛满水的热水瓶，其瓶塞有时被自动顶开，有时被自动吸紧，这是什幺原因？ 答：水温较高时，水对热水瓶中的空气进行加热，空气压力升高，大于环境压力，瓶塞被自 动顶开。而水温较低时，热水瓶中的空气受冷，压力降低，小于环境压力，瓶塞被自动吸紧。
7. 用 U 形管压力表测定工质的压力时，压力表液柱直径的大小对读数有无影响？ 答：严格说来，是有影响的，因为 U 型管越粗，就有越多的被测工质进入 U 型管中，这部 分工质越多，它对读数的准确性影响越大。
D2 D1
D 3dD
1 8
c(
《电力电子技术(第二版)》习题答案
《电力电子技术》习题及解答第1章 思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H 会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.7请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.8型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.8所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答：（a ）因为H A I mA K VI <=Ω=250100，所以不合理。
课本思考题与习题
课本思考题与习题第一章：1．移动通信主要使用VHF和UHF频段的主要原因有哪三点？2．移动通信系统中的150MHz频段、450MHz频段和900MHz频段的收发频差各是多少？f为多少？3．已知一同台运动速度v、工作频率f及电波到达角 ，则多普勒频移d4．移动通信按用户的通话状态和频率使用的方法可分为哪三种工作方式？5．移动通信与其他通信方式相比，具有哪些特点？6．小卫星通信具有哪五大特点？7．作为下一代（3G）标准的IMT-2000具有哪些特点？第二章：1．移动通信的服务区域覆盖方式有哪两种？各自的特点是什么？2．模拟蜂窝系统在通话期间靠什么连续监视无线传输质量？如何完成？3．什么是近端对远端的干扰？如何克服？4．SSR的主要作用是什么？5．在实际应用中，用哪三种技术来增大蜂窝系统容量？6．某通信网共有8个信道，每个用户忙时话务量为0.01Erl，服务等级B=0.1，问若采用专用呼叫信道方式，该通信网能容纳多少用户？7．以知在999个信道上，平均每小时有2400次呼叫，平均每次呼叫时间为2分钟，求这些信道上的呼叫话务量。
8．已知每天呼叫6次，每次的呼叫平均占用时间为120秒，忙时集中度为10%（K=0.1），求每个用户忙时话务量。
9．移动通信中信道自动选择方式有哪四种？试说明其中任一种信道自动选择方式的工作原理。
第三章：1．陆地移动通信的电波传播方式主要有哪三种？2．经过多径传输，接受信号的包络与相位各满足什么分布？当多径中存在一个起支配作用的直达波时，接受端接受信号的包络满足什么分布？3．视距传播的极限距离为多少？考虑空气的非平均性对电波传播轨迹的影响，修正后的视距极限距离为多少？4．在市区工作的某调度电话系统，工作频率为150MHz，基站天线高度为100m，移动台天线高度为2m，传输路径为不平坦地形，通信距离15km。
试用Egli公式计算其传输衰耗？5．在郊区工作的某一移动电话系统，工作频率为900MHz，基站天线高度为100m，移动台天线高度为1.5m，传输路径为准平滑地形，通信距离为10km。
无机化学思考题 习题答案(629出品).
第一章思考题1. 一气柜如下图所示：AN2(2L) CO2(1L)假设隔板（A）两侧N2和CO2的T, P相同。
试问：（1）隔板两边气体的质量是否相等? 浓度是否相等?物质的量不等而浓度相等（2）抽掉隔板（假设不影响气体的体积和气柜的密闭性）后，气柜内的T 和P 会改变？N2、CO2物质的量和浓度是否会改变? T 和P 会不变，N2、CO2物质的量不变而浓度会改变2. 标准状况与标准态有何不同? 标准状况指气体在27.315K和101325Pa下的理想气体，标准态是在标准压力下（100kPa）的纯气体、纯液体或纯固体3. 化学反应方程式的系数与化学计量数有何不同? 对某一化学反应方程式来说,化学反应方程式的系数和化学计量数的绝对值相同,但化学反应方程式的系数为正值,而反应物的化学计量数为负值,生成物的化学计量数为正值4. 热力学能、热量、温度三者概念是否相同? 试说明之。
5. 试用实例说明热和功都不是状态函数。
6. 判断下列各说法是否正确：（1）热的物体比冷的物体含有更多的热量。
×（2）甲物体的温度比乙物体高，表明甲物体的热力学能比乙物体大。
×（3）物体的温度越高，则所含热量越多。
×（4）热是一种传递中的能量。
√（5）同一体系：(a)同一状态可能有多个热力学能值。
×(b)不同状态可能有相同的热力学能值。
√7. 判断下列各过程中，那个ΔU最大：（1）体系放出了60kJ热，并对环境做了40kJ功。
（2）体系吸收了60kJ热，环境对体系做了40kJ功。
√（3）体系吸收了40kJ热，并对环境做了60kJ功。
（4）体系放出了40kJ热，环境对体系做了60kJ功。
根据ΔU=Q+W, (1) ΔU=-60+(-40)=-100KJ (2) ΔU=+60+40=+100KJ ,(3) ΔU=+40+(-60)=-20KJ (4) ΔU=-40+60=+20KJ因此通过计算可以看出,(2)过程的ΔU最大.8.下列各说法是否正确：（1）体系的焓等于恒压反应热。
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额定状态下的有效值电流与通态平均电流 IT(AV)的关系： I = 1.57IT ( AV )
定义：电流波形系数
a)
b)
c)
图 153 习题 6 附图
解：
a)图假设晶闸管导通，电路电流 Id
=
1.5 50 ´103
= 0.03mA
小于维持电流
IH=3mA，故晶闸管
无法导通。
b)图晶闸管承受的最大峰值电压为 311V，大于额定电压 300V，故不合理。
c)图合理，导通时的电流小于额定时的有效值电流。
7. 图 154 中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为 Im，试计算各波形的电流 平均值和有效值。如不考虑安全余量，额定电流 100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允 许流过的电流平均值 IdT 各为多少？ 解：a）
3. 温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击 穿电压如何变化？ 答：温度升高时，晶闸管的触发电流减小、正反向漏电流增大、维持电流下降、正向转折电 压和反向击穿电压减小。
4. 晶闸管的额定电流是怎样定义的？在额定情况下有效值和平均值有何关系？如何根据实 际电流波形来选择晶闸管的电流额定容量？
9. 电力电子器件过电压和过电流产生的原因有哪些？对过电压和过电流的保护各有哪些主 要方法？
3
答：电力电子装置中产生过电压的原因有两类：外因过电压和内因过电压。外因过电压 主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因：1）雷击过电压，2）操作过电压。内因过电 压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，主要有换向过电压和关断过电压：1)换相过 电压，2)关断过电压。阻容 RC 过电压抑制电路是对过电压最常用和有效的保护方法，利用 电容电压不能突变的特性吸收过电压，电阻消耗吸收的能量，并抑制回路的振荡。
过电流通常产生的原因是短路或过载。快速熔断器（简称快熔）是电力电子装置中最有 效、应用最广的一种过电流保护措施。
10. 电力电子器件的缓冲电路是如何分类的？全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？ 分析 RCD 缓冲电路中各元件的作用。 答：缓冲电路又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt 或者过电 流和 di/dt，减小器件的开关损耗。在电力电子电路中，用于改进电力电子器件开通和关断 时刻所承受的电压、电流波形。缓冲电路分耗能型和馈能型。 RCD 缓冲电路中：开通时，电容 Cs 经 Rs 放电，Rs 起到限制放电电路的作用；关断时，负载 电流经二极管 VDs 从 Cs 分流，使电压的上升率 du/dt 减少，抑制过电压。
kf
=
I Id
，则晶闸管电流波形系数为 kf
= IT 。 I dVT
对于不同的波形，波形系数也不同。即电流平均值相同，不同的波形有效值将会不同。
在实际选用时，按照实际波形求出电流的有效值，与晶闸管所允许的最大正弦半波电流
（其平均值即通态平均电流 IT(AV))所造成的发热效应相等（即有效值相等）的原则来选晶闸 管的定额电流，并应留一定的裕量。
思考题和习题 1.电力电子器件按开关控制性能可分为哪几类？ 答：按其开关控制性能可分为不控型器件、半控型器件和全控型器件。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条 件是什么？怎样才使导通的晶闸管关断？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多大？ 答：晶闸管正常导通的条件：晶闸管承受正向阳极电压时，并且门极有触发电流的情况下晶 闸管才能导通。导通后流过晶闸管的电流由负载决定。晶闸管的关断条件是利用外加电压和 外电路的作用，使流过晶闸管的电流降到 IH（维持电流）以下。晶闸管导通时电压为管子 的压降，答应 1V 左右；阻断时其两端电压为电源电压（具体分析电路）。
IGBT 的通态压降一般在 1/2~1/3 额定电流以下的区段具有负的温度系数，在以上区域 具有正温度系数，因而 IGBT 在并联时，也具有一定的电流自动均衡能力，易于并联使用。
在实际并联使用 MOSFET 和 IGBT 时，在器件的参数特性选择、电路布线和散热条件
4
方面尽量保持一致。
5
12. 晶闸管两端并联阻容吸收电路可起哪些保护作用？ 答：晶闸管两端并联阻容吸收电路可起如下保护作用：1.过电压保护；2.动态均压；3 抑制 电压上升率 du/dt
13. 为什么电力 MOSFET 和 IGBT 较容易并联？在并联使用时需要注意哪些事项？ 答：电力 MOSFET 的通态电阻 Ron 具有正温度系数，电流增大，发热增大，通态电阻也随 之增大，使电流下降。在 MOSFET 并联使用时具有一定的电流均衡能力。
当 IT(AV)=100A 时 IdT1=100A，IdT2=141.35A，IdT3=118.12A，IdT4=83.76 A，IdT5=55.44A，IdT6=78.5A，
图 154 习题 6 附图
8. 为什么要对电力电子主电路和控制电路进行电气隔离？其基本方法有哪些？各自的基本 原理是什么？ 答：由于主电路的电压较高，而控制电路的电压一般较低，所以，控制电路必须与主电路之 间有良好的隔离，从而确保控制电路的安全和提高抗干扰能力。 常用的隔离方法有：光隔离和磁隔离。光隔离通常采用光电耦合器，磁隔离通常采用脉冲变 压器。
11. 晶闸管串并联使用时需要注意哪些事项？ 答：由于器件的特性的分散性，同型号的器件的伏安特性也会存在差异，会导致串联时电压 分配不均匀。 为此在晶闸管串联时必须采用均压措施。
晶闸管的静态和动态参数不一致，在相同的压降下，使各并联的器件流过的电流相差很 大。为了使并联器件达到电流平均分配，除选用特性比较一致的器件外，应采用均流措施。
=
1 p
p p
Im
sin
wtd
(wt)
=
0.477 I m
3
d)
ò I =
1n
wt)2 d (wt)
=
0.634 I m
3
2
ò Id
=
1 2p
p p
Im
sin wtd (wt)
=
0.239 I m
3
ò I =
1 2p
p p
(Im
sin wt)2 d (wt)
=
0.448 I m
3
e)
p
ò Id
=
1 p
4
Im sin wtd (wt) = 0.125Im
0
p
ò I =
1 p
4
(Im sin wt)2 d (wt)
0
= 0.354Im
f)
p
ò Id
=
1 p
2
Im sin wtd (wt) = 0.25Im
0
p
ò I =
1 p
2
(Im sin wt)2 d (wt)
0
= 0.5Im
ò Id
=
1 2p
p 0
Im sin wtd (wt)
=
0.328Im
b）
ò I =
1 2p
p 0
(Im
sin wt)2 d (wt)
=
0.5I m
ò Id
=
1 p
p 0
Im
sin wtd (wt)
=
0.637Im
ò I =
1 p
p 0
(Im
sin wt)2 d (wt)
=
0.707 I m
c)
ò Id
1
5. 试说明晶闸管的擎住电流 IL 和维持电流 IH 之间的区别，并比较它们的大小。 答：擎住电流 IL 是指晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持晶闸管导通的最 小电流，而维持电流是指使晶闸管维持导通所必须的最小电流，通常 IL 是 IH 的 2～4 倍。
6.型号为 KP1003、维持电流 IH=3mA 的晶闸管，使用在图 153 三个电路中是否合理？为什 么？（不考虑电压、电流裕量）