单片机术语

A

A/D

参见模数转换（Analog to Digital）。

ALU

算数逻辑单元。CPU内负责执行数学运算（例如加、减等运算）、逻辑运算（例如与、或等运算）和移位操作的逻辑单元。

B

BCD

参见二进制编码的十进制（Binary Coded Decimal）。

BOR

参见欠压复位（Brown-out Reset）。

比较（Compare）

这是CCP模块的一种工作方式。在该方式下，当定时器寄存器的值与比较寄存器中的值匹配时，器件将执行操作。

比较寄存器（Compare Register）

这是一个16位寄存器，它的值与16位TMR1寄存器进行比较。当计数器的值与比较寄存器的内容匹配时触发比较功能。

并行从动端口（Parallel Slave Port，PSP)

用来与单片机的8位数据总线接口的并行通信端口。

波特率（Baud）

通常用来描述串行端口的通信速率。即每秒传输的位数（BPS）。

捕捉（Capture ）

这是CCP模块的一种工作方式。在该方式下，当预先定义的事件发生时，定时器/计数器的值即被“捕捉”到CCP寄存器中去。

捕捉寄存器（Capture Register）

一个16位的寄存器。当捕捉事件发生时，16位TMR1寄存器的值将装入该寄存器。

C

CCP

捕捉、比较、脉宽调制(PWM)。这个模块可配置为工作在输入捕捉、定时器比较或PWM输出方式下。

CPU

中央处理单元。其主要功能是将指令译码、确定需要的操作数和要执行的操作。算数运算、逻辑运算和移位操作将在ALU中执行。

采集时间（Acquisition Time，TACQ）

这是与模数转换器有关的一个术语。采集时间就是A/D转换器的采样保持电容充电到与之相连的模拟输入电压值所需要的时间。当GO位被置1后，模拟输入通道就与采样保持电容断开，启动A/D转换。

采样保持电容（Holding Capacitor）

这是模数转换（A/D）模块中用到的一个电容，它在模数转换开始后用来“保持”模拟输入电平。在采样期间，采样保持电容的充电/放电是由模拟输入引脚的电平大小决定的。一旦转换开始，采样保持电容就与模拟输入断开连接，开始为A/D 转换“保持”电压。

采样时间（Sampling Time）

采样时间是获得一个A/D结果所需的全部时间。它包括采集时间和转换时间。

参考电压（Voltage Reference，VREF）

一个电压值，可以作为A/D转换的参考点（A VDD和A VSS）或比较器的翻转点。

操作码（Opcode）

14位指令字的一部分，指定需要进行何种操作。操作码的长度可变，由要执行的指令决定，一般在4位以上。其余的指令字包含程序或数据存储器信息。

长字指令（Long Word Instruction）

包含所有需要信息（操作码和数据）的单个指令字。这确保了对每条指令的访问和执行都在一个指令周期内完成。

程序存储器（Program Memory）

程序存储器总线上的任何存储器。静态变量位于程序存储器中（如表）。

程序计数器（Program Counter）

指定下一条将要执行的指令在程序存储器中的地址的寄存器。

程序总线（Program Bus）

将指令字从程序存储器传送到CPU的总线。

出栈（POP）

表示从堆栈（软件和/或硬件）中恢复信息的操作的术语。参见压栈（PUSH）。

串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPITM）

这是SSP模块的一种模式。一般是一个3线接口，包括一个数据输出线，一个数据输入线和一个时钟线。因为存在时钟，所以是一个同步接口。

存储区（Bank）

这是一个寻址数据存储器的方法。因为中档单片机有7位用于直接寻址，指令可以寻址128字节（包括特殊功能寄存器）。为寻址更大的数据存储空间，数据存储器被分成多个相邻的存储区，每个存储区128字节。为选择存储区，需要准确设置存储区选择位（RP1和RP0）。由于有2个存储区选择位，所以可选实现4个存储区。

D

DAC

数模转换器。

单周期指令（Single cycle instruction）

在单个机器周期（TCY）中完成的指令。

欠压（Brown-out）

器件的电源电压临时降到规定的最小工作电压以下的一种情况。当负载被接入时会发生这种情况，并引起系统/器件的电压下降。

欠压复位（Brown-out Reset，BOR）

当器件的电压下降到规定的工作电压以下时，使器件复位的电路。某些器件带有内部BOR 电路，而另一些器件则需要使用外部BOR电路。

读－修改－写（Read-Modify-Write）

读寄存器，修改寄存器，然后将修改后的值写回原来的寄存器。在一个或多个指令周期内完成。

堆栈（Stack）

CPU的一部分，保存程序执行的返回地址。当执行一条CALL指令或发生中断时，将程序计数器的值压入堆栈。

E

EEPROM

电可擦除的可编程只读存储器。该存储器能够在线编程和擦除。

EPROM

可编程只读存储器。该存储器能够在线编程。可用紫外线擦除。

EXTRC

外部RC振荡电路。某些器件允许外部RC振荡电路提供器件主时钟，这类似于一些器件的RC模式。

二进制编码的十进制（Binary Coded Decimal，BCD）

每4位即半个字节表示一个0-9的数字。通常两个这样的数字（即一个字节）就可以组合表示0 - 99范围内的十进制数值。

F

Flash 存储器

这种存储器能够在线编程和擦除。其程序存储器技术在功能上几乎等同于EEPROM。Fosc

器件振荡器的频率。

非归零码（Non-Return to Zero）

用来在通信介质中传输数据的双电平编码机制。值为1表示高电压信号，值为0表示低电压信号。数据线缺省为高电平。

冯. 诺依曼架构（von Neumann Architecture）

在这一架构中，程序存储器和数据存储器位于同一个存储区域。这意味着对程序存储器和数据存储器的访问必须依次进行，这影响了器件的性能。

G

GIO

一般输入/输出。

GPIO

通用输入/输出。

GPR

通用寄存器（RAM）。数据存储器的一部分，可以用来存储程序的动态变量。

公用RAM（Common RAM）

这是数据存储器RAM中的一个区域，这个区域对于所有存储区都具有相同的RAM地址。公用RAM可以实现为地址70h -7Fh（包括70h和7Fh）。这个区域主要用来在现场切换过程中（如在中断过程中）保存必需的变量。

工作寄存器（Working Register，W）

可视为器件的累加器，也可以在执行与ALU有关的双操作数指令时作为其中的一个操作数。H

HS

高速。器件振荡器的一种模式，在该模式下，振荡器电路支持高频操作，用于从4 MHz至20 MHz的操作。

哈佛架构（Harvard Architecture）

在这种架构中，程序存储器和数据存储器的总线是分离的。这就使对数据存储器和程序存储器的存取能同时进行，提高了器件的性能。

后分频器（Postscaler）

一种电路，通过对定时器/计数器分频来降低该定时器/ 计数器的中断发生（或WDT复位）率。

汇编语言（Assembly Language）

用一种易读的形式描述二进制机器代码的符号语言。

内部互联。这是一个双线的通讯接口，是SSP模块的一种工作模式。