西南科技大学模拟电子技术基础期末考试试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )

A.正向导通状态

B.反向电击穿状态

C.反向截止状态

D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型锗管D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时，半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大，u BE 下降B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小，I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( )

A.共集电极放大电路

B.共基极放大电路

C.共漏极放大电路

D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( )

A.A u 等于各级电压放大倍数之积

B.R i 等于输入级的输入电阻

C.R o 等于输出级的输出电阻

D.A u 等于各级电压放大倍数之和

(8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR

(9 )电路如图2所示，其中U 2=20V,C=100?f 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ?( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V

(10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题

(每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失

真为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。

(12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。

(14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 (15 )直流稳压电源由 ＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿及＿＿＿＿＿ 四个部分组成。

+ _ TR

U 1 （图2）

－2V

－8V －2.2V

①

③ 图1

(16)按幅频特性不同，滤波器可分＿＿＿＿＿ 滤波器、＿＿＿＿＿滤波器、＿＿＿＿＿ 滤波器、＿＿＿＿＿滤波器及＿＿＿＿＿＿ 滤波器等五种。 3.分析计算题(共60分)

(17)电路如图所示。已知R B1=50K Ω,R B2=10K Ω,R C =6K Ω,R E =750Ω,信号源内阻R S =5K Ω，负载电阻R L =10K Ω,电源电压+V CC =12V,电容C 1、C 2的电容量均足够大，晶体管的?=99,

r be=1k Ω,U BE =0.7V 。试求：(a)电压放大倍数A u (=

o

U )及A us (= U o );

C o 的

Omax

O