晶硅太阳能电池生产工艺
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本文由小萝卜 123 贡献 doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT,或下载源文件到本机查看。 晶硅太阳能电池生产工艺 硅太阳能电池制作主要分为两个过程,单晶硅和多晶硅原材料的生产和电池片的制作。 常规晶硅太阳电池组件中,硅片的成本约占 55%~60%,太Baidu Nhomakorabea电池制片成本约占 15%~18%, 组 件材料及制造成本占约 25%~27% 。 图 1 是单晶硅和多晶硅的生产过程, 多晶硅可以看作 是单晶硅的材料。多晶硅棒直接用 浇注法形成,单晶硅一般采用直拉法和区域熔化提纯法。 熔铸多晶硅锭比提拉单晶硅锭的工 艺简单,省去了昂贵的单晶拉制过程,也能用较低纯度的 硅作投炉料,材料利用率高,电能 消耗较省。同时,多晶硅太阳电池的电性能和机械性能都 与单晶硅太阳电池基本相似,而生 产成本却低于单晶硅太阳电池,这也是目前多晶硅太阳能 电池得到快速发展的因素。 西门子法 硅 矿 硅矿石 冶金级 流化床法 冶 金 法 多晶硅 多晶硅棒 、 区域熔化提纯 单 晶 硅 直拉单晶硅法 图 1 单晶硅和多晶硅原材料的生产工艺 单晶硅与多晶硅形成以后,就是电池制片工艺。 其工艺流程图如图 2 所示。 单晶硅硅棒 单晶硅硅片 硅片清洗 酸碱腐蚀制绒 扩散 封装 烧结 丝网印刷电极和背场 镀膜 酸碱腐蚀制绒 多晶硅硅棒 多晶硅硅片 硅片清洗 机 械 刻 槽 反应离子刻蚀 扩散 封装 烧 结 丝网印刷电极和背场 镀膜 图 2 单晶硅与多晶硅电池制片工艺流程图 由于单晶硅和多晶硅在物理结构上不一样, 制绒环节不同, 单晶硅主要有酸碱腐蚀形成 绒面,而多晶硅由于晶界、位错、微缺陷等, 酸碱腐蚀得到绒面效果不佳,目前多用机械刻 槽,利用 V 形刀在硅表面摩擦以形成规则的 V 形槽;反应离子刻蚀技术,在硅表面沉积一 层镍铬层, 然后用光刻技术在镍铬层上印出织 构模型, 接着就用反应离子刻蚀方法制备出表 面织构,在硅表面制备出圆柱状和锥状织构,制成绒面,费用极高。 1 本文由小萝卜 123 贡献 doc 文档可能在 WAP 端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT,或下载源文件到本机查看。 晶硅太阳能电池生产工艺 硅太阳能电池制作主要分为两个过程,单晶硅和多晶硅原材料的生产和电池片的制作。 常规晶硅太阳电池组件中,硅片的成本约占 55%~60%,太阳电池制片成本约占 15%~18%, 组 件材料及制造成本占约 25%~27% 。 图 1 是单晶硅和多晶硅的生产过程, 多晶硅可以看作 是单晶硅的材料。多晶硅棒直接用 浇注法形成,单晶硅一般采用直拉法和区域熔化提纯法。 熔铸多晶硅锭比提拉单晶硅锭的工 艺简单,省去了昂贵的单晶拉制过程,也能用较低纯度的 硅作投炉料,材料利用率高,电能 消耗较省。同时,多晶硅太阳电池的电性能和机械性能都 与单晶硅太阳电池基本相似,而生 产成本却低于单晶硅太阳电池,这也是目前多晶硅太阳能 电池得到快速发展的因素。
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西门子法 硅 矿 硅矿石 冶金级 流化床法 冶 金 法 多晶硅 多晶硅棒 、 区域熔化提纯 单 晶 硅 直拉单晶硅法 图 1 单晶硅和多晶硅原材料的生产工艺 单晶硅与多晶硅形成以后,就是电池制片工艺。 其工艺流程图如图 2 所示。 单晶硅硅棒 单晶硅硅片 硅片清洗 酸碱腐蚀制绒 扩散 封装 烧结 丝网印刷电极和背场 镀膜 酸碱腐蚀制绒 多晶硅硅棒 多晶硅硅片 硅片清洗 机 械 刻 槽 反应离子刻蚀 扩散 封装 烧 结 丝网印刷电极和背场 镀膜 图 2 单晶硅与多晶硅电池制片工艺流程图 由于单晶硅和多晶硅在物理结构上不一样, 制绒环节不同, 单晶硅主要有酸碱腐蚀形成 绒面,而多晶硅由于晶界、位错、微缺陷等, 酸碱腐蚀得到绒面效果不佳,目前多用机械刻 槽,利用 V 形刀在硅表面摩擦以形成规则的 V 形槽;反应离子刻蚀技术,在硅表面沉积一 层镍铬层, 然后用光刻技术在镍铬层上印出织 构模型, 接着就用反应离子刻蚀方法制备出表 面织构,在硅表面制备出圆柱状和锥状织构,制成绒面,费用极高。
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西门子法 硅 矿 硅矿石 冶金级 流化床法 冶 金 法 多晶硅 多晶硅棒 、 区域熔化提纯 单 晶 硅 直拉单晶硅法 图 1 单晶硅和多晶硅原材料的生产工艺 单晶硅与多晶硅形成以后,就是电池制片工艺。 其工艺流程图如图 2 所示。 单晶硅硅棒 单晶硅硅片 硅片清洗 酸碱腐蚀制绒 扩散 封装 烧结 丝网印刷电极和背场 镀膜 酸碱腐蚀制绒 多晶硅硅棒 多晶硅硅片 硅片清洗 机 械 刻 槽 反应离子刻蚀 扩散 封装 烧 结 丝网印刷电极和背场 镀膜 图 2 单晶硅与多晶硅电池制片工艺流程图 由于单晶硅和多晶硅在物理结构上不一样, 制绒环节不同, 单晶硅主要有酸碱腐蚀形成 绒面,而多晶硅由于晶界、位错、微缺陷等, 酸碱腐蚀得到绒面效果不佳,目前多用机械刻 槽,利用 V 形刀在硅表面摩擦以形成规则的 V 形槽;反应离子刻蚀技术,在硅表面沉积一 层镍铬层, 然后用光刻技术在镍铬层上印出织 构模型, 接着就用反应离子刻蚀方法制备出表 面织构,在硅表面制备出圆柱状和锥状织构,制成绒面,费用极高。