芯片命名规则

芯片命名规则

一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式

X X 表示必须

表示可选

(10)

(9)

(8)

(7)

(6)

(5)

(4)

(3)

(2)

(1)

(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。

W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。

(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。 1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。

(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。

X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。

(4) 1位大写英文字母，表示系列代码

三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；

二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管； 可控硅系列：R 表示可控硅；

MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；

集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。

(5) 4位数字，表示管芯尺寸。

管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。

① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。如：0.215mm 表示

为0215、1.5mm 表示为1500；

② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文

字母代替。如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。

(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。

NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；

达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；

阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料

开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；

TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；

平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；

沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；

MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；

稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；

整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；

集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。

(7)3位数字，表示击穿电压规格。

①击穿电压<10V，3位数字中间1位用大写英文字母V取代，具体为xVx表示，精确到0.1V，

如：3.3V表示为3V3、5V表示为5V0；

②10V≤击穿电压<1kV，3位数字xxx×1V，精确到1V，如：22V表示为022、200V表示为

200；

③击穿电压≥1kV，xxx×10V，首位数字用大写英文字母取代，精确到10V，如：1050V表示

为A05、3600V表示为C60。

(8) 1位大写英文字母，表示正面电极金属。

L表示Al、Y表示Ag等。

(9) 1位数字，表示系列特征，可缺省。

开关/快恢复二极管：表示单双胞结构，2表示双胞、缺省表示单胞；

TVS二极管：表示通道数量，如1表示单通道、2表示双通道、5表示5通道；

肖特基二极管：表示单双胞结构，2表示双胞、缺省表示单胞。

(10) 1位大写英文字母，表示系列特征，可缺省。

NPN/PNP双极型晶体管：表示材料类型，T表示三扩材料、缺省表示外延材料；

TVS二极管：表示单双向结构，U表示单向、B表示双向；

稳压二极管：表示测试精度，A表示2%测试精度、缺省表示5%测试精度；

可控硅：表示单双向结构，U表示单向、B表示双向。

阻尼二极管：表示材料类型，T表示三扩材料、缺省表示外延材料；

MOS结构系列：T表示沟槽工艺、P表示平面工艺，其中P可缺省；

开关/快恢复二极管：表示不同开关时间要求，对于有两种及以上开关时间要求时用A、B、C、……

依次区分。

二、分立器件芯片命名方式（三扩系列）

×××××××××

大写英文字母，用于区分不同击穿，H代表BV CBO大于900V；针

对常规及常规带二极管产品，仅用以区分不同BV CEO档位要求，

为空代表BV CEO以410-480V为主；A代表BV CEO以480-550V为主；

B代表BV CEO以450-520V为主；L代表BV CEO以350-450V为主

阿拉伯数字，管芯的长边边长

阿拉伯数字，对于新顺公司自主开发产品，9为常规产品，8 为

常规带二极管产品，7为低压产品，6为低压带二极管产品；0

为常规带二极管且终端采用JTE结构产品，1为常规且终端采用

JTE结构产品。

导电类型，大写英文字母N或P

大写英文字母，X代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定

制产品。

2代表三极管

1位字母，表示晶圆尺寸。W表示5吋晶圆，S表示6吋晶圆。

三、5吋芯片转6吋芯片命名方式

对芯片名称第一位大写英文字母进行转换，具体由W转换为S。

四、产品版本号命名规则

命名方式：产品名_x

x为1位数字，表示版本号；初版则缺省_x。

版本号变更规则：

①同一版面的系列产品，某一块或几块光刻版发生变化，整体管芯尺寸不变的，该系列产品需

一同增加版本号。

②某一品种，某一块或几块光刻版发生变化，整体管芯尺寸不变的，需增加版本号。

③某一品种，涉及到多条工艺路线并存，新增的工艺路线需增加版本号。

五、多管芯划片产品命名规则

命名方式：

①产品名_X

适用于初版产品，X为1位大写英文字母，表示多管芯数量：D表示双管芯、F表示四管芯、S 表示6管芯、E表示8管芯等。

②产品名_xX

适用于非初版产品，第一位x为数字，表示产品版本号；第二位X为1位大写英文字母，表示多管芯数量：D表示双管芯、F表示四管芯、S表示6管芯、E表示8管芯等。