二氧化硅薄膜制备与厚度测量

2Oi S-i S
受要主率速长生的层化氧此因 �低很率速应反学化的子原硅与子分氧 �时
�7.2�
2
分 06 t � �C ) 米微 391.0( 2 X
�为数常率速化氧故�埃 0391 为约度厚层化氧见可此由。埃
3
层化氧其�时钟分 03 为间时化氧当�到看以可线曲验实条那的应对所℃0021 由
01×5.4 为约度厚层化氧其�时钟分 072 为间时化氧当。埃 301×5.1 为约度厚
�理原验实�二
法方的量测度厚与备制膜薄硅化氧二握掌�2 用作的中件器体导半在及质性的硅化氧二解了�1
�的目验实�一
量测度厚与备制膜薄硅化氧二
数系散扩中 2OiS 在质杂
2.2 图
�2.2�
2Oi S
用可度厚 2OiS 小最需所用作蔽掩起质杂散扩对�此因。适合为更布分散扩的中 误余于对�2.5=A�布分数函斯高于对。源散扩质杂型 P 的件器面平硅为作宜适 在质杂述描来布发数函差误余用采 �下况情数多大于由 。6.4=A �布分数函差
。度厚的膜蔽掩 2OiS
的求要产生合适出定确能就�正修当适作再验试经�度厚膜蔽掩际实为作量余 的当适上加 �验经践实据根并�度厚小最的需所用作蔽掩起质杂散扩对出算估要 只�下况情般一在�验经践实的富丰当相了累积经已上产生前目�而然。术技验 实等踪示性射放用采须必 �度厚理合的用作蔽掩起质杂散扩对定确地确精要 定确的度厚蔽掩 2OiS③ 。性匀均和度厚的层 制控易不�短太间时化氧因会则否�化氧氧干用采者或�度温浴水的低和
系关的间时与度厚层化氧氧干硅�111� 4.2 图
间时化氧则否 �度温浴水的高和度温化氧的高当适用采须必 �时层化氧的厚较长
干比率速长生的层化氧氧湿。系关线物抛的式�5.2 �合符上本基律规化氧氧湿
化氧然天的埃 002�001 有长生都面表片硅的中气空在放存虑考—— � �数常率速化氧性线——D/C �数常率速化氧线物抛——C �度厚层化氧——X 中式 �有即�系 �间时化氧—— t
�6.2�
关性线于近趋式系关遍普述上� C4 / 2 D �� ) � � t( 即�间时化氧的短较于对 �5.2�
交子离氧把并离电被将 3O 2 B 的内层 2OiS 入进散扩 �知可析分构结的 2OiS 由
图意示散扩硼区基 1.2 图
形面表层 2OiS 使�置位的子原 iS 的中络网 2OiS 代取则子原 B 而�络网 2OiS 给
2OiS
在质杂此因�律规散扩从服散扩的中 2OiS 在质杂明表验实。层璃玻硅硼成
所�数参电个多的管应效场 SOM 着定决接直量质和度厚的膜薄 2OiS。质介栅缘
�时计设路电成集在以所�大积面用占容电 SOM 因但。2 米毫/微微 0004�0003 微微 063 为量容电�米微 1 为度厚膜薄 2OiS 成制已前目。作制地便方以可容电 达可量容电则 �话的埃 0001�008 为度厚膜薄 2OiS 果如。容电 SOM 的 2 米毫/法
。厚增续继膜薄 2OiS 使�层 2OiS
�应反子原 iS 的面表片硅与子分氧的下温高�是理机长生层化氧的化氧氧干 法化氧氧干①
�为式应反其�层始起 2OiS 成生
。氧干或氧湿、汽水为可氛气化氧。层薄 2OiS 长生下用作质物化氧在面表片硅 使中氛气氧在 �内炉温高入放片硅将法方其。法方的化层化氧长生热用采要主中
温化氧当。大越 C 数常率速化氧此因�快越散扩的中层化氧在子分氧�高越度 温。制控所率速散扩的中层化氧在子分氧受要主 C 数常率速化氧且并�系关线 物抛的式)5.2(合符上本基程过化氧�时℃0001 于高度温化氧当�明表践实
分 / 2 米微 4 � 01 � 2.6�
℃007 于低度温当。离偏生发式�5.2�与律规长生的层化氧�时℃0001 于低度
。容电 SOM 用采免避量尽都般一
SOM�中产生路电成集在�单简艺工长生 2OiS 且而�料材质介器容电的好很种
。器容电 �1-01 为数因耗损 �4�3 为数常电介对相其 �下件条率频的赫千 01 在 2OiS SOM 成构�料材质介为作 2OiS 用以可�器容电——件元源无的中路电成集 料材质介的器容电为作③
一是膜薄硅化氧二了定决能性些这。小数系度温�高压电穿击的 2OiS 且而�3-01
电成集模规大 、中在别特 。质介离隔的间之件元面下和线布些这为成就膜薄 2OiS
2Oi S
。路短间之件元和线引铝免以�等高较率阻电的膜薄 2OiS�孔针无而整完较比 求要即 �求要的高更有量质的膜薄 2OiS 对时这 �线布极电层多用采常 �中路
因 �杂复艺工离隔 N�P 比艺工离隔质介 2OiS 是但 。度速关开的高较有具路电成
种一�离隔结 N�P 是种一�法方的用常种两有离隔的路电成集体导半前目
作化钝的好良到起能不但不�层 2OiS 的重严污沾)子离钠是别特(子离正者或大 。用作的面表片 iS 化钝了到起�性
靠可和性定稳的件器体导半了高提�响影接直的结 N-P 和面表片 iS 对氛气境环 境环界外同结 N�P 及面表片 iS 把膜薄 2OiS 的面表在盖覆于由�面方一另。用 和结烧 、发蒸及以伤划子镊受免面表片 iS �中程流艺工个整的面后在使面方一这 膜化钝和护保的面表件器为作�2� 作的面表片 iS 护保了到起�联粘的丝属金或污沾质杂的来带能可中序工等管封 了除消�钝迟应反响影的氛气境环对态状面表的片 iS 得使就这�来开离隔氛气
在其比须必数系散扩的中 2OiS 在素元质杂的用选所�一第�二有件条的用作蔽
扩来自百度文库质杂当证保以�度厚的够足有具须必膜薄 2OiS�二第�小数系散扩的中 iS
。穿扩质杂被有没远远还膜薄 2OiS�时度深散扩的想预到达内区散
薄 2OiS 透扩会将子原硼则�长又间时散扩而高较比度温散扩者或�薄较比度厚 覆膜薄 2OiS 有在此因。膜薄 2OiS 透扩有没�小很却 X 度深散扩的中 2OiS 在硼 远数系散扩的中 2OiS 在�B�硼�下件条散扩的样同在于由是这�呢用作的散扩 。面界 iS�2OiS 近靠越面界的硅化氧二——璃玻硅硼。大越也度
。律规化氧和理机长生热的下氛气化氧同不绍介别分面下
验实次本在。化氧极阳、积淀延外、发蒸空真、化钝相气 3ONH�FH、射溅极阴 、解分热、长生热�如。法方的膜薄 2OiS 取制多许有中产生件器体导半在 理原及法方的层化氧长生热�2 。求要的格严分十有制控
的度厚和量质的膜薄 2OiS 极栅对 �中产生路电成集其及管体晶应效场 SOM 在以 绝的管体晶是它�用作的要重分十着起膜薄 2OiS�中管体晶应效场 SOM 在 料材栅缘绝的管体晶应效场 SOM 为作④
。线直条一为上本基线曲验实的下度温一同�到看以可图由。律规的法化氧氧干 解了地步一进更以可线曲验实组这由。线曲验实的化氧氧干组一出给 4.2 图 。律规线物抛的式�6-2�从
服系关间时和度厚层化氧此因�长很又间时化氧�高度温化氧于由�化氧热的中 。计不略忽可 � �化氧氧湿于对。正修的作所间时化氧对�后层 产生件器体导半于对。符相好很果结验实与果结论理述上�明表验实的量大
tD 6.4 �
ni m
X
�算计式下
散扩的中 iS 在其比数系散扩的 2OiS 在锑、砷、磷质杂型 N 的用常明表验实
但�右左倍 0001 中 2OiS 在其为约数系散扩的中 iS 在磷时℃0011 在。小为数系
硼有只。小为的中 iS 在其比数系散扩的中 2OiS 在硼有只却中质杂型 P 的用常在
掩起膜薄 2OiS 见可此由。效失蔽掩膜薄 2OiS 使�面表 iS 的下层 2OiS 入进�层 膜薄 2OiS 若但。的目的散扩质杂蔽掩了到达�入进子原硼有没就上面表 iS 的盖
t�
2OiS
D A�X
时这�件元的面下膜薄 2OiS 越跨须必常常线引极电铝�中构结路电成集在 质介缘绝的间线布极电层多为作 ②
离隔的件元中路电成集 3.2 图
N�P 和离隔质介 2OiS 是 5-2 图。点缺的它是这�高离隔结 N�P 如不率品成此
。图意示的构结离隔结
集使而从�响影的压偏界外受不且而� �2 米毫/法微微 01 于小般一�小较也容电 生寄的间之底衬与区离隔�高较压电穿击�小较电漏如比�果效离隔的好较有具 面方些某在 �来离隔结 N�P 起比离隔质介 。离隔质介的料材缘绝为作 2OiS 用是 质介离隔的路电成集为作 ① 。分部成组的 件器成构来用被常常还�外膜化钝和护保的面表件器、膜蔽掩的散扩质杂为作来 用了除�上产生件器体导半在以所�能性缘绝的好良分十有具硅化氧二于由 分部成组的件器些某为作�3� 度密孔针的膜薄 2OiS 少减量尽此因。源根的定稳不能性件器为成往往且而�用 度密孔针。关相密紧量质的层 2OiS 与果效化钝的膜薄 2OiS�是的出指得值 。题问个两的意注分十须必是�污沾子离钠免避和
�时 i X 深结散扩的望希所到达内区基在硼当以所 。故缘的数系散扩中 iS 在它于小 质杂蔽掩有具膜薄 2OiS 说又么什为�散扩行进能也中膜薄 2OiS 在质杂然既
�1.2�
深散扩的面表层 2OiS 在质杂�长越间时的散扩�高越度温散扩�明表式上
有即�式达表的样同有具度深散扩的中 iS 在质杂与度深散扩的中
。率速应反的子原 iS 与子分氧处面界 iS�2OiS 是二其�率速散扩的中 2OiS 在子
普的律规化氧长生热映反到得以可 �解求学数和析分论理的程过化氧对过通
作蔽掩起质杂散扩对为�度厚层 2OiS 的结 N�P 成形处面界 iS�2OiS 在并�层
2Oi S
透扩质杂散扩义定果如 。律规散扩从服散扩的中 2OiS 在质杂 �述所前如
) � � t()D / C( � X
�系关线物抛于近趋式系关遍普述上� C4 / 2 D �� t 即�间时化氧的长较于对 �4.2� �3.2�
1� C4 / D
tC � 2 X
�有即
�� t
2
�1 �
2/D X
�解的系关间时化氧和度厚层化氧到得可式上由
) � � t( C � XD � 2 X �式达表学数遍
�上实 �B� 硼区基在如例 。散扩行进面表 2OiS 向也时同的散扩面表片 iS 向质杂当 事。的对相是�的件条有是用作挡阻的质杂散扩对膜薄 2OiS。思意的挡阻是就蔽 掩谓所 。膜蔽掩的散扩择选质杂为作是用应要重最上业工体导半代现在 2OiS
向也 3O 2 B �时散扩面表 iS 区基向 3O 2 B 的内汽蒸质杂的片 iS 着围包当�中散扩
。示所 1�2 图如程过其�散扩膜薄 2OiS
膜蔽掩的散扩择选质杂为作�1�
。泛广越来越用应的上产生件器体导半在膜硅化氧二�化深断不识认的 质性膜薄硅化氧二对们人着随�快很得展发艺工化氧�来年少多。用作起类碱的 � �英石鳞�℃0761 点溶� �℃02�66.2�2.2 重比�色黄淡是的高较量铁含�色 无或色白 �为质性学化理物其。硅化氧二形定无于属膜薄硅化氧二的备制所中产 生件器体导半�硅化氧二形晶结于属�晶水如�体英石。硅化氧二�形晶非�形 定无和硅化氧二形晶结为分可体大看上构结格晶从 �硅化氧二的取制中产生 用作其及质性的膜薄硅化氧二�1 融熔与能时粒微。 �酸氟氢除�酸和水于溶不�℃0322 点沸� �英石方�℃0171
2Oi S
度温化氧的低较比用选应则�薄较比层化氧的要需所果如。低太率效产生�长太 生要需当�上产生在。响影大很有都 C 率速化氧对度温化氧和度温浴水。快氧 �时上以℃0001 在度温化氧当�明表验实。率速长生的化氧汽水近接越率速长 生的层化氧�多越量含汽水�高越度温浴水。定决速流体气和度温浴水由量含汽 水关有均量含汽水的中流气氧及度温化氧与率速长生的层化氧 。用作化氧的水有 又�用作化氧的氧有既�中化氧氧湿在此因。汽水的量定一带携中气氧使�水子 离去纯高的热加过通先 �前子炉入通氧干将是处之同不化氧氧干与化氧氧湿 法化氧氧湿②
。上面表片 iS 在盖覆膜薄 2OiS 层一用就始开一从是一之点特的艺工面平硅
分氧是一其 �响影的素因种两受率速长生的 2OiS�解理易容理机长生述上由
有只子分氧�触接接直的面表 iS 与和子分氧了止阻层化氧始起于由�后此 2OiS =2O�iS
的新成生�应反子原 iS 与能才�面界 iS�2OiS 达到�层 2OiS 过通式方散扩以