半导体基础知识

1.1半导体基础知识

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

1. 在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。

（ ）

2. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）

3. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

4. P 型半导体中只有一种载流子----空穴。（ ）

5. N 型半导体中只有一种载流子----电子。（ ）

6. 本征半导体中两种载流子的浓度相等。（ ）

7. PN 结具有单向导电性。（ ）

8. 本征半导体中载流子的浓度随温度的升高而减少。（ ）错

二、选择正确答案填入空内。

1. PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D.不能确定

2. PN 结加反向电压时，空间电荷区将 。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D.不能确定

3. 设PN 结的端电压为U ，则PN 的电流方程是 。

A. I S e U

B. T U U I e

S C. T U U I e S -1 D. )1e (S －T U U I 4.

在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体。

A. 四价

B. 五价

C. 三价

D. 二价 5.

在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价

D. 二价 6.

当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D.不一定 7.

当温度降低时，二极管的反向饱和电流将 。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D.不一定 8. 杂质半导体中 的浓度受温度的影响较大。

A.多子

B. 少子

C. 电子

D.空穴

9. N 型半导体中电子的浓度 空穴的浓度。

A.大于

B. 等于

C. 小于

D.大于或等于

10. 本征半导体中电子的浓度 空穴的浓度。

A.大于

B. 大于或等于

C. 小于

D.等于

三、填空题

1. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 半导体。

2. 不同于导体导电，半导体内部有 和 共同参与导电。

3. P 型半导体中的多子为 。

4. PN 结的形成过程中，由于浓度差而引起的载流子的运动称为 运动；在

内电场力的作用下，少子进行 运动。上述两种运动达到 平衡时，PN 结形成。

5. PN 结外加 电压时处于导通状态，PN 结外加 电压时处于截止状态，

此即PN 结的 性。