模拟电路场效应管及其基本放大电路
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uDS , uGD
uGD<UGS（off）
uGD＝UGS（off）
预夹断
夹断区变长，uDS的增大，几乎全部用来 克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流 区，iD几乎仅仅决定于uGS ，表现出iD的 恒流特性。
场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGD<UGS（off）
信息技术学院
（3）栅-源电压对漏极电流的控制作用 uGD<UGS（off）时
iD 0
预夹断时：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
预夹断前：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
预夹断后：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
信息技术学院
3. 特性
（1）转移特性
2)耗尽型MOS管
夹断 电压
信息技术学院
各类场效应管的符号和特性曲线
种类 结型 N 沟 道 符号 D 转移特性 ID /mA IDSS 漏极特性 UGS= 0V
ID
-
G
S D
UGS(off) O
UGS
O + + + ID O
o
UDS
ID
结型
P 沟 道
O UGS(off) UGS
G
IDSS
S D B
信息技术学院
二、交流参数
1. 低频跨导 gm
用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。恒流区：
ΔiD gm = ΔuGS
U DS =常量
单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 转移特性曲线上某一点的切线的斜率，曲线越陡， gm越大。
2. 极间电容
这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 CGS、CGD、CDS。 极 间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。
FET分类：
单极型器件(一种载流子导电)； 特点 输入电阻高；
工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。
信息技术学院
单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对 应于晶体管的e、b、c； 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对 应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
沟道变窄沟 道电阻增大
沟道消失称 夹断，沟道 电阻无穷大
(b)UGS(off) <uGS < 0
(c)uGS ≤ UGS(off)
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
信息技术学院
（2）漏-源电压对漏极电流的影响
uGS为UGS（off）～ 0V中一固定值
若uDS=0V，有导电沟道，但是多子不产生定向移动，漏极电流iD为零。 若uDS>0V，则有电流iD从漏极流向源极，从而使沟道中各点电位与栅电位 不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐升高，造成漏极一边耗尽层比靠 近源极一边的宽。
可 变 电 阻 区 iD几乎仅决 定于uGS
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
ΔiD
恒流区
击
穿 区
低频跨导：
iD gm uGS
U DS 常量
夹断区（截止区）
夹断电压
不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。
击穿特性：当uDS增大到一定程度时，漏极电流会骤然增大，管子将 被击穿。由于这种击穿是因栅-漏间耗尽层破坏而造成的，因而若栅漏击穿电压为U 则漏-源击穿电压: U ( BR) DS uGS U( BR)GD ( BR)GD
信息技术学院
三、极限参数
1.最大漏极电流 IDM
IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。
2. 漏极最大允许耗散功率 PDM
由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。
3. 漏源击穿电压 U(BR)DS
信息技术学院
P 沟道场效应管 D
P 沟道场效应管是在 P 型 硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型， 多数载流子为空穴。 d
P G
N+ 型 沟 道 N+
g
S
s 符号
信息技术学院
2. 工作原理
（1）栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
uDS=0
UGS（off）
沟道最宽 (a)uGS = 0
S
绝缘 栅型 N 沟道
增 强 型
ID
G
O UGS(th) UGS
+ + + +
UGS = UGS(th)
UDS
信息技术学院
种类 绝缘 栅型 N 沟道 耗 尽 型
符号
转移特性 ID B ID IDSS UGS
UGS(off) O
漏极特性 ID + UGS=0 _
D
G
_
O UDS
o
信息技术学院
S
增 强 型 绝缘 栅型 P 沟道 D B S 耗 尽 型 D
uDS的增大几乎全部用来 克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅受控于 uGS，恒流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
信息技术学院
2. 耗尽型 MOS管
N沟道耗尽型 MOS 场效应管
小到一定 值才夹断 uGS=0时就存在 导电沟道 加正离子
制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正 离子电场在P型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 uGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 uGS = 0，uDS > 0，产生较大的漏极电流； uGS < 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； uGS = - UGS(off) ，导电沟道消失，iD 0。 UGS(off) 称为夹断电压
信息技术学院
耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导
通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在
uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
信息技术学院
3. MOS管的特性
1)增强型MOS管
开启 电压
uGS 在恒流区时，iD I DO ( 1) 2 U GS(th) 式中I DO为uGS 2U GS(th)时的iD
uGD = uGS - uDS <U GS(off ) ,
uDS = 常量
即 : uDS > uGS -U GS(off)
确定的uGS，就有确定的iD
漏极电流受到栅-源电压控制，故称场效应管为电压控制元件。
iD gm uGS
低频 跨导
信息技术学院
夹断与预夹断的区别：
夹断：
uGS UGS (off )
iD f (uGS ) U DS 常量
当场效应管工作在恒流区时，由于输出特性曲线可近似为横轴的一组平行 线，所以可用一条转移特性曲线代替恒流区的所有曲线。输出特性曲线的 恒流区中做横轴的垂线，读出垂线与各曲线交点的坐标值，建立uGS，iD坐 标系，连接各点所得的曲线就是转移特性曲线。
场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。
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一、结型场效应管（以N沟道为例）
1. 结构
D P 型区
(Drain)
符号 耗尽层 (PN 结)
在漏极和源极之间加上一个 正向电压，N 型半导体中多 数载流子电子可以导电。 导电沟道是 N 型的，称N 沟道结型场效应管。
漏极
栅极 G
(Grid)
P+
wk.baidu.com
N 型 沟 道
P+ N
N型硅棒
S 源极 (Source)
夹断电压是结型、耗尽型FET的参数，当uDS为常量时，iD为规定的 微小电流(如5微安)时的uGS。
3. 开启电压 UGS(th)
开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
4. 直流输入电阻 RGS(DC)
等于栅源电压与栅极电流之比。输入电阻很高，结型场效应管一般在 107 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 。
ID
UGS(th) O ID
UGS
G
G
B
S
+ +
ID
o
ID
O UGS(off) UGS IDSS
_ _ _ _
三. 场效应管的分类
工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
N沟道 (uGS＜0，uDS＞0) 结型 P沟道 (uGS＞0，uDS＜0) N沟道 (uGS＞0，uDS＞0) 场效应管 增强型 P沟道 (uGS＜0，uDS＜0) 绝缘栅型 N沟道 (uGS 极性任意， uDS＞0) 耗尽型 P沟道 (uGS 极性任意， uDS＜0)
iD随uDS的增大而增 大，可变电阻区
信息技术学院
uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th)) b. uDS= uGS – UGS(th)， uGD = UGS(th) 靠近漏极沟道达到临界开启程度， 出现预夹断。
刚出现夹断
uGD＝UGS（th），预夹断
信息技术学院
uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th)) c. uDS > uGS – UGS(th)， uGD < UGS(th) uDS 逐渐增大时，夹断区延长，由 于夹断区的沟道电阻很大，导电沟 道两端电压基本不变，uDS增大的部 分几乎全部用于克服夹断区对漏极 电流的阻力，iD几乎不随uDS增大而 变化，只取决于uGS。
信息技术学院
1. 增强型MOS管
N沟道增强型 MOS 场效应管
高掺杂
耗尽层
空穴
衬底（低掺杂）
SiO2绝缘层
通常衬底与源极接在一起使用。
信息技术学院
工作原理分析：
当栅源之间不加电压时，漏源之间相当 于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加 何种极性电压，总是不导电，iD=0 高掺杂 uDS = 0， uGS > 0，由于SiO2的存 在，栅极电流为零。栅极金属层 耗尽层 聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠 近SiO2一侧的空穴，使之剩下不 能移动的负离子区，形成耗尽层。 uGS增大，耗尽层增宽；衬底的自 由电子吸引到耗尽层与绝缘层之 间，形成反型层，反型层将变厚 变长，当反型层将D-S间相接时， 形成导电沟道。 开启电压UGS(th)：使沟道刚刚形成的栅源 电压
问题：uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？
只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？
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5.1.3 场效应管的主要参数
一、直流参数
1. 饱和漏极电流 IDSS
结型场效应三极管，当uGS=0时产生预夹断所对应的漏极电流
2. 夹断电压 UGS(off)
BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数 载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 FET只有一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控 制输出回路电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。
绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 结型场效应管 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
信息技术学院
二、绝缘栅型场效应管
由金属、氧化物和半导体制成，称为金属-氧化物-半导体场 效应管，或简称 MOS 场效应管。
特点：输入电阻可达 1010 以上。
N 沟道
类型
增强型 耗尽型 增强型 耗尽型
P 沟道
UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；
UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。
UGS(off)
信息技术学院
3. 特性
（1）转移特性
在恒流区
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
漏极饱 和电流
(U GS (off ) uGS 0)
夹断 电压
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（2）输出特性
iD f (uDS ) U GS 常量
IDSS g-s电压 控制d-s的 等效电阻
衬底
空穴
SiO2绝缘层 大到一定 值才开启
反型层
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uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th))
a. uDS < uGS – UGS(th) ，即 uGD = uGS – uDS > UGS(th)
沟道沿源 - 漏方向逐渐变窄，导电 沟道呈现一个楔形。 uDS 增大使漏 极电流iD线性增大。
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronic
第五章 场效应管及其放大电路
信息技术学院
第五章 场效应管及其放大电路
§5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路
信息技术学院
§5.1 场效应管
一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类
信息技术学院
uGD uGS uDS
uGD>UGS（off）
uDS , uGD
靠近漏极一边的导电沟道必 将随之变窄。只要栅-漏间不出 现夹断区域，沟道电阻仍将基 本上决定于栅-源电压uGS.
uGS＞UGS（off）且不变，iD随uDS增大线性增 大，D-S间呈现电阻特性。
信息技术学院
uGD uGS uDS
uGD<UGS（off）
uGD＝UGS（off）
预夹断
夹断区变长，uDS的增大，几乎全部用来 克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流 区，iD几乎仅仅决定于uGS ，表现出iD的 恒流特性。
场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGD<UGS（off）
信息技术学院
（3）栅-源电压对漏极电流的控制作用 uGD<UGS（off）时
iD 0
预夹断时：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
预夹断前：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
预夹断后：
uGD UGS (off )
uGS uDS UGS (off )
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3. 特性
（1）转移特性
2)耗尽型MOS管
夹断 电压
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各类场效应管的符号和特性曲线
种类 结型 N 沟 道 符号 D 转移特性 ID /mA IDSS 漏极特性 UGS= 0V
ID
-
G
S D
UGS(off) O
UGS
O + + + ID O
o
UDS
ID
结型
P 沟 道
O UGS(off) UGS
G
IDSS
S D B
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二、交流参数
1. 低频跨导 gm
用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控制作用。恒流区：
ΔiD gm = ΔuGS
U DS =常量
单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 转移特性曲线上某一点的切线的斜率，曲线越陡， gm越大。
2. 极间电容
这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 CGS、CGD、CDS。 极 间电容愈小，则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。
FET分类：
单极型器件(一种载流子导电)； 特点 输入电阻高；
工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。
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单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作
场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对 应于晶体管的e、b、c； 场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对 应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。
沟道变窄沟 道电阻增大
沟道消失称 夹断，沟道 电阻无穷大
(b)UGS(off) <uGS < 0
(c)uGS ≤ UGS(off)
uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？
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（2）漏-源电压对漏极电流的影响
uGS为UGS（off）～ 0V中一固定值
若uDS=0V，有导电沟道，但是多子不产生定向移动，漏极电流iD为零。 若uDS>0V，则有电流iD从漏极流向源极，从而使沟道中各点电位与栅电位 不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐升高，造成漏极一边耗尽层比靠 近源极一边的宽。
可 变 电 阻 区 iD几乎仅决 定于uGS
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
ΔiD
恒流区
击
穿 区
低频跨导：
iD gm uGS
U DS 常量
夹断区（截止区）
夹断电压
不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。
击穿特性：当uDS增大到一定程度时，漏极电流会骤然增大，管子将 被击穿。由于这种击穿是因栅-漏间耗尽层破坏而造成的，因而若栅漏击穿电压为U 则漏-源击穿电压: U ( BR) DS uGS U( BR)GD ( BR)GD
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三、极限参数
1.最大漏极电流 IDM
IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。
2. 漏极最大允许耗散功率 PDM
由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。
3. 漏源击穿电压 U(BR)DS
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P 沟道场效应管 D
P 沟道场效应管是在 P 型 硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型， 多数载流子为空穴。 d
P G
N+ 型 沟 道 N+
g
S
s 符号
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2. 工作原理
（1）栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用
uDS=0
UGS（off）
沟道最宽 (a)uGS = 0
S
绝缘 栅型 N 沟道
增 强 型
ID
G
O UGS(th) UGS
+ + + +
UGS = UGS(th)
UDS
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种类 绝缘 栅型 N 沟道 耗 尽 型
符号
转移特性 ID B ID IDSS UGS
UGS(off) O
漏极特性 ID + UGS=0 _
D
G
_
O UDS
o
信息技术学院
S
增 强 型 绝缘 栅型 P 沟道 D B S 耗 尽 型 D
uDS的增大几乎全部用来 克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅受控于 uGS，恒流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
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2. 耗尽型 MOS管
N沟道耗尽型 MOS 场效应管
小到一定 值才夹断 uGS=0时就存在 导电沟道 加正离子
制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正 离子电场在P型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 uGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 uGS = 0，uDS > 0，产生较大的漏极电流； uGS < 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； uGS = - UGS(off) ，导电沟道消失，iD 0。 UGS(off) 称为夹断电压
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耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导
通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在
uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
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3. MOS管的特性
1)增强型MOS管
开启 电压
uGS 在恒流区时，iD I DO ( 1) 2 U GS(th) 式中I DO为uGS 2U GS(th)时的iD
uGD = uGS - uDS <U GS(off ) ,
uDS = 常量
即 : uDS > uGS -U GS(off)
确定的uGS，就有确定的iD
漏极电流受到栅-源电压控制，故称场效应管为电压控制元件。
iD gm uGS
低频 跨导
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夹断与预夹断的区别：
夹断：
uGS UGS (off )
iD f (uGS ) U DS 常量
当场效应管工作在恒流区时，由于输出特性曲线可近似为横轴的一组平行 线，所以可用一条转移特性曲线代替恒流区的所有曲线。输出特性曲线的 恒流区中做横轴的垂线，读出垂线与各曲线交点的坐标值，建立uGS，iD坐 标系，连接各点所得的曲线就是转移特性曲线。
场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。
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一、结型场效应管（以N沟道为例）
1. 结构
D P 型区
(Drain)
符号 耗尽层 (PN 结)
在漏极和源极之间加上一个 正向电压，N 型半导体中多 数载流子电子可以导电。 导电沟道是 N 型的，称N 沟道结型场效应管。
漏极
栅极 G
(Grid)
P+
wk.baidu.com
N 型 沟 道
P+ N
N型硅棒
S 源极 (Source)
夹断电压是结型、耗尽型FET的参数，当uDS为常量时，iD为规定的 微小电流(如5微安)时的uGS。
3. 开启电压 UGS(th)
开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。
4. 直流输入电阻 RGS(DC)
等于栅源电压与栅极电流之比。输入电阻很高，结型场效应管一般在 107 以上，绝缘栅场效应管更高，一般大于 109 。
ID
UGS(th) O ID
UGS
G
G
B
S
+ +
ID
o
ID
O UGS(off) UGS IDSS
_ _ _ _
三. 场效应管的分类
工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
N沟道 (uGS＜0，uDS＞0) 结型 P沟道 (uGS＞0，uDS＜0) N沟道 (uGS＞0，uDS＞0) 场效应管 增强型 P沟道 (uGS＜0，uDS＜0) 绝缘栅型 N沟道 (uGS 极性任意， uDS＞0) 耗尽型 P沟道 (uGS 极性任意， uDS＜0)
iD随uDS的增大而增 大，可变电阻区
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uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th)) b. uDS= uGS – UGS(th)， uGD = UGS(th) 靠近漏极沟道达到临界开启程度， 出现预夹断。
刚出现夹断
uGD＝UGS（th），预夹断
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uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th)) c. uDS > uGS – UGS(th)， uGD < UGS(th) uDS 逐渐增大时，夹断区延长，由 于夹断区的沟道电阻很大，导电沟 道两端电压基本不变，uDS增大的部 分几乎全部用于克服夹断区对漏极 电流的阻力，iD几乎不随uDS增大而 变化，只取决于uGS。
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1. 增强型MOS管
N沟道增强型 MOS 场效应管
高掺杂
耗尽层
空穴
衬底（低掺杂）
SiO2绝缘层
通常衬底与源极接在一起使用。
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工作原理分析：
当栅源之间不加电压时，漏源之间相当 于两个背靠背的 PN 结，无论漏源之间加 何种极性电压，总是不导电，iD=0 高掺杂 uDS = 0， uGS > 0，由于SiO2的存 在，栅极电流为零。栅极金属层 耗尽层 聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠 近SiO2一侧的空穴，使之剩下不 能移动的负离子区，形成耗尽层。 uGS增大，耗尽层增宽；衬底的自 由电子吸引到耗尽层与绝缘层之 间，形成反型层，反型层将变厚 变长，当反型层将D-S间相接时， 形成导电沟道。 开启电压UGS(th)：使沟道刚刚形成的栅源 电压
问题：uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？
只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？
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5.1.3 场效应管的主要参数
一、直流参数
1. 饱和漏极电流 IDSS
结型场效应三极管，当uGS=0时产生预夹断所对应的漏极电流
2. 夹断电压 UGS(off)
BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数 载流子都参与导电，所以被称为双极型器件。 FET只有一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控 制输出回路电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。
绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 结型场效应管 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
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二、绝缘栅型场效应管
由金属、氧化物和半导体制成，称为金属-氧化物-半导体场 效应管，或简称 MOS 场效应管。
特点：输入电阻可达 1010 以上。
N 沟道
类型
增强型 耗尽型 增强型 耗尽型
P 沟道
UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；
UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。
UGS(off)
信息技术学院
3. 特性
（1）转移特性
在恒流区
uGS 2 iD I DSS (1 ) U GS(off)
漏极饱 和电流
(U GS (off ) uGS 0)
夹断 电压
信息技术学院
（2）输出特性
iD f (uDS ) U GS 常量
IDSS g-s电压 控制d-s的 等效电阻
衬底
空穴
SiO2绝缘层 大到一定 值才开启
反型层
信息技术学院
uDS 对导电沟道的影响 (uGS > UGS(th))
a. uDS < uGS – UGS(th) ，即 uGD = uGS – uDS > UGS(th)
沟道沿源 - 漏方向逐渐变窄，导电 沟道呈现一个楔形。 uDS 增大使漏 极电流iD线性增大。
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronic
第五章 场效应管及其放大电路
信息技术学院
第五章 场效应管及其放大电路
§5.1 场效应管 §5.2 场效应管基本放大电路
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§5.1 场效应管
一、结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的分类
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uGD uGS uDS
uGD>UGS（off）
uDS , uGD
靠近漏极一边的导电沟道必 将随之变窄。只要栅-漏间不出 现夹断区域，沟道电阻仍将基 本上决定于栅-源电压uGS.
uGS＞UGS（off）且不变，iD随uDS增大线性增 大，D-S间呈现电阻特性。
信息技术学院
uGD uGS uDS