第五章：光刻

HMDS是液态具有很高的蒸气压，能使光刻胶与
硅片很好地粘附。

自动涂胶/显影系统－气相成底膜模块
2. 旋转涂胶

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显
影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在
显影液中几乎不溶解。

光刻胶的用途
1. 做硅片上的图形模板 2. 在后续工艺中，保护下面的材料 （例如刻蚀或离子 注入）

注：光刻胶不是最终芯片的组成部分

光刻胶的成分：
1. 树脂（是一种有机聚合物材料，提供光刻胶的机械 和化学特性） 2. 感光剂（光刻胶材料的光敏成分） 3. 溶剂（使光刻胶具有流动性）
4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质，备选）

光刻胶的种类： 根据光刻的要求，光刻胶制成与特定波长的紫外 线有显著的光化学响应，一般按照紫外线把胶分 类：i线光刻胶、g线光刻胶、DUV线光刻胶等。
光刻胶中的驻波效应

驻波与抗反射涂层
当光刻胶下面的底层是反光的衬底（如金属和多 晶），光线将从衬底反射并可能损害临近未曝光
的光刻胶，这种反射现象会造成反射切入。在反
光衬底上增加一层抗反射涂层（如TiN）可消除
反射切入和驻波现象。

驻波与抗反射涂层
来自曝光区的光被圆片高低形貌反射，被不曝光区 域的光刻胶吸收
化学放大（CA）深紫外光刻胶 常规的I线光刻胶体系的光吸收敏感性对于更短的 DUV波长较差。

化学放大（CA）是通过采用含光酸产生剂（PAG） 的感光剂，增加光刻胶的敏感性，增强光刻胶的光 化学反应。

化学放大DUV光刻胶溶解于显影液的机理
1. 具有保护团的酚醛树脂使之不溶于显影液
2. 光酸产生剂在曝光时产生酸
沿小孔边缘产生了干涉图形，结果得到了一个模糊
的图像，这种现象称为衍射。

透镜
透镜是一种光学元件，来自物体的光并通过它折 射形成物体的像。
透 镜 光 学 系 统

数值孔径（NA）
透镜能够把一些衍射光会聚到一点成像，把透镜 收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径。（ 通常
UV光通过掩膜版上的特征尺寸小孔会发生衍射

曝光光源
最常用的两种紫外光源 1. 高压汞灯
2. 准分子激光（如ArF）

高强度汞灯的发射光谱（产生DUV248nm，不能 用汞灯，而用准分子激光）

高强度汞灯的发射光谱


光学
光的反射
光的折射
光线从一种透明介质进入另一种透明介质时，发 生的方向改变，这种现象称为折射

光的衍射
当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时，
TMAH 喷淋显影，转速1000rpm～1500rpm
2. 去离子水喷淋定影，转速 1000rpm～1500r
3. 原位旋转甩干

工艺要求： 均匀性：3％以内

显影及显影后的硅片图形
7. 坚膜烘培

工艺目的：
使存留在光刻胶中的溶剂彻底挥发，提高光刻胶
的粘附性和抗蚀性。这一步是稳固光刻胶，对下
一步的刻蚀或离子注入过程非常重要。
5. 曝光后烘培（PEB）

工艺目的：使曝光后的光敏感物质在光刻胶内部进 行一定的扩散，可有效防止产生驻波效应。

工艺方法：在温度为110℃的热板烘60秒
6. 显影
工艺目的： 溶解硅片上 曝光区域 的胶膜，形 成精密的光 刻胶图形。


工艺方法：
1. 正胶显影液： 2.38% 的四甲基氢氧化铵

不同时代的五种光刻机
1. 接触式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥5μm 2. 接近式光刻机－20世纪70年代，特征尺寸≥2μm
3. 扫描式光刻机－20世纪80年代初，特征尺寸≥1μm
4. 步进式光刻机－20世纪80年代后，亚/深亚微米
5. 步进扫描式光刻机－ 20世纪90年代，亚/深亚微米

微芯片上的特征尺寸，是指MOS器件的沟道长度
即多晶硅栅条的宽度；或指双极器件引线孔的大
小。

现代集成电路技术都以特征尺寸命名如 0.18μm技
术、90nm技术等。

目前光刻的成本很高，已占整个芯片制造总成本
的1/3。

现代IC对光刻的要求越来越高
IC的性能↑→ IC集成度↑ 器件尺寸↓ →IC特征尺寸↓

传统的正性I线光刻胶溶解于显影液的机理
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物（ 线性酚
醛树脂）
2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显
影液）被加到线性酚醛树脂中
3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化 学分解产生羧酸 4. 羧酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解 度

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）

涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
接触式光刻机和接近式光刻机

接触式光刻机和接近式光刻机的特点
1. 版上图形与片上图形1：1 2. 人工对准 3. 版与光刻胶直接接触浪费版光刻图形缺陷多 接近式好些 4. 特征尺寸≥5μm，2μm（接近式） 5. 目前大尺寸功率器件的光刻还使用它。

扫描式光刻机

套准精度

光刻工艺中的套刻环节

最大曝光场


驻波效应
入射光和反射光发生干涉并引起光刻胶在厚度方 向上的不均匀曝光，这种现象称为驻波效应。驻 波效应降低了光刻胶成像的分辨率。深紫外光刻 胶由于反射严重驻波效应严重。

光刻胶中的驻波效应
驻波效应降低了光刻胶成像的分辨率，影 响线宽的控制。

现象）

NA＝（n）Sinθm≈（n）×透镜半径/透镜焦长 n为图像介质的折射率，θm为主光轴与透镜边缘 光线的最大夹角。透镜半径越大数值孔径越大成 像效果越好。但受到镜头成本的限制。分步重复 光刻机和步进扫描光刻机的NA都能做到0.60～ 0.68的水平

数值孔径


分辨率（R）
分辨率是将硅片上两个相邻的特征尺寸（或关键尺
厚度：1.0μm左右 均匀性：3％以内

自动涂胶/显影系统－涂胶模块

涂胶模块剖面图

涂胶模块 示意图

光刻胶旋转速度曲线
3. 软烘

工艺目的：去除光刻胶中的溶剂以改善胶的粘附 性、均匀性、抗蚀性，优化胶的光吸收特性，缓 解涂胶时产生的应力。

工艺方法：在温度为100℃的热板上烘60秒



涂胶/显影系统设备 从气相成底膜到软烘都在自动涂胶/显影系统（也 称为涂胶/显影轨道）上进行。
涂胶/显影系统
4. 对准和曝光

对准曝光系统

对准曝光系统组成
1. 紫外光源 2. 光学系统
3. 投影掩膜版
4. 对准系统 5. 载片台

对准曝光 系统示意图


对准和曝光
工艺目的： 对准和曝光是将掩膜板上的图形通过镜头由紫外线

对准标记
1. 投影掩膜版的对位标记(RA) ：在版的左右两侧，
RA与步进光刻机上的基准标记对准
2. 整场对准标记(GA):第一次曝光时被光刻在硅片左 右两边，用于每个硅片的粗对准 3. 精对准标记(FA)：每个场曝光时被光刻的，用于 每个硅片曝光场和投影掩膜版的对准

对准标记

8张掩膜版及经过8次对准和曝光形成的CMOS器件结构
寸）光刻胶图形区分开的能力。分辨率是光刻中一
个重要的性能指标。
k为工艺因子，范围是0.6～0.8， λ为光源的波长NA 为曝光系统的数值孔径 要提高曝光系统的分辨率即减小特征尺寸，就要降 低紫外光的波长λ

图中分辨率为0.25μm


焦深（DOF）
焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像 连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路 光刻中的景深很小，一般在1.0μm左右。

按照工作平台的个数分为： 单平台，双平台(ASML Twinscan)，串列平台 (Nikon NSR-S610C)

按照一次曝光的区域(Exposure Field)大小分为： 迷你(Mini)，全尺寸(Full Field, 26mm x 33mm)

按照缩小比例(Reduction Ratio)分为：10倍、5倍、 4倍和1倍

光刻对光刻胶的要求：
1. 分辨率高（区分硅片上两个相邻特征尺寸图形的 能力强） 2. 对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
（a）对比度差
（b）对比度好
3. 敏感度好（是指硅片表面光刻胶中产生良好图形
所需要的一定波长光的最小能量值，以mJ/cm2为
单位）
4. 粘滞性好（表征液体光刻胶流动性的一个指标， 即粘度，单位用cps表示） 5. 粘附性好（指光刻胶与衬底表面的粘附性好） 6. 抗蚀性好（在后续刻蚀工艺中，光刻胶很好地保 护衬底表面，胶的这种性质称为抗蚀性） 7. 颗粒少

（即光刻线宽↓） →对光刻的要求↑

现代光刻技术已发展到纳米时代（如45nm技术、 28nm技术等等）
5.2 光刻工艺原理

正性胶光刻与负性胶光刻
光刻胶有正负胶之分，曝光区域能被显影液溶除 的胶为正性胶，未曝光区域能被显影液溶除的胶 为负性胶。在集成电路光刻中，通常用正性胶， 这主要是由于正胶的分辨率比负性胶高。
胶的光吸收不 均匀，底部少 顶部多
胶同衬底的粘 附性不好或 HMDS处理不 良
5.3 光学光刻

光刻对光源的要求
光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移
的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极
紫外（EUV）光源。

光谱

曝光光源的光谱


正性胶光刻

负性胶光刻

光刻工艺的8个基本步骤
1. 气相成底膜 2. 旋转涂胶 3. 软烘
4. 对准和曝光
5. 曝光后烘培（PEB）
6. 显影
7. 坚膜烘培
8. 显影检查

光刻工艺的8个基本步骤
1. 气相成底膜

目的：增强光刻胶与硅片的粘附性。


工艺方法：
硅片放在真空腔中的热板上，热板温度控制在200 ℃ ～250℃，用N2携带六甲基二硅胺烷（HMDS） 进入真空腔，处理时间60秒。这样在硅片上形成 了底膜。

高低形貌反射造成底部切入
5.4 光刻设备

光刻机分类
光刻机类型按照曝光进行方式分为：
接触式(Contact)，接近式(Proximity)，扫描式
(Scan)，步进式(Stepping)，步进-扫描式(Step
and Scan)

按照工作波长分为： g-line(435 nm), i-line(365 nm), KrF(248nm), ArF(193nm), 和将来的EUV(13.5nm)
第五章 光 刻
5.1 引 言

光刻：
将掩膜版上的电路图形精确转移到硅片表面光刻 胶膜上的复制过程。 光刻是集成电路制造的关键工艺



掩膜版（Reticle或Mask）
材质—玻璃/石英，亚微米及以下技术—石英版， 石英版优点：透光性好、热膨胀系数低。 金属铬膜 — 版上不透光的图形



光刻是产生特征尺寸的工序

焦深
Fra Baidu bibliotek
从焦深公式中看出提高分辨率降低了焦深，两个 参数互相制约。 分辨率和焦深是现代分步重复光刻机或步进扫描 光刻机非常重要的参数

数值孔径和焦深的关系


套准精度
套准精度是掩膜版上的图形与硅片上的图形的对 准程度。

根据光刻的要求，版上的图形与片上图形要精确
对准。套准精度也是光刻中一个重要的性能指标。 套准精度一般是特征尺寸的1/5 ~ 1/4
3. 曝光区域产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘过
程中移除树脂保护团
4. 不含保护团的光刻胶曝光区域溶解于以水为主要
成分的显影液


涂胶工艺
工艺目的：形成图形转移的模板。
工艺方法：
1. 滴胶
2. 匀胶 ：转速500rpm～700rpm
3. 旋转：转速 3000rpm-5000rpm

工艺要求：

工艺方法：在温度为140℃的热板烘60秒

注：从曝光后烘培到坚膜烘培在自动涂胶/显影系
统上进行

8. 显影检查
8. 显影检查
光刻胶和衬底折 射率不匹配，抗 反射膜（ARC） 类型不匹配
光刻胶和衬 底酸碱不平 衡
光刻胶顶部 受到过多的 显影
8. 显影检查
空气中氨分子 （碱性）与胶 表面光酸分子 中和
传递到硅片表面光刻胶膜上, 形成光敏感物质在空
间的精确分布，最终达到图形精确转移的目的。

工艺方法：
1.上掩膜版、硅片传送 2. 掩膜版对准（ RA ）：掩膜版标记与光刻机基准 进行激光对准 3. 硅片粗对准（ GA ）：掩膜版与硅片两边的标记 进行激光对准 4. 硅片精对准（ FA ）：掩膜版与硅片图形区域的 标记进行激光对准