椭圆偏振技术

橢圓偏振技術

橢圓偏振技術是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。

分析自樣品反射之極化光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃（Angstrom）或數奈米到幾微米皆有極佳的準確性。

之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的極化多是橢圓的。此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。

目錄[?藏]

1 基本原理

2 實驗細節

2.1 實驗裝置

2.2 數據蒐集

2.3 數據分析

3 定義

3.1 單波長與光譜橢圓偏振技術

3.2 標準與廣義橢圓偏振理論(非等向性)

3.3 瓊斯矩陣與穆勒矩陣型式（去偏極化）

4 進階實驗方法

4.1 橢圓偏振成像

4.2 原位橢圓偏振

4.3 橢圓偏振孔隙測定

4.4 磁光廣義橢圓偏振

5 優勢

6 參考資料

[編輯] 基本原理此技術係在測量光在反射或穿透樣品時，其偏振性質的改變。通常，橢圓偏振多在反射模式下進行。偏振性質的改變主要是由樣品的性質，如厚度、複折射率或介電性質（參見英文版Dielectric function），來決定。雖然光

學技術受制於先天繞射極限的限制，橢圓偏振卻可藉由相位資訊及光偏振之狀態的改變，來取得埃等級的解析度。在最簡單的形式，此技術可適用於厚度小於一奈米到數微米之薄膜。樣品必須是由少數幾個不連續而有明確介面、光學均勻且具等向性且非吸收光的膜層構成。逾越上述的假設，則會不符標準橢圓偏振之處理程序，因而將需要對此技術更進階的一些改變以符合其應用（見下詳述）。

[編輯] 實驗細節[編輯] 實驗裝置

橢圓偏振實驗之裝置示意圖光源(Light Source)所放射出之電磁波(Electromagnetic radiation)經過偏光鏡(Polarizer)後，極化為線性偏振光，可選擇是否通過補償鏡片(Compensator,延相器或四分之一波片)，之後打在薄膜樣品上。電磁波被反射後同樣可選擇是否再通過補償鏡片，然後穿過第二片通常稱為分析鏡的偏光鏡，進入偵檢器。有些橢圓儀不使用補償片，而在入射光束的路徑採用相位調變器。橢圓偏振是一種光學鏡面反射技術(入射角等於反射角)，入射光與反射光路徑在同一平面上(稱為入射平面)，而被偏振為與此平面平行及垂直的光，則分別稱之為「p」或「s」偏振光。

[編輯] 數據蒐集（標準）橢圓偏振測量四個史托克參數(Stokes parameters)中的兩個，通常以Ψ及Δ來表示。入射至樣品的光之偏極化狀態可被分解成「s」及「p」兩項（「s」成份為光之電場振盪垂直入射平面，「p」則平行）。「s」及「p」成份之振幅（強度）在反射及對其初始值做正規化之後，分別標示為rs 及rp 。橢圓偏振測量rs 與rp 之比例，此比例可以下述基本方程式來描述：

其中，tanΨ為反射後之振幅比，Δ為相位移（相差）。由於橢圓偏振係測量兩項之比值（或差異）而非其絕對數值，因此這技術所得的數據是相當正確且可再現的，其對散射及擾動等因素較不敏感，且不需要標準樣品或參考樣品。

[編輯] 數據分析橢圓偏振為間接量測的技術，也就是說，一般測得的Ψ及Δ並不能直接轉換為樣品的光學常數，通常需要建構模型來進行分析。只有對於無限厚（約釐米等級）、等向性且均勻的膜，才可能直接轉換得到其Ψ與Δ之數值。在所有其他的情形下，則必需建構其層狀模型，並考慮所有各層之各別的光學常數如(折射率或介電常數)及厚度，且依正確的層?順序建立。再藉由多次最小方差法最適化，變動未知的光學常數及(或)厚度參數，以之代入Fresnel

方程式（en:Fresnel_equations）計算求得其對應Ψ及Δ數值。最後，所得最接近實驗數據之Ψ及Δ數值，其參數來源的光學常數及(或)厚度可視為此量測之最適化結果。

[編輯] 定義[編輯] 單波長與光譜橢圓偏振技術單波長橢圓偏振技術使用單

色光光源，通常為可見光範圍之雷射光源，例如波長為632.8奈米之氦氖雷射。因此，也常稱之為雷射橢圓偏振技術。其優點在於雷射光可聚焦為相當小之光點，並且相較於非單色光之寬頻譜光源，雷射光能提供較高之強度，因而可利用於橢圓偏振成像。然而，實驗之結果也就限制於每次測量只能取得一組Ψ及Δ之值。光譜橢圓偏振(SE, Spectroscopic Ellipsometry)採用寬頻譜之光源，涵括了紅外光、可見光或紫外光之某一段光譜區域。藉此，複折射率或介電性質可在相關之光譜範圍取得，並依此得到相當多的基本物理性質。紅外光光譜長橢圓偏振技術(IRSE, Infrared spectroscopic ellipsometry)可探測晶格振動聲子及自由電荷載子(電漿子)等性質。而在近紅外光、可見光到紫外光之光譜範圍，則為用以研究透光或能隙下範圍及電子特性，如帶間躍遷或激子。

[編輯] 標準與廣義橢圓偏振理論(非等向性)標準橢圓偏振理論(或簡稱橢圓偏振理論)所指的是沒有s極化光被轉化為p極化光，反之亦然。此情形通常是針對光學第向性的樣品，例如非晶相材料或立方晶系結構之晶體材料。另外，若一單光軸的樣品，其光軸排列平行表面之法向量，亦可適用標準橢圓偏振理論。其他所有情形，當s極化光會被轉化為p極化光且/或反之亦然的狀況，則需使用廣義橢圓偏振理論，例如任意排列之單光軸樣品或雙光軸樣品。

[編輯] 瓊斯矩陣與穆勒矩陣型式（去偏極化）數學上可以用兩種不用的方式來描述電磁波與樣品間的作用，一為瓊斯矩陣（en:Jones matrix），一為穆勒矩陣（en:Mueller matrix）。在瓊斯矩陣表示法，電磁波在作用前與作用後以具有兩個複數值的瓊斯向量（en:Jones vector）來描述，而其間的轉換則是以一具複數值的2乘2矩陣（即瓊斯矩陣）表現。在穆勒矩陣表示法，作用前、後的電磁波則以具四實數項的史托克向量（en:Stokes vector）表示，作用之轉換描述矩陣則是4乘4共16實數項的穆勒矩陣。當沒有去偏極化（en:depolarization）發生時，兩種型式完全相符，因此對於非去偏極化樣品，通常使用瓊斯矩陣的型式就足夠了。但若樣品會去偏極化，則為了取得這去偏極化的量，必需要使用穆勒矩陣型式。去偏極化的原因，舉例來說，可以是因為不夠一致的厚度，或是來自透明基材背面的反射所造成。

[編輯] 進階實驗方法[編輯] 橢圓偏振成像使用CCD攝影機作為偵檢器，可使橢圓偏振成為一成像技術。這個技術可提供樣品即時的對比影像，並獲得薄膜厚度及其反射率等資訊。其所用的理論為古典歸零式橢圓偏振原理，及即時的橢圓偏振對比影像，使用單一波長雷射光源的橢偏儀（橢圓偏振儀）。雷射光束在通過線性偏光鏡（P）及四分之一波長延相器（C）後，轉變為橢圓偏振光，打到樣品（S）後，反射光束通過分析鏡（A），由一長距物鏡聚焦，進入CCD成像。這種PCSA組態，P 與C 的偏光角度被調整為能使橢圓偏振光自樣品反射後，完全的改變為線性偏振光。當A所選取之偏振角度方向與反射光之偏振軸向相