第二章 三极管基础练习题
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三极管练习题
一、填空题：
1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。
2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。
3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。
4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。
5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。
7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。
9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。
10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
11.在正常工作范围内，场效应管极无电流
12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。
13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。
14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。
16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题：
1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。
A、放大
B、截止
C、饱和
D、损坏
2、三级管开作在放大区，要求（）
A、发射结正偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）
A 可变线性区
B 截止区
C 饱合区 D击穿区
4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）
A．饱和区 B．截止区
C．放大区 D．击穿区
5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。
A．U CE=15V，I C=150 mA B．U CE=20V，I C=80 mA
C．U CE=35V，I C=100 mA D．U CE=10V，I C=50mA
6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）
A V C=，V E=0V， V B=
B V C=-4V， V E=，V B=
C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3V
D V C =2V ， V
E =2V ， V B = 7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）
A ．均为正偏
B ．均为反偏
C ．发射结正偏，集电结反偏
D ．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（ ） A 、栅极电流 B 、栅源电压 C 、漏源电压 D 、栅漏电压。 9.场效应管是一种（ ）器件
A 、电压控制 双极型
B 、电压控制 单极型
C 、、电流控制 双极型
D 、电流控制 单极型、
10. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。 A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏
11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为( ) 。
A. 83
B. 91
C. 100 12、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）
A ．ＵC > U
B > UE B 。ＵC< UB < UE
C 。UB >ＵC > UE
D 。ＵC > U
E > UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS 管 （ ）
A ．
B 。
C 。
D 。
14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 三、判断题 1、
判断图示三极管的工作状态。
2、
判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。
3V
2V
6V
(c)
5V
0V
(a)
-5V
-1V
(b)
3V
(d)
＋
V CC
u o u i R C
R B
C 1
C 2
V
。 。
。 。
。
(a)
。 ＋V
CC
u o u i R C R B
C 1
C 2
V
。 。
。
。
(b)