第三章-2-空穴传输材料及其迁移性质-2012

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TAPC

TAPC 的空穴迁移率

TOF non-dispersive hole mobility

~10−2cm2/V s

TPD

E111后来TPD 成为广泛使用的

空穴传输材料

ITO/TPD /E1-11/Mg:Ag

ITO/TPD(50 nm)/2PSP(20 nm)/PyPySPyPy(30 nm)/Mg:Ag (10:1) (50nm)/2PSP(20nm)/PyPySPyPy(30nm)/Mg:Ag(10:1)

η

of 4.8%

EL

ITO/CuPc (20 nm)/TPD(50 nm)/MPS (50 nm)/Alq3 (7 nm)/LiF/Al η

of 8%, 20 cd/A at 5 cd/m2, 16 cd/A at 300 cd/m2 EL

MPS

TPD 的空穴迁移率

TPD

TOF non-dispersive hole mobility

~10−3cm2/V s

在1994年已被指出TPD的稳定性不佳，原因是其Tg比较低，器件温度升高后易发生结晶，为

此研究者对研制高g类分子玻璃材料作为空穴传

Tg

输层投入很大的兴趣。

NPD (NPB)

NPB

Changing

2、Spiro-linked molecules

Tg: 133; Tm: 275

Tm: 538, without decomposition

Star-shaped(starburst)amorphous molecules

3、Star shaped (starburst) amorphous molecules

Starburst

系列Starburst 分子的空穴迁移率

Polymer 类

空穴传输材料

N N

N N

(m-MTDATA)