电子探针EPMA
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5. 不损坏样品：样品分析后，可以完好保存或继续进行其它方 面的分析测试，这对于文物、古陶瓷、古硬币及犯罪证据等 稀有样品分析尤为重要。
• 6. 定量分析灵敏度高：相对灵敏度一般为（0.01－0.05） wt%，检测绝对灵敏度约为10-14g，定量分析的相对误差 为(1—3)%。
• 7. 一边观察一边分析：对于显微镜下观察的现象，均可进 行分析。
• 电子探针应用领域：广泛应用于材料科学、矿物学、冶金 学、犯罪学、生物化学、物理学、电子学和考古学等领域。 对任何一种在真空中稳定的固体，均可以用电子探针进行 成份分析和形貌观察。
1.2 电子探针的基本原理
• 1.2.1 电子与物质的相互作用 • 1.2.2 电子探针定性分析原理 • 1.2.3 电子探针定量分析原理
1. 二次电子
入射电子与样品相互作用后，使样品原子较外层电 子（价带或导带电子）电离产生的电子，称二次电子。 二次电子能量比较低，习惯上把能量小于50eV电子统称 为二次电子，仅在样品表面5nm－10nm的深度内才能逸 出表面，这是二次电子分辨率高的重要原因之一。
二次电子及二次电子像
当入射电子与样品相互作用时，入射电子与核外电子发生能量传 递，一般几至几十个电子伏特。如果核外电子所获得的能量大于其 临界电离能，则该电子可脱离原子成为自由电子，如果这些自由电 子离样品表面很近，而且其能量大于相应的逸出能，则可能从样品 表面逸出而成为二次电子。二次电子像是表面形貌衬度，它是利用 对样品表面形貌变化敏感的物理信号作为调节信号得到的一种像衬 度。因为二次电子信号主要来处样品表层5－10nm的深度范围，它的 强度与原子序数没有明确的关系，而对微区表面相对于入射电子束 的方向却十分敏感，二次电子像分辨率比较高，所以适用于显示形 貌衬度。
二次电子像
2. 背散射电子及背散射电子像
背散射电子是指入射电子与样品相互作用(弹性和非 弹性散射)之后，再次逸出样品表面的高能电子，其能量 接近于入射电子能量( E。)。背散射电子能量大于50eV, 小于等于入射电子能量。背射电子的产额随样品的原子 序数增大而增加，所以背散射电子信号的强度与样品的 化学组成有关，即与组成样品的各元素平均原子序数有 关。样品平均原子序数越大，产生的背散射电子数目越 多，图像的亮度越大，反之亦然。背散射电子也反映样 品形貌信息。
• 2.方便快捷：制样简单，分析速度快。 • 3.分析方式多样化：可以连续自动进行多种方法分析，如
进行样品X射线的点、线、面分析等。自动进行数据处理 和数据分析。
• 4.应用范围广：可用于各种固态物质、材料等。
4. 元素分析范围广：一Байду номын сангаас从铍(Be4)——铀(Ｕ92)。因为H和He 原子只有K 层电子，不能产生特征X 射线，所以无法进行电 子探针成分分析。锂(Li) 虽然能产生X 射线，但产生的特征 X 射线波长太长，通常无法进行检测，电子探针用大面间距 的皂化膜作为衍射晶体已经可以检测Be元素。
1.2.1 电子与物质的相互作用
一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样 的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发 出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、 背散射电子、阴极发光、特征X射线、俄歇过程和俄歇电子、 吸收电子、透射电子等。
图1 电子与物质交互作用产生的主要信息
• 电子探针利用0.5μm－1μm的高能电子束激发分析 试样，通过电子束与试样相互作用产生的特征X射 线、二次电子、吸收电子、 背散射电子及阴极荧 光等信息来分析试样的微区内(μm范围内)成份、形 貌和化学结合状态等特征。
1.1.1 电子探针的发展历史及发展趋势
• 1932年在柏林由Knoll和Ruska研制出第一台电子显微镜 • 1939年西门子（Siemens）第一台透射电镜（TEM）商品 • 1949年castaing用TEM改装成一台电子探针样机 • 1951年 6 月，Castaing 在其博士论文中，提出了EPMA定量分析的基本原
背散射电子像(Backscatter electron image,BSE )
3. 阴极发光
阴极发光是指晶体物质在高能电子的照射下，发射出可见光红外 或紫外光的现像。
电子探针X射线显微分析仪
（X-Ray Electron Probe Microanalyzer，EPMA）
1.1 概述
1.2 EPMA基本原理 1.3 仪器基本结构 1.4 定性定量分析方法
1.5 样品制备
1.6 定量分析的步骤及注意事项
1.1 EPMA 概述
• 电子探针X射线显微分析仪(Electron probe X-ray microanalyser , EPMA )的简称为电子探针。
EPMA发展趋势
• 向更自动化、操作更方便、更微区、更微 量、功能更多的方向发展。
• 彩色图像处理和图像分析功能会更完善， 定量分析结果的准确度会提高，特别是对 超轻元素(Z<10)的定量分析方法将会逐步 完善。
1.1.2 电子探针仪器的分析特点
• 1.微区性、微量性：几个立方μm范围能将微区化学成分 与显微结构对应起来。而一般化学分析、 X射线荧光分析 及光谱分析等，是分析样品较大范围内的平均化学组成， 也无法与显微结构相对应,不能对材料显微结构与材料性 能关系进行研究。
理。 • 1956 年由法国 CAMECA公司制成商品EPMA。 • 1960 年扫描型电子探针商品问世。且改善分光晶体，使元素探测范围由
Mg12扩展至Be4。 • 二十世纪70 年代开始，电子探针和扫描电镜的功能组合为一体，同时应用
计算机控制分析过程和进行数据处理。 • 二十世纪80年代后期，电子探针具有彩色图像处理和图像分析功能，计算
机容量扩大，使分析速度和数据处理时间缩短。 • 二十世纪90年代中期，电子探针的结构，特别是波谱和样品台的移动有新
的改进，编码定位，通过鼠标可以准确定波谱和样品台位置。
现有EPMA主要生产厂家和产品： 1、日本岛津公司EPMA—1720
2、日本电子公司JXA-8200
3、法国CAMECA公司SXFiveFE
• 6. 定量分析灵敏度高：相对灵敏度一般为（0.01－0.05） wt%，检测绝对灵敏度约为10-14g，定量分析的相对误差 为(1—3)%。
• 7. 一边观察一边分析：对于显微镜下观察的现象，均可进 行分析。
• 电子探针应用领域：广泛应用于材料科学、矿物学、冶金 学、犯罪学、生物化学、物理学、电子学和考古学等领域。 对任何一种在真空中稳定的固体，均可以用电子探针进行 成份分析和形貌观察。
1.2 电子探针的基本原理
• 1.2.1 电子与物质的相互作用 • 1.2.2 电子探针定性分析原理 • 1.2.3 电子探针定量分析原理
1. 二次电子
入射电子与样品相互作用后，使样品原子较外层电 子（价带或导带电子）电离产生的电子，称二次电子。 二次电子能量比较低，习惯上把能量小于50eV电子统称 为二次电子，仅在样品表面5nm－10nm的深度内才能逸 出表面，这是二次电子分辨率高的重要原因之一。
二次电子及二次电子像
当入射电子与样品相互作用时，入射电子与核外电子发生能量传 递，一般几至几十个电子伏特。如果核外电子所获得的能量大于其 临界电离能，则该电子可脱离原子成为自由电子，如果这些自由电 子离样品表面很近，而且其能量大于相应的逸出能，则可能从样品 表面逸出而成为二次电子。二次电子像是表面形貌衬度，它是利用 对样品表面形貌变化敏感的物理信号作为调节信号得到的一种像衬 度。因为二次电子信号主要来处样品表层5－10nm的深度范围，它的 强度与原子序数没有明确的关系，而对微区表面相对于入射电子束 的方向却十分敏感，二次电子像分辨率比较高，所以适用于显示形 貌衬度。
二次电子像
2. 背散射电子及背散射电子像
背散射电子是指入射电子与样品相互作用(弹性和非 弹性散射)之后，再次逸出样品表面的高能电子，其能量 接近于入射电子能量( E。)。背散射电子能量大于50eV, 小于等于入射电子能量。背射电子的产额随样品的原子 序数增大而增加，所以背散射电子信号的强度与样品的 化学组成有关，即与组成样品的各元素平均原子序数有 关。样品平均原子序数越大，产生的背散射电子数目越 多，图像的亮度越大，反之亦然。背散射电子也反映样 品形貌信息。
• 2.方便快捷：制样简单，分析速度快。 • 3.分析方式多样化：可以连续自动进行多种方法分析，如
进行样品X射线的点、线、面分析等。自动进行数据处理 和数据分析。
• 4.应用范围广：可用于各种固态物质、材料等。
4. 元素分析范围广：一Байду номын сангаас从铍(Be4)——铀(Ｕ92)。因为H和He 原子只有K 层电子，不能产生特征X 射线，所以无法进行电 子探针成分分析。锂(Li) 虽然能产生X 射线，但产生的特征 X 射线波长太长，通常无法进行检测，电子探针用大面间距 的皂化膜作为衍射晶体已经可以检测Be元素。
1.2.1 电子与物质的相互作用
一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样 的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发 出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、 背散射电子、阴极发光、特征X射线、俄歇过程和俄歇电子、 吸收电子、透射电子等。
图1 电子与物质交互作用产生的主要信息
• 电子探针利用0.5μm－1μm的高能电子束激发分析 试样，通过电子束与试样相互作用产生的特征X射 线、二次电子、吸收电子、 背散射电子及阴极荧 光等信息来分析试样的微区内(μm范围内)成份、形 貌和化学结合状态等特征。
1.1.1 电子探针的发展历史及发展趋势
• 1932年在柏林由Knoll和Ruska研制出第一台电子显微镜 • 1939年西门子（Siemens）第一台透射电镜（TEM）商品 • 1949年castaing用TEM改装成一台电子探针样机 • 1951年 6 月，Castaing 在其博士论文中，提出了EPMA定量分析的基本原
背散射电子像(Backscatter electron image,BSE )
3. 阴极发光
阴极发光是指晶体物质在高能电子的照射下，发射出可见光红外 或紫外光的现像。
电子探针X射线显微分析仪
（X-Ray Electron Probe Microanalyzer，EPMA）
1.1 概述
1.2 EPMA基本原理 1.3 仪器基本结构 1.4 定性定量分析方法
1.5 样品制备
1.6 定量分析的步骤及注意事项
1.1 EPMA 概述
• 电子探针X射线显微分析仪(Electron probe X-ray microanalyser , EPMA )的简称为电子探针。
EPMA发展趋势
• 向更自动化、操作更方便、更微区、更微 量、功能更多的方向发展。
• 彩色图像处理和图像分析功能会更完善， 定量分析结果的准确度会提高，特别是对 超轻元素(Z<10)的定量分析方法将会逐步 完善。
1.1.2 电子探针仪器的分析特点
• 1.微区性、微量性：几个立方μm范围能将微区化学成分 与显微结构对应起来。而一般化学分析、 X射线荧光分析 及光谱分析等，是分析样品较大范围内的平均化学组成， 也无法与显微结构相对应,不能对材料显微结构与材料性 能关系进行研究。
理。 • 1956 年由法国 CAMECA公司制成商品EPMA。 • 1960 年扫描型电子探针商品问世。且改善分光晶体，使元素探测范围由
Mg12扩展至Be4。 • 二十世纪70 年代开始，电子探针和扫描电镜的功能组合为一体，同时应用
计算机控制分析过程和进行数据处理。 • 二十世纪80年代后期，电子探针具有彩色图像处理和图像分析功能，计算
机容量扩大，使分析速度和数据处理时间缩短。 • 二十世纪90年代中期，电子探针的结构，特别是波谱和样品台的移动有新
的改进，编码定位，通过鼠标可以准确定波谱和样品台位置。
现有EPMA主要生产厂家和产品： 1、日本岛津公司EPMA—1720
2、日本电子公司JXA-8200
3、法国CAMECA公司SXFiveFE