压膜曝光原理简介

三、压膜原理详解
压膜(Lamination)
光阻和基板附着是藉由光阻膜顺着铜表面流动达成 加热可降低光阻之黏度并增加流动性， 压力可将流动状态之光阻挤上铜表面，两者之间产生附着力
光阻膜 保护膜
盖膜
滚轮之形状应微微凸出， 可得到一致的压膜压力
压膜滚轮
铜箔
压膜(Lamination)
压瞙参数的影响
PI+AD
显影
反应官能基
Resist-COOH + CO32由显影液Na2CO3或K2CO3提供
完成显影过程之线路
反应官能基
HCO3-+ Resist-COO-
本反应实际为一种皂化 反应，故于制程中会产 生类似肥皂状的泡沫
D/F CCL PI+AD
蚀刻
蚀刻反应
Cu(铜箔)+CuCl2(二价铜)
蚀刻液再生反应 NaClO3+6HCl
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
残渣在干膜及铜箔间出现 残渣在干膜及铜箔间出现
压辘上的污染物引致 压辘上的污染物引致
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
残渣在铜箔面上出现
残渣在铜箔面上出现
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
压辘上的刻痕引致 压辘上的刻痕引致
不知名的纤维在干膜及铜箔间出现 纤维异物在干膜及铜箔间出现
Cl2+2CuCl(一价铜)
完成蚀刻过程之线路
2CuCl(一价铜)
NaCl+3Cl2+3H2O 2CuCl2(二价铜)
D/F CCL PI+AD
剥膜
用化学及物理原理来清除线路板上干膜,
NaOH溶液与干膜反应,先膨胀分裂(swell)，然后经过机台 之喷压将干膜屑剥离铜面.
线路完全形成
CCL PI+AD
压膜:
将感光材料（干膜）压附在铜箔上
压膜机
曝光:
将产品设计图案(底片线路图)作影像 转移到压过干膜铜箔基板上.
曝光机
DES线
显影（Developing）:
显影液与未曝光干膜反应, 露出需蚀刻的铜面
蚀刻（Etching）:
用腐蚀药液将露出铜咬蚀掉, 形成线路
退膜（Stripping）:
用剥膜液与干膜反应去除 附着在线路上的干膜
起皱、干膜部份位置变薄、因干透而减低附着力
压膜(Lamination)
压瞙参数的影响
贴膜压力 (Pressure)
- 以物理原理将干膜压附于板面上 - 压力过高:
起皱、干膜部份位置变薄 - 压力过低:
附着力低、填充能力低
压膜(Lamination)
压辘的影响 (Roll Condition)
- 对压膜产生主要的影响作用 - 用压痕 “Foot Print” 来测量压力的分布及其损耗情度 - 观察其压辘表面情况: 缺口、凹凸不平、污染物
Date: 06. July. 2007
压膜曝光原理简介
主讲:何基蔺
学习目的
1.了解PCB压膜和曝光原理 2.初步认识PCB压膜/曝光工艺流程 3.了解压膜/曝光其它相关技术
课程大纲
一.PCB压膜曝光工艺流程 二.线路成型原理 三.PCB压膜原理详解 四.PCB曝光原理详解 五.其他曝光技术
一、PCB压膜曝光工艺流程
Mylar(聚酯膜)
能 量
光罩或压克力框 有的厂用Mylar
菲林层 线路层
底片保护膜 (感光保护膜)
干膜(光阻)
CCL
PI 干膜中的UV能量分布
理想的能量分布 实际的能量分布
干膜(X轴)
曝光(Exposure)
不同光源曝光示意图
非平行光
平行光
曝光
非非曝曝光光 铜箔
曝光
底片 聚酯 (PET)
干膜
曝光
PCB压膜曝光工艺流程图
前处理
压膜 OK
曝光
有缺陷板
显影
蚀刻 褪膜
下工序
褪膜返洗
化学பைடு நூலகம்洗线
前处理
将铜箔表面的氧化和脏物及除 去,将铜面粗化均匀，能增强干膜与 铜箔之间的附着力,及改善干膜对铜 箔之填充性
微蚀前之铜面
微蚀后之铜面
前处理
磨板机
将铜箔表面的氧化 和脏物及除去,将铜面粗 化均匀，能增强干膜与 铜箔之间的附着力。
Lamination Rollers
Resist Chips
Razor Cut
Nicks
压膜(Lamination)
铜箔的影响 (Substrate)
1.影响
- 影响干膜的附着力及填充力
2.影响因素
- 板面水点、氧化物、板面残渣、凹痕 - 织布纹、手印、油脂 - 铜箔厚度 - 铜箔重量 - 铜箔进板温度
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
铜箔面出现不良现象 (干膜凸起)
铜箔面出现不良现象 (干膜凹下)
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
坑痕
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
刮花
压膜(Lamination)
不良的压膜结果
表面异物
四、曝光原理详解
曝光(Exposure)
二、线路成型原理
压膜
干膜（光阻）和基板附着是藉由光阻膜 顺着铜箔表面流动达成
压膜机
上
下
加
压
滚
轮
曝光
1.PI(感光启始剂)+hν(能量)
PI* (用于聚合反应之自由基)
2.单体或中体+PI*
PI+Polymer 自由基式聚合反应之
完成光聚合反应之干膜 形成线路图像
UV 紫 外 光 线
底片
D/F CCL
Resist 无空隙
Contact Area
干膜
紧密结合区
Copper Clad panel
非曝光 铜箔
曝光
底片 聚酯 (PET)
干膜
曝光(Exposure)
影响曝光之因素
能量:能量之大小影响成像质量(分辨率及密合度) 曝光时间:由shutter(快门)控制 光源:有平行光(parallel light)、散射光(scattered light) 抽真空情况:抽真空不良会造成光的散射造成曝光不良 异物脏点:会造成线路开短路、缺口等不良
曝光(Exposure)
抽真空的影响
Phototool Glass ‘Bow’
Improper Shimming
Resist
Off-Contact Area
Copper Clad panel
抽真空不良
Improper Shimming
Phototool
底片
Proper Shimming
合适夹条
No Glass Bow Intimate
压瞙温度(Temperature)
- 干膜在高温之下溶化会流动 - 温度过高:
起皱、出现气泡、干膜部份位置变薄、因干透而 减低附着力 - 温度过低: 低附着力、低填充能力
压膜(Lamination)
压瞙参数的影响
贴膜速度 (Speed)
- 影响出板温度及干膜的流动性 - 速度过快:
附着力低、填充能力低 - 速度过慢: