发光材料的制备方法及制备的发光材料的制作流程
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本技术涉及发光材料技术领域，提供一种发光材料的制备方法及制备的发光材料，所述方法包括：(1)按照化学计量比称取原材料La2O3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、H3BO3、Er2O3在研钵中充分研磨，使材料混合均匀；其中，Er3+掺杂的含量为330％；(2)放入坩埚中，在马弗炉中400600℃预烧结1.53h；(3)取出研磨2060min；(4)放入坩埚，置于马弗炉中9001000℃烧结610小时；(5)冷却后，取出烧结体，充分研磨，得到Er3+掺杂的
LaMgB5O10荧光材料。本技术方法简单、成本低廉，所制备的发光材料粒径小、稳定性好，而且发光效率得到了很大提高。
技术要求
1.一种发光材料的制备方法，其特征在于，包括：
(1)按照化学计量比称取原材料La2O3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、H3BO3、Er2O3在研钵中充分研磨，使材料混合均匀；其中，不同化学计量使Er3+掺杂的含量为3-30％；
(2)放入坩埚中，在马弗炉中400-600℃预烧结1.5-3h；
(3)取出研磨20-60min；
(4)放入坩埚，置于马弗炉中900-1000℃烧结6-10小时；
(5)冷却后，取出烧结体，充分研磨，得到Er3+掺杂的LaMgB5O10荧光材料。
2.根据权利要求1所述的发光材料的制备方法，其特征在于，研磨时间为40-90min。
3.根据权利要求1所述的发光材料的制备方法，其特征在于，所述坩埚为氧化铝坩埚。
4.根据权利要求1所述的发光材料的制备方法，其特征在于，预烧结的温度为500℃。
5.根据权利要求1或4所述的发光材料的制备方法，其特征在于，预烧结的时间为2小时。
6.根据权利要求1所述的发光材料的制备方法，其特征在于，烧结的温度为900℃。
7.根据权利要求1或6所述的发光材料的制备方法，其特征在于，烧结时间为8小时。
8.一种发光材料，其特征在于，由权利要求1至7任一项所述的发光材料的制备方法制备而成。
技术说明书
一种发光材料的制备方法及制备的发光材料
技术领域
本技术涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种发光材料的制备方法及制备的发光材料。背景技术
当今的发光材料和激光材料的研究，在国民经济及国家安全的实际应用中，占主导和最重要地位。在进入新世纪后，稀土发光材料科学和技术成为今后占主导地位的平板显示，第四代新照明光源，现代医疗电子设备，更先进的光纤通信等高新技术的发展和创新可靠的依据和保证。LED半导体发光二极管(LED)具有发光效率高、节能、无污染、寿命长、体积小、质量轻等优点，是最被看好的新一代固态照明产品，在照明市场具有很大的发展潜力。发光材料可应用于LED半导体发光二极管领域。
但是，目前大部分稀土掺杂的发光材料，存在结构不稳定、发光色度较差、光衰较大、使用寿命较短等问题。
技术内容
本技术主要针对上述技术问题，提出一种发光材料的制备方法及制备的发光材料，本技术方法简单、成本低廉，所制备的发光材料粒径小、稳定性好，而且发光效率得到了很大提高。
本技术提供了一种发光材料的制备方法，所述方法包括：
(1)按照化学计量比称取原材料La2O3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、H3BO3、Er2O3在研钵中充分研磨，使材料混合均匀；其中，不同化学计量使Er3+掺杂的含量为3-30％；
(4)放入坩埚，置于马弗炉中900-1000℃烧结6-10小时；
(5)冷却后，取出烧结体，充分研磨，得到Er3+掺杂的LaMgB5O10荧光材料。
优选的，研磨时间为40-90min。
优选的，所述坩埚为氧化铝坩埚。
优选的，预烧结的温度为500℃。
优选的，预烧结的时间为2小时。
优选的，烧结的温度为900℃。
优选的，烧结时间为8小时。
对应地，本技术还提供了一种发光材料，所述发光材料由本技术任意实施例提供的发光材料制备而成。
本技术提供的一种发光材料的制备方法及制备的发光材料，本技术方法简单、成本低廉，所制备的发光材料粒径小、稳定性好，而且发光效率得到了很大提高，发光性能优异，可应用于显示、光源、医学等不同领域。
具体实施方式
为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。
本技术提供了一种发光材料的制备方法，所述方法包括：
(1)按照化学计量比称取原材料La2O3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、H3BO3、Er2O3在研钵中充分研磨，使材料混合均匀；其中，不同化学计量使Er3+掺杂的含量为3-30％；
(4)放入坩埚，置于马弗炉中900-1000℃烧结6-10小时；
(5)冷却后，取出烧结体，充分研磨，得到Er3+掺杂的LaMgB5O10荧光材料。
优选的，研磨时间为40-90min。
优选的，所述坩埚为氧化铝坩埚。
优选的，预烧结的温度为500℃。
优选的，预烧结的时间为2小时。
优选的，烧结的温度为900℃。
优选的，烧结时间为8小时。
对应地，本技术还提供了一种发光材料，所述发光材料由本技术任意实施例提供的发光材料制备而成。
本技术制备的发光材料，制备后，对发光材料进行XRD表征分析材料成分，对发光材料进行SEM形貌测试，表明所制备的发光材料粒径小且均匀。测试材料的激发光谱和发射光谱，表面发光效率得到了很大提高，发光性能优异。
本技术提供的一种发光材料的制备方法及制备的发光材料，本技术方法简单、成本低廉，所制备的发光材料粒径小、稳定性好，而且发光效率得到了很大提高，发光性能优异，可应用于显示、光源、医学等不同领域。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。