晶体二极管及应用练习题
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第一题晶体二极管及应用练习题
一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷,空穴带一个单位的电荷,它们电性,电量。
5、运载电荷,形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种
型半导体。其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种
型半导体。其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上,采用特殊方式,使一边形成P型半导体区域,另一边形成N型区域,在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极,N区接电源极,称为正向偏置,简称;若PN结的P区接电源的极,N 区接电源极,称为反向偏置,简称。
13、PN结的特性是。即。
14、二极管的内部结构,究其本质而言,它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指:
。
16、在直角坐标系中,用横轴表示,纵轴表示。将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性,以曲线的形式描述出来,这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指:在偏置电压作用下,流过二极管的
电流随电压变化而变化的关系特性。其正向特性是:在正偏压较低(即:低于)时,正向电流,近似为,这个区域称为。在此区域内,正向电流正偏压变化而变化,其等效电阻;当正偏压大于后,流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化,此区域为,其等效电阻。在此区域,二极管两端的正偏电压变化不大,近似为一个固定值,硅管约为,鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指:在偏置电压的作用下,流过二极管的
随电压的变化而变化的关系特性。其反向特性是指:在反偏压较低(即低于)时,流过二极管的反向电流,近似为,这个区域称为。在此区域内流过二极管的反
向电流反偏压变化,其等效电阻。当反偏压大于后,流过二极管的反向电流,此区域称为。在此区域内,流过二极管的反向电流随反向偏压的变化而变化,其等效电阻。
19、由上述17、18题分析可知,①、流过二极管的电流与二极管两端所加的偏置电压的变化关系是不成比例,在坐标系中描述的曲线,故二极管被称为元件。②、二极管正偏导通是有的,并不是只要加上正偏压就,而是加上正偏压且大于后导通。
20、稳压二极管工作于状态;发光二极管工作于状态;光敏二极管工作于状态;变容二极管工作于状态,且等效电容量越小。
21、用万用表判断半导体的电极,测试性能时,是用万用表的量程档,万用表在电阻档时,它相当于一个,且红表笔是极,黑表笔是极。
22、二极管正负极的判断:将万用表置于量程档,注意,然后将红、黑表笔分别与二极管两电极相接:若指针偏转角度较大(大于表盘1/2),其等效电阻,说明二极管处于偏,则与黑表笔相接的是极,与红表笔相接的是极;若指针偏转较低(小于表盘1/2),甚至不动,其等效电阻,说明二极管处于偏,则与黑表笔相接的是极,与红表笔相接的是极。
23、将转换为的电路称为电路,常见的整流电路有、、三种。
24、整流电路的作用是。
25、将中的成份滤掉的电路称为滤波电路,常见的滤波电路有、、。
26、电容滤波是将滤波电容与负载联,这只电容是的电容。它是利用电容的特性来滤波的,它向提供电流,带负载能力。
27、电感滤波是将滤波电感与负载联,它是利用电感的特性滤波的,它向负载提供的电流,带负载能力。28、用万用表R×100测得二极管的电阻为600Ω,则与红表笔相接的电极为
。
29、用万用表测得二极管的正反向电阻均接近0,表明该二极管已,若测得二极管的正反向电阻均为无穷大,表明该二极管已。
30、复试滤波的滤波效果比单一的电容或电感的滤波效果好,其中的滤波效果最佳。
二、选择题。
1、下列哪个不是半导体的特性()。
A 光敏性
B 热敏性
C 湿敏性
D 掺杂性
2、半导体少数载流子产生的原因是()。
A 外电场
B 内电场
C 外界激发
D 掺杂
3、半导体多数载流子产生的原因是()。
A 外电场
B 内电场
C 外界激发
D 掺杂
4、半导体内部的载流子是()。
A 空穴
B 自由电子
C 正负离子
D 空穴和自由电子
5、下列几种类型的半导体,哪种不含杂质()。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体 D PN结
6、自由电子数多于空穴数的半导体是()。
A 本征半导体
B P型半导体
C N型半导体
D PN结
7、PN结特点是()。
A 导电性
B 不导电性
C 单向导电性
D 双向导电性
8、声控灯中使用的半导体器件是利用了半导体的()。
A 光敏性
B 热敏性
C 掺杂性
D 压敏性
9、小区住房楼梯的触摸开关控制楼道灯的亮暗是利用半导体的()。
A 光敏性
B 热敏性
C 掺杂性
D 压敏性
10、现有A、B、C、D四只二极管,他们的反向漏电流分别如下,则哪只二极管的性能最好()。
A I A=6μA
B I B=9μA
C I C=12μA
D I D=16μA
11、在P型半导体中()。
A 自由电子多于空穴
B 没有空穴
C 没有自由电子
D 自由电子少于空穴
12、把电动势为 1.5ⅴ的干电池以正向直接接到一个硅二极管的两端,则该管
()。
A 电流为0
B 电流基本正常
C 击穿
D 电流过大而烧毁
13、二极管的两端加上正向电压时()。
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通
C 超过0.7V才能导通
D 超过0.3V才能导通
14、某二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()。
A 约小于150V
B 约大于150V
C 约等于150V
D 等于75V
15、某型号二极管的最大整流I OM=500mA,则该二极管的实际电流不能()。
A 大于500mA
B 等于500mA
C 小于500mA D无法确定
16、图一给出了硅二极管和锗二极管的典型伏安特性曲
线,其中硅二极管的伏安特性曲线是()。
A AOD
B AO
C C BO
D D BOC
17、图二所示电路中,工作于正常导通状态的硅二极管是
(一) ()。
R
10V V D 9.8V
-100V V D -50V 5V V D 4V 10V V D 7V
A B D
C
(二)