云南民族大学试卷(模拟电子技术期中考试) (1)

给考生的郑重提示

根据《国家教育考试违规处理办法》（教育部令第18号）、《云南民族大学考试工作条例》，下列情况将被视为作弊：(1)携带或存储与考试有关内容材料参加考试；(2)抄袭或协助他人抄袭答案或与考试有关内容；(3)抢夺、窃取和传抄答案或考试资料；(4)在考试过程中使用通讯设备；(5)代考、替考；(6)故意销毁试卷、答卷或考试资料；(7)在答卷上填写与本人身份不符的姓名、考号等信息；(8)传、接物品或交换试卷、答卷草稿纸；(9)其它作弊行为。根据《云南民族大学学生违纪处分条例》和《云南民族大学本科学分制学士学位授予条例实施细则》，考试作弊者，给予留校察看或开除学籍处分，不授予学士学位。

祝你考试取得好成绩。

云 南 民 族 大 学 试 卷

电气信息工程 学院 专业 年级 班 姓名 学号 科目 模拟电子技术 期中 卷

命题教师 王霞 考试日期 201 年 月 日

（本试卷共6页）

一、填空题（每空2分，共40分）

1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为 正

偏置，集电结为 反 偏置；工作在饱和区时发射结为 正 偏置，集电结为 正 偏置。

3．当输入信号频率为f L 和f H 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 0.707 倍，或者是下降了 3 dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 45度 。 4.在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 共基 组态，A u2是 共射 组态，A u3是 共集 组态。

5.当温度升高时，晶体三极管的U BE 将 减小 ，I CEO 增大 ，β 增大 。(增大、减小或者不变)

6.P 型半导体的多子是 空穴 ，N 型半导体的多子是 自由电子 。

7.多级放大器级间耦合方式一般有 直接耦合 ， 阻容耦合 和变压器耦合三种，其中 直接耦合 多用于集成电路中。

8. 某放大电路负载开路时，U O =6V ，接上3KΩ负载后，U O =4V ，说明该放大电路的输

出电阻R 0= 1.5K 。 二、单项选择题(每题2分，共16分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位

分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ C ）。 A ．NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 2．稳压管通常工作在 B 状态。 A.正向导通 B.反向击穿 C.放大区 D.反向截止

3. 如图电路中，当输入1KHz 、5mV 的正弦波时， 输出电压波形出现了顶部削平的失真，则 ①这种失真是（ B ）；

A ．饱和失真

B ．截止失真

C ．交越失真

D ．频率失真

②为了消除此失真，应（ D ）。

A ．减小集电极电阻R c

B ． 改换β小的管子

C ．增大基极偏置电阻R b

D ． 减小基极偏置电阻R b 4. 对直流通路而言，放大电路中的电容应视为（ B ）。 A.直流电源 B.开路 C.短路

5. PN 结加正向电压时，空间电荷区将 （ A ） 。

A ．变窄

B ．基本不变

C ．变宽

6.工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12uA 增大到22uA 时，Ic 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为（ C ）。

A ．83 8．91 C ．100

7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A4 1 ）。

A ．增大

B ．不变

C ．减小

三、计算分析题（44分）

1、测得某些电路中几个三极管各极的电位如图所示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并写出判断的依据。（本题16分，每个图2分）

NPN 是发射结正偏，集电极反偏。放大区 NPN 发射结和集电结均反偏 。截止区 NPN 发射结和集电结均正偏。饱和区

PNP 使得集电结反偏，发射结正偏。放大区 PNP 发射结和集电结均反偏。截止区 PNP 发射结和集电结均正偏。饱和区

2、（本题8分）某稳压管在温度为20℃，工作电流为5 mA时，稳定电压U Z=10V，已知其动态内阻r Z=8Ω，电压的温度系数αU=0.09%/ ℃，试问：

①当温度不变，工作电流改为20 mA时，U Z约为多少？

②当工作电流仍为5 mA，但温度上升至50℃时，U Z约为多少？

3、（本题8分）设图中的三极管β=100，U BEQ=0.6V，V CC=12V，R c=3kΩ，R b=120kΩ。画出直流通路，在此基础上求静态工作点处的I BQ，I CQ和U CEQ值。

4、（本题12分）设图中的三极管β=100，U BEQ= -0.2V，r bb’=200Ω。

①估算静态工作点处的I BQ，I CQ和U CEQ值。

②计算三极管的r be值。

③画出放大电路的微变等效电路。

④求出中频时的电压放大倍数。

⑤若输入正弦电压，输出电压波形为，试问三极管产生了截止失真还是饱和失真？应该调整电路中的哪个参数？使其增大还是减小？

四、附加题（本题20分，在下面两题中任选一题完成，

解答请做在试卷背面，标注好所选择的题号）

1、设图中的三极管β=100，U BEQ =0.6V ，r bb ’=100Ω，V CC =10V ，R c =3k Ω，R e =1.8k Ω，R F =200Ω，R b1=33k Ω，R b2=100k Ω，R L =3k Ω，电容C 1，C 2，C 3均足够大。

① 求静态工作点处的I BQ ，I CQ 和U CEQ 值。 ② 画出放大电路的微变等效电路。 ③求电压放大倍数A u

④设R s =4k Ω，求源电压放大倍数∙∙

=S

o us U U A ⑤求R i 和R o

2、设图中的两级直接耦合放大电路中，三极管β1=50，β2=30，V CC =15V ，R b1=360k Ω，R c1=5.6k Ω，R c2=2k Ω，R e2=750Ω，要求： ① 求静态工作点处的I BQ ，I CQ 和U CEQ 值。 ② 画出放大电路的微变等效电路。 ③求电压放大倍数A u