电镀工艺-ST-200雾纯锡工艺

锡浓缩液
低电流区很好,但电流 密度上限受影响
带出损耗大
分析并调整之
酸液
增加导电性 及镀层均匀 性
维持细致及 均匀镀层 维持细致及 均匀镀层
镀液导电性差,镀层不 均匀
镀层均一性不受影响
高电流区烧焦
第一添加剂
高电流区烧焦,低电 流区不够细致 高电流区不够细致
以哈氏槽调整 (加第一添加剂, 以5ml/l逐量添加) 以哈氏槽调 整,(加第二添加 剂,以1ml/l逐量 添加)
ST-200雾纯锡工艺
一.
简
介
此工艺为一低泡沫的有机酸电镀 工艺,能在高速和低速下电镀出沉积 均匀,多边形晶粒纯锡镀层
ST-200雾纯锡工艺
内容 1.简介 2.组成及操作条件 3.哈氏片外观 4.总结二. 组成及操作条件
产品 锡浓缩液 酸液 第一添加剂 第二添加剂 RD浓缩液 温度 搅拌 单位 g/l g/l ml/l ml/l ml/l ℃ 最佳条件 65 200 100 5 10 50 玻棒 范围 55~75 165~230 70~130 2~8 5~20 45~55
三. 哈氏片外观
正常操作条件 电流:5A 时间:1min 温度:50℃ 搅拌:玻棒
温度的影响
温度过高 60℃ HCD烧 焦,0.3ASD以下 漏镀
温度过低 40℃ HCD烧焦,LCD轻 微漏镀
酸的影响
酸过高 270g/l HCD粗糙, 0.3ASD以下漏 镀 酸过低 142g/l HCD轻微粗糙, 0.3ASD以下漏 镀
锡的影响
锡过高 85g/l HCD轻微粗 糙,0.3ASD以下 漏镀
锡过低 45g/l 20ASD以上烧 焦,LCD轻微漏镀
第一添加剂的影响
第一添加剂过高 150ml/l 23ASD以上烧焦, 0.3ASD以下漏 镀 第一添加剂过低 50ml/l 23ASD以上烧 焦,LCD轻微漏镀
第二添加剂的影响
第二添加剂过高 10ml/l HCD轻微粗 糙,LCD漏镀
第二添加剂过低 2.5ml/l HCD轻微粗 糙,LCD漏镀,镀 层均一性差
四. 结
参数 温度 作用
偏低
论
问题
偏高
从以上哈氏片外观结果可总结出:ST-200雾纯锡工艺参数作用如下:
改善对策 镀液氧化加快 调整之
维持电流密 度范围
提供主盐
电流密度上限受影响
第二添加剂
镀层不够细致,且均一 性差