实验三 晶体管变频器

1C8与2C8 为联调电容
1 RW 1 P 1
混频器
1 C2 0 . 0 1 uF 1 C6 1 50 K 1 C4 8 2p F 3 R4 1 0K 2 5/ 2 pF 1 T2 3 R2 4 7K 3 K1
一中放
3 T1 3 C1 2 3 C9 8 2p F 2 5/ 2 pF 3 PT 2 3 DG 6 NPN 3 R3 1 8K 3 C1 0 . 0 1 uF 3 C5 3 R5 0 . 0 11u0 K F 3 R1 1 . 8 K 3 C2 0 . 0 1 uF 3 C4 0 . 0 1 uF 3 R6 3 0K 3 C7
0 . 0 1 uF
1C8
1 C8 1 C5 3 0/ 1 0p F
1 C7 2 2p F 1 T1
1 R1 7 . 5 K 3 DG 6 NPN
3 C3 0 . 0 1 uF
2 0/ 5 pF 1 R3 2 0
1 R2 7 . 5 K
1 R4 1 . 8 K 1 C1 0 . 0 1 uF m A 1 C3 0 . 0 1 uF
1M1 2M1
注意：
短接线，
万用表使用， 旋钮使用。
三 实验内容及步骤
1 观察混频器输出高频信号Vs(t),本振信号
Vo(t)和输出中频信号Vi(t)的波形,了解三 者之间的频率关系. （1）单频正弦信号 本振信号为 （2）高频调幅信号
16.5M信号
调幅波
B
A
ma
A B 100% A B
混频

混频管可看成线性参变元件 晶体管怎么成为线性参变元件：有大小两个 信号同时作用于晶体管的基极，由于大信号的 控制作用，晶体管的静态工作点随它变动，这 就使晶体管的跨导亦随时间不断变化。这样， 对小信号来说，可以把晶体管看成一个变跨导 的线性元件，跨导的变化主要取决于大信号， 基本上与小信号无关。
理论值ma＝
2V 1.4 100 Ω ＝ 47 ％ V 300 ＝
示波器打开混淆抑制(ACQUIRE 按钮 ) 逆时针调节示波器水平控制旋钮
1°高频信号已调波经过混频后,仅改变其载波频率,调 制类 型, 调制的参量并不发生变化,Vs为调幅波,Vi 仍为调幅波包络的形状不变. 2° 满足fi=f0-fs. 3° Vs应为弱信号,Vs过大,将使Vi产生包络失真 （产生新的频率分量）(不做)
1M1
3 PT 1 2 L2 +12 v
1 M 1
2M1
2 RW 1 1 50 K
2 M 1 m A 2 C2 0 . 1 u F
2 C3 0 . 0 1 uF 2 R9 8 . 2 K
2 C1 2 0 . 0 1 uF
0 . 1 m
H
2 R6 2 . 4 K 2 C7 2 R3 8 . 6 K 3 0p F 3 DG 6 NPN 2 K1 2 2 C5 4 70 p F 2 C6 3 00 p F 2 2 C9 L 1 2 uH 2 5/ 2 pF 2 C4 1 00 p F 2 R1 0 2 C8 3 0/ 1 0p F 7 . 5 K P I N 2 R1 1 0K 2 R7 5 1K 2 R2 3 0K 0 . 0 1 uF S ? 2 C1 1 2 K2 2 C1 0 3 DG 6 NPN 2 PT 1
2 研究变频增益与分配给工作点电流IE的关系.
变频跨导、变频增益、工作电流关系：
当Vom一定时，在IE较小或较大时，gc都减少。变频增益与gc 成正比。
3 研究变频增益与注入本振电压Vo的关系.
变频跨导、变频增益、本振电压幅度
当工作点Q取定，即IE一定后。当Vom较小时，跨导中的基波分量很小，变 频跨导也很小，所以变频增益很小。当Vom增大时，变频跨导随之增大，变 频增益增大。当超过某值后，保持怛定，基本不变。当 Vom过大时,变频增 益有所下降。
实验三 晶体管混频器
一 实验目的 1 通过对变频器各点波形的观察,加深了解输入信号(待 处理信号)经过变频器后产生的变化,以及输出信号的 频率与输出信号和本振信号的频率之间的关系. 2 通过研究变频增益与变频管工作点电流及所注入本振 电压间的关系,了解变频器工作状态的选取原则和范围。 二 实验电路 本实验电路由本振,混频,中放构成.中放用以将混频输出 的弱中频信号加以放大,便于观察和测量. 电路图见下页
4
写出结论,并进行理论分析.
结 论
只有选择合适的静态工作点和注入适当大小的本振 电压, 才能使混频增益达到最大,混频噪声最小.
0 . 0 1 uF 2 RW 2 R8 1 K 2 2 C1 3 0 . 0 1 uF 2 . 2 K
3
1
1 2 R4 1 2K 2 C1 4 73 p F
2 R5 3 K
3
2 C1 4 1 00 0 pF
2
振荡器
源自文库
2C8
射随器
1PT1波形受本振 影响出现失真
硬件电路实物
+E1
KA2、KA3
RF Signal 1