哈尔滨工业大学806半导体物理
哈尔滨工业大学专业课参考书目-推荐下载
自命题试题参考书目报考学科代码考试科目参 考 书 目编（著）者出 版 社《现代控制工程》第四版Katsuhito Ogata电子工业出版社《自动控制原理》上、下册裴润，宋申民哈尔滨工业大学出版社0811控制科学与工程801控制原理《自动控制原理》第五版胡寿松科学出版社808理论力学《理论力学》（第7版）哈尔滨工业大学理论力学教研室编高等教育出版社新编材料力学（第2版）张少实机械工业出版社809材料力学材料力学（第三版上、下册）刘鸿文高等教育出版社0801力学（航天学院）810弹性力学《弹性力学》（上册）徐芝纶高等教育出版社《自动控制原理》鄢景华 哈工大出版社807控制理论《自动控制原理》胡寿松国防工业出版社《理论力学》程靳高等教育出版社082501飞行器设计、082504人机与环境工程816工程力学《材料力学》张少实机械工业出版社《物理光学》梁铨廷机械工业出版社0803光学工程805物理光学Ⅰ《物理光学与应用光学》石顺祥西安电子科大出版社2000«激光原理»第五版周炳琨 等国防工业出版社2004817激光原理«光电子学原理与应用»王雨三 等哈工大出版社2002080901 物理电子学842物理光学Ⅱ«物理光学与应用光学»石顺祥西安电子科大出版社2000080903微电子学与固体电子学806半导体物理《半导体物理学》（第七版）刘恩科等电子工业出版社，2008年《信号与系统》王宝祥哈工大出版社《信号与系统》（上、下）郑君里高等教育出版社0810信息与通信工程803信号与系统和数字逻辑电路《数字电路》龚之春电子科技大学出版社《电磁场与电磁波》邱景辉哈工大出版社2001《电磁场与电磁波习题解答》马汉炎哈工大出版社2002《电磁场与电磁波》赵家升电子科技大学出版社080904电磁场与微波技术804电磁场与电磁波《电磁场与电磁波》陈抗生高等教育出版社2003工程流体力学《工程流体力学》陈卓如高等教育出版社(第二版)2004年（选答试题：0807动力工程及工程热物理820工程热力学《工程热力学》严家騄中国电力出版社传热学《传热学》杨世铭、陶文铨高等教育出版社（第三版）燃烧学《燃烧理论与设备》徐旭常机械工业出版社空气动力学）《气体动力学基础》潘锦珊国防工业出版社《软件工程_原理、方法与应用》史济民等高等教育出版社《C 程序设计》谭浩强清华大学出版社085212软件工程834软件工程基础《JAVA 语言程序设计》（美）Y.Daniel Liang 著 王镁 李娜译机械工业出版社1.《基础电子技术》蔡惟铮高等教育出版社，20042.《集成电子技术》蔡惟铮高等教育出版社，20043.《模拟电子技术基础》（第四版）华成英高等教育出版社，20064.《数字电子技术基础》（第五版）阎 石高等教育出版社，20065．《电子技术基础》（模拟部分第五版）康华光高等教育出版社，20066．《 电子技术基础》(数字部分第五版）康华光高等教育出版社，20067．《模拟电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社，2009（第2次印刷） 8．《数字电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社，2010（第3次印刷）0804仪器科学与技术826电子技术基础注：在（1）（2）（7）（8）、（3）（4）（7）（8）和（5）（6）（7）（8）中任选一套电路部分教材: 《电路理论基础（第三版）》陈希有高教出版社，2004年《电路(第五版)》邱关源高教出版社，2006年电路部分参考书:《电路考研大串讲》孙立山科学出版社，2006年《电路名师大课堂》，孙立山科学出版社，2006年数字电子技术部分：①《基础电子技术》蔡惟铮高等教育出版社，2004年②《集成电子技术》蔡惟铮，高等教育出版社，2004年③《数字电子技术基础》（第五版）阎 石高等教育出版社，2006年0808电气工程827电路与数字电子技术④《数字电子技术基础》（数康华光高等教育出版社，2006字部分第五版）年⑤《数字电子技术基础学习指导与考研指南》王淑娟高等教育出版社，2010年（第3次印刷）注：在(1) (2) (5)、(3)(5)和(4)(5)中任选一套。
最新哈尔滨工业大学文献检索
[作者]王昭玲
[题目]信息技术应用于中专“半导体物理”课堂教学的研究
[培养单位]首都师范大学
[年代]2005-04-01
[摘要]本文从中专微电子专业的“半导体物理”课堂教学实践出发,依据建构主义学习理论,探索如何利用信息技术改革中专“半导体物理”课堂教学,激发学生主动学习的积极性;探讨如何挖掘出信息技术在半导体物理教学中应用的潜力,并有效地将信息技术应用在课堂教学中,使学生在课堂中获得较好的学习效果。
[文献来源]半导体学报
[年卷期] 2003年10期
[摘要] 简要介绍了第 2 6届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题 ,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作 ,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向 .
[作者]夏建白； 黄昆；
[摘要]:本书较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术.
[作者]何宇亮
[书名]《非晶态半导体物理学 》
[出版年代]1989.06
[作者]张立莉
[题目]在半导体制造中使用物理气相沉积代替化学气相沉积来生长氮化钛阻挡层
[培养单位]天津大学
[年代]2008-12-01
[摘要] 本文采用物理气相沉积方法,并且结合半导体相关理论,对优化半导体整体制程中的氮化钛阻挡层的生长进行了深入的研究。本文介绍了半导体芯片制造的工艺流程,以及具体介绍物理气相沉积工艺的特性和控制参数。
[作者]陈军全； 陈星；
[题目]半导体器件和电路温度效应的多物理场协同计算
[出版社名称]高等教育出版社
半导体物理50本书
半导体物理50本书1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.72、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.53、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.74、半导体超晶格物理214/X26夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社19955、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.56、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社19997、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.128、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.69、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社199710半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明，王建农著科学出版社1999.511、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.612、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.913、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚，<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.614、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤，杨树人编著国防工业出版社1995.1215、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.616、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.717、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.218、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社200219、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.720、半导体器件物理612/Y75余秉才，姚杰编著中山大学出版社1989.621、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.622、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.223、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.624、半导体激光器及其应用633/H827黄德修，刘雪峰编著国防工业出版社1999.525、现代半导体物理O47/X172夏建白编著北京大学出版社200026、半导体的电子结构与性能22/Y628 <英>W.施罗特尔主编科学出版社200127、半导体光电子技术9/Y770余金中编著化学工业出版社2003.428、半导体器件研究与进展.三6/W36/3王守武主编科学出版社1995.1029、国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”学术论文集:项目编号：69896260(2001.7-2002.5)638/G936/2001-022002.630、半导体激光器件物理学665/T23 <英>G.H.V.汤普森著电子工业出版社198931、半导体的检测与分析34/Z66中国科学院半导体研究所理化分析中心研究室编著科学出版社198632、材料分析测试技术:材料X射线衍射与电子显微分析55/Z78周玉,武高耀编著哈尔滨工业大学出版社1998.833、光纤通信用光电子器件和组件TN929.11/H800.2黄章勇编著北京邮电大学出版社200134、硅微机械加工技术571.2/H76黄庆安科学出版社1996.35、X射线结构分析与材料性能表征O72/T49滕凤恩科学出版社1997.1236、非线性光学频率变换及激光调谐技术O436.8/Y35姚建铨科学出版社;1995.337、半导体光检测器631.5/Z22 (美)W.T.Tsang主编电子工业出版社1992.338、介观物理O462/Y17阎守胜,甘子钊主编北京大学出版社1995.439、人工物性剪裁:半导体超晶格物理、材料及新器件结构的探索211.1/Z57郑厚植编著湖南科学技术出版社1997.40、光学薄膜原理O437.14/L63林永昌,卢维强编著国防工业出版社199041、半导体物理学2/L71B刘恩科，朱秉升等编国防工业出版社1979.1242、半导体物理学2/L33李名复著科学出版社1991.243、半导体物理与器件2/X58忻贤坤编著上海科学技术文献出版社1996.244、砷化镓微波功率声效应晶体管及其集成电路624.26/L35李效白编著科学出版社1998.245、半导体测试技术55/S98孙以材编著冶金工业出版社1984.1046、X射线衍射与电子显微分析基础O439.634/M18马咸尧主编华中理工大学出版社1993.847、砷化镓的性质572.162/Y14亚当斯.A.R.等著科学出版社199048、高等激光物理学O45/L31李福利编著中国科技大学出版社1992.849、半导体器件工艺616/D52电子工业半导体专业工人技术教材编写组上海科学技术文献出版社1984.150、凝聚态物理学新论O462.031/F61N冯端,金国钧著上海科学技术出版社1992.12“压力传感器的设计制造与应用”目录压力传感器的设计制造与应用作者：孙以材出版：北京冶金工业出版社2000 年出版尺寸：20cmISBN：7-5024-2400-8形态：615 页- 107 章节定价：CNY40.00附注：河北省教育委员会学术著作出版基金资助浏览：在线阅读全文下载摘要本书主要介绍压阻型压力传感器的原理、弹性力学应力机械加工到芯片封接与引线;介绍压力传感器的技术特性、选用及各种热漂移补偿技术等。
某同学准备报考哈尔滨大学的航天航空专业研...(1)
1．某同学准备报考哈尔滨大学的航天航空专业研究生，需要检索复习资料比如研究生招生考试和入学考试题目、招生简章、相关大学本专业最新资料，及本专业的就业前景.2. 专业内不同导师的各自简历、发表文献、科技成果、申请的专利信息及国家级科研课题。
3. 如需要去该大学复试，请检索该城市和大学的电子地图，以及具体的联系人和联系方式。
选择检索工具1.中国知识网CNKI.2．维普3．百度4．搜狗5．哈尔滨工业大学相关网站6．读秀网检索途径本课题采用主题（关键词）及分类途径相结合。
电子地图检索电子地图检索结果确定检索词百度搜索——哈尔滨工业大学研究生院检索结果在哈尔滨工业大学主页，点击“2011年招生简章”哈尔滨工业大学2011年硕士研究生招生简章来源：考试大 [ 2010年8月31日] 字号：T | T一、报考条件1.拥护中国******************的领导，积极为社会主义现代化建设服务，品德良好，遵纪守法。
2.考生的学历必须符合下列条件之一：(1)国家认可的国民教育系列高等院校的应届本科毕业生(必须在硕士生入学前取得本科毕业证书);(2)具有国家认可的国民教育系列高等院校大学本科毕业学历的人员;(3)达到与大学本科毕业生同等学力者，这类考生通过初试后需加试两门本科专业基础课，且必须具备以下两个条件：招生专业目录哈尔滨工业大学2011年研究生招生专业目录(2)2010-8-30 23:39哈尔滨工业大学【大中小】【我要纠错】2011年哈工大深圳研究生院招生学科目录与招生计划专业检索报考航天航空专业：院系：航天航空学院；专业：飞行器与工程设计专业点击查询专业简介检索结果飞行器设计与工程1）飞行器设计与工程专业简介飞行器设计与工程专业的前身是1959年成立的战略导弹总体设计专业，文革期间停办，1990年根据国家航天发展和国防建设需要恢复专业招生，1991年根据国家教委专业设置的原则，更名为飞行器设计与工程专业。
哈工大博士研究生考试科目参考书目录完整版
[2063]《电力电子学——电力电子变换和控制技术》，高等教育出版社，陈坚；《现代电力电子技术》，机械工业出版社 2006，林渭勋；
[2025]《等离子体物理学》，高等教育出版社 2006年，李定等编着；
[2026]《现代控制理论》，哈尔滨工业大学，于长官；
[2027]《非粘性流体动力学》清华大学出版社，董曾南，章梓雄；
[2028] 《高等工程热力学》，西安交通大学，苏长荪
003计算机科学与技术学院
[2031]并行处理与体系结构[2032]数据库原理
011物理系
[2111]激光物理
[2112]固体物理
[2113]高等量子力学
[2111]《高等激光物理学》，高等教育出版社，李福利；
[2112]《凝聚态物理学(上卷)》，高等教育出版社，冯端 金国钧；《固体物理学》，高等教育出版社，黄昆等；
[2113]《高等量子力学》哈尔滨工业大学出版社，井孝功；《量子力学》（上、下册），科学出版社，曾谨言；
[2013]《误差理论与数据处理》，哈尔滨工业大学出版社，2002，丁振良。
[2014]《现代传感技术》，电子工业出版社，1992，金篆芷。《智能传感器系统》，西安电子科技大学出版社，1999，刘君华。《现代传感技术》，电子工业出版社，2005，李科杰等。
002能源科学与工程学院
[2021]高等传热学
006电气工程系
[2061]电机与电器电磁场理论
[2062]电力网络解析与优化[2063]现代电力电子技术
[2064]电磁场理论
半导体物理历年真题参考答案---bySYP哈工大半导体考研真题
14)简并半导体：当杂质浓度足够高时，费米能级接近导带底甚至进入导带(N型)或者接近价带甚至进入价带的情况(P型)．说明导带底附近的量子态基本被电子占据，价带顶附近基本被空穴占据，这种情况玻尔兹曼分布来近似已不适合，必须用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题，称之为载流子的简并化，这时半导体称为简并半导体．
33)表面复合：半导体表面处杂质和表面特有的缺陷（表面态或界面态）在禁带中形成复合中心（也称为表面能级），通过这种复合中心在半导体表面发生复合的过程，称为表面复合，它是一种间接复合。
34)表面复合率：半导体表面复合过程中单位时间内通过单位表面积上复合掉的电子-空穴对数，称为表面复合率。实验证明，表面复合率US=s·（Δp）S.
19)载流子：能够荷载电流的粒子称为载流子，在半导体里有电子和空穴两种载流子。
20)热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子平均能量比热平衡时大，因而载流子能量大于晶格系统能量，载流子和晶格系统不再处于热平衡状态，称此状态下的载流子为热载流子。
21)准费米能级：在热平衡情况下可以用统一的费米能级EF描述半导体中电子在能级之间的分布.当有非平衡载流子存在时,不再存在统一的费米能级. 在这种情况下,处于非平衡状态的电子系统和空穴系统, 费米能级和统计分布函数仍适用，可以定义各自的费米能级,称为准费米能级，它们都是局部的费米能级，包括导带准费米能级和价带准费米能级.
53)扩散长度：表示半导体中载流子边扩散边复合的过程中，载流子浓度减小至原值的1/e的距离，有空穴扩散长度Lp和电子扩散长度Ln。
2014哈尔滨工业大学考研专业课参考书目
苏小红、孙志岗、陈惠鹏
电子工业出版社，2012年6月
《C语言大学实用教程学习指导（第3版）》
苏小红，孙志岗
电子工业出版社,2012.07
《软件工程-理论、方法与实践》
刘强，孙家广
高等教育出版社，2006年5月
《Software Engineering: A Practitioner’s Approach (Seventh Edition)》（《软件工程：实践者的研究方法（原书第7版）》）
④《数字电子技术基础学习指导与考研指南》
王淑娟
高等教育出版社，2010年（第3次印刷）
注：在(1) (4)、(2)（4）或(3)(4)中任选一套。
理学院物理系
613
普通物理
新概念物理教程《光学》
赵凯华
高等教育出版社出版，2004年版
《OPTICS》(光学)（第四版）(张存林改编)
Eugene Hecht
燃烧学
《燃烧理论与设备》
徐旭常
机械工业出版社
空气动力学）
《气体动力学基础》
潘锦珊
国防工业出版社
计算机科学与技术学院
834
软件工程基础
《C语言程序设计（第2版）》
苏小红、王宇颖、孙志岗
高等教育出版社，2013年6月
《C语言程序设计学习指导（第2版）》
苏小红，车万翔，王甜甜
高等教育出版社,2013.08
薛建成
外语教学与研究出版社
241
俄语（二外）
《新大学俄语简明教程》（二外、零起点、成人）
蒋财珍主编
高等教育出版社
242
日语（二外）
《新大学日语标准教程》（基础篇1-2册）(提高篇1-2册)
哈工大专业课参考书目
何曼君等编
复旦大学出版社，2000年第2版.
824
复合材料学
《复合材料概论》
王荣国武卫莉谷万里主编，
哈尔滨工业大学出版社，2004年第3版
《高性能复合材料学》
郝元凯、肖加余编著，
化学工业出版社，2004年第1版
825
金属学与热处理
《金属学与热处理》
崔忠圻、刘北兴编
哈尔滨工业大学出版社，2004年修订版。
濮良贵
高等教育出版社
0872设计学（工业设计方向）
625
工业设计概论与设计史
工业设计学概论
柳冠中
黑龙江科学技术出版社1997版次1
工业设计史（修订版）
何人可
北京理工出版社2004版次2
838
人机工程与工业设计方法
人机工程学（第三版）
丁玉兰
北京理工出版社2006版次3
工业设计方法学
简召全
北京理工出版社2011版次1
高等教育出版社（第三版）
燃烧学
《燃烧理论与设备》
徐旭常
机械工业出版社
空气动力学）
《气体动力学基础》
潘锦珊
国防工业出版社
085212软件工程、0835软件工程
834
软件工程基础《C语Fra bibliotek程序设计》苏小红、王宇颖、孙志岗
高等教育出版社，2011年5月
《C语言大学实用教程》（第3版）
苏小红、孙志岗、陈惠鹏
电子工业出版社，2012年6月
哈尔滨工业大学理论力学教研室编
高等教育出版社
809
材料力学
新编材料力学（第2版）
张少实
机械工业出版社
材料力学（第三版上、下册）
《(最新)[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总-半导体物理真题》
![《(最新)[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总-半导体物理真题》](https://img.taocdn.com/s3/m/ac110a00ed630b1c58eeb522.png)
哈尔滨工业大学一九九九年研究生考试试题考试科目：半导体物理学报考专业：微电子与固体电子学（半导体材料）一、说明下列概念或名词的物理意义（２０分）１、有效质量２、载流子散时３、状态密度４、陷阱中心５、光电导６、空穴７、直接复合与间接复合８、少子寿命９、热载流子１０、受主杂质与施主杂质二、简述１、用能带论定性地说明导体，半导体和绝缘体的导电性（１０分）２、什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法（１０分）３、耿氏振荡的机理（２０）三、已知在ＭＯＳ电容的ＳiO2层中存在着Ｎa正离子和介面固定电荷，请设计一种实验方法测定两种电荷的面密度（库仑／厘米）（２０分）四、有一面积很大的半导体薄片，厚度为w，以稳定光源均匀照射两面，设光只在表面层内产生电子空穴对，在小注入条件下，ΔP(0)= P1 ; ΔP(W)= P2。
问：1．片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？（4分）2．试确定片内非平衡载流子的分布？（16分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级6、布里渊区2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、欧姆接触4、表面势9、平带电压5、表面反型层10、表面复合速度二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级6、施主与受主杂质2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、光电导4、表面势9、深能级杂质5、表面反型层10、表面复合速度二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以n型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）哈尔滨工业大学第 1 页共 2 页二○○二年硕士研究生考试试题考试科目:半导体物理报考专业:微电子学与固体电子学考试科目代码：[ ]考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。
半导体物理_(刘恩科_教材版本)
金刚石的原子排列
(d)(111)面的堆积，(e){100}面的投影
注：<100>表示 [100],[010],…等六个晶格方向； {110}表示(110),(101),…等六个密勒指数的晶 面方向。 (d):取垂直于(c)中对角线的平面，如一个顶角最 近邻的三个顶角，这三个顶角构成了(111)面。
1 金刚石型结构和共价鍵
许多材料的结构与金刚石相同，故称之为金刚石型结构。 这些材料的第IV族的 C(碳)、Si(硅)、Ge(锗)、Sn(锡)，而 Si和Ge均是重要的半导体材料。
特点：1.金刚石型结构为两个面心立方的套构。一个
基元有两个原子，相距为对角线长度的1/4，n=2。 因此，晶格的格波有3n支离子振动格波，3个声学 波和3n-3个光学波。 正四面体：顶角、中心有原子 电子云密度大-共价鍵-配位数
1.2 半导体中的电子状态和能带
1.原子的能级和晶体的能带 原子能级的简并及消失 当N个原子相距很远时，每个原子的电子壳层完全相同， 即电子有相同的能级，此时为简并的。 当N个原子相互靠近时，相邻原子的电子壳层开始交叠， 电子不再局限在一个原子上，通过交叠的轨道，可以转 移到相邻原子的相似壳层上，由此导致电子在整个晶体 上的“共有化”运动。 另外，由于2个电子不能有完全相同的能量，交叠的壳层 发生分裂，形成相距很近的能级带以容纳原来能量相同 的电子。原子相距越近，分裂越厉害，能级差越大。由 此导致简并的消失。
所有电子的k状态均变化相同， * 在价带顶， a q E / mn ，空穴带正电，力为qE, m*n<0, 令mp*=- mn* 表示空穴的 有效质量在价顶为正。
引入 概念，把价带中大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达。 因此，半导体中的导电机构有两种：电子和空穴。而金属只有电 子一种。 作业： P32 1、2
哈尔滨工业大学(威海)分校专业目录考试科目参考书复试线报录比真题经验-新祥旭考研辅导
学院名称学科代码学科名称考试科目船舶与海洋工程学院0824船舶与海洋工程①101政治②201英语一③301数学（一）④898船舶原理（船舶静力学40%，船舶结构力学30%，船舶阻力与推进30%）。
考试科目④可选下列学科考题：机械电子工程、控制科学与工程、电气工程、材料加工工程、信息与通信工程和力学（航天学院）。
080202 机械电子工程①101政治②201英语一③301数学(一) ④839机械设计基础（含机械原理与机械设计）考试课目④可选下列学科考题：仪器科学与技术、计算机科学与技术、电气工程、控制科学与工程085201 机械工程同上海洋科学与技术学院0707 海洋科学按一级学科0707海洋科学报名（含海洋化学、物理海洋学、海洋资源与环境三个方向）。
考试科目：①101政治②201英语一③302数学（二）④899物理海洋学（物理海洋方向）或880有机化学（海洋化学方向）或883环境化学（海洋资源与环境方向）。
海洋生物学方向：①101政治②201英语一③623微生物学④890生物化学原理。
0817化学工程与技术①101政治②201英语一③302数学（二）④828物理化学085216 化学工程同上汽车工程学院080204 车辆工程①101政治②201英语一③301数学（一）④836汽车理论（第五版）085234 车辆工程同上0807 动力工程及工程热物理①101政治②201英语一③301数学（一）④820工程流体力学（内含部分选答试题：工程热力学，传热学，燃烧学，空气动力学）注：820工程流体力学试卷的工程流体力学内容（必答题）占总成绩50%。
其余选答题包括：工程热力学、传热学、燃烧学、空气动力学，占总成绩50%。
考生可在选答题中任选其一。
085206 动力工程同上信息与电气工程学院0810信息与通信工程按一级学科报名，含081001通信与信息系统、081002信号与信息处理两个二级学科。
考试科目：①101政治②201英语一③301数学（一）④803信号与系统（50%）和数字逻辑电路（50%）085208电子与通信工程考试科目同上0811控制科学与工程①101政治②201英语一③301数学（一）④801控制原理（覆盖现代控制理论）085210 控制工程同上0808 电气工程①101政治②201英语一③301数学（一）④827电路与数字电子技术085207 电气工程同上080903微电子学与固体电子学①101政治②201英语一③301数学（一）④806半导体物理可选下列学科考题：计算机科学与技术、物理电子学、信息与通信工程、仪器科学与技术、控制科学与工程085209 集成电路工程①101政治②201英语一③301数学（一）④806半导体物理0804仪器科学与技术①101政治②201英语一③301数学（一）④826电子技术基础可选下列学科考题：光学工程、机械工程计算机科学与技术学院0812计算机科学与技术①101政治②201英语一③301数学（一）④ 854 计算机基础（含数据结构、计算机组成原理）085211 计算机技术同上材料080502 材料学①101政治②201英语一③302数学（二）④822材料结构与力学科学与工程学院 性能（金属材料与陶瓷材料方向，高分子材料方向选）或823高分子材料（高分子材料方向选）或 824复合材料学（航天学院材料学学科选） 080503 材料加工工程 ①101政治②201英语一③302数学（二）④825金属学与热处理085204 材料工程 ①101政治②201英语一③302数学（二）④822材料结构与力学性能或825金属学与热处理理学院 0702 物理学 ①101政治②201英语一③613普通物理（光学50%，电磁学50%）④833量子力学, 注：威海校区光学方向，还可选择下列学科考题：物理电子学、光学工程、微电子学与固体电子学。
微电子各校初复试考试科目
集成电路工艺与器件④817 电子线路与集成电路设计02方向①101 政治理论②201英语③ 3 01数学④818 半导体器件原理计、CAD复试方式：口试路计算机模拟09VLS I 技术与可靠性、新型材料与器件10VLS I 与高密度集成技术12 新型半导体器件与集成电路技术14 新型半导体器件和VLSI 可靠性17VLS I 设计方法学18VLS I 系统设计和半导体集成电路工艺技术19SOC 设计方法学20VLS I 设计与可制造性研究21 微波功率半导体器件22 宽禁带半导体材料和器件23VLS I 器件模型及仿真24 混合信号集成电路设计25 新型半导体材料、器件与集成教授刘红侠教授马佩军副教授刘毅副教授王俊平教授赵天绪教授刘英坤教授张进成教授吕红亮副教授朱樟明教授贾护军副教授杨林安教授胡辉勇副教授冯倩副教授蔡觉平副教授包军林副教授高海霞副教授汤晓燕副教授董刚副教授娄利飞副教授吴振宇副教授张金风副教授集成电路毅副教授技术1913方向：王电子电路俊平副教模块设计授与仿真2014方向：赵新型半导天绪教授体器件和21VLSI 可方向：刘靠性英坤教授1722 VLSI 设方向：张计方法学进城副教18授VLSI 系23统设计和方向：吕半导体集红亮副教成电路工授艺技术2419方向：朱SOC 设樟明副教计方法学授2025 VLSI 设方向：贾计与可制护军副教造性研究授2126微波功率方向：杨半导体器林安教授件2822方向：胡宽禁带半辉勇副教导体材料授和器件2923方向：冯VLSI 器倩副教授件模型及30仿真方向：蔡24觉平副教混合信号授集成电路31设计方向：冯25晖研究员新型半导32体材料、方向：包器件与集军林副教成授2633宽禁带半方向：高导体物理海霞副教与器件授2834高速半导方向：汤体器件与晓燕副教集成电路授技术3529方向：董宽禁带半刚副教授导体材料和器件30 大规模集成电路设计31 RF、微波功率器件和电路32 微电路可靠性33F PGA 设计、集成电路低功耗设计、宽禁带半导体器件仿真34 宽禁带半导体材料和器件的研究35 系统集成技术及集成都电子科技大学2007 年微电子学与固体电子学招生目录招生年份：2007 年本专业招收人数：110 专业代码：080903研究方向导师考试科目试复同等学历备注0陈①电A★▲1新型星弼院101 政路分析03 大功率半士治基础学物理导体器△ r01 、②或电路件与集02 、05201 英分析基成电路( 030语础和系统1) ③B0杨301 数03 数2大规谟华学一字电路模集成△ r02 、④或固体电路与03 、04401 半物理系统( 030导体物02) 理或3专用李419 数集成电平字电路路与系△ r02 、与模拟统03 、04电路0( 0304系统3)芯片集张成技术波0△ r01 、5微电03 、04子学理( 030论与技4)术夏0建新6微波、*r01 、超高速05 、07器件与( 031电路5)0张7新型庆中固体器r01 、件与应05 、08用( 03208)8固体王信息、鲁豫件与应用0 8固体信息、传感和存储技术及微组装技术*r02 、03 、04（0318 ）罗佳慧*r03 、07 、08（0319 ）刘强*r07（0328 ）张庆中r01 、05 、08（0329 ）王鲁豫r03 、04 、06（0330 ）赵建明r01 、03 、06（0331 ）叶星宁r01 、03 、04（0332 ）陈勇r02 、04 、05（0333 ）罗萍r01 、03 、04（0334 ）刘诺06 微机原理与应用6 07 电磁场与电磁波6 08 信号与系统6 09 数字电路6 10 计算机组成原理6 11 固体物理612 生物化学6 13 随机信号分析（信息获取与探测技术学科必选）任选一科（不得与初试、复试科目相同）感谢阅读。
半导体物理分章答案第二章
ED
③Au一：Au0 + e →Au一
EC 0.04eV
ED
Eg
EV
EA 0.15eV
Eg EV
④Au二：Au一 + e →Au二
0.20eV EA2 EA1 0.15eV EC Eg EV
⑤Au三：Au二 + e →Au三
EA3 EA2 EA1 0.15eV EC Eg EV
0.04eV
例如：GaAs中掺Si（IV族）
Si
Si
Ga As
施主
受主
§2.3 缺陷能级
Imperfection Level
1、点缺陷
常见点缺陷
• 空位
• 间隙原子 • 反结构缺陷
哈尔滨工业大学微电子科学与技术系
（1）Si中的点缺陷
以空位、间隙和复合体为主。 • A、空位 V0 + e → V-（受主） V0 - e → V+（施主）
• NA>ND时：p 型半导体 因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空 位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电 离到价带上。
有效受主浓度： NA*=NA-ND
• NA≌ND时：杂质高度补偿
高度补偿：若施主杂质浓度与受主杂质尝试相差不大或二 者相等，则不能提供电子或空穴，这种情况称 为杂质的高度补偿。 本征激发的导带电子
m* q 4 p
(4)
（mn*和mp*分别为电导有效质量） 估算结果与实际测量值有 误差，但数量级相同。 这种估算有优点，也有缺 点。 • Ge：△ED~0.0064eV • Si： △ED~0.025eV
6、杂质补偿
半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，受主杂质 会接受施主杂质的电子，导致两者提供载流子的能力相互 抵消，这种作用称为杂质补偿。 在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方 法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。
哈工大--课件半导体物理(第二章)模板
故
ED
mn* m0
E0
2 r
0.1213.6 0.00637eV 162
对于Si，ml＝0.98m0 , mt =0.19m0, r =12 代入可得mn* 0.26m0
故
ED
mn* m0
E0
2 r
பைடு நூலகம்
0.26 13.6 122
0.025eV
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.4 深能级杂质
深能级的形成
Ⅵ族杂质.多于两个价电子被两个正电荷的杂质中心束缚， 类似于一个氦原子，其每个电子平均受到大于一电子电荷 的正电中心的作用，从而深能级杂质的电离能比浅能级杂 质要大。在电离出一个电子后，带有两个正电荷的杂质中 心使第二个电子电离需要更大能量，对应更深的能级，所 以Ⅵ族杂质在硅锗中一般产生两重施主能级，如锗中的硒、 碲。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级
浅能级杂质：电离能小的杂质称为浅能级杂质。
所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主 能级靠近价带顶。
室温下，掺杂浓度不很高的情况下，浅能级杂 质几乎可以可以全部电离。五价元素磷（P）、 锑（Sb）在硅、锗中是浅受主杂质，三价元 素硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In） 在硅、锗中为浅受主杂质。
杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受 主杂质时，它们的共同作用会使载流子 减少，这种作用称为杂质补偿。在制造 半导体器件的过程中，通过采用杂质补 偿的方法来改变半导体某个区域的导电 类型或电阻率。
§2.1半导体中的杂质能级
§2.1.3 杂质的补偿作用
1）ND NA ： 受主能级低于施主能级，剩余杂质 ND NA
哈工大博士研究生考试科目参考书目录完整版
[2081]机械控制工程
[2082]机电系统计算机控制[2083]控制理论基础
[2084]微分几何
[2085]微机原理及测控技术[2086]汽车系统动力学
[2087] 机器人技术
[2088] 现代精密与超精密加工技术
[2081]《控制理论及其应用》(第1-9章)，高等教育出版社，2009年12月，卢泽生。
[2085]《微型计算机原理及应用》，哈尔滨工业大学出版社，王承发；《微处理器应用—实时测试与控制》，科学出报社，蔡鹤皋译；
[2086]《车辆动力学与控制》，人民交通出版社2004，喻凡；《汽车系统动力学》，同济大学出版社1996，张洪欣；
[2087]《机器人机械设计》，电子工业出版社1995，龚振邦等；《机器人学导论》，机械工业出版社2006，[美]J.J. Craig着，贠超等译；
[2025]《等离子体物理学》，高等教育出版社 2006年，李定等编着；
[2026]《现代控制理论》，哈尔滨工业大学，于长官；
[2027]《非粘性流体动力学》清华大学出版社，董曾南，章梓雄；
[2028] 《高等工程热力学》，西安交通大学，苏长荪
003计算机科学与技术学院
[2031]并行处理与体系结构[2032]数据库原理
哈工大博士研究生考试科目参考书目录
哈尔滨工业大学博士生入学考试科目参考书目录
院系名称
考试科目
参考书目
001自动化测试与控制系
[2011]物理光学
[2012]数字信号处理
[2013]仪器精度理论
[2014]现代传感技术
[2011]《物理光学与应用光学》1-6章，西安电子科技大学出版社，石顺祥；
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哈尔滨工业大学2011年硕士研究生入学考试大纲
考试科目名称：半导体物理考试科目代码：[806]
一、考试要求：
全面系统地掌握半导体物理的基本概念、基本原理和物理过程，并能够运用理论对实际问题进行分析和计算。
二、考试内容：
1）能带论
a:半导体电子状态和能带
b:半导体电子的运动
c:本征半导体的导电机构
d:硅和锗的能带结构
2)杂质半导体理论
a:硅和锗晶体中的杂质能级
b:缺陷、位错能级
3)载流子的统计分布
a:状态密度与载流子的统计分布
b:本征与杂质半导体的载流子浓度
c:一般情况下载流子统计分布
d:简并半导体
4)半导体的导电性
a:载流子的漂移运动与散射运动
b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系
c:强电场效应
5)非平衡载流子
a:非平衡载流子的注入、复合与寿命
b:准费米能级
c:复合理论
d:陷阱效应
e:电流密度方程
f:连续性方程
6)p-n结理论
a:p-n结及其能带图
b:p-n结电流电压特性
7)金属-半导体接触理论
a:金-半接触、能带及整流理论
b:欧姆接触
8)半导体表面理论
a:表面态及表面电场效应
b:MIS结构电容-电压特性
c:硅-二氧化硅系统的性质
d:表面电场对p-n结特性的影响
9)半导体光电效应
a:半导体的光学常数和光吸收
b:半导体的光电导效应
c:半导体的光生伏特效应
d:半导体发光和半导体激光
三、试卷结构：
a)考试时间：180分钟，满分：150分
b)题型结构
a:概念简答题（30分)
b:论述题(60分)
c:理论推导及应用计算题(60分)
四、参考书目
1.刘恩科，半导体物理学，国防工业出版社
2.[美]施敏（S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社。