模拟电子技术自测题(选择题)

模拟电子技术自测题

2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_____B____ 载流子。

A. 有

B. 没有

C. 少数

D. 多数

2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生__D_______。

A. 负离子

B. 空穴

C. 正离子

D. 电子-空穴对

2.1.3半导体中的载流子为_____D____。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 电子和空穴

2.1.4.N型半导体中的多子是______A___。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 负离子

2.1.5.P型半导体中的多子是_______B__。

A. 电子

B. 空穴

C. 正离子

D. 负离子

2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流___A______漂移电流。

A. 大于

B. 小于

C. 等与

2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流___B______漂移电流。

A. 大于

B. 小于

C. 等于

3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位______B___。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.2.12·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位______A___。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.2.13·既能放大电压，也能放大电流的是____A_____组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.10·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的

相位____A____。

A. 同相

B. 反相

C. 相差90度

D. 不确定

3.6.12·可以放大电压，但不能放大电流的是___A______组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.13·可以放大电流，但不能放大电压的是____C_____ 组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的

是_____B____组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.15在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的

是______B___组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.16在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的

是______C___组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.6.17在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的

是_______B__组态。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

3.7.10·多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都______D___。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

3.7.11多级放大电路的级数愈多则上限频率f H越____B_____。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

3.7.12多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_____A____。

A. 大

B. 小

C. 宽

D. 窄

·4.1.1场效应管是利用外加电压产生的____B_____来控制漏极电流的大小的。

A. 电流

B. 电场

C. 电压

4.1.2场效应管是_____C____器件。

A. 电压控制电压

B. 电流控制电压

C. 电压控制电流

D. 电流控制电流

4.1.3·三极管是______D___器件。

A. 电压控制电压

B. 电流控制电压

C. 电压控制电流

D. 电流控制电流

4.1.4结型场效应管利用删源极间所加的____A_____来改变导电沟道的电阻。

A. 反偏电压

B. 反向电流

C. 正偏电压

D. 正向电流

4.1.5·场效应管漏极电流由_____C____的漂移运动形成。

A. 少子

B. 电子

C. 多子

D. 两种载流子

4.1.6P沟道结型场效应管的夹断电压V p为___A______。

A. 正值

B. 负值

C.v GS

D. 零

4.3.1·N沟道结型场效应管的夹断电压V P为_____B____。

A. 正值

B. 负值

C. 零

4.3.2·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压V P为_____A____。

A. 正值

B. 负值

C. 零

5.1.2·所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，_____D____。

A. 晶体管上得到的最大功率

B. 电源提供的最大功率

C. 负载上获得的最大直流功率D．负载上获得的最大交流功率

5.1.3·所谓效率是指_____D____。

A. 输出功率与输入功率之比

B. 输出功率与晶体管上消耗的功率之比

C. 输出功率与电源提供的功率之比

D. 最大不失真输出功率与电源提供的功率之比

5.1.4·甲类功放效率低是因为______B___。

A. 只有一个功放管

B. 静态电流过大

C. 管压降过大

5.1.5功放电路的效率主要与____C_____有关。

A. 电源供给的直流功率

B. 电路输出信号最大功率

C. 电路的工作状态

5.1.6在甲类放大电路中，放大管的导通角等于___B______。

A. 180

B. 360

C. 270

5.1.7在乙类放大电路中，放大管的导通角等于_____A____。

A. 180

B. 360

C. 270

5.1.8功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。A

A. 正确

B. 错误

5.1.9功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率的大小问题。A

A. 正确

B. 错误

5.1.10顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只要电压放大作用而没有功率放大作用。B

A. 正确

B. 错误

5.2.1·乙类双电源互补对称功放电路的效率可达______B___。