电力电子技术-西南大学2016年作业

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第一批

单选题

题目说明:

(10.0分)1.IGBT属于()控制型元件

A.A:电流

B.B:电压

C.C:电阻

D.D:频率

(10.0分)2.触发电路中的触发信号应具有()

A.A:足够大的触发功率

B.B:足够小的触发功率

C.C:尽可能缓的前沿

D.D:尽可能窄的宽度

(10.0分)3.

对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是()

A.A:P组阻断,N组整流

B.B:P组阻断,N组逆变

C.C:N组阻断,P组整流

D.D:N组阻断,P组逆变

(10.0分)4.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是() A.A:电容

B.B:电感

C.C:蓄电池

D.D:电动机

(10.0分)5.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角a的最大移相围是()A.A:90°

B.B:120°

C.C:150°

D.D:180°

(10.0分)6.具有自关断能力的电力半导体器件称为()

A.A:全控型器件

B.B:半控型器件

C.C:不控型器件

D.D:触发型器件

(10.0分)7.IGBT是一个复合型的器件,它是()

A.A:GTR驱动的MOSFET

B.B:MOSFET驱动的GTR

C.C:MOSFET驱动的晶闸管

D.D:MOSFET驱动的GTO

(10.0分)8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为()。A.A:控制角

B.B:延迟角

C.C:滞后角

D.D:重叠角

(10.0分)9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是()

A.A:有源逆变器

B.B:A/D变换器

C.C:D/A变换器

D.D:无源逆变器

(10.0分)10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()

A.A:减小至维持电流以下

B.B:减小至擎住电流以下

C.C:减小至门极触发电流以下

D.D:减小至5A以下

(10.0分)11.降压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,负载电压U o=12V,斩波周期T=4ms,则开通时T on=()

A.A:1ms

B.B:2ms

C.C:3ms

D.D:4ms

(10.0分)12.三相半波可控整流电路的自然换相点是()

A.A:交流相电压的过零点

B.B:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处

C.C:比三相不可控整流电路的自然换相点超前30º

D.D:比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º

(10.0分)13.单相桥式半控整流电路中,电阻性负载,流过每个晶闸管的有效电流I T=()

A.A:1I

B.B:0.5I

C.C:(1/1.747)*I

D.D:1.747*I

主观填空题

题目说明:

(10.0分)14.过电压产生的原因()、(),可采取()、()和()保护。

答:过电压分为外因过电压和因过电压两类,过压的保护器件有:稳压二级管;压敏二级管;双向触发二级管;

(10.0分)15.设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即(),其承受的最大正向电压()。

答:设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即(),其承受的最大正向电压()。

(10.0分)16.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有()与()。

答:晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有(螺栓型)与(平板型)。

(10.0分)17.

在下图中,()和()构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;()和()构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于()象限。

答:在下图中,(V1)和(VD1)构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;(V2)和(VD2)构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于(第2)象限。

(10.0分)18.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角()时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

答:在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角(大于300)时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。

(10.0分)19.逆变电路的负载如果接到电源,则称为()逆变,如果接到负载,则称为()逆变。

答:逆变电路的负载如果接到电源,则称为(有源)逆变,如果接到负载,则称为(无源)逆变。

(10.0分)20.

晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM U BO

答:晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为UDSM <UBO

(10.0分)21.

请在正确的空格标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();

功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

答:电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体 MOSFET ;

绝缘栅双极型晶体管 IGBT ;IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。(10.0分)22.

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