半导体三极管测试题

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放大电路测试试题及答案

郴州市综合职业中专2021学年度第2学期模拟电路课程月考试卷专业：电子级别：2021 班级：学号：姓名：一、填空题〔共30分，每空1分〕1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。

2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。

3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。

5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的根本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，那么I B，这样可克服失真。

6、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

7、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

8、共射组态既有放大作用，又有放大作用。

9、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

10、一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是〔e, b，c〕；b．管型是〔NPN，PNP〕；c．材料是〔硅，锗〕。

11、画放大器交流通路时，和应作短路处理。

二、选择题〔共40分，每题2分〕1、以下数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0，V BE<V CE时C、V BE>0，V BE>V CE时D、V BE<0，V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA那么它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如下图，那么处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，那么晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态〔工作区〕，最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为U B=2.7V，U E=2V，U C=6V，那么该管工作在。

半导体器件基础测试题

半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。

A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。

2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。

A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。

3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。

A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。

A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。

7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。

A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。

8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。

A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。

A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。

常用半导体材料测试卷

常用半导体材料测试卷一、单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分）1.在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A．去除氧化物B．使焊点不出现尖角C．防止工件和焊料加热时氧化D．减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A．25W B．75W C．100W D．150W3.共晶焊锡的熔点为A．327℃B．232℃C．183℃D．212℃4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A．虚焊B．夹生焊C．漏焊D．预焊5.焊接电子元件最适合的焊剂是A．焊锡膏B．松香C．稀盐酸D．氯化锌6.下面关于虚焊的说法错误的是A．虚焊就是假焊B．焊料与被焊物的表面没有互相扩散C．虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D．虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7.下面关于镀锡的说法错误的是A．上锡B．预焊C．搪锡D．焊件表面处理8.下列关于焊接说法错误的是A．电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B．焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人C．电烙铁的金属外壳必须接地 D．焊锡膏适用于电子器件的焊接9.关于手工焊接，下列说法不正确的是A．常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B．焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C．焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D．焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A．0.5 B．0.1 C．31.6% D．1/211.信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB ，当电压表示数值为5V 时，则输出为A．5V B．0.5V C．0.05V D．50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB 时，输出相对衰减为A．10 B．100 C．20 D．4013.用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50ms／div，且使用了“扩展×10”，则该电压的频率是A．5Hz B．20Hz C．50Hz D．500Hz14.要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮A．Y轴移位B．Y轴增幅C．X轴移位D．X轴增幅15.要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮A．聚焦B．辉度C．辅助聚焦D．X轴衰减16.若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A．10――100Hz B．1kHz C．10 kHz D．100 kHz17.用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5V／div，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为A．20V B．10V C．52V D．102V18.下列关于示波器的说法错误的是A．调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮B．调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合C．示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效D．为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央19.使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整A．扫描范围B．X轴衰减C．扫描范围和X轴衰减D．X轴位移20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5μs／div，Y轴偏转因数置于0.1V／div，则两信号的相位差A．30o B．90o C．60o D．45o第 1 页共6 页21.在P型半导体中A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．没有电子C．空穴的数量略多于电子D．没有空穴22.二极管两端加上正向电压时A．一定导通B．超过死区电压才能导通C．超过0.7V才导通 D．超过0.3V才导通23.在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将A．变大B．变小C．不变化D．无法判断24.一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%，它的电流将A．增加10% B．增加10%以上C．基本不变D．不变25.如图2所示，二极管是理想二极管，则电压U AB为A．－3V B．5V C．8V D．－8V26.如图3所示，VD1、VD2的状态是A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2导通C．VD1、VD2都导通D．VD1、VD2都截止27.晶体二极管内部是由所构成的A．一个PN结B．两个PN结 C．两块N型半导体D．两块P型半导体28.当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．中值电阻29.如图4所示，当输入电压U i＝12V时，输出电压U0为A．12V B．2V C．5V D．0V30.下列硅二极管中质量最好的是A．正向电阻为1kΩ，反向电阻为100 kΩ B．正向电阻为50kΩ，反向电阻为100 kΩC．正反向电阻均为无穷大 D．正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ31.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到A．R×100或R×1k挡B．R×1挡C．R×10挡D．任意挡32.用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是V B＝4.7V，V C＝4.3V，V E＝4V，则该三极管的工作状态是A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．无法确定33.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是A．NPN型管的发射极B．PNP型管的发射极C．PNP型的集电极D．无法确定34.一只三极管内部包含个PN结A．1 B．2 C．3 D．035.NPN型和PNP型晶体管的区别是A．由两种不同的材料硅和锗制成B．掺入的杂质不同C．P区和N区的位置不同D．电流的放大倍数不同36.三极管各极电位如图所示，工作在放大状态的是37.3DG6型晶体三极管的P CM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝20V，将其接在电路中，I C＝5mA，U CE＝10V，则该管A．击穿B．工作正常C．功耗太大，过热甚至烧坏D．无法判断38.在三极管放大电路中，测得某管脚1流进4.6mA的电流，某管脚2流进0.03mA的电流，则该管是A．NPN管B．PNP管C．硅管D．锗管39.晶体管的参数β是指A．晶体管共发射极直流电流放大倍数B．晶体管共发射极交流电流放大倍数C．放大电路的电压放大倍数D．放大电路的电流放大倍数40.正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V，则该管管脚分别对应为A．B、C、E B．C、B、E C．E、C、B D．E、B、C41.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管A．两个PN结均开路B．两个PN结均击穿C．发射结击穿，集电结正常D．发射结正常，集电结击穿第 2 页共6 页42.某PNP型晶体管β＝50，I E＝2mA，则I C约等于A．40μA B．1.98m A C．98 m A D．24.5 m A43.NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是A．V C＞V B＞V E B．V C＜V B＜V E C．V C＞V E＞V B D．V C＜V E＜V B44.工作于放大状态的三极管在三个电极中，电流最大的是A．集电极B．基极C．发射极D．门极45.三极管放大作用的实质是A．三极管把小能量放大成大能量B．三极管把小电流放大成大电流C．三极管把小电压放大成大电压D．三极管用较小的电流控制较大的电流46.用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时，应把欧姆挡拨到A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k47.用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚，黑表笔接触另两只管脚，测得电阻均较小，则该三极管为A．NPN型B．PNP型C．不能确定D．三极管已经损坏48.焊接电子元件时，焊点表面粗糙不光滑，是因为A．电烙铁功率太大或焊接时间过长B．电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C．焊剂太多造成的D．焊剂太少造成的49.关于钎焊，下列说法正确的是A．100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法 B．松香酒精溶液焊剂中，松香占67%，酒精占23% C．被焊件达到一定温度后，应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D．焊锡全部浸润焊点后，应及时以25o角移开电烙铁50.下列关于夹生焊的说法错误的是A．虚焊和夹生焊是两种不同的现象B．夹生焊是指C．D．51.关于普通晶闸管结构，说法正确的是A．4层3端半导体，有2个PN结 B．4层2端半导体，有3个PN结C．4层3端半导体，有3个PN结 D．4层2端半导体，有2个PN结52.晶闸管关断的三个条件中，关断的逻辑关系是A．与B．或C．与非D．或非53.晶闸管关断的条件是A．加反向控制极电压B．去掉控制极电压C．阳极加反向电压或降低正向阳极电压，使流过晶闸管的电流小于维持电流I HD．以上说法都不对54.晶闸管导通的两个条件中，导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A．与B．或C．与非D．或非55.对螺栓式结构的晶闸管来说，螺栓是晶闸管的A．阳极B．阴极C．门极D．栅极56.晶闸管控制极的作用是A．只要控制极加正的触发脉冲，就能使晶闸管导通B．只要在晶闸管存在阳极电压的同时，控制极加上足够功率的正脉冲，就可以使晶闸管导通，导通之后控制极就失去作用C．控制极加负电压，可以使晶闸管关断 D．以上说法都不对57.晶闸管是用来的电子元件A．电流放大B．电压放大C．弱电控制强电D．强电控制弱电58.晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于A．晶闸管的管压降 B．晶闸管的额定电流 C．控制极电压D．阳极电压和负载阻抗59.用万用表R×10挡，判别晶闸管的极性，黑表笔固定一只管脚，红表笔分别接另外两只管脚，当出现正向导通时A．黑表笔接控制极 B．黑表笔接阴极 C．红表笔接控制极D．红表笔接阳极60.用万用表测试小功率晶闸管的极性时，某两个电极之间的正反向电阻相差不大，说明这两个电极是A．阳极和门极B．阴极和门极C．阳极和阴极D．无法确定61.用于整流的二极管是A．2AK4 B．2CW20A C．2CZ14F D．2AP962.三极管极间电流满足I C＝βI B关系时，三极管一定工作在A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区63.晶体管作开关使用时，是工作在其A．放大区B．饱和区C．截止区D．饱和区和截止区64.大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A．基极B．集电极C．发射极D．三个电极都可能65.放大电路中某晶体管极间电压如图5所示，则该管类型及1、2、3极分别为A．NPN型硅管，E、C、B B．NPN型硅管，B、C、EC．PNP型硅管，E、C、B D．PNP型硅管，B、C、E66.XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A．频率旋钮B．波段旋钮C．阻抗衰减旋钮D．电压调节旋钮第 3 页共6 页67.关于示波器的说法正确的是A．顺时针转动“辉度旋钮”，辉度变亮；反之减弱直至消失B．第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位，可实现辉度调节C．控制栅极是顶端有孔的圆筒，套装在阴极之外，其电位比阴极电位高D．“扩展拉×10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68.在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A．断续B．YA＋YB C．YA或YB D．交替69.某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div，此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5V／div，被测信号经探极10∶1接入，则该交流电的有效值为A．10V B．7.07V C．14.14V D．0.2V70.2DW47是A．P型锗材料稳压二极管B．N型锗材料稳压二极管C．N型锗材料普通二极管D．P型硅材料稳压二极管71.如图6所示晶体管测试电路中，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面原因的那一种A．集电极内部开路B．发射极内部开路C．B、E间已击穿D．发射结已击穿72.测得晶体管电路三个电位如图7所示，其中二极管、三极管均为硅管，则晶体管的工作状态为A．饱和B．放大C．截止D．无法确定73.3AX31是三极管A．NPN型锗材料、高频小功率B．NPN型锗材料、低频小功率C．PNP型锗材料、低频小功率D．PNP型硅材料、低频小功率74.实践中判断三极管是否饱和、截止，最简单可靠的方法是测量A．I B B．I C C．U BE D．U CE 75.关于穿透电流I CEO，下列说法正确的是A．I CEO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流B．I CEO越小，管子性能越稳定C．硅管穿透电流比锗管大，因此硅管比锗管稳定性差D．I CEO随温度的升高而减小76.晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件，原因之一是其导通后的管压降很小，一般在A．0.7V以下B．0.4V以下C．1V以下D．0.3V以下77.关于普通晶闸管和普通二极管的不同，说法正确的是A．晶闸管具有单向可控导电性，二极管不具备B．二极管有一个PN结，晶闸管有三个PN结C．二极管有阳极、阴极两个电极，晶闸管有阳极、阴极和控制极D．以上三种说法都正确78.如图8所示，S1、S2闭合时，白炽灯正常发光；当S2断开时，白炽灯将A．变亮B．亮度不变C．变暗D．熄灭79.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k80.由于晶闸管的过载能力有限，在选用时至少要考虑倍的电流裕量A．1――2 B．1.5――2 C．1.8――2.5 D．3――3.581.选取普通晶闸管额定电压的依据是A．正向重复峰值电压B．反向重复峰值电压C．正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D．击穿电压82.在晶闸管标准散热和全导通时，允许通过的工频最大阳极电流为A．半波电流的峰值B．半波电流的平均值C．半波电流的有效值D．全波电流的平均值83.当晶闸管导通后，可以维持导通状态，是因为管子本身存在A．放大作用B．正反馈作用C．负反馈作用D．开关作用84.要使导通的普通晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到低于A．额定电流B．擎住电流C．阳极电流D．维持电流85.在电路中，晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V，为安全起见，晶闸管应选择A．KP20－3 B．KP400－4 C．KP700－3 D．KP20－7第 4 页共6 页卷Ⅱ（非选择题）二、分析题1.用示波器测量正弦电压如图所示，已知“t／div”置于“5ms／div”，X轴扩展（K＝10），“V／div”置于“1.5V／div”，则被测电压的周期、振幅、峰－峰值、有效值分别为多少？2.用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示，垂直偏转因数为2V／div，水平偏转因数为1ms／div，探头衰减倍数为10∶1，请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。

电子线路单元测试题(三极管部分)

电子线路单元测试题（三极管部分）根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一判断题：（每题2分，共46分）1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。

（）2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。

（）3.三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。

（）4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。

（）5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使用。

（）6晶体三极管具有两个PN结，二极管具有一个PN结，因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只三极管使用（）7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。

（）8. NPN型三极管是由硅材料制成的。

（）9. NPN型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式UC >UB>UE（）10.三极管具有三个极，分别为：基极 (B)，集电极(C)，发射极(E)。

（）11.β称为交流电流放大系数，它表示三极管放大交流电流的能力（）12三极管的电流放大作用指的是在一定条件下流过集电极电流IC 是基极电流IB的若干倍.（）13.有人用直流电压表测量某放大状态的晶体管的UBE=0.3V，则判断为硅型三极管。

（）14. 三极管的β值,在电路中一般取30到80为宜。

（）15.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）16.三极管中电流分配关系是：IE =IC+IB（）17.三极管构成的放大电路有：放大、饱和、截止三种连接形式。

（）18. 三极管极间正向饱和电流随温度而改变。

（）19.场效应管具有热稳定性好、输入电阻高、易集成、成本低等优点。

（）20.三极管极间反向饱和电流随温度而改变。

（）21.β称为直流电流放大系数，它表示三极管放大直流电流的能力（）22. 三极管构成的放大电路有三种组态为：共发射极组态、共集电极组态和共基极组态. （）23. 三极管中电流分配关系是：发射极电压等于基极电压和集电极电压之和. （）二选择题：（每题2分，共54分）1.实现晶体三极管放大的条件是（）A. 发射极，集电结均反偏B. 发射结正偏，集电结反偏C. 发射结，集电结均正偏Ｄ. 发射结反偏，集电结正偏2.满足△IC=β△IB的关系时，三极管一定工作在（）A.截止区B.放大区Ｃ.饱和区Ｄ.以上都可以3.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA而ib=40μA时ic=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）A. 60B. .75 C 80 Ｄ.1004.有a ,b两只三极管，a管β=120 、ICEO=200mA, b管β=50 、ICEO=5mA，其它参数相同，应选用（）管比较合适A.aB.b Ｃ.a 、b同样适合Ｄ. a 、b都不适合5.测得工作在放大状态的某三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：（）A.0.03mA 流进三极管 c、e、bB.0.03mA 流出三极管 c、e、bC.0.03mA 流进三极管 e、c、bD.0.03mA 流出三极管 e、c、b6.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态7.测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图，该晶体管工作在（）A. 倒置状态B. 饱和状态C. 放大状态Ｄ.截止状态8.NPN型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。

三极管,笔试

竭诚为您提供优质文档/双击可除三极管,笔试篇一：三极管单元测试题三极管单元测试题一、单选题(每题2分)1.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。

a.u(bR)ceou(bR)cbou(bR)ebob.u(bR)cbou(bR)ceou(bR)eb oc.u(bR)cbou(bR)ebou(bR)ceod.u(bR)ebou(bR)ceou(bR)cb o2.某三极管的pcm100mw,icm20ma,u(bR)ceo15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。

a.uce3V,ic10mab.uce2V,ic40mac.uce6V,ic20mad.uce20V,ic2ma3.放大电路如图所示，已知硅三极管的50，则该电路中三极管的工作状态为（）。

a.截止b.饱和c.放大d.无法确定4.（）具有不同的低频小信号电路模型。

a.npn管和pnp管b.增强型场效应管和耗尽型场效应管c.n沟道场效应管和p沟道场效应管d.三极管和二极管5.（）情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路。

a.正弦小信号b.低频大信号c.低频小信号d.高频小信号6.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压uce=0.3V，则此时三极管工作于（状态。

a.饱和b.截止c.放大d.无法确定7.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。

a.增强型pmosb.增强型nmosc.耗尽型pmosd.耗尽型nmos8.下面的电路符号代表（）管。

１）a.耗尽型pmosb.耗尽型nmosc.增强型pmosd.增强型nmos9.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。

a.ieibicb.icibc.icbo(1)iceod.10.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。

a.放大b.截止c.饱和d.无法确定二、判断题(每题2分)1.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的pn结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

半导体物理基础与器件原理考核试卷

答案：
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通

半导体的基础知识试题

第一章半导体的基础知识一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

二、选择题1、稳压管（）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管2、稳压管电路如图1—1所示，稳压管的稳压值为（）A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V3、稳压管稳压电路如图1—2所示，其中U Z1=7V、U Z2=3V，该电路输出电压为（）A、0.7VB、1.4VC、3VD、7V4、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同5、三极管的I CEO大，说明其（）A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差6、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V,m则（）A、1为e 2为b 3为cB、1为e 2为c 3为bC、1为b 2为e 3为cD、1为b 2为c 3为e7、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）A 、i cB 、U CEC 、I bD 、i E8、P 型半导体中空穴多于自由电子，则P 型半导体呈现的电性为（）。

半导体面试题目(3篇)

第1篇一、基础知识部分1. 请简述半导体材料的基本概念及其分类。

2. 解释什么是本征半导体、n型半导体和p型半导体，并说明它们之间的区别。

3. 什么是掺杂？为什么掺杂对于半导体的应用至关重要？4. 什么是载流子？请分别说明电子和空穴载流子的性质。

5. 什么是能带？简述价带、导带和禁带的概念。

6. 什么是能级？请解释能级与能带之间的关系。

7. 什么是施主和受主？它们在半导体中的作用是什么？8. 请解释半导体中的电导率是如何受到温度影响的。

9. 什么是霍尔效应？它在半导体中的应用有哪些？10. 什么是PN结？简述PN结的形成过程、特性和应用。

二、器件原理部分1. 请简述晶体管的工作原理，包括NPN和PNP晶体管。

2. 什么是场效应晶体管（FET）？请解释其工作原理和特性。

3. 什么是MOSFET？请说明其结构、工作原理和优缺点。

4. 什么是二极管？请解释二极管的基本特性和应用。

5. 什么是三极管？请说明三极管的基本特性和应用。

6. 什么是整流器？请列举几种常见的整流器类型及其工作原理。

7. 什么是稳压器？请说明稳压器的工作原理和应用。

8. 什么是放大器？请解释放大器的基本特性和应用。

9. 什么是滤波器？请列举几种常见的滤波器类型及其工作原理。

10. 什么是振荡器？请解释振荡器的基本特性和应用。

三、电路设计部分1. 请简述半导体电路设计的基本流程。

2. 什么是模拟电路和数字电路？请分别说明它们的特点。

3. 什么是电路仿真？请列举几种常见的电路仿真软件。

4. 什么是版图设计？请说明版图设计的基本流程和注意事项。

5. 什么是集成电路封装？请列举几种常见的集成电路封装类型。

6. 什么是测试与验证？请说明测试与验证在半导体电路设计中的重要性。

7. 什么是电路优化？请列举几种常见的电路优化方法。

8. 什么是电源设计？请说明电源设计的基本原则和注意事项。

9. 什么是信号完整性？请解释信号完整性对电路设计的影响。

10. 什么是电磁兼容性？请说明电磁兼容性在电路设计中的重要性。

知识竞赛题(含答案)

第1章检测题一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

2、P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

3、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

4、三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

*5、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

6、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

8、检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。

9、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

二、判断正误：1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

电子技术基础第二单元《半导体三极管及其放大电路》测试卷

《电子技术基础》单元试卷班级: 姓名：学号：一、填空题：1、放大电路设置静态工作点的目的是。

2、放大器中晶体三极管的静态工作点是指、和。

3、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压u i相位。

4、为防止失真，放大器发射结电压直流分量U BE比输入信号峰值U im，并且要大于发射结的。

5、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路交流通路时，把和看成短路。

6、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。

7、小功率三极管的输入电阻r be= 。

8、放大电路中，静态工作点设置得太高，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真；静态工作点设置的太低，会使i C的半周期和u ce的半周期失真，称为失真。

基本放大电路中，通常通过调整来消除失真。

9、若放大电路的电源电压U CC增大，其他条件不变，这放大器的静态工作点将移。

10、共射极基本放大电路中，若R B=240kΩ，R C=3Ω，U CC=12V，β=40,若忽略U BEQ,则I BQ= ，I CQ= ,U CEQ= ,A u= 。

11、在分压偏置电路中，已知R B1=20kΩ，R B2=10kΩ，R C=2kΩ，R E=2kΩ，U CC=12V,β=50,R L=2kΩ，设U BEQ=0,则I CQ= ,I BQ= ,Au= 。

12、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。

13、多级放大器电路中每级放大电路的电压放大倍数分别为A u1、A u2、……、A un，则总的电压放大倍数为A u= 。

二、选择题：1、三极管构成放大器时，根据公共端不同，可有（）种连接方式A、1B、2C、3D、42、放大器的静态是指（）A、输入信号为零B、输出信号为零C、输入、输出信号均为零D、输入、输出信号均不为零3、表征放大器静态工作点的参数主要是指（）A、I BQB、I EQC、U CEQD、I CQ4、放大电路的静态工作点是指输入信号（）三极管的工作点A、为零时B、为正时C、为负时D、很小时5、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为（）A、直流分量大B、交流分量大C、直流分量和交流分量相等D、以上均可6、放大器输出信号的能量来源是（）A、电源B、晶体三极管C、输入信号D、均有作用7、在单管共发射极放大电路中，其输出电压与输入电压（）A、频率相同B、波形相似C、幅度相同D、相位相反8、放大器的交流通路是指（）A、电压回路B、电流通过的路径C、交流信号流通的路径D、直流信号流通的路径9、某放大器的电压放大倍数为Au=-100，其负号表示（）A、衰减B、表示输出信号与输入信号相位相同C、放大D、表示输出信号与输入信号相位相反10、当放大电路设置合适静态工作点时，如加入交流信号，这时工作点将（）A、沿直流负载线移动B、沿交流负载线移动C、不移动D、沿坐标轴上下移动11、在共射极放大电路的输入端加入一个正弦波信号，这时基极电流的波形为图中（）A B C12、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）A、增大电阻R BB、减小电阻R BC、电阻R B不变13、共发射极放大电路中，当输入信号为正弦电压时，输出电压波形的正半周出现平顶失真，则这种失真为（）A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真D、频率失真14、NPN晶体三极管放大电路输入交流正弦波时，输出波形如图所示，则引起波形失真的原因是（）A、静态工作天太高B、静态工作点太低C、静态工作点合适、但输入信号太大15、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）A、β值B、穿透电流C、温度D、频率16、在分压式射极偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻的自动调节，会使（）A、U BE降低B、I B降低C、I C降低D、I C升高17、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为（）A、3AuB、Au3C、Au18、阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（）A、第一级输入电阻B、各级输入电阻之和C、各级输入电阻之积D、末级输入电阻19、一个三级放大器，工作时测得A u1=100，A u2= —50，A u3=1，则总的电压放大倍数是（）A、51B、100C、—5000D、120、多级放大器常见的耦合方式有（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合三、判断题：1、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区电压和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真（）2、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升（）3、放大器具有能量放大作用（）4、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器（）5、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量（）6、放大电路的交流负载线比直流负载线陡（）7、放电电路静态工作点过高时，在U CC和R C不变情况下，可增加基极电阻R B（）8、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压的波动（）9、放大电路的静态工作点一经设定后，不会守外界因素的影响（）10、实际放电电路常采用分压式偏置电路，这是因为它的输入阻抗大（）11、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响（）12、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点相互牵制（）13、多级放大器总的电压放大倍数等于各级放大倍数之和（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C （）四、综合题：1、画出如图所示电路的直流通路和交流通路2、如图所示，在电路中，U CC=15V，R B=300kΩ，R C=3KΩ,R L=3kΩ，晶体三极管的β=50，求：（1）放大单路的静态工作点（2）放电电路的输入电阻、输出电阻（3）分别求放大电路空载和负载时的电压放大倍数3、单管放大电路与三极管特性曲线如图所示，已知U CC=12V，R B=200kΩ，R C=4kΩ，RL=4kΩ(1) 在输出特性曲线上做出直流负载线，并确定静态工作点（2）当RC由4kΩ增加到6kΩ，工作点将移至何处（3）当RB由200kΩ变为100kΩ时，工作点将移至何处（4）当电源电压由12V变为6V时，工作点将移至何处（5）在输出特性曲线上做出交流负载线3、在图所示电路中，RB1=60kΩ,RB2=20kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UCC=16V，β=50。

半导体材料检测考核试卷

A.霍尔效应测试
B.四点探针测试
C. CV测试
D.光谱分析
5.半导体材料的光电特性包括以下哪些？（）
A.光生伏特效应
B.光电导效应
C.量子效率
D.介电常数
6.以下哪些材料可以作为半导体器件的绝缘层？（）
A.硅氧化物
B.硅氮化物
C.聚酰亚胺
D.金
7.下列哪些因素会影响PN结的正向电流？（）
A.温度
B.掺杂浓度
C.热电子发射
D.磁阻效应
17.以下哪种技术常用于半导体材料的薄膜制备？（）
A.磁控溅射
B.化学气相沉积
C.热蒸发
D.以上都是
18.下列哪种材料不适合用于高频、高速半导体器件？（）
A.硅
B.砷化镓
C.硅锗合金
D.碳纳米管
19.以下哪种现象是半导体材料的光电导效应？（）
A.光照条件下，电阻率降低
B.光照条件下，电阻率增大
4.讨论半导体材料在光电子器件中的应用，并举例说明半导体材料在光电子技术中的重要作用。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. C
3. C
4. D
5. B
6. D
7. A
8. A
9. D
10. A
11. D
12. B
13. A
14. D
15. C
16. D
17. A
18. C
19. A
20. A
二、多选题
B.电流减小，电压增大
C.电流减小，电压降低
D.电流增大，电压增大
11.下列哪种材料具有最高的热导率？（）
A.硅
B.锗
C.碳纳米管
D.金

三极管习题

三极管测试题班级姓名成绩一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_ 和两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。

3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。

5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

7. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为；α约为。

8. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。

9β反映态时集电极电流与基极电流之比；β反映态时的电流放大特性。

10. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。

11. 当温度升高时，三极管的参数β会，CBO I 会，导通电压会 12. _______通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。

13. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。

当工作电压V 10CE=U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。

14. 三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置。

15. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于状态。