VEECO Mark II+ 离子源技术资料
维易科（Veeco）：纳米技术的...
维易科（V eeco）：纳米技术的创新者——访美国维易科（V eeco）精密仪器有限公司副总裁兼中国区总经理荆亦仁-电字工业专用设苗企业访谈?维易科(V eeco):纳米技术的创新者——访美国维易科(V eeco)精密仪器有限公司副总裁兼中国区总经理荆亦仁本刊记者张军营副总裁兼中国区总经理荆亦仁美国维易科(V eeco)精密仪器有限公司向广大用户提供自行设计和制造的世界先进的精密测量仪器和工艺设备,并提供广泛的客户服务和技术支持.公司的工艺设备主要用于纳米范围的设备制造,拓宽了信息时代的技术和产品的广阔领域;测量仪器用来进行纳米范围的精密测量,为先进的科学研究和纳米技术提供重要的科技支持.公司致力于协助全球用户开拓新技术,提供使用经验和技术支持,为了确保技术产品上的世界领先地位和技术进步,公司不断开发新产品并为客户提供长期的服务.公司的制造产业位于纽约,加利佛尼亚,科罗拉多,亚利桑那和明尼苏达等多个地区,全球销售与服务机构遍布美国,欧洲,日本和亚太地区.公司的主要品牌有:DI扫描探针显微镜,近场光学显微镜,DEKTAK探针轮廓仪,WYKO激光干涉仪和光学轮廓仪,NEXUS离子束沉积系统,Tur- boDisc金属有机化学汽相沉积,,,1ECO分子束外延系统,SPECTOR镀膜系统,VEECO离子源等.美国维易科公司目前在中国设有北京和上海两个分支机构,负责V eeco仪器在中国境内的销售及技术服务,同时与中国科学院化学研究所合作建立纳米技术中心,为广大用户提供应用支持.日前本刊记者有幸采访了美国维易科(V eeco)精密仪器有限公司副总裁兼中国区总经理荆亦仁,先生.记者:美国维易科公司是全球先进的设备供应商,销售与服务机构遍布美国,欧洲,日本和亚太地区.并在中国北京和上海设了分支机构,请您谈谈维易科在中国的发展现状及未来的发展计划.荆先生:2006年是维易科(V eeco)取得飞速发展的一年,公司在全球市场包括北美,亚太以及中国地区的销售形势喜人,整个公司有了较大的发展.维易科(V eeco)目前不但在中国北京和上海设有两个分支机构,并在广东的东莞还设立了办事处,主要针对南方市场的客户做一些设备应用服务工作.过去的一年,通过公司全体人员的努力,公司业务在中国的增长保持在30%左右,并且会在未来一段时间保持这种持续增长.除了在常规的科研,技术增长外,尤其是在LED产业化方面增长显着; 另一个较大增长是TrboDisc金属有机化学汽相沉积方面,以前TurboDisc金属有机化学汽相沉积只是在科研领域小规模的应用,现在同行业的共同努力下已经形成产业化发展模式,我们公司这方面的增长也十分明显.回顾2003年我们刚进入中国市场时仅有几个人,经过短短3年的发展,我们员工规模已达到40 人,在未来我们会培养出更多的技术应用型人才, 服务于亚太市场.我们计划在北京加大技术投入, 加强技术应用的开发.随着将来中国市场逐渐成熟,供应链的日趋完善,我们会考虑把制造中心转企业访谈?电子工业毫用设备-移到中国.记者:目前,中国大陆的半导体产业正在飞速发展,整个行业的格局正在发生日新月异的变化, 市场竞争更加激烈,您如何看待竞争对手?荆先生:随着整个半导体产业的深入发展,竞争是一种必然趋势.市场竞争激烈并不可怕,我们可喜的看到,中国半导体产业格局在全球的比重越来越大.这也说明,一,半导体市场是一个美味可口的蛋糕,大家共同努力,越作越大,且共同分享.二, 产业集中,会产生一个群聚效益,这点在台湾地区得到很好的体验,在过去的十几年间,台湾地区的电子,半导体产业飞速发展,整合了一批下游供应商,也可以说培育了二级市场.这带来了几方面的好处:一是优胜劣汰,要想在激烈的竞争环境当中站稳脚跟,就必须主动提高自身的整体实力;二是对整个产业的发展有利,我们会发现人才供应比较充足,同时下游的供应商也会积极努力,提高自身能力,甚至会考虑建立基地,工厂,对我们而言有很大的发展潜力;三是市场成熟到一定的程度,我们可以实现研发,制造的本地化.市场竞争不仅仅是厂家的价格战,这样受损的只是客户,我们提倡的是产品的性价比和建立良好完善的售后服务体系,把更多的产品附加值带给客户.相互竞争,相互促进,只要建立这种良性的市场竞争机制,通过市场潜移默化的调节,从而才能更好地推动半导体产业在中国市场的发展.记者:随着科技的不断进步,更多,更先进,更加精密的仪器被研发出来,从而推动整个行业的发展.维易科在产品研发方面有那些新的突破?对国内的企业有那些贡献?荆先生:半导体产业是一个高科技领域,发展迅速,我们在不断的自主创新,否则就会被淘汰出局.我们采用的运作模式是:市场上有主力产品供应,有先进产品推出,工厂有后续产品研发.在2006年底,公司推出了2个新产品,一是针对全球大规模发展的LED产业,我们推出了2个K系列TurboDisc金属有机化学汽相沉积产品,主要应用服务于电照明,半导体照明等领域,解决高科技发展的能源问题,响应国家的"十一五"战略发展规划,争取在这方面有所成就,为以后产业化发展需求服务.另一方面,我们研发的原子粒显微镜不但在半导体领域,纳米技术科研领域广泛应用,而且今年已经进入了新兴生命科学领域,为其提供技术支持和应用服务,希望为我国生命科学领域的研究做出贡献.目前,亚太地区的销售额占整个维易科(V eeeo)公司的4O%以上,中国是主要市场.我们会加强在这个地区的服务,在客户对技术难度的要求能满足的情况下,保证产品的质量稳定,进行品质的持续监控是关键.争取把最稳定的产品,最好的售后服务奉献给广大客户.记者:就全球的半导体设备而言,大陆本土的仪器设备目前是怎样的一个整体水平?和国际上发达国家先进的仪器设备相比有哪些差距?荆先生:中国本土的半导体产业起步比较晚,设备市场不够大,企业的经验不足,整体的配套能力比较差,高科技产业链还不健全,这是中国半导体领域的现状.现在任何国家,任何地区的高科技领域,都会存在一些地方保护措施,这些政策限制, 非贸易壁垒的争端还是由市场的发展来决定.随着中国加入WTO后经济的快速发展,半导体产业的崛起,由政府部门,业内企业和媒体正在作一些积极的努力,相信这种情况将会得到圆满的解决.努力推动服务和配套行业的建设,在知识产权领域建立一套完善的规范机制,为我国半导体产业营造一个良好的发展环境.我相信随着更多企业的迅速发展,更多优秀的人才加入这个行业,提升中国半导体产业整体水平还是有希望的.记者:请问自荆总您上任V eeeo中国区总经理以来,是如何进行战略调整的,怎样扩大V eeco在大陆的市场占有份额?荆先生:过去的一年,我们在本质工作的同时,主要做了两方面的工作.一是加强纳米技术中心的运作,开始应用技术的研发.同时对国内人力资源的整合,加强对中国市场开发能力,增加了Market- ing部门.针对中国市场的需求做一些调查,反馈到生产部门,对产品的更新,技术应用,研发提供一些信息服务.二是我们在中国加强了应用开发人员,这不只是技术支持的问题,而是针对客户特殊的技术,应用,制程方面的需求,我们配备了相应的技术■电子工业毫用设苗?企业访谈?方面的人员.而且在TurboDisc金属有机化学汽相沉积方面我们的技术应用人员达到了一定的技术水平,可以协助和客户共同开发一些制程.现在我们公司的已经有技术人员在台湾地区给客户提供一些服务.记者:我们知道,荆总您有着非常资深的工作经验,请您谈一下V eeco公司优秀的企业文化,及员工良好的团队拼搏精神.荆先生:我在半导体领域的工作时间超过16年,大部分时间是在中国本土工作,我的这些工作经历,对我今后的工作生活带来了很大的帮助.维易科(V eeco)公司在2001年后取得了很大的发展,其间在全球收购其它的公司进行整合.现在我们公司对员工培养的企业文化叫"OneV eeco",维易科(V eeco)的员工随着公司的发展而成长,无论你是什么部门,无论你是在那里,都要以一个崭新的面貌代表世界一流的公司给客户提供一流的服务.在今后的发展中我们还会继续保持一种快速,灵活的战略思路.简介荆亦仁:从事半导体领域的工作时间超过1516年,积累了非常丰富的工作经验,早在1995年加入美国应用材料公司,曾担任中国公司地区事业部总经理,并曾在应用材料公司美国总部从事全球市场销售工作,成绩斐然.2006年7 月,加入美国维易科(V eeco)精密仪器有限公司,担任公司副总裁兼中国区总经理,秉承维易科发展的强劲动力,使维易科的年销售持续保持30%以上的增长速度.(上接第45页)6结论随着紫外光固化技术的发展,紫外固化聚合物的性质主要关注附着力,热稳定性,机械性能等[71.然而,紫外纳米压印技术还要达到必要的图形分辨率,精度,均匀性,还需考虑紫外固化聚合物的特性,紫外光能量,固化速度,固化环境等因素.大面积高精度图形的套刻对准是影响纳米压印技术发展的障碍,采用通常光学对准最高只能达到水平对准精度100nnl量级,受温度,压力,图形面积造成的材料变形,机械精度等因素影响,实际4英寸模版对准精度只能达到1Bm量级.由于紫外纳米压印技术方法是在常温常压下进行的,因而具有传统紫外光刻机对准系统的紫外纳米压印方法已越来越受到重视.本文中,我们使用了传统紫外光刻机进行紫外压印实验,结果表明当选用合适的紫外固化聚合物,且所需压印力小于4ON的情况下,完全可以利用该设备进行紫外压印实验,同时可利用光刻机设备自身的对准系统,进行压印套刻对准功能.但是受该设备自身压印力和紫外光源波长的限制,导致压印样片的残留层的厚度较厚,且只能选择与该设备紫外波长相匹配的紫外固化聚合物.当然,如果条件允许也可购买其它类型的紫外光源结合紫外光刻机对准系统使用,例如如果紫外固化聚合物仅需要普通紫外光源照射即可固化,便可利用光刻机对准系统对准再使用普通紫外光源照射.总之,紫外光源的选择与所用的紫外固化聚合物特性应该相互匹配.参考文献:[1】NevilleK.S.Lee.AnUltra-precisionAlignmentSystem forMicroMachining[J】.2002IEEEInternationalConfe—renceonV olume2,ppl142一l145.【2】M.Colbum,S.John~n,M.Stewart,S.,B.J.Choi,T.Bailey,M.Wedlake,T.Michaelson,S.V.Sreenivasan,J.EkertandC.G.Willson:Proc.SPIE3676(1999)379.[3】SCHEERHC,SCHIⅡ.zH.Acontributiontotheflow behaviourofthinpolymerfilmsduringhotembossing lithography[J】.MieroeleetmnEng,2001,56(3—4):31l一332.[4】HEYDERMANLJ,SC哪H,DA VIDC,etal,Flow behaviourofthinpolymerfilmsusedforhotembossing lithography【J】.MicroelectronEng,2000,54(3-4):229-245. [5】王德海,江棂编.紫外光固化材料【M】.北京:科学出版社,2001.8.【6】EPOXYTECHNOLOGY[EB/OL].websi~http://vcww.e potek.corn.。
veeco 电感耦合等离子体增强原子层沉积系统
veeco 电感耦合等离子体增强原子层沉积系统在科学研究和工业生产中，材料表面的处理和改性是至关重要的。
而目前，一种被广泛应用的薄膜沉积技术就是电感耦合等离子体增强原子层沉积系统（ICP-ALD）。
这种技术通过原子层沉积的方式，在材料表面形成厚度均匀、质量稳定的薄膜，被广泛应用于光电、微电子、能源等领域。
让我们来探讨一下ICP-ALD的基本原理。
ICP-ALD利用电感耦合等离子体来激发反应气体，生成高能原子和分子，使其可以在材料表面进行原子层沉积。
相比于传统的ALD技术，ICP-ALD在能量输送和处置上有了显著的提升，从而可以实现更高质量的薄膜沉积。
在ICP-ALD系统中，离子能够更加均匀地沉积在基片表面，使得薄膜形貌更加平整，性能更加稳定。
接下来，让我们来深入了解ICP-ALD在材料科学和工程中的应用。
ICP-ALD技术不仅可以在常规的半导体、触摸屏和显示器等应用领域中提供高品质薄膜，同时还可以应用于新型的光电材料和微纳米器件中。
在太阳能电池领域，ICP-ALD可以实现纳米级厚度的钙钛矿薄膜沉积，提高太阳能电池的转换效率；在纳米器件中，ICP-ALD可以实现高质量的纳米薄膜包覆，保护器件的稳定性和可靠性。
ICP-ALD技术在能源存储与转化、光学薄膜、传感器、表面科学与催化等领域都有着广泛的应用前景。
通过ICP-ALD技术，可以实现对材料表面能级、晶格结构等物理性质的精确控制，从而为材料科学研究和工业生产提供了崭新的思路。
可以看出ICP-ALD技术在材料表面处理和薄膜沉积领域具有广阔的应用前景，不仅在传统的半导体和光电领域有着广泛的应用，同时也在新兴的纳米器件、能源材料等领域具有着重要作用。
随着技术的不断发展和完善，相信ICP-ALD技术将为材料科学和工程领域带来更多的惊喜和突破。
以上就是对ICP-ALD技术的全面评估和深度探讨，希望对您有所帮助。
如果您对相关内容还有其他疑问或者需要进一步了解，欢迎随时咨询。
离子色谱(IC)基础培训(戴安
基于离子交换树脂上可离解的离子与流动相中具有相同电荷的溶质离子之间进 行的可逆交换，依据这些离子对交换剂有不同的亲和力而将它们分离。
离子色谱发展历程
早期阶段
20世纪70年代初期，离子色谱主 要用于无机阴、阳离子的分离和
测定。
发展阶段
随着色谱技术的不断发展，离子色 谱逐渐应用于有机离子和复杂样品 的分析。
数据处理方法和技巧
数据预处理
包括数据平滑、滤波、基 线校正等，以消除噪声和 干扰，提高数据质量。
峰识别与定量
利用专业软件对色谱峰进 行自动识别、积分和定量， 获取准确的峰面积、高度 和保留时间等信息。
数据标准化
对数据进行归一化或标准 化处理，以消除实验条件 差异对结果的影响，提高 数据可比性。
结果分析方法和步骤
大气颗粒物中离子色谱应用实例
大气颗粒物中水溶性离子的分析
采用阴、阳离子交换色谱柱，对大气颗粒物中的水溶性阴、阳离子进行分离和测定，如 Cl-、NO3-、SO42-、Na+、NH4+、K+等。
大气颗粒物中有机酸的分析
采用有机酸分析专用色谱柱，对大气颗粒物中的甲酸、乙酸等有机酸进行分离和测定。
大气颗粒物来源解析
等），建立离子色谱分析方法，并通过优化流动相和色谱柱条件，提高
分析的准确性和灵敏度。
03
案例三
环境水样中重金属离子的分析。利用离子色谱技术对环境水样中的重金
属离子（如Cu2+、Zn2+、Pb2+、Cd2+等）进行分析，通过优化色
谱条件和选择合适的检测器，提高分析的准确性和可靠性。
05 数据处理与结果分析
操作方法及注意事项
01
3. 注意仪器的维护和保养，确保 仪器正常运行。
默克 Spectroquant
技术参数Spectroquant ®Move Cl 2/o 3/Clo 2/CyA/pH消毒剂残留快速检测解决方案默克手持式比色计默克分析化学配套使用的Spectroquant ®测试盒简介一机多用一台仪器可同时满足所有消毒控制的残留测试需求结果可靠安全简单的AQA 验证标液和文档确保测试精度便携快速IP68的防护等级专为现场/应急水质检测设计现代传输可选配IRiM 数据传输系统进行数据的储存，转移，打印测试方法号测试参数 货号测试范围U.1U.2U.3U.4U.7 U.8 U.9 U.5 U.6 U.10 Abs1余氯余氯余氯 余氯 二氧化氯 二氧化氯 氰尿酸 臭氧 臭氧 pH 吸光度1.00598.0002 (free) 0.02 - 4.50 mg/l 1.00598.0001 (free)1.00602.0001 (total)1.00602.0002 (total)1.00599.0001 (free + total)1.00598.0002 (free) 0.10 - 6.00 mg/l 1.00598.0001 (free)1.00602.0001 (total)1.00602.0002 (total)1.00599.0001 (free + total)1.00086.0001 + 1.00087.0001 (free)1.00086.0001 + 1.00087.0001 + 1.00088.0001 (total) 0.02 - 4.50 mq/l 1.00086.0001 + 1.00087.0001 (free)1.00086.0001 + 1.00087.0001 + 1.00088.0001 (total) 0.10 - 6.00 mq/l 1.00608.0001 0.05 - 8.50 mq/l 1.00608.0001 0.20 - 10.00mg/l 1.19253.0001 2 - 160 mq/l1.00607.0001 0.02 - 3.00 mg/l 1.00607.00021.00607.0001 0.10- 4.00 mg/l 1.00607.00021.01744.0001 6.4- 8.8- -100- 2500 mAbs产品优势简化消毒控制残留检测安全，快速，可靠的测试结果简单，便携，精准余氯的测试过程（试剂货号：100598,测试范围：0.02-4.50 mg/l Cl 2, 24mm 比色管)检测样品的pH 值需要在4-8之间.否则可以使用氢氧化钠或硫酸溶液迸行调节往24mm 的比色管中加入10ml 蒸馏水（空白，无需加任何试剂）往24mm 的比色管中加入10ml 样品仪器上选择方法U1盖紧瓶盖，震荡比色管直到试剂完全溶解放入空白样品，按[Zero/Test]进行调零放入样品，按[Zero/Test]读取测试结果即可反应吋间1分钟加入1蓝勺的试剂CL -1Spectroquant ®Move Cl 2/o 3/Clo 2/CyA/pHSpectroquant ®Move Cl 2/o 3/Clo 2/CyA/pH。
AB SCIEX 产品总览
Analyst®软 件 的 功 能 ， 如 控 制 TripleTOF™ 5600系统的数据采集 和数据处理，还具备TOF技术的一些 特殊功能，如：
• 内标、外标TOF校正功能
• 元素组成和质谱准确质量数的同位 素分布计算功能
关于AB SCIEX公司质谱
LC/MS是功能强大且应用广泛的分析技术。质谱仪由四个基本部分组 成，它们包括离子源、真空接口、质量分析器以及检测器。AB SCIEX公司 是业界领先的质谱仪器制造商，为了保持给用户提供最先进的质谱技术， 公司不断地开发和研制出与质谱相关的最新技术。
ಧ作
† 大气压化学电离 X = 溶剂分子，例如 H2O, NH3等
1. 首先产生溶剂 离子
喷雾气
样品(M)
LC液流
3. 气帘气帮助离子转 移到质量分析器， 并去除簇离子
气帘气
补偿气 图3. 加热喷雾器离子源
(~120℃) 电晕放电针
2. 反应气离子再与 样品分子反应， 形成离子簇
创新型串联质谱
API 2000™ LC/MS/MS 系统
常规实验室首选的 API 2000™三重四极杆串联质谱系统
API 2000™ LC/MS/MS系统是使用方便的 台式三重四极杆串联质谱仪，可满足常规实验 室的分析要求。此系统采用了AB SCIEX公司的 专利技术；维护操作简单，即插即用式离子 源，对样品有超强的适应性，应用范围十分广 泛，它的特点包括：
AB SCIEX为您提供完备的定性及定量质谱分析技术
AB SCIEX公司
性能超群、型号齐全的高科技质谱家族系列 及其应用简介
AB SCIEX公司为用户提供性能超群的LC/MS/MS系列产 品及相关质谱和化学品，其应用领域十分广泛，包括药物开 发和新药研究，药物代谢物鉴定，临床检验，食品安全分 析，环境分析，法庭公安刑事分析和毒物分析，蛋白质组学 和生物标记物发现等诸多研究，提供最完整和高质量的定性 分析数据和定量分析结果。
集成电路工艺基础离子注入优秀课件
n(x)N exp1[(xRp)2]
max
2 R
p
其中：
N
N s
0.4Ns
max 2R R
p
p
注入离子在无定形靶中的分布
❖横向分布（高斯分布）
▪ 入射离子在垂直入射方向平面内的杂质分布 ▪ 横向渗透远小于热扩散
注入离子在无定形靶中的分布
❖ 高斯分布只在峰值附近与实际分布符合较好。
▪ 轻离子/重离子入射对高斯分布的影响 ▪ 实践中，用高斯分布快速估算注入离子在靶材料中的
使带电粒子偏转，分出中性粒子流 中性束路径
类似电视机，让束流上下来回的对圆片扫描
离子注入系统原理
❖ 离子源通过加热分解气体源如BF3或AsH3成为带 正电离子（B＋或As＋）。
❖ 加上约40KeV左右的负电压，引导这些带正电离 子移出离子源腔体并进入磁分析器。
❖ 选择磁分析器的磁场，使只有质量/电荷比符合要 求的离子得以穿过而不被过滤掉。
❖ 一个离子在停止前所经过的总路程，称为 射程R
❖ R在入射轴方向上的投影称为投影射程Xp ❖❖平R均在投垂影直射入程射R方p：向的投影称为射程横向分 所 射量程有X的入t平射均离值子的投影
❖标准偏差：
注入离子在无定形靶中的分布
❖ 对于无定形靶（SiO2、Si3N4、光刻胶等），注入离子的 纵向分布可用高斯函数表示：
达靶上。
❖ 注入机内的压力维持低于10－4Pa以下，以使气体 分子散射降至最低。
离子注入的优缺点
❖ 优点：
▪ 注入的离子纯度高 ▪ 可以精确控制掺杂原子数目，同一平面的掺杂均匀性
得到保证，电学性能得到保证。 ▪ 温度低：小于400℃。低温注入，避免高温扩散所引起
veeco ibs 产品手册
veeco ibs 产品手册1.引言Veeco IBS（离子束溅射）进程控制系统是一种先进的离子束溅射工艺技术，广泛应用于半导体、光学、磁性存储和化学等领域。
本产品手册将为您介绍Veeco IBS系列产品的特点、工作原理、技术规格和应用领域等内容。
2.产品特点Veeco IBS进程控制系统具有以下特点：-高精度：该系统采用先进的控制算法和精密的传感器，能够高精度控制离子束的能量、强度和角度等参数，保证加工过程的稳定性和可重复性。
-高效率：采用Veeco独有的快速反馈系统，能够快速响应工艺参数的变化，并进行实时调整，大幅提高生产效率和产品质量。
-多功能：该系统支持多种材料的离子束溅射加工，能够实现复杂的多层膜沉积、溅射混合材料、掺杂和精密雕刻等工艺需求。
-用户友好：配备直观的触摸屏界面和易于操作的软件，用户可以轻松进行参数设定、工艺监控和数据分析等操作。
3.工作原理Veeco IBS进程控制系统的核心部件是离子束源和低能离子源。
在工作过程中，通过高电压加速装置，将离子束加速到目标材料表面，产生離子碰撞，并溅射离子束沉积在基材表面。
低能离子源用于浸泡和清洗基材，以提高膜层质量和降低残留污染物的含量。
4.技术规格-输入电压：220V/50Hz-最大功率：10kW-最大加速电压：10kV-最大溅射面积：100cm×100cm-控制精度：1%-最大离子能量：1000eV-最大离子束强度：10mA-工作环境温度：5-40°C5.应用领域Veeco IBS进程控制系统广泛应用于以下领域：-半导体：用于制备高质量、低缺陷的半导体薄膜，如光刻掩膜、金属导电层和绝缘层等。
-光学：用于制备高反射率、低损耗的光学镀膜，如反射镜、透镜和滤光片等。
-磁性存储：用于制备高密度、高磁化强度的磁性薄膜，如磁盘和磁存储芯片等。
-化学：用于制备高纯度、高结晶度的化学材料，如激光晶体和光伏材料等。
6.结论Veeco IBS进程控制系统是一种高精度、高效率、多功能的离子束溅射加工技术，能够广泛应用于半导体、光学、磁性存储和化学等领域。
veeco离子源
veeco离子源全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：Veeco离子源是一种高科技设备，用于在真空环墶中产生离子束，常用于表面处理、薄膜沉积和离子注入等工艺。
它是一种重要的工业工具，被广泛应用于半导体、光电子、光学、生物医学和航空航天等领域。
本文将从Veeco离子源的工作原理、应用领域、特点和发展趋势等方面进行详细介绍。
一、工作原理Veeco离子源是通过电子束轰击金属或化合物靶材，使其产生离子，并通过电场加速、聚焦和束流调节系统，将离子束引导到目标表面进行处理。
在这个过程中，离子束的能量和流量可以通过调节电压、电流、气压和温度等参数来控制，从而实现对材料表面的改性、沉积和修饰等不同工艺。
二、应用领域Veeco离子源在半导体行业中被广泛应用于离子注入工艺，可用于掺杂、氮化、氧化和结晶等表面处理，提高半导体器件的性能和稳定性。
在光电子领域，离子源可用于沉积薄膜、制备光学器件和加工显示屏等。
在生物医学领域，离子源可用于表面杀菌和医疗器械消毒。
在航空航天领域，离子源可用于材料表面处理和防护，提高航天器件的性能。
三、特点Veeco离子源具有高能量、高浓度、高效率和高精度等特点。
它可以实现对不同材料的精确处理，如金属、半导体、陶瓷、玻璃等。
离子源的工作温度、气压和加速电场等参数可调，适用于不同工艺需求。
通过改变靶材材料、离子种类和束流能量等参数，可以实现对材料的多层沉积、多元掺杂和多种表面效应控制。
四、发展趋势随着科技的不断进步，Veeco离子源将不断优化升级，向着更高效、更智能、更环保的方向发展。
未来，离子源将实现与云计算、人工智能和物联网等技术的融合，实现远程监控、自动控制和智能优化的功能。
离子源将应用于新能源、新材料、纳米技术和生物医学等前沿领域，为人类社会的可持续发展做出更大贡献。
Veeco离子源是一种重要的高科技设备，具有广泛的应用领域和丰富的特点。
它在半导体、光电子、生物医学和航空航天等领域发挥着重要作用，为工业制造和科学研究提供了有力支持。
离子源对玻璃基片的表面清洗处理
建筑玻璃与工业玻璃2019,N q2离子源对玻璃基片的表面清洗处理孙瑶I王新宇'张波］余刚21.神华(北京)光伏科技研发有限公司北京市纳米结构薄膜太阳能电池工程技术研究中心2.中国建筑材料科学研究总院玻璃科学研究院国家玻璃深加工工程技术中心摘要：玻璃基片的表面清洁程度对镀膜十分重要，作者采用线性离子源在线清洗技术，对玻璃基片进行清洗处理。
对比线性离子源清洗与传统超声清洗技术的清洗效果，分析离子源对玻璃基片的作用深度，以及对玻璃基片表面粗糙度与成分的改变。
结果表明，线性离子源清洗能有效降低玻璃基片的缺陷密度、表面粗糙度及表面碳污染，有利于提高后续镀膜的质量"1引言无论是物理方法镀膜还是化学方法镀膜，其表面清洁程度都直接影响所镀膜层的质量，如薄膜的附着力、粗糙度以及薄膜的物理性能与机械强度等"'o对于铜錮镣硒Cu(InGa)Se2薄膜太阳能电池来说，玻璃基片上的污染将成为后续镀膜的缺陷位置，严重影响光伏转换效率，应该尽量避免。
因此，为了提高铜锢铢硒太阳能电池的光伏转换效率，玻璃基片的表面清洁处理必不可少。
目前，在工业中使用的清洗方法主要有兆生/超声波法、化学湿法清洗、刷洗法、机械清洗法、压缩空气吹扫法等0。
通过以上一种或多种方法的组合，能够部分解决铜钢镣硒光伏组件的基片清洗问题，但是这些清洗方法仍存在缺点。
化学清洗对环境会造成一定的危害，它产生的废液排放会释放大量的Cl、F等元素，污染环境，必须配置化学清洗装备的废水回收系统。
物理方法清洗易于清洗掉附着在表面的粉尘与颗粒，但不适用于难以去除的有机物。
线性离子源清洗技术是利用线性离子束与玻璃基片表面相互作用，将污染物从待清洗基片表面有效去除来达到清洗的目的，能够克服非在线清洗方法的基片暴露再污染问题。
阳极层线性离子源是一种通过直流电源使阴阳极间形成电位差导致放电将中性气体原子离化产生定向运动离子的装置，离子束流进入真空腔室与工件表面相碰撞。
VEECO Mark II+ 离子源技术资料
Configurations
Radiation cooled (<900W), Filament Cathode Water cooled (<1500W), Filament Cathode Water cooled (<3000W), Hollow Cathode Anode Assembly Sold Separately (for each)
Mark II 4000 1.0 Amp > 3 l/min (.8 gpm) Graphite, SS Internal, Flange 6.4 kg
Mark II+ 426663 1.5 Amps (Ar) > 1.5 l/min (.4 gpm)* Stainless Steel Internal 5.9 kg (13 lbs)
©2006 Veeco Instruments Inc.
New Feedthroughs, Vacuum Leads and Power Supply Cables
Vacuum Atmosphere
• Insulated electrical contacts eliminates arcing • Keyed connectors speed installation and eliminates wiring errors
Mark II +
Mark II
• Oxygen • Hollow Cathode Neutralizer • 10 Amp Discharge (Anode)
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50
100
150
200
250
300
350
Discharge (anode) voltage, Vd, V
离子源的功能和分类
离子源的功能和原理3、离子辅助镀膜的薄膜特性：1、镀层与工件表面同时存在物理气相沉积及化学反应，故镀层结合力高。
2、膜层均匀致密、韧性好；3、光谱特性稳定，温漂小4、吸水性减少5、折射率升高6、粗糙度降低7、激光阈值降低8、膜层发雾，光散射增加4、离子源参数、性能比较离子源简介－考夫曼离子源阴极钨丝加热发射热电子；电子与气体原子或分子碰撞；气体电离在放电室形成等离子体；多孔栅极产生加速电场；离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和钨丝产生电子；磁场对电子运动进行约束，增加离化率；中和电子对引出离子中和形成等离子体。
考夫曼离子源工作原理（Kaufman Ion Source）离子源简介－考夫曼离子源优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽结构较为简单缺点：×离子源结构仍复杂×馈入氧、氮等反应气体阴极中毒×更换阴极灯丝困难×不属主流，较少采用离子源简介－射频离子源射频离子源工作原理射频放电将气体电离在放电室形成等离子体多孔栅极产生加速电场；中和钨丝产生电子；离子被加速电场引出、加速、获得能量；中和电子对引出离子中和形成等离子体。
离子源简介－射频离子源特点优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助主流缺点：×结构复杂，稳定性差×价格昂贵×栅极需经常维护×辐照均匀区较小离子源简介－霍耳离子源阴极钨丝发射热电子向阳极迁移电子与气体原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场离子被霍耳电场加速引出、加速阴极热电子对引出离子中和形成等离子体。
霍耳离子源工作原理（Hall Ion Source）离子源简介－霍耳离子源特点优点：PowerIon-C-10A 典型参数离子束流：5 A离子能量：20-50 eV无栅极、结构简单、维护简单适用反应气体离子束辅助主流产品离子束流大易于控制等离子体中性以低能大束流工作缺点：×能量较低、调节范围较小×存在较小污染离子源简介－Veeco 霍耳离子源技术指标离子源简介－PowerIon 系列霍耳离子源技术指标离子源简介－霍耳离子源空心阴极型霍耳离子源空心阴极替代灯丝发射热电子有效降低离子源污染离子源简介－APS源工作原理工作原理与霍耳离子源类似La6B阴极发射热电子向阳极迁移(3)电子与原子碰撞使其离化磁场中电子形成霍耳电流产生电场(2)离子被霍耳电流产生电场加速引出、加速离子源简介－APS源特点优点：APS源典型参数离子束流：0.5 mA/cm2离子能量：20-200eV无栅极离子束流大以低能大束流工作以其为核心开发多种机型离子束辅助主流产品缺点：×能量较低、调节范围较小×不适用反应气体×等离子体中性？×使用成本高×存在污染射频rf离子源工作原理：射频放电将气体电离在放电室形成等离子体多孔栅极产生加速电场离子被加速电场引出、加速、获得能量中和钨丝产生电子中和电子对引出离子中和形成等离子体优点：栅极加速能量大离子可聚束能量调节范围宽适用反应气体离子束辅助效果明显缺点结构复杂价格昂贵栅极需经常维护辐照均匀区较小5、离子源价格：适合1m1镀膜机辅助镀膜的离子源价格考夫曼离子源16cm 8万霍尔离子源H10（16cm）5万-6万RF离子源160万。
GENCOA阳极层线性离子源
GENCOA阳极层线性离子源一、 技术特点GENCOA公司产IM离子源属于阳极层离子源。
其基本原理相当于一个倒置的磁控阴极，因此属于GENCOA传统技术优势能力范围内。
阳极层离子源属于无栅极离子源，最大的特点在于容易实现大面积化离子源、无栅极（意味着不受栅极源的change效应限制，有更高的离子流密度和可以在反应气氛下长时间工作）、离子能量在100-1500 EV较宽的范围内（主要取决于工作电压、工作气压、气体流量、阴极gap宽度等）、离子源成本相对较低、维护简单；缺点是原理决定了离子能量分布energy spread比较发散。
适合做大面积镀膜的清洗、表面改性和力学薄膜的辅助沉积（对于较高要求的光电薄膜的辅助沉积不是太适合）。
相对于同类进口阳极层离子源其主要特点在于聚焦模式下工作电压可以低至200-250V，采用石墨阳极。
二、应用范围离子束轰击的作用主要是：清洗基片表面污染物（本征氧化物等污染物、含碳氢化合物等）、增加薄膜结合力、减少基底缺陷、增加基片表面能、基片表面粗化、离子辅助沉积（致密化薄膜）。
不同离子源的适用情况如下图所示：阳极层离子源的主要竞争离子源类型包括考夫曼离子源和霍尔离子源，其适用范围区别如下表所示：因此，阳极层离子源重点应用在大面积镀膜的离子清洗以及辅助沉积、工具镀膜、塑料基底改性等。
主要的客户群体类型是塑料基片镀膜和工具镀涂层。
三、GENCOA 离子源FAB分析主要相对于同类进口产品FEATURE ADV ANTAGE BENEFIT 聚焦模式最低工作电压低至200-250V同类竞争对手产品的工作电压大于500-1000V 相应的离子平均能量可以低至100-150 eV利于离子辅助沉积工艺某些薄膜工艺希望较低能量离子轰击，避免高能离子轰击损伤石墨阳极同类竞争对手多为不锈钢材质更低的阳极溅射产率减少阳极材料所造成的污染更大离子流密度阴极结构优化设计30分钟内更换金属阴极（不用动真空密封）维护操作方便简单、可靠快捷整个流程计算机模拟客户非标产品的设计制造同样快速、成本较低以标准件的价格享受量身定做的质量服务四、竞争对手由于阳极层离子源的技术相对比较简单，同类产品生产厂家很多。
veeco离子源结构原理、应用与维修
veeco离子源结构原理、应用与维修
Veeco离子源是一种常用于表面处理和薄膜制备的工具，本文将介绍它的结构原理、应用和维修。
1. Veeco离子源的结构原理
Veeco离子源由离子源腔、电离器、加速器、聚焦系统、准直系统和气体输送系统等组成。
其中，离子源腔的作用是将气体进行放电，产生离子；电离器则将电子注入离子源腔，通过电离作用使得气体分子变成离子；加速器的作用则是对离子进行加速，使得它们能够冲击到样品表面；聚焦系统则将离子聚焦成束，以增加它们的强度；准直系统的作用是调整离子束的方向，使其能够垂直射向样品表面；气体输送系统则负责将气体送入离子源腔中进行放电。
2. Veeco离子源的应用
Veeco离子源主要应用于表面处理和薄膜制备领域。
在表面处理方面，它可以用于去除表面污染物、增强表面粗糙度、刻蚀表面等；在薄膜制备方面，它可以用于制备具有特定物理和化学性质的薄膜，如金属薄膜、氧化物薄膜等。
3. Veeco离子源的维修
Veeco离子源的维修需要具备一定的专业知识和技能。
一般来说，维修工作包括清洗离子源腔、更换损坏的零部件、调整离子束的聚焦和准直等。
需要注意的是，在进行维修工作时应注意安全，避免因误操作造成伤害。
同时，也要根据设备的不同情况进行具体操作，以保证维修效果的最大化。
综上所述，Veeco离子源是一种非常重要的表面处理和薄膜制备工具，了解它的结构原理、应用和维修方法对于保证其正常运行和提高工作效率都非常重要。
离子源密度计
离子源密度计全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：离子源密度计是一种用于测量离子源中离子密度的仪器。
它通常由一个激发源和一个探测器组成，通过测量探测器上的响应来确定离子的密度。
离子源密度计在许多领域都有重要的应用，如等离子体物理研究、材料表面处理和半导体制造等。
离子源密度计的工作原理是基于离子在电场中的运动。
当离子源中的离子被激发源激发后，它们会受到电场的作用而移动到探测器上。
探测器测量到的信号与离子的密度成正比，从而可以计算出离子源中的离子密度。
离子源密度计有许多不同的类型，例如电子倍增管（EMC）、离子倍增管（IMC）和导电探测器。
每种类型的密度计都有其自身的特点和适用范围。
EMC适用于测量电子密度，IMC适用于测量离子密度，导电探测器则适用于测量多种粒子的密度。
在等离子体物理研究中，离子源密度计通常用于研究等离子体中不同离子种类的密度分布以及离子源的性能。
通过测量不同离子种类的密度，研究人员可以了解等离子体的温度、密度和浓度等参数，从而更好地理解等离子体的行为和性质。
在材料表面处理中，离子源密度计被用于监测离子束的密度和能量分布，以控制材料的表面处理过程。
通过调节离子束的密度和能量，可以实现对材料表面的改性和加工，从而提高材料的性能和品质。
离子源密度计在许多领域都有着重要的应用价值，为研究人员和工程师提供了一种有效的手段来测量和控制离子的密度。
随着科学技术的不断发展和完善，离子源密度计的性能和精度也将不断提高，为各个领域的研究和应用带来更多的便利和可能性。
第二篇示例：离子源密度计是一种用来测量离子源中离子密度的仪器，它在科研领域和工业生产中广泛应用。
通过测量离子源中离子的数量和分布，可以帮助研究人员了解离子源的性能和优化生产工艺。
离子源密度计的工作原理是利用离子在电场中移动的特性来测量其密度。
一般来说，离子源密度计包括一个离子源和一个电场测量器。
离子源通过被加热的源材料或其他方法产生，然后经过加速器产生一定速度的离子束。
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Electric
Gas
Water
Mark II+: Filament Cathode, Water-Cooled
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II+ Maintenance Improvements
Double click image to start video
A new series of gridless, end-Hall Ion Sources (Mark II+) has been produced with improved features
A modular anode assembly and indirect water-cooling option for quick preventative maintenance turn-around and lower overall part count Increased output efficiencies for a given input power and gas flow
Mark II+
New Feedthroughs, Vacuum Leads and Power Supply Cables
• New Retrofit for older Mark II sources as well
Mark II+ Ion Source Keyed Shielded
Pre-connected lead assemblies (no need to disconnect for maintenance)
Mark II 4000 1.0 Amp > 3 l/min (.8 gpm) Graphite, SS Internal, Flange 6.4 kg
Mark II+ 426663 1.5 Amps (Ar) > 1.5 l/min (.4 gpm)* Stainless Steel Internal 5.9 kg (13 lbs)
[2] Patent Pending: D. Burtner, et. al., “Fluid Cooled Ion Source”, US Patent Application No. 20050248284, Nov. 11, 2005.
Anode Assembly (all consumables)
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II+ - Ion Beam Current Density Profiles
Argon beam current densities of the Mark II+ are relatively higher and are more broadly distributed when compared to the earlier Mark II. Beam Current measured in oxygen (not shown) show similar results.
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II+ Performance
Improvements
Increased Total Beam Current
(at comparable discharge conditions)
1600 1400
Ion beam current, Ib, mA
Mark II 29968 1.0 Amp Graphite, SS Internal, Flange 6.4 kg (14.1 lbs)
Mark II+ 426668 1.5 Amps (Ar) Stainless Steel Internal 5.9 kg (13 lbs)
©2006 Veeco Instruments Inc.
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II+ General Improvements
Smaller Form Factor
(shorter with the same diameter)
16.1 cm 10.8 cm
Mark II
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II +
Mark II
• Oxygen • Hollow Cathode Neutralizer • 10 Amp Discharge (Anode)
0
50
100
150
200
250
300
350
Discharge (anode) voltage, Vd, V
©2006 Veeco Instruments Inc.
Cooling Water Anode Material Mounting Config. Weight (internal mt)
Mark II 4000 2 Amps (MII+ HO) 3 Amps (MIII+) > 3 l/min (.8 gpm) Graphite, SS Internal, Flange 6.4 kg
Configurations
Radiation cooled (<900W), Filament Cathode Water cooled (<1500W), Filament Cathode Water cooled (<3000W), Hollow Cathode Anode Assembly Sold Separately (for each)
Mark II + Mark II
1200 1000 800 600 400 200 0
• Argon • Filament Neutralizer • 5 Amp Discharge
0
50
100
150
200
250
300
350
Discharge voltage, Vd, V
©2006 Veeco Instruments Inc.
Total Beam Current and Gas Utilization
Beam Current / Input flow (mA/sccm)
• When using the Mark II+ to replace the Mark II, users can reduce IA by 10-30% to achieve similar process results.
©2006 Veeco Instruments Inc.
New Feedthroughs, Vacuum Leads and Power Supply Cables
Vnsulated electrical contacts eliminates arcing • Keyed connectors speed installation and eliminates wiring errors
50
0
Anode Potential (V)
IB and IB/(input gas flow) for Mark II and Mark II+ sources (Water-cooled w/ Hot-filament) in argon at IA = 5A and at various anode potentials.
Mark II+ Performance Improvements
Increased Total Beam Current
(at comparable discharge conditions)
3500
Ion beam current, Ib, mA
3000 2500 2000 1500 1000 500 0
Angle θ (degrees)
Ji(θ) for Mark II and Mark II+ sources (Water-cooled w/ Hot-filament) at R=30 cm, in argon at IA = 5A and at various anode potentials.
Beam Current Density (mA/cm2)
0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -90 -75 -60 -45 -30 -15 0 15 30 45 60 75 90
MII 100V MII 200V MII 300V MII+ 100V MII+ 200V MII+ 300V
Mark II+ 427073 2.4 Amps (MII+ HO) 3.5 Amps (MIII+) > 1.5 l/min (.4 gpm) Stainless Steel Internal 5.9 kg (13 lbs)
©2006 Veeco Instruments Inc.
Mark II+ Summary
Beam Current (A)
• Examination of IB/(input gas flow) shows that the Mark II+ has superior gas utilization, up by 10-40%.
2
200
1.5
150
1
100
0.5 MII (I) MII (I/flow) 0 50 100 150 200 250 300 350 MII+ (I) MII+ (I/flow)
New Feedthrough, Vacuum Leads & Power Cable