微电子工艺课程总结
电子工艺实训总结范文5篇
电子工艺实训总结范文5篇第1篇示例：电子工艺实训总结电子工艺实训作为电子专业的重要课程之一，旨在通过实际操作，提高学生对电子工艺的了解和掌握，培养学生的动手能力和解决问题的能力。
在这学期的实训课程中，我深有体会地感受到了电子工艺的魅力，也收获了许多宝贵的经验。
在本学期的实训课程中，我学会了使用各种电子工具和仪器，比如示波器、万用表、焊接工具等。
通过实践操作，我不仅能够熟练地使用这些工具，还能够根据需要进行简单的调试和维修。
这些技能的掌握不仅提高了我的动手能力，也为我将来从事电子相关行业打下了坚实的基础。
在实训课程中，我还学习了电路设计和焊接技术。
通过老师的讲解和指导，我了解了电子元器件的基本原理和使用方法，学会了如何进行电路设计和焊接。
在实验中，我设计并焊接了一些简单的电路，并成功地进行了调试和测试。
这些实践操作不仅加深了我对电子原理的理解，还提高了我的动手能力和解决问题的能力。
本学期的电子工艺实训课程让我受益匪浅。
通过实践操作，我不仅掌握了各种电子工具和仪器的使用方法，还学会了电路设计和焊接技术，以及一些常用的电子制作技术。
这些技能的掌握不仅提高了我的动手能力，也培养了我的解决问题的能力和团队合作能力。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提高自己的电子工艺水平，为将来从事电子相关行业做好充分准备。
【结束】第2篇示例：电子工艺实训总结电子工艺实训是电子专业学生必须经历的重要环节，通过实训可以让我们更好地掌握电子制作的技能和理论，提升自己在实际工作中的能力。
在这次电子工艺实训中，我学到了很多知识，积累了宝贵的经验，下面我将对这次实训进行总结。
这次实训让我更加深入地了解了电子制作的流程和原理。
在实际操作中，我们需要根据电路图，选择合适的元器件进行焊接和连接，通过实际搭建电路，让理论知识得以运用和实践。
通过这种方式，我不仅巩固了课堂上学到的知识，还学会了如何正确地使用各种仪器设备，如示波器、万用表等，从而保证电路的正确连接和工作。
西工大微电子制造工艺概论总结详述
Si+3HCl→SiHCl3+H2
Si+2Cl2→SiCl4
*分解：氢气易于净化，且在硅中溶解度极低，因此，多用 H2 来还原 SiHCl3
和 SiCl4，还原得到的硅就是半导体纯度的多晶硅。
SiCl4+2H2→Si+4HCl
SiHCl3+H2→Si+3HCl
*电子级硅 EGS 杂质：碳-ppm（百万分之几）；Ⅲ,Ⅴ族-ppb(十亿分之几)
悬浮区熔法与直拉法相比，去掉了坩埚，能拉制出高纯度、无氧高阻单晶，当 前 FZ 硅的电阻率可达 5000Ω·cm 以上。
3.直拉法(CZ 法)制备单晶硅的设备、原理
①设备：四部分组成： 炉体部分： 坩埚、水冷装置和拉杆等机械传动部分； 加热控温系统 ：光学高温计、加热器、隔热装置等； 真空部分： 机械泵、扩散泵、真空计、进气阀等；
当温度高过某个值之后淀积速率就由表面反应控制转为气相质量输运控制也就是表面反应所需的反应剂数量高于到达表面的反应剂数量表面反应不再限制淀积速率这时淀积速率由反应及通过边界层输运到表面的速率所决定而ks值对温度不敏感
第 1 章 单晶硅特点
1.硅材料的优点：
①原料充分，占地壳 25%，沙子是硅在自然界中存在的主要形式； ②硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅表面器件或电路的结构、 性质很重要； ③密度只有 2.33g/cm3，是锗/砷化镓的 43.8%，用于航空、航天； ④热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃， 芯片散热； ⑤单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好，目前 16 英寸； ⑥机械性能良好，MEMS。
②替位式杂质：主要是Ⅲ和Ⅴ族元素，具有电活性，在硅中有较高的固溶度。 以替位方式扩散为主，也存在间隙-替位式扩散，扩散速率慢，称为慢扩散杂质。
微电子工艺实践心得体会
随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为现代社会不可或缺的一部分。
作为一名微电子专业的学生，我有幸参与了微电子工艺的实践课程，通过这一过程，我对微电子工艺有了更深入的了解，也收获了宝贵的实践经验。
以下是我对微电子工艺实践的心得体会。
一、实践过程中的收获1. 理论与实践相结合在微电子工艺实践中，我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性。
虽然我在课堂上学习了大量的理论知识，但在实际操作中，我发现自己对一些概念的理解并不够深入。
通过实践，我能够将理论知识与实际操作相结合，从而更好地理解了微电子工艺的原理和流程。
2. 培养动手能力微电子工艺实践课程要求我们亲自操作各种设备，完成从设计到制作的整个过程。
在这个过程中，我的动手能力得到了极大的锻炼。
我学会了如何使用各种工具和设备，如何处理实验过程中遇到的问题，如何进行故障排除。
这些经验对我今后的学习和工作都具有重要意义。
3. 提高团队合作意识微电子工艺实践是一个团队合作的工程。
在实验过程中，我们需要分工合作，共同完成实验任务。
这使我认识到了团队合作的重要性。
在团队中，我学会了如何与他人沟通、协调，如何发挥自己的优势，同时也学会了尊重他人的意见和劳动成果。
4. 增强解决问题的能力在微电子工艺实践中，我们会遇到各种各样的问题。
这些问题有的来源于设备故障，有的来源于设计缺陷，还有的来源于操作失误。
面对这些问题，我们需要冷静分析，寻找解决问题的方法。
通过不断地实践，我的解决问题的能力得到了提高。
二、实践过程中的感悟1. 谦逊与严谨在微电子工艺实践中，我深刻体会到了谦逊与严谨的重要性。
微电子技术涉及众多领域，每一个环节都需要我们严谨对待。
同时，我们要保持谦逊的态度，向他人请教，不断学习，才能在微电子领域取得更好的成绩。
2. 持之以恒微电子工艺实践是一个长期的过程，需要我们持之以恒。
在实验过程中，我们会遇到各种困难，但只要我们坚持下去，就一定能够取得成功。
这种坚持不懈的精神对我今后的学习和工作都具有很大的启示作用。
微电子操作个人工作总结
微电子操作个人工作总结本人在微电子操作方面已经有一定的工作经验，通过不断的学习和实践，在工作中积累了一定的经验和技能。
以下是我个人在微电子操作方面的工作总结：首先，我在微电子操作方面具备了较强的操作技能和实际操作经验。
我熟练掌握了微电子设备的操作流程和操作规范，能够独立完成设备的开机、调试和维护工作。
在日常实际操作中，我能够准确识别和分析各种设备运行中的问题，并采取合适的解决措施，确保设备能够正常运行。
其次，我在微电子操作方面具备了较强的学习能力和问题解决能力。
在工作中，我不断学习和研究新的操作技术和设备知识，通过自主学习和培训，不断提高自己的操作技能和知识水平。
在处理设备运行中出现的问题时，我能够迅速定位问题原因并采取有效的解决措施，保证设备的稳定运行。
再次，我在微电子操作方面具备了良好的团队合作精神和沟通能力。
在工作中，我能够与团队成员积极配合，共同完成设备的操作和维护工作。
在工作中我也能够与相关部门和同事保持良好的沟通，及时汇报设备运行情况和问题，共同解决工作中出现的困难和挑战。
最后，我在微电子操作方面具备了良好的安全意识和责任心。
我在操作设备时能够严格遵守操作规程和安全操作要求，保证设备运行的安全性和稳定性。
在工作中，我也始终将设备运行的安全和效率放在首位，保证自己的操作行为对设备和人员的安全没有任何危害。
通过以上工作总结，我相信自己在微电子操作方面已经具备了一定的专业能力和实际操作经验，也会在工作中不断提高自己的技能水平，不断提高工作效率和质量。
同时也希望在今后的工作中，能够继续学习和进步，为公司和团队的发展做出更大的贡献。
微电子是一个新兴的领域，它的发展对人类社会产生了深远的影响。
作为一名微电子操作工程师，我的工作就是为微电子设备的稳定运行提供支持。
通过长期的实践和总结，我不断提高了自己在微电子操作方面的技能和经验，同时也意识到了自己在工作中还有很多可以改进和提高的地方。
首先，我认识到了在微电子操作中需要更深入地了解设备的原理和技术。
工艺课心得体会最新5篇
工艺课心得体会最新5篇一篇有深度的心得体会，一定要与自己的真实经历相结合，这样才能引发读者的思考，在撰写心得体会时，我们能更清晰地理顺自己的思路，明确未来的方向，下面是本店铺为您分享的工艺课心得体会最新5篇，感谢您的参阅。
工艺课心得体会篇1电子工艺实习是一门教我们电子线路设计与制作的基本技能的课程，老师的谆谆教导，同学的融洽合作，以及这门课程自身所散发出的强大的实践性与趣味性一下子就深深的吸引住了我。
本学期的电子工艺实习，我收获了很多，也感悟到很多。
电子工艺实习，它已不仅仅是一门印在课程表上的课程，还是一次崭新、充满挑战的实践，是一段珍贵的体验。
从中我学习到了画图、焊接以及其他零件的用途与方法，在焊接电路板时，也学到了很多东西，比如焊法、零件的形状和种类、元器件的基本常识等等。
真是让人受益匪浅，终于能体会到不同零件的奇妙组合中展现的人类智慧的结晶。
知识的重要性在我心中再次提升，电子产品知识产权的垄断，让我既看到了机遇又看到了挑战，学习是现在我们唯一的行动方针。
别看我是个女孩，但是记得小时候我可是一个分裂份子，家里上上下下的电子器品没什么能逃脱我的魔爪的，但可惜的是它们只能有分离而没有团聚的那一天。
通过实习，我发现自己开始摸索到了一点门路，第一次如此清晰的了解组装一个电器的全部过程，对一些电子器件内部有了一个新的认识，原来无论哪都存有人类的汗水啊！在这次电子工艺实习中，我最终要做的是一个5号电池的充电器，以及一块可以报警的电路板。
实习的过程中，首先需要学习使用电烙铁（焊枪）在练习焊接时，我时刻默念老师教的焊接步骤，遵循正确的步骤才是最简洁的方法。
但尽管如此，我还是尝到很多挫败感。
虽然我多次失败，虽然时常也不乏出现一些虚焊点或是东倒西歪的焊点，虽然对自己第一次的杰作说实话都有些厌恶，但是我仍然对此由衷的感谢。
因为如果没有失败的练习哪里有现在值得骄傲的成功作品。
与此同时，我还体会到合作的乐趣和同学间的友情。
微电子工艺超详细重点总结
第一章晶体管的发明：当代半导体产业伴随着1974年12月16日在贝尔电话实验室固态晶体管的发明而诞生，发明者是威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿。
集成电路（IC）的发明：由仙童半导体公司的罗伯特·诺伊思和德州仪器公司的杰克·基尔比于1959年分别独自发明。
电路集成半导体产业周期每个芯片元件数没有集成（分离元件）1960年之前 1小规模集成电路（SSI）20世纪60年代前期2至50中规模集成电路（MSI）20世纪60年代到70年代前期20至5000大规模集成电路（LSI）20世纪70年代前期到70年代后期5000至100000超大规模集成电路（VISI）20世纪70年代后期至80年代后期100000至1000000甚大规模集成电路（ULSI）20世纪90年代后期至今大于1000000集成电路的发展时代集成电路的制造步骤：1、硅片制备；2、硅片制造；3、硅片测试/拣选；4、装配与封装；5、终测。
关键尺寸CD，技术节点：芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸，硅片上的最小特征尺寸称为关键尺寸或CD．半导体产业使用技术节点描述在硅片制造中使用的可应用CD。
摩尔定律1964年，戈登·摩尔预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。
（1975年被修改为每18个月翻一番）电子时代阶段20世纪50年代晶体管技术；20世纪60年代工艺技术；20世纪70年代竞争；20世纪80年代自动化；20世纪90年代批量生产。
第二章材料分类：根据流经材料电流的不同可分为三类材料：导体，绝缘体，半导体。
硅的优点，被选为主要半导体材料的原因：主要有四个理由：硅的丰裕度；更高的融化温度允许更宽的工艺容限；更宽的工作温度范围；氧化硅的自然生成。
硅的掺杂剂：通常用于掺杂ⅢＡ族和ⅤＡ族元素。
P型—价带空穴数大于导带电子数，n型—导带电子多余价带空穴，多子—多数载流子，少子—少数载流子，pn结—是在两部分本质相同的材料之间形成的。
电子工艺学习心得及感想(精选5篇)
电子工艺学习心得及感想(精选5篇)电子工艺学习心得及感想【篇1】我自从四月二十一日来到电子工艺实训基地进行为期两周的实训后，无论是在思想上还是学习上，或者说在生活上的收获都是颇多的，这次实践真的让自己受益匪浅呢。
刚开始时，老师给我们举例阐述了工艺的重要性和应用的广泛性，让我们了解了实训的本质在于“工艺”;继而强调实训的安全性，以“安全第一”为前提完成全部实训内容。
在开始的一周里，我们都是在练习怎样去使用电烙铁去焊接各种元器件并熟练的掌握其焊接技巧，我们应该尽量减少虚焊，避免漏焊等情况的发生，是为了更好的做第二周的的充电器和收音机等产品奠定了一定的焊接基础。
电烙铁这东西相对于自己来说并不是第一次接触，曾在打暑假工时，在电子厂里接触过用电烙铁来焊接电路板，真的是件很神奇的事呢。
所以说这次实训能再次接触到电烙铁，我真的很珍惜并认真对待这次实训。
从已焊接完成的导线板的拆卸到重新焊接导线板的过程中我体会到了要想完美的完成一件事，必须要有耐心且不惧怕失败的毅力，就像是剥导线一样需要耐心与细节，你才能真正完成了“工艺”的一部分;从练习立方体的焊接和多元物件的焊接中，我明白了给有些元器件镀锌的重要性，这能让元器件更好的焊接牢固;从电阻板的焊接中，我学到了电阻元器件是要立在焊接板上进行焊接的……所有的焊接都需要注意在焊接时把焊盘铺满，在焊接完成后，仔细检查焊点是否都已真正焊住并在焊接面把元器件过长的边线裁至焊点边缘，以免引起可能性短路而使元器件不能正常性工作。
在第二周开始前，我们认真阅读充电器原理说明书为接下来的工作做了提前预习，在课上认真看老师播放的视频和老师详细的注意事项讲解。
在发下来的电路板和元件中，先按说明书上对照材料附录检查自己所需的材料是否齐全，在按照老师所说的，自己看书开始把元器件插装到电路板上进行焊接，最后要注意要进行测试后再组装。
在做充电器的过程中，我们学会了怎样利用色环来计算电阻值的大小和学会了一些辨认元器件的正负极的方法，例如：利用万用表来测试或观察元器件引线的长短来判断。
电子工艺课心得体会5篇
电子工艺课心得体会5篇（实用版）编制人：__________________审核人：__________________审批人：__________________编制单位：__________________编制时间：____年____月____日序言下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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电子工艺实训总结范文5篇
电子工艺实训总结范文5篇篇1本次电子工艺实训，旨在让我们了解电子工艺的基本知识和技能，掌握电子元器件的识别、焊接、调试等基本操作，培养我们的动手能力和实践能力。
通过本次实训，我不仅掌握了电子工艺的基本知识，还提高了自己的动手能力和实践能力，受益匪浅。
一、实训内容及过程本次实训的主要内容包括电子元器件的识别、焊接、调试等基本操作。
在实训过程中，我们首先学习了电子元器件的基本知识，如电阻、电容、电感、晶体管等的基本原理、性能参数和识别方法。
接着，我们进行了焊接练习，掌握了焊接的基本技巧和注意事项。
最后，我们进行了调试练习，学会了如何调整电路的工作状态，以达到最佳的工作效果。
在实训过程中，我遇到了一些问题。
例如，在焊接过程中，我曾因为焊接时间过长，导致元器件过热而损坏。
但通过反复练习和摸索，我逐渐掌握了焊接的技巧，避免了类似问题的再次发生。
另外，在调试过程中，我也曾遇到过电路无法正常工作的情况，但通过认真检查和调整，我最终成功解决了问题。
二、实训收获与感悟通过本次实训，我不仅掌握了电子工艺的基本知识，还提高了自己的动手能力和实践能力。
我学会了如何识别电子元器件，如何进行焊接和调试等基本操作。
这些技能将对我未来的学习和工作产生积极的影响。
在实训过程中，我也深刻体会到了实践的重要性。
理论学习是基础，但只有通过实践才能真正掌握知识和技能。
同时，我也意识到了自己的不足之处，需要在未来的学习和工作中不断加强学习和锻炼。
此外，本次实训还让我认识到了团队合作的重要性。
在实训过程中，我们需要相互协作、互相帮助，才能更好地完成实训任务。
这也让我更加珍惜与同学之间的友谊和合作机会。
三、对未来学习的建议通过本次实训，我认为在未来的学习过程中，我们需要继续加强实践能力的培养。
理论学习是基础，但只有通过实践才能真正掌握知识和技能。
因此，建议学校在课程设置上多安排一些实践性的课程，让我们能够更好地将理论知识与实践相结合。
同时，我也认为我们需要不断拓宽知识面。
微电子工艺实习心得模板5篇
微电子工艺实习心得模板5篇微电子工艺实习心得模板5篇当我们经过反思，对生活有了新的看法时，通常就可以写一篇心得体会将其记下来，这样就可以通过不断总结，丰富我们的思想。
那么今天在这里给大家整理一下微电子工艺实习心得，我们一起看看吧！微电子工艺实习心得篇1为期四周的电子工艺实习结束了，在这期间我们学习了常用电子元器件，以及相关的各种工具；基本掌握了电子元器件的基本手工焊接方法；最后焊接完成了DT830D数字万用表的焊接与组装。
这们课不同于其他的课程，主要是培养我们的手能力，同时它作为我们专业的一门必修课也让大家收获了很多，当最后我拿着我焊接组装的万用表时，心中有着一种喜悦，是一种通过自己双手获得成功后的喜悦。
学完这门课后我对电子产品的生产有了个新的认识，它并不像过去我认为的装起来就好，而是要经历一定过程的。
我总结了一下，一个电子产品从开始到出厂的过程主要包括：1、设计电路2、制作印刷电路板，准备电子元器件3、插装电子元器件4、焊接电子元器件及修剪拐角5、检验与调试6、组装电子产品，包装其中最主要的的就是焊接，焊接工艺的好坏直接影响着产品的档次与功能。
特别是现在电子产品向小型化，与多功能化的方向发展，如果焊接工艺跟不上的话，再好的设计都是无法实现的。
学习这门课感觉就是在学习电子产品的制造精髓——焊接。
在细一点就是手工焊接，虽然这种方法在正规生产中是无法实现的，但他作为所有焊接技术的基础，以及我们学习电专业的人所必备的技能有着绝对的存在价值。
焊接是使金属连接的一种方法，利用加热的手段在两种金属的接触面通过焊接材料的原子或分子的相互扩散作用，是两种金属件形成一种永久的牢固结合。
利用焊接方式进行连接而形成的连接叫做焊点。
电子元器件的焊接称为锡焊，其主要原手工焊一般分为四个步骤1、准备焊接，其中最主要的是把少量的焊锡丝和助焊剂加到烙铁头上，以避免烙铁头的氧化，影响焊接质量，而且这样还可以使烙焊件将烙铁头放在被焊接的焊点上，使焊点升温。
微电子技术实训总结报告
一、前言随着科技的飞速发展，微电子技术已经成为当今世界最具发展潜力的领域之一。
为了更好地了解微电子技术的原理和应用，提高自身的实践能力，我们班级于近期进行了为期两周的微电子技术实训。
本次实训旨在通过实际操作，让学生掌握微电子技术的基本原理和操作技能，为今后的学习和工作打下坚实的基础。
二、实训内容本次实训主要分为以下几个部分：1. 微电子技术基础理论讲解实训开始前，我们首先进行了微电子技术基础理论的讲解。
通过学习，我们了解了半导体物理、集成电路设计、制造工艺等方面的知识，为后续的实训操作打下了理论基础。
2. 实验室参观与设备熟悉在实训过程中，我们参观了实验室，了解了实验室的布局、设备功能以及安全注意事项。
同时，我们还熟悉了各种实验设备的使用方法，为接下来的实验操作做好了准备。
3. 基本工艺操作训练实训期间，我们进行了以下基本工艺操作训练：（1）光刻工艺：学习了光刻原理、光刻机操作方法，掌握了光刻胶、抗蚀剂等材料的配制和使用技巧。
（2）蚀刻工艺：了解了蚀刻原理、蚀刻液的选择和配制方法，掌握了蚀刻机操作技巧。
（3）离子注入工艺：学习了离子注入原理、离子注入机操作方法，掌握了离子注入参数的设置。
（4）化学气相沉积（CVD）工艺：了解了CVD原理、CVD设备操作方法，掌握了CVD工艺的参数设置。
4. 集成电路设计与制作在实训的最后阶段，我们进行了集成电路设计与制作。
首先，我们学习了电路设计软件的使用方法，然后根据所学知识设计了一个简单的集成电路。
接着，我们按照设计图纸进行光刻、蚀刻、离子注入等工艺操作，最终完成了集成电路的制作。
三、实训心得1. 理论与实践相结合通过本次实训，我深刻体会到理论与实践相结合的重要性。
在理论学习过程中，我们了解到了微电子技术的基本原理，但在实际操作中，我们才能更好地理解这些原理，并掌握相应的技能。
2. 团队协作与沟通在实训过程中，我们不仅需要掌握个人操作技能，还需要与团队成员密切配合。
电子工艺实训总结精选10篇
电子工艺实训总结电子工艺实训总结精选10篇电子工艺实训总结1一周的实习，时间虽短，内容却丰富多彩，每天的实习任务都安排的很紧凑，从第一天的基础学习，到后面的规定任务，再到创新任务，以及最后的电子绘图，几天下来，总算是大功告成，丰富了基础知识，也让我们的动手实践能力大大加强。
(1)基础学习，这一部分我们主要学习各种元器件的识别。
像是色环电阻的阻值大小的识别，以前根本不知道，直接从电阻上的色环就可以读出具体的阻值，不用每次都用万用表量，方便好多。
还有二极管三极管的分类，管脚说明等等，熟悉了这些，接下来的任务才能更高效的完成。
面包板的使用对我们来说是一次新的尝试，以前从没有接触过，经过具体学习，才知道面包板是专为电子电路的无焊接实验设计制造的。
由于各种电子元器件可根据需要随意插入或拔出，免去了焊接，节省了电路的组装时间，而且元件可以重复使用，方便快捷。
在使用面包板的过程中，我们也学到一些经验：(1)连接点越少越好，每增加一个点，实际上就人为的增加了故障概率;(2)尽量避免立交桥，横就是横，竖就是竖，若像立交桥一样布局，一方面给后期更换元器件带来麻烦，另一方面，在出现故障时，零乱的导线很容易使人失去信心;(3)尽量牢靠、紧凑，布局与原理图近似，这样既方便检查线路，也比较安全。
(2)规定任务，这一部分有两个任务，触摸报警器和床头延时灯的焊接。
为了熟悉电路图，理解原理，我们需要在面包板上先搭接出原电路，经过检测合格，才能在pcb板上焊接。
在面包板上搭接电路，原以为会很轻松，其实相当的繁琐，既要思索电路的实际布局，又要考虑简单可操作，花费将近一上午的实验，才搭接好，第一次去验收，没有达到预期的效果，经过仔细的检查，才发现是电路虚接了。
这一部分其实收获最大，由于期间帮着老师验收，每个人的电路我都仔细看了一下，并且故障排除也思考了好多，电路的原理已然了然于心，因此下面的pcb板焊接水到渠成，很顺利的就完成了。
但是在这一部分，老师也教了好多，像焊点的处理，焊盘的美观，以及虚焊的问题，等等，这一关最后也完美过关。
微电子工艺重点总结。半导体 制造工艺
1 集成电路的分类：小规模集成，中规模，大规模，超大规模，巨大规模，系统及芯片。
集成电路指标：集成度，特征尺寸。
2 集成度：单个芯片上集成的元器件数目；特征尺寸：45nm,22nm,15nm。
3 晶胞的分类：素晶胞，面心晶胞，体心晶胞，底心晶胞。
4 硅片的制备：单晶生长---单晶硅锭---单晶去头和径向研磨---定位边研磨--- 硅片研磨----倒角---粘片---硅片刻蚀---抛光。
5 晶体缺陷：点缺陷，线缺陷，面缺陷，体缺陷。
线缺陷又称为位错，分为刃型位错和镙位错。
6 硅的氧化分为干氧氧化Si(固体)+O2(气体)-----SiO2(固体)湿氧氧化Si(固体)+2H2O(气体)-----SiO2(固体)+2H2（气体）7 判定氧化层厚度的方法，颜色对比是主观化的因此不是最精确的判定氧化层厚度的方法。
更精确的方法是表面光度法和椭圆偏光法。
8 光刻定义：光刻就是在超净环境中将掩膜上的几何图形转移到涂在半导体晶片表面的敏光薄层材料上的工艺。
工艺流程：气相成底膜---旋转涂胶---软烘----对准和曝光----曝光后的烘焙---显影---坚膜烘焙----显影检查。
9 曝光设备的性能取决于三个参数：分辨率，对准精度，生产效率。
分辨率是指能精确转移到半导体表面光刻胶上的最小特征尺寸值。
对准精度是指各个掩膜与先前刻在硅片上的图行互相套准的程度。
生产效率是指某次光刻中掩膜在1小时内能曝光的硅片数量。
10 两种基本的曝光方法：遮蔽式与投影式曝光。
11 光刻胶分为正胶和负胶。
正胶有三种成分组成：感光剂，树脂基片和有机溶剂。
负胶是一种有感光剂的聚合物。
正光刻胶;由不可溶变为可溶，加工精度高。
负光刻胶粘附性好。
12 刻蚀分为：干法刻蚀和湿法化学刻蚀。
湿法化学刻蚀的方法有浸泡法和喷射法。
13 刻蚀偏差是指刻蚀后线宽与关键尺寸的变化；选择比是指在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料刻蚀速率的比；均匀性是指衡显刻蚀工艺在一个硅片或在一批之间的参数。
微电子工艺课程总结共42页文档
1、战鼓一响，法律无声。——英国 2、任何法律的根本；不，不成文法本 身就是 讲道理 ……法 律，也 ----即 明示道 理。— —爱·科 克
3、法律是最保险的头盔。——爱·科 克 4、一个国家如果纲纪不正，其国风一 定颓败 。—— 塞内加 5、法律不能使人人平等，但是在法律 面前人 人是平 等的。 ——波 洛克
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。
微电子工艺基础总结课
3、清洗策略（1） 颗粒去除
（2）有机残余物
（3）无机残余物
（4）氧化层的去除
（5）化学清洗方案： ① 热硫酸 ② 氧化添加剂
（6）RCA清洗方案： ① SC-1去除有机残余物，金属
（7）水冲洗
② SC-2去除碱金属离子，氢氧根
4、其它清洗方式：① 喷洒清洗
② 干法清洗（刻蚀液蒸汽）
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一、半导体材料
1、*本征半导体：处于纯净的状态而不是掺杂了其他物质的半导体。
有两类本征半导体： 半导体元素 硅和锗 化合物材料 砷化镓和磷化镓
2、**掺杂半导体：（1）掺杂半导体的来源
（2）掺杂半导体和金属导电的区别 （3）载流子的迁移率
3、***半导体材料： （1）硅和锗（两种重要的半导体）
分立器件：每个芯片只含有一个器件。
集成电路：每个芯片含有多个元件。
按集成成度分：
水平
缩写 单位芯片内的器件数
小规模集成电路 SSI 中规模集成电路 MSI 大规模集成电路 LSI 超大规模集成电路
特大规模集成电路
2－50 50－5000 5000－100000 VLSI 100000－1000000 ULSI ＞1000000
大批量、低成本 图形转移技术使之得以实现
高温
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多数关键工艺是在高温下实现， 如：热氧化、扩散、退火
二、芯片制造/生产的几个阶段
固态器件的制造分为4个大的阶段（粗线 条）：
材料制备 晶体生长/晶圆准备 晶圆制造、芯片生成 （本课程侧重点） 封装
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第一章作业题
1、描述分立器件和集成电路的区别 2、列举出几种pn结的形成方法并说出平面工
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热氧化机制
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三、晶片加工（了解） • 切片、磨片、抛光
2021/3/11
第二章 掺杂技术（熟悉、掌握 ）
• §1 扩散
一、 扩散原理（熟悉）
本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。 方向上：高浓度向低浓度扩散。
1.菲克第一定律 J=-D·▽N
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2.扩散模型（掌握）
③表面浓度Ns--查图法（了解）
④次表面浓度和次表面薄层电阻（了解） ⑤击穿特性(了解） 三. 扩散方法（了解）
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§2-2 离子注入
• 特点（熟悉）
①注入温度低②掺杂数目完全受控③无污染④横向扩散 小⑤不受固溶度限制⑥注入深度随离子能量的增加而 增加
• 缺点： ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高
• 一、直拉法（CZ法）
• 二、悬浮区熔法（float-zone， FZ法）
• 三、水平区熔法（布里吉曼法） ---GaAs单晶
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§1.3 衬底制备
一、晶体定向（了解）
1．光图像定向法（表1.11） 2. X射线衍射法
二、晶面标识（熟悉）
1．主参考面（主定位面，主标志面） ①作为选定芯片图形与晶体取向关系的参考； ②作为硅片（晶锭）机械加工定位的参考面； ③作为硅片装架的接触位置，可减少硅片损耗； 2.次参考面（次定位面，次标志面）
• 结深
Xj
2
Detrfc1(NB) Ns
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2.有限表面源扩散/恒定杂质总量 扩散(掌握)
• 定义（特点）：在扩散过程中，杂质源限定于扩散前 淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q，没有补充，也 不会减少。
• 例如：再分布。
Q
x2
x2
N (x)Detx4 pD () tN sex4 pD ()t
2、PN结隔离双极型集成电路制造工艺（了解） 3、集成电路的特有工艺 （熟悉）
①隔离扩散 ②埋层扩散
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第一章 衬底制备
§1.1 衬底材料（了解）
一、衬底材料的类型
1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、
ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石
一,离子注入设备（了解）
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• 二. 能量损失模型（掌握） • 1.核阻挡模型 • 2.电子阻挡模型 • 三. 注入深度（熟悉） 1.总射程R ① E0 <Ene,即以核阻挡为主，令Se(E)=0,则
R≈k1E0 ②E0 >Ene,即以电子阻挡为主，令Sn(E)=0,则
C V (恒 压 )律 1/ 1 2 1
1/ 1 / 2 3 1/ 1 / 2 2
Q CE(准 恒 场 )律 1/ / / 2/ 1/ 1 / 3/ 2 3 2/ 3 1 / 2 2
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微电子技术的 三个发展方向
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微电子技术的三个发展方向
21世 纪 硅 微 电 子 技 术 的 三 个 主 要 发 展 方 向
➢特征尺寸继续等比例缩小 ➢ 集 成 电 路 (IC )将 发 展 成 为 系 统 芯 片 (SO C ) ➢微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业
和 新 的 学 科 ， 例 如 MEMS、 DNA芯 片 等
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三、器件与集成电路制造工艺 简介
1、硅外延平面晶体管制造工艺（了解） （3DK3 —NPN型开关管）
1.恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散（掌握）
• 定义（特征）: 在扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始 终不变。 例如：预淀积，箱法扩散
N (x ,t) N s[1 e(r2f x D ) t]N ser (2 fx D c)t
余误差分布
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• 杂质总量
Q 0 N (x ,t) d x 0 N s e( r 2 x f D c ) dt x 2 N s D 1 .t 1N s 3Dt
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表1 周期表中用作半导体的元素
•
Ⅱ族
• 第2周期
• 第3周期
• 第4周期Zn
• 第5周期Cd
• 第6周期Hg
Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 BCN Al Si P S Ga Ge As Se In Sn Sb Te
Pb
二、对衬底材料的要求（了解）
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§1.2 单晶的制备（了解）
等比例缩小 (Scaling-dow n)定 律
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参数 器 件 尺 寸 L, W, tox等
电源电压 掺杂浓度 阈值电压
电流 负载电容 电场强度 门延迟时间
功耗 功耗密度 功耗延迟积
栅电容 面积
集成密度
CE(恒 场 )律 1/ 1/ 1/ 1/ 1/ 1 1/ 1 / 2 1 1 / 3 1 / 2 2
D1t1
②再分布（有限源扩散）―高斯分布
• 目的：达到所需的Ns和Xj
N20s221/3/112Ns1
D1t1 D2t2
4.实际杂质分布（了解）
5．扩散层质量参数（了解）
①结深的测量（熟悉）
a.磨角染色法：
b.滚槽染色法：
②方块电阻R□(RS)1 1R? X X qQ 2021/3/11
j
j
•
－－高斯分布
•
结深 xj 2
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D(tlnNS )1/2 NB
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3．两步扩散工艺(熟悉）
• 第一步：较低温度下，预淀积； • 第二步：较高温度下，再分布； • 两步法的浓度分布： ①预淀积（恒定源扩散） ――余误差分布； • 目的:准确控制表面杂质总量Q。
Q 2Ns1
微电子工艺课程总结
• 绪论（了解）
• 一、微电子技术发展历史
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二、微电子技术发展的规律与 趋势
Moore定律
1965年Intel公司的创始人之一 Gordon E. Moore预言集成电路产 业的发展规律
➢ 集成电路的集成度每三年 增长四倍，
➢ 特征尺寸每三年缩小 2 倍
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①间隙式扩散 ② 替位（代位）式扩散
3.扩散系数（熟悉）
D=D0 exp(-Ea /kT)
• D0—表观扩散系数，Ea—激活能； • D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描
述。
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• 3.菲克第二定律—扩散方程（掌握）
N t
D
2N 2x
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二、扩散杂质的浓度分布