CMOS课程设计报告

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CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计 (2)

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计 (2)

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计一、设计目标本次课程设计目标是:通过对CMOS模拟集成电路设计第二版中的一个电路设计实例进行仿真分析、电路优化及布局设计,深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的基本原理及设计方法,培养学生分析和设计模拟集成电路的能力。

二、课程设计内容1.复习:基本模拟电路的分析和设计方法在进行CMOS模拟集成电路设计前,学生需要具备基本模拟电路的分析和设计方法。

本节将对常见的放大电路(比如共射放大电路,共基放大电路和共集放大电路等)的分析和设计方法进行复习。

2.CMOS反相器设计实例讲解本部分将讲解CMOS反相器的结构及原理,并通过具体的例子进行电路设计分析和仿真。

帮助学生了解CMOS反相器的设计方法、电路特性及其影响因素。

3.电路优化与参数选择在本部分,我们将重点介绍电路优化及参数选择的方法。

从电路的性能和稳定性等方面进行优化选择,并通过仿真结果来证明优化参数的效果。

4.布局设计与模拟验证本部分将介绍CMOS模拟集成电路的布局设计及模拟验证方法。

布局设计不仅可以影响电路的性能,也会影响电路的稳定性和可靠性。

通过模拟验证对电路进行分析验证。

三、设计评分方案本次课程设计采用滚动评分的方式,共计100分,具体评分如下:1.复习及设立问题:10分2.设计实例介绍及分析:20分3.参数选择及电路优化:30分4.布局设计及模拟验证:40分四、设计要求1.学生需要独立完成所有实验任务,不允许抄袭2.电路模拟软件使用HSPICE或者Spectre等,本节课程以HSPICE为例3.学生需要提交电路仿真截图、仿真结果以及电路设计原理图等作为实验报告。

五、总结通过本次课程设计的学习,学生可以深入了解CMOS模拟集成电路设计的基本原理及设计方法,并且培养分析和设计模拟集成电路的能力,为以后的研究或工作打下更好的基础。

同时,通过本次课程设计,学生能进一步加深对学过的知识的理解,增强把理论知识转化为实际工程应用的能力,提高实际应用能力和工程素质。

CMOS模拟集成电路设计课程设计

CMOS模拟集成电路设计课程设计

CMOS模拟集成电路设计课程设计概述本设计以CMOS工艺为基础,要求完成一个简单的模拟集成电路的设计。

本课程旨在让同学们获得实践经验,强化相关知识的掌握程度,提高实验能力。

本设计的主要内容包括:基本电路设计、实验测试以及技术文献综述。

设计目标设计一个可靠、高性能且低功耗的CMOS模拟电路。

本设计中,将以一款CMOS 芯片为基础,使用新一代技术来实现其设计方案。

该方案应考虑到多个设计要素,如速度、功耗、面积、噪声等等。

设计过程基本电路设计本设计中的基本电路为一个基本差分放大器电路,该电路的特点是它可以将平衡的差分信号转换成单端输出信号。

差分放大器有以下几个优点:•高CMRR值•提高电压增益•减少同相信号噪声此外,差分放大器也具有以下几个劣势:•增加了复杂度•增加了功耗•增加了芯片面积实验测试完成差分放大器电路设计后,应进行实验测试以验证其性能。

在本设计中需要进行以下测试:•静态电流测试•差分输入电压放大测试•CMRR测试•带宽测试技术文献综述在本设计的最后阶段,应完成技术文献综述。

在这一部分,学生需要在IEEE、ACM、IEEEXPLORE等学术平台中寻找与本设计相关的学术论文,并对其内容进行概述、分析和讨论,以进一步理解CMOS模拟集成电路设计的核心原理。

结论本设计可以让学生获得机会与机器设计专业知识方面的知识和技能,同时将其与实际工程实践相结合。

本设计可用于培养学生的分析、协作以及研究技能,以满足我们日益增长的需求。

对于这些方面的学习,不仅可以从学术上获得好处,还可以为实际工程做好准备,开发出更优秀的产品。

模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告

模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告

模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告一、概述在现代集成电路设计领域,模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的课题。

本实验旨在通过对模拟CMOS集成电路设计相关内容的学习和实践,加深对该领域的理解,并提升设计实践能力。

本文将介绍实验内容、实验过程和实验结果,并结合个人观点对模拟CMOS集成电路设计进行探讨。

二、实验内容1. 实验名称:基于CMOS工艺的运算放大器设计与仿真2. 实验目的:通过对基本运算放大器的设计与仿真,理解模拟CMOS 集成电路设计的基本原理和方法。

3. 实验要求:设计一个基于CMOS工艺的运算放大器电路,并进行仿真验证。

4. 实验器材与软件:PSPICE仿真软件、计算机、基本电路元件。

三、实验过程1. 设计基本运算放大器电路a. 根据理论知识,选择合适的CMOS工艺器件,并进行电路拓扑设计。

b. 计算电路的主要参数,如增益、带宽、输入输出阻抗等。

c. 优化设计,满足实际应用需求。

2. 运算放大器电路仿真a. 在PSPICE软件中建立电路模型。

b. 分析仿真结果,验证设计参数是否符合预期。

c. 优化设计,使得电路性能达到最佳状态。

四、实验结果经过反复设计与仿真,最终得到了一个基于CMOS工艺的运算放大器电路。

在PSPICE软件中进行仿真测试,结果表明设计的运算放大器电路性能良好,能够满足设计要求。

在输入端加入正弦波信号,输出端得到经过放大和处理的信号,验证了电路的正常工作。

五、总结与回顾通过本次实验,我深刻理解了模拟CMOS集成电路设计的基本原理和方法。

从初步设计到最终仿真,我逐步掌握了电路设计与优化的过程,并将理论知识应用到实践中。

在今后的学习和工作中,我将继续深入研究模拟CMOS集成电路设计,不断提升自己的技能。

六、个人观点与理解模拟CMOS集成电路设计是一个复杂而又具有挑战性的领域。

在实验过程中,我深刻意识到了理论知识与实际应用的紧密通联,只有不断实践与探索,才能够更好地理解与掌握。

模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告

模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告

模拟cmos集成电路设计研究生课程实验报告模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验报告1. 引言在现代电子工程领域中,模拟CMOS集成电路设计一直是一个备受关注的研究领域。

本文将对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行全面评估,并撰写一份有价值的实验报告。

通过这篇文章,我们将深入探讨模拟CMOS集成电路设计的原理、方法和实践,为读者带来深刻而全面的理解。

2. 实验内容本次课程实验旨在通过实际操作,让学生深入理解模拟CMOS集成电路设计的基本原理和流程。

实验包括了对CMOS集成电路的基本认识、基于SPICE仿真工具的电路模拟设计、以及实际电路的布局与布线等内容。

在实验中,学生需要掌握CMOS集成电路的工作原理、信号传输特性、电路设计的基本流程以及布局与布线的关键技术。

3. 深度评估通过对实验内容的深度评估,我们可以认识到模拟CMOS集成电路设计的复杂性和重要性。

学生需要理解CMOS技术在集成电路设计中的核心地位,以及其在实际电路中的应用。

SPICE仿真工具在电路设计中的作用和优势也是本次实验的重要内容。

电路的布局与布线对于电路性能的影响不可忽视,学生需要深入理解布局布线的原理和方法。

4. 文章撰写在文章的撰写过程中,我们将按照知识的文章格式进行,使用序号标注,并在内容中多次提及模拟CMOS集成电路设计这一主题。

在文章的开头,我们将对模拟CMOS集成电路设计的重要性和实验的背景进行介绍,为读者带来对主题的直观了解。

我们将从CMOS集成电路的基本原理和工作特性入手,逐步展开对实验内容的深入解析。

在文章的结尾,我们将总结实验的收获和体会,共享对模拟CMOS集成电路设计的个人观点和理解。

5. 总结与展望通过本文的撰写和深度评估,我们不仅对模拟CMOS集成电路设计研究生课程实验进行了全面解析,同时也为读者带来了对这一领域的深刻理解和启发。

未来,希望能进一步探讨模拟CMOS集成电路设计的前沿技术和发展趋势,为电子工程领域的学术研究和技术应用提供更多有价值的内容。

《CMOS》Project报告参考模板

《CMOS》Project报告参考模板

《CMOS模拟集成电路设计》---项目设计CMOS模拟二级运算放大器设计一.项目需求分析与方案论证运算放大器,简称运放,是模拟电路中最为通用和基础的模块。

运放一般由几部分构成,包括输入级、中间级、输出级和偏置电路。

单级放大器中由输出管产生的小信号电流直接流过输出阻抗,因此单级放大电路增益被抑制在放大管的跨导与输出阻抗的乘积。

在单级放大器中,增益是与输出摆幅是相矛盾的,为了缓解这种矛盾引进了两级运放,两级运放可以同时实现高增益和较大的输出摆幅。

在两级运放中将这两点各在不同级实现。

本项目运用的是二级运放来实现,其中大的增益靠第一级与第二级的级联而组成,而大的输出电压范围靠第二级共源放大器来实现。

表1 设计目标和性能参数要求本项目选用的是LEVEL 1 SPICE参数模型本项目所使用二级放大器电路图如下:VDD图1 二级放大器电路图其中输入级放大电路由 M1~M5 组成,M1 和M2 组成PMOS 差分输入对,差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰;M3、M4 电流镜为有源负载;M5 为第一级提供恒定偏置电流。

输出级放大电路由M6、M7 组成,M6 为共源放大器,M7 为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载,相位补偿电路由Cc 构成,电容Cc 接在第二级输入输出之间,构成密勒补偿。

二. 项目详细设计1、 静态分析分别分析M1-M8 管:1)对M1、M2 管有:min .CM in V V =时,M1 管也必须工作在饱和区(对一个MOS 管, 它处于饱和工作区的电压条件是:T gs ds V V V -≥ 从而可以推出以下不等式条件SS Tp CM OX n V V V W C I I --≤min ,3312μ2)对M3、M4 管,因为M3 的G 、D 端互连,保证了M3 管永远工作在饱和区中。

而M4 管和M3 管完全对称,而且电流相等,从而也就保证了M4 管工作在饱和 区中。

3)对M5 管:分析可知,若5d V 太大,则5sd V 减小,则M5 管将落入线性工作区。

cmos集成电路版图课程设计

cmos集成电路版图课程设计

cmos集成电路版图课程设计一、课程目标知识目标:1. 让学生掌握CMOS集成电路版图的基本概念,包括版图设计原理、构成要素及其相互关系。

2. 使学生了解CMOS工艺流程,理解不同工艺对版图设计的影响。

3. 帮助学生掌握版图设计中的关键参数,如线宽、间距、面积等,并能运用这些参数进行版图优化。

技能目标:1. 培养学生运用EDA工具进行CMOS集成电路版图设计的能力。

2. 培养学生分析和解决版图设计过程中遇到的问题,提高版图设计的实际操作能力。

3. 培养学生具备团队协作和沟通能力,能够在项目中与他人共同完成版图设计任务。

情感态度价值观目标:1. 培养学生对CMOS集成电路版图设计的兴趣,激发学习热情。

2. 培养学生严谨、细致的学习态度,养成精益求精的工作习惯。

3. 使学生认识到版图设计在集成电路领域的重要性,增强学生的责任感和使命感。

本课程针对高年级电子科学与技术专业学生,结合课程性质、学生特点和教学要求,将课程目标分解为具体的学习成果。

通过本课程的学习,学生将能够掌握CMOS集成电路版图设计的基本知识和技能,为今后的专业发展和就业奠定坚实基础。

二、教学内容本课程教学内容主要包括以下几部分:1. CMOS集成电路版图基本原理:介绍版图设计的基本概念、构成要素及其相互关系,包括晶体管、连线、电源地网络等。

2. CMOS工艺流程:讲解CMOS工艺的基本流程,分析不同工艺对版图设计的影响,如光刻、刻蚀、离子注入等。

3. 版图设计方法:教授版图设计的基本方法,包括版图布局、布线、封装等,以及版图优化技巧。

4. EDA工具应用:介绍版图设计自动化工具,如Cadence、Mentor Graphics等,指导学生运用这些工具进行版图设计。

5. 版图设计实例分析:分析实际项目中CMOS集成电路版图设计案例,使学生了解版图设计在实际应用中的关键问题。

教学内容安排如下:第1周:版图基本原理及构成要素第2周:CMOS工艺流程及其对版图设计的影响第3-4周:版图设计方法及技巧第5-6周:EDA工具应用及版图设计实践第7周:版图设计实例分析及讨论教材章节对应内容如下:第1章:CMOS集成电路版图基本原理第2章:CMOS工艺流程第3章:版图设计方法第4章:EDA工具应用第5章:版图设计实例分析三、教学方法为确保教学效果,充分激发学生的学习兴趣和主动性,本课程将采用以下多样化的教学方法:1. 讲授法:通过系统讲解CMOS集成电路版图的基本原理、工艺流程和设计方法,为学生奠定扎实的理论基础。

北邮模拟集成电路设计CMOS实验报告

北邮模拟集成电路设计CMOS实验报告

北邮模拟集成电路设计CMOS实验报告实验名称:CMOS集成电路设计实验一、实验目的:1.理解CMOS集成电路的基本原理和设计方法;2.掌握CMOS逻辑门电路的设计过程;3.学会使用EDA软件进行CMOS集成电路的仿真和布局。

二、实验原理:CMOS逻辑门电路常用的基本逻辑门有与门(AND)、或门(OR)、非门(NOT)和异或门(XOR)等。

通过适当的连接和组合可以实现各种复杂的逻辑功能。

三、实验仪器和材料:1.电脑:用于运行EDA软件进行仿真和布局;2. EDA软件:如Cadence、Virtuoso等。

四、实验步骤:1.设计CMOS逻辑门电路。

a.确定逻辑门的功能要求,选择合适的逻辑门类型;b.根据逻辑门的真值表进行逻辑电路的设计;c.根据逻辑电路设计生成CMOS电路原理图。

2.仿真验证电路功能。

a.在EDA软件中加载CMOS电路原理图;b.设置输入信号,并运行仿真进行波形分析;c.验证逻辑门电路的功能和时序响应。

3.进行电路布局。

a.根据设计要求和布局规范进行电路布局;b.确保电路布局符合工艺和物理约束条件;c.生成电路布局图。

4.查看布局成果。

a.在EDA软件中加载电路布局图;b.观察和分析电路布局的效果和问题;c.对电路布局进行进一步优化和调整。

五、实验结果和分析:在实验中,我们选择设计了一个4输入与门电路。

通过EDA软件仿真,我们可以看到当所有输入均为高电平时,输出才为高电平;否则,输出为低电平。

仿真结果符合与门的逻辑功能要求,说明我们的设计是正确的。

同时,我们也进行了电路的布局,保证了电路的正确性和合理性。

通过查看布局成果,我们发现一些电路单元之间的间距不合适,会造成电路性能的影响。

因此,我们对电路布局进行了调整和优化,使其满足工艺和物理要求。

六、实验总结:通过本次实验,我们深入理解了CMOS集成电路的基本原理和设计方法。

通过搭建CMOS逻辑门电路,我们掌握了逻辑电路的设计过程,并借助EDA软件进行了仿真和布局。

cmos实验报告

cmos实验报告

cmos实验报告CMOS实验报告导言CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)是一种常用的集成电路技术,它广泛应用于数字电路和模拟电路中。

本实验旨在通过设计和实现一个简单的CMOS电路,深入了解CMOS技术的原理和应用。

一、CMOS技术的原理CMOS技术是基于MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的电路设计和制造技术。

MOS结构包括P型和N型金属-氧化物-半导体材料,通过调节金属电极的电压,可以控制电流在半导体材料中的流动情况。

二、CMOS电路的设计在本实验中,我们选择了一个简单的CMOS反相器电路进行设计和实验。

该电路由一个P型MOS管和一个N型MOS管组成,通过控制输入电压的高低,实现输出电压的反相。

三、实验步骤1. 准备工作:检查实验所需器材和元件是否齐全,确保实验环境的安全和稳定。

2. 绘制电路图:根据CMOS反相器电路的原理,绘制出电路图,明确各个元件的连接方式和电压控制方式。

3. 元件选择:选择适当的P型和N型MOS管,并确保其参数符合电路设计要求。

4. 元件连接:按照电路图的要求,将各个元件正确连接在一起,注意保持电路的稳定性和可靠性。

5. 电源接入:将电源正确接入电路,确保电路能够正常工作,并进行必要的电压和电流测量。

6. 输入输出测试:通过改变输入电压的高低,观察输出电压的变化情况,验证电路的反相功能。

7. 数据记录:记录实验过程中的电压、电流和观察到的现象,以备后续分析和总结。

四、实验结果在实验过程中,我们成功设计并实现了一个CMOS反相器电路。

通过改变输入电压的高低,我们观察到输出电压的反相变化,验证了电路的功能。

五、实验分析通过本次实验,我们深入了解了CMOS技术的原理和应用。

CMOS电路由于其低功耗、高集成度和稳定性等优点,被广泛应用于数字电路和模拟电路中。

在今天的信息时代,CMOS技术的发展对于电子产品的性能和功能提升起到了重要作用。

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计

CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计
一、介绍
本文档主要介绍《CMOS模拟集成电路设计第二版》课程设计的内容和要求。

该课程设计是为了帮助学生深入理解CMOS模拟集成电路设计的基本原理和应用,提高学生的实践能力和创新思维。

二、课程设计内容
本次课程设计要求学生设计并仿真一个基于CMOS技术的单管放大器电路。

该电路要求具有以下特点:
1.输入阻抗高,输出阻抗低;
2.放大电压增益高,带宽宽;
3.输出波形失真小,不失真;
4.电路功耗小,能够满足实际需要。

三、课程设计要求
1.电路设计要求满足以上特点,并能够满足实际的工作需要;
2.仿真结果要通过激励响应波形、频率响应曲线等方式进行展示,并有
效分析测试结果和目标设定的贴近程度;
3.课程设计报告要求学生详细描述电路设计的背景、原理、仿真结果等
内容,并对不足之处进行分析,并提出有效的改进措施;
4.课程设计报告要求采用Markdown文本格式输出,并应当符合学院的
学术要求和规范。

四、课程设计时间安排
CMOS模拟集成电路设计第二版课程设计的时间安排分为以下几个环节:
1.确定题目和要求:2周;
2.电路设计和仿真:6周;
3.课程设计报告的撰写、提交、评阅和答辩:4周。

五、结论
CMOS模拟集成电路设计是电子信息工程专业中的重要课程,对于培养学生的实践能力、创新能力、工程能力等方面都具有重要意义。

通过本次课程设计,相信学生们能够更加深入地了解和掌握CMOS模拟集成电路设计的基本原理和应用,提高实践能力和创新思维,为今后的学习和工作奠定扎实的基础。

CMOS设置实验报告

CMOS设置实验报告

CMOS设置实验报告一、实验目的通过实验了解CMOS设置的基本知识,掌握CMOS的设置方法,加深对CMOS的理解。

二、实验仪器1.个人电脑2.键盘3.显示器三、实验步骤1.打开个人电脑的电源。

2.按F2或Del键进入BIOS界面。

3.在BIOS界面选择“Main”选项,可以设置系统的时间和日期,也可以设置启动顺序。

4.在BIOS界面选择“Advanced”选项,可以进行高级设置,如CPU 频率、内存频率等。

5.在BIOS界面选择“Boot”选项,可以设置系统的启动方式。

6.在BIOS界面选择“Security”选项,可以设置系统的安全性,如设置密码等。

7.在BIOS界面选择“Exit”选项,可以保存设置并退出BIOS界面。

四、实验结果与分析通过实验,我们成功地进入了CMOS设置界面,并对系统的时间、日期、启动顺序、CPU频率和内存频率等进行了设置。

在完成实验过程中,我们需要注意的是,CMOS设置界面是一个非常敏感的界面,一旦设置错误,可能会导致个人电脑的系统出现故障,甚至无法启动。

因此,在进行CMOS设置时,需要谨慎操作,确保设置的正确性。

实验还可以进一步扩展,可以进一步了解CMOS的其他设置选项,并进行相应的设置操作。

实验也可以通过比较不同的设置结果,分析和讨论不同设置对系统性能和稳定性的影响。

五、实验总结通过本次实验,我们对CMOS设置有了进一步的了解,掌握了CMOS的设置方法。

CMOS设置是个人电脑维护和管理的重要环节,合理的设置可以提高系统的性能和稳定性,保证电脑的正常使用。

在实验过程中,我们遵循了正确的操作步骤,确保了设置的准确性。

同时,在实验中我们还发现,CMOS设置对电脑的性能和稳定性有着重要的影响,不同的设置可以产生不同的效果。

通过本次实验,我们不仅掌握了CMOS设置的基本知识,而且加深了对CMOS的理解。

我们相信,在今后的电脑管理和维护过程中,我们可以更加熟练地进行CMOS设置,提高个人电脑的使用效果。

CMOS射频集成电路分析与设计课程设计

CMOS射频集成电路分析与设计课程设计

CMOS射频集成电路分析与设计课程设计一、课程设计背景近年来,随着无线通信技术的日益普及,射频集成电路越来越受到关注。

CMOS 射频集成电路以其低功耗、高集成度等优势成为了当前射频集成电路发展的热点。

因此,对于射频集成电路分析与设计的教学与研究需求也逐渐增加。

本文旨在介绍一种CMOS射频集成电路分析与设计的教学课程设计,旨在帮助学生深入了解CMOS 射频集成电路的原理及设计方法。

二、课程设计内容1. 课程介绍在本课程中,我们将先介绍CMOS射频集成电路的基本原理和设计方法,然后根据实际情况,设计出一款简单的CMOS射频集成电路。

在课程结尾,我们将通过仿真软件进行验证,并进行性能测试。

2. 理论部分在理论部分,我们将介绍以下内容:•CMOS射频集成电路的基本原理•基本分析方法和常用工具•基本设计方法•常见的射频电路和器件3. 实验部分在实验部分,我们主要通过仿真软件进行实验设计,包括:•基于ADS和Cadence的仿真实验•基于实际测试的性能评估4. 报告及论文撰写学生们需要完成一份包含实验设计方法、仿真结果和理论分析的课程报告,并撰写一篇包含理论分析以及实验结果的小论文。

三、课程设计目标本课程设计的主要目标为:1.深入了解CMOS射频集成电路的基本原理和设计方法;2.掌握常见的射频电路和器件设计技能;3.学会运用仿真软件进行射频电路设计的能力;4.学会进行性能测试,评估射频电路设计的质量;5.培养学生的独立思考和解决问题的能力;6.培养学生的实验设计和报告撰写能力。

四、课程设计流程1.理论讲解:介绍CMOS射频集成电路的基本原理和设计方法,让学生了解射频电路的基本知识、分析方法和设计流程;2.实验指导:通过仿真软件对设计的射频电路进行验证,通过性能测试评估电路设计的质量,并给出改进建议;3.报告撰写:学生完成课程报告和小论文,包括理论分析、实验设计和仿真结果等内容;4.答辩:学生进行小组答辩,分享自己的设计思路和实验结果,互相评价、交流。

CMOS电路课设报告-至诚模板

CMOS电路课设报告-至诚模板

福州大学至诚学院
《模拟集成电路课程设计》
设计报告
设计题目:50nA高精度参考电流源的设计
(温度范围-40℃~125℃)
组别:
姓名:
学号:
同组姓名:
专业:
年级:
指导老师:屈艾文
实验时间:
一、设计指标
二、设计软件和工艺库
(同时要注明电阻采用哪个工艺角)
三、设计电路图和电路参数表
(要求采用画图软件画的电路图,所标器件标号与仿真电路图一致)
四、设计原理以及设计步骤
(只写采用的电路图的设计原理和设计步骤,注意:M0和M1的工作区)
五、电路仿真结果
一种指标的仿真要在仿真波形前写上仿真的设定条件,
(除了仿真波形和工作区域截图外,PSRR和温漂系数的仿真结果要给出表格总结)
六、个人总结。

利用CMOSS传输门设计异或门课程设计

利用CMOSS传输门设计异或门课程设计

利用CMOSS传输门设计异或门课程设计一、教学目标本节课的教学目标是使学生掌握CMOS传输门设计异或门的基本原理和技能。

知识目标要求学生了解CMOS传输门和异或门的工作原理,掌握设计异或门的方法。

技能目标要求学生能够运用CMOS传输门设计异或门,并能够进行简单的电路仿真和测试。

情感态度价值观目标要求学生培养对电子工程的兴趣和热情,提高创新意识和团队协作能力。

二、教学内容本节课的教学内容主要包括CMOS传输门和异或门的基本原理,设计方法和电路仿真。

首先,介绍CMOS传输门的工作原理和设计方法,包括NMOS和PMOS晶体管的构造和工作原理,以及传输门的传输特性。

然后,介绍异或门的设计方法,包括传输门阵列和反相器的设计,以及异或门的真值表和逻辑功能。

最后,进行电路仿真和测试,验证设计的异或门的功能和性能。

三、教学方法本节课采用多种教学方法,以激发学生的学习兴趣和主动性。

首先,采用讲授法,讲解CMOS传输门和异或门的基本原理和工作原理。

然后,采用讨论法,引导学生进行设计和仿真过程中的讨论和交流,提高创新意识和团队协作能力。

接着,采用实验法,进行电路仿真和测试,让学生亲手操作,提高实践能力和问题解决能力。

四、教学资源本节课的教学资源包括教材、参考书、多媒体资料和实验设备。

教材和参考书提供CMOS传输门和异或门的基本原理和设计方法,多媒体资料提供清晰的电路图和仿真结果,实验设备提供亲手操作的机会。

这些教学资源能够支持教学内容和教学方法的实施,丰富学生的学习体验。

五、教学评估本节课的教学评估将采用多元化的评估方式,以全面、客观、公正地评价学生的学习成果。

评估主要包括以下几个方面:1.平时表现:通过学生在课堂上的参与度、提问回答、小组讨论等表现,评估其对课程内容的掌握程度。

2.作业:布置相关的设计实践作业,要求学生在规定时间内完成,评估其对设计异或门的理解和应用能力。

3.考试:通过期末考试,评估学生对CMOS传输门和异或门基本原理、设计方法的掌握程度。

cmos异或门课程设计

cmos异或门课程设计

cmos异或门课程设计一、教学目标本课程旨在让学生掌握CMOS异或门的基本原理和应用,培养他们运用数字逻辑设计简单电路的能力。

具体目标如下:1.知识目标:–了解CMOS异或门的结构和工作原理;–掌握CMOS异或门的真值表和逻辑功能;–掌握CMOS异或门的符号表示方法。

2.技能目标:–能够运用CMOS异或门设计简单的数字电路;–能够分析CMOS异或门电路的性能;–能够对CMOS异或门电路进行仿真和测试。

3.情感态度价值观目标:–培养学生的科学精神和创新意识;–培养学生的团队合作能力和沟通表达能力;–培养学生的社会责任感,使他们在数字电路设计中能够考虑环保、节能等因素。

二、教学内容本课程的教学内容主要包括以下几个部分:1.CMOS异或门的基本原理:介绍CMOS异或门的结构、工作原理和真值表;2.CMOS异或门的逻辑功能:讲解CMOS异或门的逻辑功能及其应用;3.CMOS异或门的符号表示:介绍CMOS异或门的符号表示方法及其在电路图中的应用;4.CMOS异或门的设计与分析:教授如何运用CMOS异或门设计简单的数字电路,并分析电路的性能;5.CMOS异或门的仿真与测试:讲解如何使用仿真工具对CMOS异或门电路进行仿真和测试。

三、教学方法为了提高学生的学习兴趣和主动性,本课程将采用多种教学方法,如:1.讲授法:讲解基本原理、概念和符号表示;2.案例分析法:分析实际应用案例,使学生更好地理解CMOS异或门的运用;3.实验法:学生进行实验,培养他们动手能力和实际操作技能;4.讨论法:鼓励学生积极参与课堂讨论,提高他们的思考能力和团队协作能力。

四、教学资源为了支持教学内容和教学方法的实施,丰富学生的学习体验,我们将准备以下教学资源:1.教材:选用权威、实用的教材,如《数字逻辑与计算机设计》等;2.参考书:提供相关领域的参考书籍,如《CMOS集成电路设计》等;3.多媒体资料:制作课件、教学视频等多媒体资料,帮助学生更好地理解课程内容;4.实验设备:准备实验所需的仪器设备,如电路仿真器、实验板等。

cmos传输门课程设计

cmos传输门课程设计

cmos传输门课程设计一、课程目标知识目标:1. 学生能够理解CMOS传输门的基本原理,掌握其结构和工作机理;2. 学生能够运用所学知识分析CMOS传输门的主要性能参数,如传输延时、功耗等;3. 学生能够掌握CMOS传输门在不同应用场景下的设计和优化方法。

技能目标:1. 学生能够运用所学知识进行CMOS传输门的电路设计和仿真;2. 学生能够运用相关软件(如Cadence等)进行CMOS传输门电路的布局和布线;3. 学生能够通过实验和数据分析,评估CMOS传输门电路的性能。

情感态度价值观目标:1. 培养学生对电子科学技术的兴趣和热情,激发他们探索未知、创新实践的欲望;2. 培养学生具备良好的团队合作精神和沟通能力,使他们能够在团队中发挥积极作用;3. 培养学生具备严谨的科学态度和较强的自主学习能力,为未来的学术研究和职业发展打下基础。

课程性质:本课程为电子科学与技术专业课程,旨在让学生深入了解CMOS传输门电路的设计和应用,提高他们的实践能力和创新能力。

学生特点:学生已具备一定的电子电路基础知识,具有一定的分析问题和解决问题的能力。

教学要求:结合课程性质和学生特点,采用理论教学与实践操作相结合的方式,注重培养学生的实际操作能力和创新思维。

通过本课程的学习,使学生能够将所学知识应用于实际电路设计中,为我国电子产业的发展做出贡献。

二、教学内容1. 理论教学:a. CMOS传输门基本原理及结构介绍b. CMOS传输门工作机理分析c. CMOS传输门主要性能参数讲解d. CMOS传输门设计方法和优化策略e. CMOS传输门在不同应用场景下的设计实例分析2. 实践教学:a. CMOS传输门电路设计与仿真b. CMOS传输门电路布局与布线c. CMOS传输门性能测试与数据分析d. 基于CMOS传输门的创新设计实践教学大纲安排:1. 第一周:CMOS传输门基本原理及结构介绍2. 第二周:CMOS传输门工作机理分析3. 第三周:CMOS传输门主要性能参数讲解4. 第四周:CMOS传输门设计方法和优化策略5. 第五周:CMOS传输门在不同应用场景下的设计实例分析6. 第六周:CMOS传输门电路设计与仿真7. 第七周:CMOS传输门电路布局与布线8. 第八周:CMOS传输门性能测试与数据分析9. 第九周:基于CMOS传输门的创新设计实践教学内容与教材关联性:本章节教学内容紧密围绕教材中关于CMOS传输门的相关章节,确保学生能够系统地学习和掌握CMOS传输门的理论知识和实践技能。

cmos课程设计

cmos课程设计

cmos课程设计一、教学目标本章节的教学目标包括以下三个方面:1.知识目标:学生能够掌握CMOS的基本原理、结构和特点,了解其在我国半导体产业的重要地位。

2.技能目标:学生能够运用CMOS知识分析实际问题,提高解决实际问题的能力。

3.情感态度价值观目标:培养学生对我国半导体事业的热爱,增强民族自豪感,激发学生投身半导体领域的志向。

二、教学内容本章节的教学内容主要包括以下几个方面:1.CMOS的基本原理:介绍CMOS的组成、工作原理和性能特点。

2.CMOS结构:讲解CMOS器件的结构类型、特点及应用领域。

3.CMOS在我国半导体产业的重要地位:阐述CMOS技术在我国半导体产业的发展历程、现状和未来趋势。

4.实际案例分析:分析CMOS技术在现代电子设备中的应用案例,提高学生解决实际问题的能力。

三、教学方法为了实现本章节的教学目标,将采用以下教学方法:1.讲授法:讲解CMOS的基本原理、结构和在我国半导体产业的重要地位。

2.讨论法:学生讨论CMOS技术的未来发展及其在电子设备中的应用。

3.案例分析法:分析实际案例,培养学生解决实际问题的能力。

4.实验法:安排实验室实践,让学生亲手操作,加深对CMOS技术的理解。

四、教学资源为了支持本章节的教学,将准备以下教学资源:1.教材:选用我国半导体领域权威著作,作为主教材。

2.参考书:提供相关领域的经典著作和最新研究成果,丰富学生的知识体系。

3.多媒体资料:制作课件、视频等多媒体资料,增强课堂教学的趣味性和生动性。

4.实验设备:安排实验室实践,提供必要的实验设备和器材。

五、教学评估本章节的教学评估将采用以下方式:1.平时表现:评估学生在课堂上的参与度、提问回答等情况,以体现学生的学习态度和兴趣。

2.作业:布置相关作业,评估学生对知识的掌握和运用能力。

3.考试:安排期末考试,全面测试学生对本章节知识的掌握程度。

评估方式将力求客观、公正,全面反映学生的学习成果。

六、教学安排本章节的教学安排如下:1.教学进度:按照教材和大纲,合理安排每一节课的内容和进度。

光电课程设计cmos

光电课程设计cmos

光电课程设计cmos一、教学目标本课程的教学目标是让学生掌握CMOS(互补金属氧化物半导体)的基本原理、结构和应用。

通过本课程的学习,学生应能理解CMOS器件的工作原理,掌握CMOS电路的设计和分析方法,并了解CMOS技术在现代电子工程中的应用。

具体来说,知识目标包括:1.掌握CMOS的基本原理和结构。

2.理解CMOS器件的工作原理和特性。

3.了解CMOS技术在现代电子工程中的应用。

技能目标包括:1.学会分析CMOS电路的基本特性。

2.能够设计简单的CMOS电路。

3.能够运用CMOS技术解决实际问题。

情感态度价值观目标包括:1.培养对电子工程的兴趣和热情。

2.培养创新意识和团队合作精神。

3.培养对科学和技术的好奇心和探索精神。

二、教学内容本课程的教学内容主要包括CMOS的基本原理、结构和应用。

具体的教学大纲如下:1.第1-2周:CMOS的基本原理和结构–介绍半导体的基本概念和性质–讲解CMOS器件的工作原理和特性–分析CMOS电路的基本特性2.第3-4周:CMOS电路的设计和分析方法–讲解CMOS电路的设计原则和方法–分析CMOS电路的性能指标和优化方法–介绍CMOS电路的应用领域和实例3.第5-6周:CMOS技术在现代电子工程中的应用–分析CMOS技术在数字电路、模拟电路和混合信号电路中的应用–介绍CMOS技术在现代电子工程中的重要性和发展趋势三、教学方法为了激发学生的学习兴趣和主动性,本课程将采用多种教学方法,包括讲授法、讨论法、案例分析法和实验法等。

1.讲授法:通过教师的讲解,向学生传授CMOS的基本原理、结构和应用知识。

2.讨论法:学生进行小组讨论,引导学生主动思考和探索CMOS技术的相关问题。

3.案例分析法:通过分析实际案例,让学生了解CMOS技术在现代电子工程中的应用和挑战。

4.实验法:安排实验课程,让学生亲手操作和观察CMOS电路的工作原理和性能。

四、教学资源为了支持教学内容和教学方法的实施,我们将选择和准备适当的教学资源,包括教材、参考书、多媒体资料和实验设备等。

CMOS三态门集成电路课程设计

CMOS三态门集成电路课程设计

集成电路课程设计前言集成电路在当今社会中发挥着越来越重要的作用。

也越来越成为衡量一个国家高科技技术水平的重要指标。

作为一门重要的课程,集成电路课程设计是电子科学与技术专业要求的实践课程,主要目的是使学生熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础。

提高学生综合运用已掌握的知识,利用相关软件,进行集成电路芯片的能力。

集成电路设计主要包括以下几个方面。

系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。

1.设计需求分析1.1设计内容及其性能指标要求器件名称:CMOS三态门器件要求电路性能指标:(1)输出高电平时,|IOH |≤20μA,VOH,min=5V;(2)输出底电平时,|IOL |≤4mA,VOL,man=0V;(3)输出级充放电时间tr =tf,tpd<25ns;(4)工作电源5V,常温工作,工作频率fwork =100HZ,最大功耗Pmax=150mW。

1.2设计指标1.独立完成设计三态门芯片的全过程;2.设计时使用的工艺及设计规则: MOSIS:mhp_n12;3.根据所用的工艺,选取合理的模型库;4.选用以lambda(λ)为单位的设计规则;5.全手工、层次化设计版图;6.达到设计要各项指标要求。

2.设计实现2.1三态门芯片简介所谓三态门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。

CMOS三态门门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成,如下图所示。

它的管脚图如图1所示,其逻辑真值表如表1所示:三态门原理图图1 三态门芯片管脚图表1 三态门真值表从图1可以看出三态门芯片是一个反相器与一组互补的增强型场效应管组成,而反相器也可以由一组互补的增强型场效应管构成。

因此,本电路的重点是增强型场效应管的使用。

从真值表我们可以看出EN为使能端。

当其为1时,输出等于输入,当其为0时,输出为高阻态。

2.2电路工作原理TP和TN是结构对称的器件,它们的漏极和源极是可互换的。

cmos静态全加器课程设计

cmos静态全加器课程设计

cmos静态全加器课程设计一、课程目标知识目标:1. 理解CMOS技术的原理,掌握静态全加器的基本组成和工作原理;2. 掌握静态全加器的电路设计方法,能分析并解释其功能;3. 了解数字电路中加法器的作用,以及静态全加器在数字系统中的应用。

技能目标:1. 能够运用所学知识,独立设计简单的CMOS静态全加器电路;2. 能够运用仿真软件对静态全加器电路进行测试和验证;3. 能够通过实际操作,对静态全加器电路进行搭建和调试。

情感态度价值观目标:1. 培养学生的团队合作意识,提高在团队中沟通、协作的能力;2. 培养学生勇于探索、积极创新的精神,增强对电子技术的兴趣和热情;3. 增强学生的环保意识,了解并遵循电子电路的节能、低碳原则。

分析课程性质、学生特点和教学要求:1. 课程性质:本课程为电子技术基础课程,以实践为主,理论联系实际,注重培养学生的动手能力和创新能力;2. 学生特点:学生为高中生,具有一定的电子技术基础和逻辑思维能力,对新鲜事物充满好奇,但需引导和激发学习兴趣;3. 教学要求:教师应以实例为主线,引导学生掌握CMOS静态全加器的设计方法,注重理论与实践相结合,提高学生的实际操作能力。

同时,关注学生的学习过程,培养其团队协作能力和创新精神。

通过本课程的学习,使学生能够达到上述课程目标,并为后续相关课程的学习打下坚实基础。

二、教学内容1. 引言:介绍加法器在数字系统中的重要性,引出CMOS静态全加器的概念和应用。

相关教材章节:第一章 数字电路基础2. CMOS技术原理:- MOSFET的结构和工作原理- CMOS逻辑门的特点和优势相关教材章节:第二章 场效应晶体管及其电路3. 静态全加器的基本组成:- 全加器的功能和结构- 静态逻辑电路的原理相关教材章节:第三章 组合逻辑电路4. 静态全加器电路设计:- 电路设计方法和步骤- 电路仿真与优化相关教材章节:第四章 数字电路设计5. 静态全加器应用案例分析:- 分析实际应用中的静态全加器电路- 讨论不同应用场景下的设计要点相关教材章节:第五章 数字电路应用实例6. 实践操作:- 使用仿真软件进行静态全加器电路设计与测试- 实际搭建静态全加器电路,进行调试与优化相关教材章节:第六章 数字电路实验教学内容安排与进度:第1周:引言及CMOS技术原理学习第2周:静态全加器基本组成及工作原理学习第3周:静态全加器电路设计方法学习第4周:应用案例分析与实践操作第5周:总结与评价三、教学方法针对本课程的教学目标和学生特点,采用以下多样化的教学方法,以激发学生的学习兴趣和主动性:1. 讲授法:- 用于讲解CMOS技术原理、静态全加器的基本组成和工作原理等理论知识;- 结合多媒体教学手段,以生动的动画和实例展示抽象的概念,提高学生的学习兴趣;- 讲解过程中注重启发式教学,引导学生主动思考和提问。

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CMOS课程设计---------低压CMOS带隙电压基准源设计学院:信息科学与工程学院专业:电子科学与技术班级:电科1101姓名:学号:指导老师:张国成、林金阳日期:2015年1月16日一、设计目的在模数转换器(ADC )、模转换器(DAC )、数动态存储器(DRAM ) 、Flash 存储器等集成电路设计中, 低温度系数、低功耗、高电源抑制比( PSRR )的基准源(Reference ) 设计十分关键。

随着深亚微米集成电路技术的不断发展, 集成电路的电源电压越来越低。

目前,1. 8 V (0. 18μm ) 和 1. 5 V (0. 15μm ) 的电源电压已开始广泛使用, 而 1. 2 V (0. 13μm ) 和0. 9 V (0. 09μm) 的电源电压也即将应用于存储器(Memory) 及片上系统(SOC ) 设计, 所以研究基于标准CMOS工艺的低压基准源设计是十分必要的。

由于带隙基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数, 是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。

二、设计要求运放放大倍数大于60db带隙基准输出电压小于50ppm三、设计原理1.带隙基准电压源的原理图 1 (a ) 为带隙基准电压源的原理示意图。

双极晶体管的基极2发射极电压V B E (p n 结二极管的正向电压) , 具有负温度系数, 其温度系数在室温下为- 2. 2 mV/K。

而热电压V T具有正温度系数, 其温度系数在室温下为+ 0. 085mV /K[3]。

将V T乘以常数K并和V B E相加可得到输出电压V REFV REF = V BE + KV T(1)将式(1)对温度T微分并代入V BE和V T的温度系数可求得K ,它使V REF的温度系数在理论上为0。

V BE受电源电压变化的影响很小, 因而带隙基准电压的输出电压受电源的影响也很小。

图 1 ( b)是典型的CMOS带隙电压基准源电路。

两个PNP管Q1、Q2的基极-发射极电压差∇V BE∇V BE = V BE2 - V BE1 = V T ln(J2/J1) ( 2)( 2) 式中, J1和J2是流过Q1和Q2的电流密度。

运算放大器的作用使电路处于深度负反馈状态, 使得节点1和节点2的电压相等。

即V BE2 = I1R1 + V BE1(3)△V BE = V BE2 - V BE1 = I1R1(4)图 1 传统的带隙基准电压源:(a) 带隙基准源原理图;(b) 典型的带隙基准源电路由图 1 (b) 可得V REF = V B E2 + I2R 2(5)通过M 1 和M 2 的镜像作用, 使得I1 和I2相等, 结合式(4) 和式(5) 可得V REF = V B E2 +△V BE R2/R1 = V BE2 +V T R2/R 1 l n (J2/J1)= V BE2 +V T R 2/R 1 l n (A1/A2)(6) (6) 式中, A 1和A2是Q1和Q2的发射极面积。

比较式(5) 和(1 ) , 可得常数KK =V T R2/R 1 l n (A1/A2)(7)在实际设计中, K 值即为(7) 式表示。

传统带隙基准源结构能输出比较精确的电压,但其电源电压较高(大于3 V ) , 且基准输出电压范围有限(1. 2 V 以上)。

要在0. 9~1. 8 V 的电源电压下得到 1. 2 V 以下的精确基准电压, 就必须对基准源结构上进行改进和提高。

2.CMOS带隙电压基准源(BGR)基于TSMC 0. 35μm CMOS 工艺(NMOS阈值电压为0. 536 V , PMOS 的阈值电压为- 0. 736V ) , 采用一级温度补偿、电流反馈技术设计的低压带隙基准源电路(BGR ) 如图 2 所示, 其工作原理与传统的带隙基准源电路相似。

低压带隙基准源的电流源不仅用于提供基准输出所需的电流, 也用于产生差分放大器所需的电流源偏置电压, 简化了电路和版图设计。

为了与CMOS标准工艺兼容, PN P 管采用集电极接地结构[ 6 ] , Q2和Q1的发射极面积的比率为N ,流过Q1和Q2的电流相等, 这样△V BE就等于V T l n(N )。

流过电阻R 1 的电流I4 是与热力学温度成正比的。

流过M 2、M 3、M 4的电流相等( I1 = I2= I3)。

I1 =V T l n (N )/R 1 +V BE/R3 (8)电路中温度补偿系数K通过调节R4的值, 可以调整输出电压V REF 的大小。

在电源电压变化时,M 2、M 3 和M 4 的漏源电压值保持不变, 与电源电压无关, 其栅极电压由运放调节。

为了降低电路的复杂度, 应用电流反馈原理,运放采用简单的一阶运放, 由于VDD 的变化多于GND 的变化, 故运放的输入采用NM O S 的差分对结构(VDD 和NM O S 差分对之间有电流源隔离)。

因为整个电路在低压下工作, 故整个电路设计的重点是要保证低压下运放的正常工作。

由于带隙基准源存在两个电路平衡点, 即零点和正常工作点。

当基准源工作在零点时, 节点X1、X2 的电压等于零, 基准源没有电流产生。

启动电路的目的就是为了避免基准源工作在不必要的零点上。

本文设计了图 2 所示的启动电路, 电路由M 11、M 12和M 13构成。

当电路工作在零点时,M 13管导通,迅速提高节点X1、X2 的电压, 产生基准电流, 节点X1 的电压通过M 11 和M 12组成的反相器, 使M 13 管完全截止, 节点X1、X 2 的电压回落在稳定的工作点上, 基准源开始正常工作。

电路的器件参数如表 1 所示,M 2、M 3、M 4 管的尺寸较大, 是为了降低电路中的 1 /f 噪声。

电流镜负载管M 5、M 6 和差分对管M 7、M 8 的宽长比较大,以抑制电路的热噪声。

由于电路中的电阻值较大,故在工艺中用阱电阻实现。

电容 C 有助于电路的稳定, 同时还可以减小运放的带宽, 有助于降低噪声的影响。

四、设计步骤1.软件基本使用1.1 在命令行中(提示符后,如:ZUEDA22>)键入以下命令icfb&↙(回车键),其中& 表示后台工作。

Icfb调出Cadence软件。

1.2 New菜单项的子菜单下有Library、Cellview两项。

Library项打开New Library 窗口,Cellview项打开Create New File窗口,如下图所示1.3模拟的设置2.一级运放原理图的设计3.运放进行封装测试4.最终带隙基准原理图设计五、结果及分析运放结果分析图基于T SMC0. 35CMOS工艺的 B sim 3 模型,采用Hspice 进行仿真。

图3 为常温时, 电源电压1. 1 V 时V REF瞬态特性(根据tt- m odel) , 这时整个电路的电流为50. 7 ΛA。

电源电压 1. 5 V 时, 常温下, 应用不同工艺模型, 输出电压V REF 和总电流I TOTAL如表2 所示。

不同的模型, 输出电压V REF变化较小, 从表中看出, 模型变化对输出电压V REF影响所设计的带隙基准源电路总电流低于52 μA ,图 2 中电路启动后,M 11 和M 12处于弱导通状态, 流过M 11和M 12支路电流为4. 5 μA , 可通过在M 11 上串加一个常开的倒比PMOS管, 来降低此支路电流。

仿真发现, 电路正常工作时,M 2、M 3、M 4皆处于饱和状态, 若要进一步降低图2 中电路的功耗, 可行的方法是通过调整电路中管子的尺寸, 使得M 2、M 3、M 4工作在亚阈值状态。

V REF的温度特性, 当温度在0~30 °C之间时; 温度系数为12ppm ö°C , 温度40~50°C之间时, 温度系数为22ppm ö°C; 温度50~60 °C 时, 温度系数为42ppm ö°C。

图 4 (b) 是低压带隙基准源输出V REF随电源电压变化的特性曲线, 当电源电压在 1. 1~2. 9 V 之间变化时, 基准输出电压V REF是460. 2±0. 5 mV , 直流电源抑制比是- 59. 8 dB。

由于T SM C 0.35 μm CM O S 工艺的NM O S阈值电压为0. 536 V , PM O S 的阈值电压为- 0.736 V , 而T SM C 0. 25 μm CM O S 工艺的NM O S和PM O S 阈值电压分别为0. 477 V、- 0. 596 V ,以本设计的带隙基准源在采用0. 25 μm 或0. 18μm CM O S 工艺实现时, 其电源电压的工作范围增大。

六、设计总结为期两周的课程设计结束了,在这两周的时间里学到了很多东西。

初步学会Cedence软件的使用,并巩固了CMOS集成电路的理论知识。

通过本次亲自动手设计带隙基准电压电路,我深刻体会到了各种性能之间的折衷,体会到了集成电路设计的复杂性,也感受到了实际操作与书本知识之间的差距,为今后更复杂的设计留下了宝贵的经验。

七、参考文献[1 ] h ttp: ∥public. itrs. netöF ilesö2002U pdateöHom e. pdf[2 ] L evinson M , V isw anathan N , Simp son R.Imp roving reso lution in pho to lithography w ith aphase2 sh ifting m ask [ J ]. IEEE T ransaction onE lectron D evices, 1982; 29: 1 81221 846[3 ] A kem iM oniw a, T suneo T erasaw a, Kyo ji N ak io, etal. H euristic m ethod fo r phase2conflict m inim izationin autom atic phase2sh ift m ask design [J ]. Jpn J A pp lPhys, 1995; 34: 6 58426 589.[4 ] H iro sh i Fukuda, Sho ji Ho tta. 0. 32Λm p itch randominterconnect patterning w ith node connection phase2sh ifing m ask2experim ents and sim ulations. Op ticalm icro lithography, Santa C lara CA U SA : Ch ristopherJ. P rogler, 2000 (v. 4000) : 1492159。

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