Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能
溶胶-凝胶法制备Y_2O_3:Eu薄膜电致发光材料的研究
干燥 , 放置于硅碳棒 电炉中在 9o 热处理 , o ̄ c 即制得
电致 发光片 。
2. .2电致发光基片性能测试与表征 2 采用 T - T G D A分析仪对 :u E 粉末试样进
仅对基片材料提出了更高的要求 , . 器件的制备带 - ̄ I E
径是改善氧化物发光层的结晶状况 。但要使金属氧
化 物较好 结 晶 , 般需 要 lo " 一 ooc左右 的 高 温处 理 , 不
与同传统的发光粉制成的显示屏相比 , 发光薄膜 分钟 , 混合搅拌 , 将所制备溶胶干燥凝胶化成粉末 , 然 后按照电子陶瓷的制备方法加入适量的聚乙烯醇水 溶液作为粘结剂造粒 , 3 Mp 下压制成直径 lm, 在 0 a c
a ie e tsn er d t mp r t r s tdf r n i t e e ea ue
的分析。电致发光片的形貌分析 : 采用 日 J O 本 E L生 产的 JM- 70 型场发射扫描电镜(E E 对薄膜 S - 0F 6 F S M)
的表面和断面进行形貌分析。 发光基片的吸收和激发
2 . 电致发光片的制备 .1 2 采用分析纯 Y( 、u( ()称取一定量的 Y0 23 ) E N )。 3 23 和 E (O uN . 于无水乙醇 中, 0 在磁力搅拌器上回流 l 5
器件将成为信息显示领域的一朵奇葩 。 在对比度 、 分辨率 、 热传导、 均匀性 、 与基底的附着性 、 释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此制备 出良好的发光薄膜就显得格外重要 。 实现金属氧化物材料高亮度发光的最根本 的途
P S2 H - 5酸度 计, WT 24台式 自动 平衡记 录仪 , X 一6
溶胶一凝胶薄膜制备技术
溶胶一凝胶薄膜制备技术一、溶胶一凝胶工艺工艺的特点溶胶一凝胶工艺是六十年代发展起来的一种材料的制备方法。
其基本过程是一些易水解的金属化合物(无机盐或金属醇盐)在某种溶剂中与水发生反应,经过水解与缩聚过程,再经过干燥、烧结等后处理工序,最后制得所需的材料。
适当调节溶胶的粘度和表面张力,通过旋涂或浸渍方法将溶胶沉积在衬底上,得到湿膜。
经过干燥,除去低沸点的溶剂,得到干膜。
干膜中凝胶的三维网络仍然存在,膜中还有大量有机成分。
将干膜在较高的温度下分解,使膜中的有机成分分解燃烧,就得到无机非晶薄膜。
重复以上步骤,增加薄膜的厚度。
如果要得到结晶的薄膜还必须将非晶薄膜在更高的温度下退火,依靠原子的扩散成核结晶。
干燥、分解和退火的过程必须十分小心,避免凝胶收缩、有机成分分解时体积变化过快、应力集中出现裂纹。
因为凝胶中各成分是分子级的混合,金属原子无需长程扩散即可成核,因而结晶温度比固相反应温度显著降低。
二、基本原理和过程2.1 基本原理在醇盐水体系中,由醇盐的水解一缩聚反应形成无水氧化物网络结构:M(OR)n + xHO M—(OH)x(OR)x-n + xROH (水解反应)2O(脱水缩聚反应)一M—OH + HO—M M—O—M— + H2一M—OH + RO—M M—O—M— + ROH(脱醇缩聚反应)式中M为金属元素,如Si,Ti,Zr,Al,Na等,R代表烷烃基(R—CrrLHz + );实际上,体系中所发生的反应过程对最后形成的凝胶结构有很大的影响。
2.2 制备工艺过程根据使用原料的不同,可以将溶胶一凝胶法分成水溶液法和醇盐法两种。
水溶液法原料是一般的金属盐水溶液,其溶胶的形成主要由金属阳离子的水解来完成:M n++ nH2O — M(OH)n + nH+凝胶可以通过凝聚或分散两种方法获得。
前者是在较高的温度下通过可控制的成核作用和晶体生长来获得溶胶;后者是通过使金属盐在过量碱的作用下于室温下分解形成凝胶状沉淀,将沉淀中过量的电解质洗去,加人强酸使之在较高的温度下分散成溶胶。
溶胶-凝胶法制备Gd2O3:Bi3+,Yb3+荧光粉及发光性能研究 (2)
溶胶-凝胶法制备Gd2O3:Bi3+,Yb3+发光材料及性能测试开题报告一、研究背景及本课题的研究内容限于太阳能电池本身的光谱响应特性, 其只能利用入射光谱中的低频部分光子, 造成了光能的损失, 因而转化效率较低。
为此在电池的上表面引入“转光层” , 其中包含的转光材料首先吸收电池光谱响应较差的短波长光子( 一般300 ~500nm) , 再发射出光谱响应性好的波长较长的光子, 提高电池的光谱响性, 进而提高太阳能电池的转化效率。
近年来, 随着转光材料的丰富和性能的提高, 应用转光层来提高太阳能电池效率的研究取得了显著的成果, 但是距离其工业化应用仍有很多难题亟待解决。
光伏技术通过半导体材料将太阳光转化为电能, 节约了宝贵的能源而且实现了温室气体的零排放, 因而具有广阔的发展前景。
Chapin 等[1]在1954 年就制备出了硅太阳能电池( 虽然光转化率只有6%) 。
随着光伏技术的发展与进步, 太阳能电池的种类逐渐丰富, 除了硅板电池外, 还出现了无机薄膜电池[2]、聚合物薄膜电池[ 3]等。
相比于薄膜电池, 基于硅板技术的太阳能电池因其纯熟的生产工艺和相对较高的光电转化效率而占有统治地位虽然太阳能电池具有很多的优点, 但是其光电转化效率较低[ 目前, 实验室中所得到的最好的实验结果: 单晶硅电池( c-Si) 为24. 7%[4] , 薄膜电池为19. 5%[2] ] , 加之较高的生产成本, 这些问题大大限制了光伏装置的推广应用。
对于一个封装完整的太阳能电池, 造成其转光效率低的原因主要来自于光能损失。
当今, 很多相关科研机构都在致力于探寻提高电池光电转化率的方法, 例如采用先进的设计理念( 如浅结工艺、非常薄的缓冲层等) [ 5] 、制备多结构的高效电池[ 6]等。
以上所提到的方法都是针对电池的结构进行改进, 这些措施还存在很多技术难题亟待解决。
相比之下, 针对电池对短波长光子响应性差的特征, 在电池板上表面引入掺有转光材料的转光层, 对入射光谱进行调整, 通过提高电池的光谱响应性来提高电池的光电转化率则显得简单易行。
溶胶-凝胶法制备紫外及蓝光双截止润眼镀膜玻璃
( 1 . 海南 大学 , 南海海洋资源利用 国家重点实验室 , 海口5 7 0 2 2 8 ; 2 海南中航特玻科技有 限公 司, 澄迈 5 7 1 9 2 4; 3 . 特种玻璃 国家重点实验室 , 澄迈 5 7 1 9 2 4)
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
摘要 : 采用溶胶一 凝胶法 , 在3 m l T I 厚 的普 白玻璃含锡 面镀 制镶嵌 A g 纳米粒子 的氧化硅薄膜 , 达到吸收蓝 光的效果 , 在其非锡面镀 制纤锌矿结构的氧化锌薄膜 , 达到阻隔 紫外效 果。通过 双膜层 的相互作 用 , 达 到对紫外 和短波 蓝光
有效 阻隔吸收 , 从而获得具有 紫外 蓝光 防护及润眼功能的镀膜玻璃 。研究 了热处理 温度和膜层厚 度对近紫外 和蓝 光 阻隔率 的影 响。结 果表明 : 随着退火 温度 的升高 , 膜层更加致密 , 且退火温度越 高 , 蓝 光的吸收率 也逐 渐提高 , 吸 收峰位 红移 。利用浮法玻璃本体 的富锡表面还原 A g N O 成 A g纳米 粒子分散 镶嵌在氧 化硅薄膜 的结 构 , 能 有效吸 收3 8 0~ 4 5 0 n m 的短波蓝光 。实验样 品呈现出美 观的淡金 黄色 , 且 随着膜厚 的增大 , 金黄 色程度 逐渐加深 。以样
Pr e p a r a io t n o f UV a n d Bl u e Ra d i a io t n Do ub l e Cu t — o f Co a t e d Ey e s - p r o t e c t i ng Gl a s s b y S o l - g e l Me t ho d
Z H AO S h e n g .HE J i a n . x i o n g . f ,J I A NG Ho n g ’ , 。
溶胶—凝胶法制备SnO_,2_气敏薄膜及其性能研究
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1.1 气敏传感器研究意义及发展
随着科学技术的发展,工业生产规模逐渐扩大,产品的种类不断增多,生产中 使用的气体原料和在生产过程中产生废气体的种类和数量也不断增加。这些气体物 质中有些是易燃易爆的,有些是有毒的.它们泄漏到空气中就会严重地污染环境并 有产生爆炸、火灾及使人中毒的潜在危险。另一方面,随着生产的发展,人类的生 活水平不断提高,液化石油气、城市煤气及天然气作为家庭用燃料基本普及,由这 些可燃性气体的泄漏所引起的爆炸和火灾事故也日益增多。因此,对可燃有毒气体 的报警迫在眉睫。 气敏效应最早是在 1931 年发现的。布劳尔发现 Cu2O 电导率随水蒸气吸附而改 变,由此拉开气敏传感器的研究序幕。而半导体气敏传感器件是六十年代初期研制 成功的。1962 年,日本等首先进行半导体气敏元件的实用化研究,成功研制了实用 化的 ZnO 气敏元件。它是利用加热条件下,ZnO 薄膜电阻随接触的可燃性气体浓 度的增加而下降的特性,实现对可燃性气体的检测。1964 年,美国研制了实用化的 SnO2 气敏元件,通过进行贵金属掺杂,大大提高了气敏元件的灵敏度,并采取了一 些措施,克服了其机械强度和稳定性等在实际应用方面的不足。1972 年,日本清山 哲郎以 SnO2 为原料,制备出烧结体型气敏元件。SnO2 气敏传感器的商品化,使人 们去探索各种新的气敏传感器。 由此, 各种不同材料的气敏传感器相继问世, 如 ZnO 系、Fe2O3 系等气敏材料。然而,在各种气敏传感器材料中,SnO2 以其优越的性能 占据了大部分气敏传感器市场[1]。与其他材料相比,SnO2 具有以下优点: (1)气敏器件阻值随检测气体浓度具有指数变化关系.因此,这种器件通常适用
溶胶-凝胶法制备Gd2O3:Bi3+,Yb3+荧光粉及发光性能研究
XRD结构表征
Gd2O3:2%Bi3+ 在1100℃晶化2小时的XRD图 Bi3+离子后未引起Gd2O3晶体结构的改变,因为 Bi3+ 离子半径和Gd3+接近,使得掺入后不会引起晶格较大 的变形
3+ 不同Bi
1000 900 800 700
浓度掺杂的Gd2O3
1000 900
λ em=490nm
400
450
400
450
500
550
600
650
700
750
800
Wavelength(nm)
Wavelength(nm)
在490nm波长监测下得到的基质激发光谱,300-400nm宽峰 属于Bi3+的1S0→3P1. 由图可知,随着Bi3+浓度的增加,激发光谱强度逐渐增强.所以在所考察的浓度范围内, 稀土掺杂浓度为2mol%时发光强度最大
1000 800 600 400
2%
2%
Intensity(a.u.)
4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500
6% 1% 6% 1%
1%
200
1% 0.5%
0.5%
0 -200 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650
1000 500 0
1000 800 600 400 200 0 -200 200 250 300 350 400 450
600
650
700
Wavelength(nm)
Wavelength(nm)
从图中可以看出,晶化时间从1h增加到3h,激发峰和发射峰的强
度先是增加后降低,当晶化时间为2h时,发射峰强度最大 .晶化时 间为3h时,激发峰和发射峰强度明显降低
溶胶_凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究
2 实验结果和讨论
2. 1 掺锡比例对薄膜光电性能的影响 图 2为掺 Sn量分别为 0% , 5% , 10% , 15 % ,
20% ( Sn与 In的原子分数比 )时, 薄膜在 500 e 热 处理 1 h后的方块电阻与掺 Sn量关系曲线 (薄膜层 数为 1) 。从图中可以看出, 没有掺 Sn与掺 Sn之后
YUAN H ongmei, LIN Z ulun* , CHEN Wenbin, WE I Xinying
(Sch ool of Op toelectron ic Informa tion, Un iversity of E lectron ic ScienceT echnology of Ch ina, Ch engdu 610054, Ch ina )
子迁移率略有减小, 方阻增大。 图 5是掺 Sn比例为 15 % , 热处理温度分别为
300 e , 350 e , 400 e , 450 e , 500 e 时热处理 1 h, 薄膜的透过率曲线 (薄膜层数为 1)。从图中可以看 出, 随着热处理温度的提高, ITO薄膜的短波吸收边 没有移动, 均在本征吸收长波限处, 表明热处理温度 高于 300 e 后, 凝胶薄膜已开始晶化, 因此热处理主 要影响薄膜结构中晶粒组分和尺寸大小。随着热处 理温度的提高, 薄膜中的 - OH 逐渐去除完全, 晶粒 尺寸增大, 晶体缺陷减少, 薄膜更致密, 使得电子散 射减小, 光吸收减弱, 透过率增大, 在 380 ~ 780 nm 范围内 450 e 时平均透过率为 82. 2 % , 500 e 平均 透过率达到 87. 1% 。
溶胶_凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能_谢建军
溶胶–凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能谢建军1,林挺1,施鹰1,宋国新2,吴卫平3(1. 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海 200072;2. 上海复旦大学分析测试中心,上海 200433;3. 上海兴博窿精细化工有限公司,上海 200040)摘要:采用溶胶–凝胶法制备了Lu2SiO5:Ce粉体。
基于X射线衍射、透射电镜、紫外–可见激发发射、X射线激发发射和荧光衰减时间的测试,研究了溶胶–凝胶法制备的纳米Lu2SiO5:Ce粉体的物相结构和发光性能。
结果表明:在1000℃煅烧2h得到粒径约为40nm的纯Lu2SiO5:Ce粉体;其激发谱中的最强激发峰在360nm处,发射谱中在398~407nm范围有以407nm为中心的宽发射峰,归因为Ce3+的4f–5d间的电子跃迁。
在X 射线激发下Lu2SiO5:Ce粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ1=10.98ns和τ2=39.32ns,相应的发光强度比例分别为73.38%和21.29%。
关键词:硅酸镥;纳米粉体;荧光发光;衰减时间中图分类号:O734 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2010)10–1931–06LUMINESCENCE PROPERTIES OF NANO-SIZED Lu2SiO5:Ce PHOSPHORS PREPARED BYSOL–GEL METHODXIE Jianjun1,LIN Ting1,SHI Ying1,SONG Guoxin2,WU Weiping3(1. Department of Electronics and Information Materials, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University,Shanghai 200072; 2. Analysis and Test Center, Shanghai Fudan University, Shanghai 200433; 3. Shanghai XingboLong Fine Chemical Co., Ltd., Shanghai 200040, China)Abstract: Cerium-doped lutetium silicate (Lu2SiO5:Ce) powder was prepared by the sol–gel method. Based on the measurements of X-ray diffraction, transmission electron microscopy, photoluminescence, X-ray excitated emission and luminescence decay time, the phase structure and luminescence properties of the nano-scale Lu2SiO5:Ce powder were investigated. The results show that the pure crystalline Lu2SiO5:Ce with uniform size of about 40nm is obtained after calcined at 1000 for 2℃h. The strongest excitation peak of Lu2SiO5:Ce powder locates at 360nm in excitation spectra, and a broad emission peak with a centric wavelength of 407nm is located at around 398–407nm in the emission spectra excitated by 360nm, which corresponds to the typical 4f–5d electronic transitions of Ce3+. The X-ray excitated emission spectra exhibit that the Lu2SiO5:Ce powder has short decay luminescent behaviors, and the two fitted decay time τ1 and τ2 reach 10.98 and 39.32ns, which account for the luminescence intensity of 73.38% and 21.29%, respectively.Key words: lutetium oxyorthosilicate; nanometer powder; fluorescence; decay timeCe3+掺杂的无机闪烁材料,如:LuAlO3:Ce,Lu3Al5O12:Ce,Lu2SiO5:Ce(LSO),Lu2SiO7:Ce和Gd2SiO5:Ce等材料,由于在可见光区域有较高的光输出和20~100ns的快速衰减时间(Ce3+的5d–4f允许跃迁引起的)等优良的闪烁性能,是近几年备受关注的几种很有前景的新型闪烁材料。
溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究
EEACC :0 2 50
溶 胶 一凝 胶 法 制 备 IO 薄 膜 及 其 光 电 性 能 的 研 究 T
袁 红 梅 , 祖伦 , 林 陈文彬 , 韦新 颖
( 电子科技大学光 电信息学 院, 成都 6 0 5 ) 10 4
摘 要 : 采用溶胶 一 凝胶工艺 , 提拉 法在玻璃 基底 上制备 了 IO透 明导 电薄 膜。使用 四探针测试 仪和紫外 可见光分光 光 用 T
度计 测 量薄 膜 的方 阻 和透 过 率 , 采 用 X D、E 等 测 试 手 段 对 薄 膜 的 晶体 结 构 、 面形 貌进 行 了 表征 。结 果 表 明 , 锡 比 例 并 R SM 表 掺 和热 处 理 温度 对 薄膜 的导 电性 具 有 重 要 影 响 , 掺 s 为 l 在 n量 5% ( 子 分 数 比 )4 0℃ 热 处 理 时 薄 膜 的 方 阻 最小 ; 膜 的 透 过 原 、5 薄 率 曲线 随掺 锡 比例 的增 加 向紫 外 方 向移 动 。随 着 热 处 理 时 间 、 膜 层 数 的 增 加 , 膜 的方 阻 先 减 小 , 后 趋 于一 稳定 值 , 可 镀 薄 最 在 见 光范 围 内薄 膜 的透 过 率 变化 较 小 。
ts u .Th e XRD ,S EM n lsst c n q e r s d t e emi ae t e sr c u e a d mo p o o y o TO l .I s a ay i e h i u swe e u e o d tr n t h tu t r n r h lg fI i f ms ti p o e h tS c n e tain a d sn e i g t mp r tr oh ha e sg i c nti f e c n t e c n uca c fI r v d t a n o c n r to n i t rn e e au e b t v i n f a n u n e o h o d tn e o TO i l
LSCO薄膜的制备及光学性能研究
第3 8卷 第 6期
20 08年 6月
激 光 与 红 外
LA ER & I R S NF ARE D
Vo. 138, . No 6
J n ,0 8 ue20
文章编 号 : 0 -0 8 2 0 )60 6 -3 1 1 7 ( 08 0 -560 0 5
Ke r s L C t i m ; r p r t n o t a r p r e y wo d : S O n f h d p e aa o ; p c p o t s i il e i
1 引 言
体结 构 , 可有效 地 改善 铁 电 薄膜 储 存 器 的疲 劳 和 老
钙钛 矿结构 氧化 物 因具 有铁 电 、 导 、 超 巨磁阻效
化行为 , 因而受到铁电薄膜研究人员的广泛关注 , 如
YBa O, a .S 0 C O ,a i3S u 3 Cu L 05 r 5 o 3LNO ,r O 等被用 作 铁 R
.
应而受到广泛关 注 , 中 , 其 高度 s 掺杂 的 LC O , r ao
N 有利 于提高 基于 L C i S O薄膜 电极 的铁 电探 测器 的红 外 吸收能 力。 关键 词 :S O 薄膜 ; 备 ; 学性 能 LC 制 光 中 图分 类号 : 4 4 1 0 8 . 文献标 识码 : A
S u y o h e r to n tc l t d n t e Pr pa a i n a d Op ia Pr p r is o e LS o e te ft CO i l h Th n Fi m
即 L S0 CO , t o 。由于具 有 很 高 的电子 和 离 子 的导 . 电性 而广泛应 用 于燃 料 电池 、 渗透 膜 及 铁 电非 挥 氧
溶胶-凝胶法制备薄膜的研究进展
溶胶-凝胶法制备薄膜的研究进展
李宁;卢迪芬;陈森凤
【期刊名称】《玻璃与搪瓷》
【年(卷),期】2004(32)6
【摘要】溶胶-凝胶工艺是一种很有前途的薄膜制备方法.简单介绍了薄膜的种类及制作方法.将溶胶-凝胶法与PVD法和CVD法等进行了比较,说明了其制膜的优点,如工艺简单、设备要求低以及适合于大面积制膜.具体介绍了用溶胶-凝胶法制膜的流程及应用,着重介绍了基片的清洗方法和薄膜的涂覆方法.
【总页数】6页(P50-55)
【作者】李宁;卢迪芬;陈森凤
【作者单位】华南理工大学材料科学与工程学院,广东,广州,510640;华南理工大学材料科学与工程学院,广东,广州,510640;华南理工大学材料科学与工程学院,广东,广州,510640
【正文语种】中文
【中图分类】O484.1
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溶胶凝胶法制备光催化薄膜材料及其性能表征
溶胶凝胶法制备光催化薄膜材料及其性能表征摘要采用溶胶凝胶法制备TiO2胶体,再采用旋涂法在玻璃基体上负载得到TiO2薄膜,并对制备的TiO2结构进行表征,以2,4二氯苯酚为探针,考察薄膜的光催化性能。
通过实验,学生基本了解溶胶-凝胶法的原理、薄膜的制备方法、光催化剂的性能表征,可以作为开放性实验。
关键词材料化学溶胶凝胶法光催化二氧化钛薄膜材料化学是在材料科学与现代化学等多学科基础上发展与成长起来的典型的交叉学科,化学合成技术为新材料的开发提供了物质基础,同时材料科学的发展为化学学科的发展提出新问题和为化学研究提供思路,2者相互促进[1,2]。
专业实验教学是高等学校实验教学工作的重要组成部分,是专门为高年级学生开设的,同时也是我校材料化学专业实践教学环节的重要组成部分,学生学习了基本理论知识与实验技能后,开设专业实验可以培养学生的专业技能,提高学生对专业知识的领悟。
TiO2是广泛应用的催化材料,由于其具有价廉、无毒无害、无二次污染、稳定性好、光催化活性高等优点,在抗菌、除臭、污水处理、净化空气、自清洁等领域有着广阔的应用前景,已成为最有发展前景的光催化材料[3~5]。
目前TiO2应用形态有悬浮型粉体与负载型薄膜,但是悬浮型粉体在液相中直接悬浮使用,易团聚、易失活、难回收、难循环利用[6,7];负载型TiO2光催化材料,能有效克服悬浮型粉体光催化材料易聚集、难回收的问题,可以在玻璃、陶瓷、金属、活性炭等不同基材上的负载。
1 实验目的(1)掌握溶胶凝胶法的基本原理与方法。
(2)掌握利用旋涂法制备薄膜的方法。
(3)掌握材料结构的表征方法。
(4)掌握TiO2薄膜材料光催化降解有机物的原理及光催化性能的表征方法。
2 实验试剂和仪器(1)实验试剂:钛酸四丁酯(Ti(OBu)4),盐酸,冰醋酸,无水乙醇,50 mg/L 的2,4二氯苯酚(取一定量的2,4二氯苯酚溶于少量甲醇中,再加蒸馏水稀释成50 mg/L的溶液),上述试剂均为分析纯。
溶胶-凝胶法制备La2Ce2O7:Eu3+及其发光性能
溶胶-凝胶法制备La2Ce2O7:Eu3+及其发光性能李嘉鹏;吴有福生;胡美兰;肖青辉;赖凤琴;楚少生;游维雄【期刊名称】《有色金属科学与工程》【年(卷),期】2017(008)005【摘要】采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)合成La2Ce2O7:Eu3+系列红色荧光粉,并研究煅烧温度、Eu3+掺杂浓度以及不同种类电荷补偿剂对样品发光性能的影响.通过XRD、SEM、荧光光谱对样品的晶体结构、形貌以及发光性能进行测量和表征.结果表明:实验所得样品主晶相为La2Ce2O7,属于萤石结构.Eu3+及电荷补偿剂的掺杂没有改变其晶体结构.合成的样品在467nm蓝光激发下发出612nm的红光.样品的发光强度随煅烧温度以及Eu3+掺杂浓度的提高先增强后减弱,样品的较优的煅烧温度为1100℃,Eu3+较优的掺杂浓度为10%(摩尔百分比).掺入电荷补偿剂可以有效增强样品的发光强度,其中掺入Li+后发光增强的效果最显著.【总页数】6页(P83-88)【作者】李嘉鹏;吴有福生;胡美兰;肖青辉;赖凤琴;楚少生;游维雄【作者单位】[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;;[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000【正文语种】中文【中图分类】TG146.43【相关文献】1.溶胶-凝胶法制备La2Ce2O7:Eu3+及其发光性能 [J], 李嘉鹏;吴有福生;胡美兰;肖青辉;赖凤琴;楚少生;游维雄2.溶胶-凝胶法制备Ca3Al2O6:Eu3+红色荧光粉及其发光性能 [J], 肖宗梁;黄昕;游维雄;赖凤琴;叶信宇;段龙飞3.溶胶-凝胶法制备Ca_3Al_2O_6:Eu3+红色荧光粉及其发光性能 [J], 肖宗梁;黄昕;游维雄;赖凤琴;叶信宇;段龙飞;4.CeO2:Eu3+粉末的溶胶-凝胶法制备及发光性能研究 [J], 王孝东;刘晓华;陈绍军;黎明;刘敏5.YVO4:Eu3+的EDTA络合溶胶-凝胶法制备、发光及其在LED中的应用 [J], 周芳享;石建新;张信果;龚孟濂因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
溶胶-凝胶法制备SiO_(2)减反射薄膜及其耐久性
溶胶-凝胶法制备SiO_(2)减反射薄膜及其耐久性王军;胡瑾瑜;向军淮;李由;张淑娟;胡敏【期刊名称】《表面技术》【年(卷),期】2024(53)10【摘要】目的增加太阳光在太阳能电池玻璃盖板的透过率,以期提高太阳能电池的转换效率。
方法以正硅酸乙酯为原料、乙醇为溶剂、氨水为催化剂,采用碱催化溶胶-凝胶浸渍提拉法,在玻璃表面制备了SiO_(2)减反射薄膜,研究了溶胶中正硅酸乙酯与乙醇物质的量比和提拉镀膜速度对SiO_(2)薄膜光学性质的影响,分析了减反射薄膜的耐久性。
结果碱性溶胶制备的SiO_(2)为非晶相,采用浸渍提拉法在玻璃表面制备的薄膜结构疏松,且存在微裂纹。
采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s制备的SiO_(2)薄膜,折射率分别为1.35和1.33,厚度分别为101.11、102.63nm,最大透过率分别高于未镀膜玻璃6.57%和6.94%,在400~1100nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.01%和5.34%,表明该薄膜具有优异的减反射性能。
玻璃表面制备SiO_(2)薄膜后,水接触角约为5°,具有超亲水性。
将未镀膜玻璃及镀膜样品在实验室放置5个月后,采用正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶20、提拉速度为500μm/s及正硅酸乙酯与乙醇物质的量比为1∶30、提拉速度为1000μm/s的制备SiO_(2)薄膜的最大透过率分别高于未镀膜玻璃7.50%和6.71%,在400~1100 nm波长范围内的平均透过率分别高于未镀膜玻璃5.94%和5.59%,表明SiO_(2)薄膜的减反射性能具有较好的耐久性。
结论采用碱催化溶胶-凝胶法在玻璃上制备的SiO_(2)减反射薄膜具有超亲水性及优异的减反射耐久性,在太阳能电池玻璃盖板上具有潜在的应用价值。
【总页数】7页(P243-249)【作者】王军;胡瑾瑜;向军淮;李由;张淑娟;胡敏【作者单位】江西科技师范大学材料与能源学院【正文语种】中文【中图分类】TB34【相关文献】1.溶胶-凝胶法制备硼硅酸盐玻璃上减反射薄膜2.溶胶凝胶法制备TiO_(2)/SiO_(2)薄膜及其在印染废水中的应用3.溶胶-凝胶法制备SiO_(2)减反膜研究4.溶胶-凝胶法制备氟硅烷/TiO_(2)-SiO_(2)复层薄膜及氟硅烷厚度对其耐蚀性的影响5.新型模板剂——SA在溶胶—凝胶法制备空心SiO_(2)薄膜中的应用因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究
溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电特性研究
潘洪涛;周炳卿;陈霞;李力猛
【期刊名称】《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》
【年(卷),期】2008(037)005
【摘要】以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为主要原料,采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜(ITO).用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响.实验结果表明,最佳工艺条件为掺Sn量11%,热处理温度480℃,热处理时间60min.在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82%以上,薄膜的方块阻为390Ω/□.
【总页数】5页(P619-623)
【作者】潘洪涛;周炳卿;陈霞;李力猛
【作者单位】内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古呼和浩特010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古呼和浩特010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古呼和浩特010022;内蒙古师范大学物理与电子信息学院,内蒙古呼和浩特010022
【正文语种】中文
【中图分类】O484.4
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3.溶胶凝胶法制备V2O5薄膜及其热致相变光电特性 [J], 李军显;李毅;周建忠;赵文晴;范丽娜
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溶胶-凝胶法制备稀土掺杂氧化物的光致发光特性及其薄膜工艺研究的开题报告
溶胶-凝胶法制备稀土掺杂氧化物的光致发光特性及其薄膜工艺研究的开题报告1.研究背景稀土元素具有独特的光学和电学性质,被广泛应用于光学、电子、能源等领域。
其中,掺入氧化物基质中的稀土元素能够产生强烈的光致发光特性,在激光等光学器件中有重要应用。
传统的掺杂方法包括溶剂热法、共沉淀法等,但在稀土光致发光特性的提高和薄膜制备上存在一定的局限性。
因此,探究一种新的制备方法,提高材料光致发光性能,开发稀土光学器件是十分必要的。
2.研究目的本研究拟采用溶胶-凝胶法制备稀土掺杂氧化物,通过调节溶胶配比和掺杂浓度等参数,研究不同材料在不同激发波长下的光致发光特性,并探究制备高质量稀土光学薄膜的工艺方法。
3.研究内容(1)研究稀土掺杂氧化物的溶胶-凝胶制备方法(2)研究稀土掺杂氧化物在不同激发波长下的光致发光特性(3)研究不同制备条件对稀土光学薄膜品质的影响(4)比较不同制备方法对光致发光特性和薄膜品质的影响4.研究方法(1)制备稀土掺杂氧化物:采用溶胶-凝胶法制备,通过对溶胶配比、掺杂浓度和热处理条件等参数进行调节,制备稀土掺杂氧化物。
(2)表征材料的结构和光学性质:使用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和荧光光谱法等手段表征材料组成、结构和光学性质。
(3)制备稀土光学薄膜:采用物理气相沉积(PVD)或溶胶-凝胶法制备稀土光学薄膜。
(4)测试薄膜的光致发光特性:测量不同制备条件下稀土光学薄膜在不同激发波长下的光致发光光谱,并对比分析不同制备方法对薄膜品质和光致发光性能的影响。
5.预期结果(1)成功制备出稀土掺杂氧化物,并表征其组成、结构和光学性质。
(2)研究不同制备条件对稀土光学薄膜品质和光致发光特性的影响,建立制备高质量稀土光学薄膜的方法。
(3)分析比较不同制备方法对光致发光特性和薄膜品质的影响,为稀土光学器件的开发提供科学依据。
6.研究意义本研究通过探索一种新的稀土掺杂氧化物制备方法,提高材料光致发光性能,并研究了制备高质量稀土光学薄膜的工艺方法,为稀土光学器件的开发提供了新思路和新技术,对推动相关领域的发展具有重要意义。
ITO薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究的开题报告
ITO薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究的开题报告背景:ITO(Indium Tin Oxide)薄膜作为一种常见的透明导电材料,在电子设备、光电子器件、太阳能电池等领域得到了广泛应用。
传统的ITO薄膜制备方法包括磁控溅射和电子束蒸发等物理气相沉积技术,但这些方法具有设备成本高、制备工艺复杂、生产效率低等缺点。
因此,近些年来,溶胶-凝胶法被广泛应用于ITO薄膜的制备中,因其成本低、工艺简单、生产效率高等优点,成为一种新型的制备方法。
研究目的:本课题将以溶胶-凝胶法为基础,对ITO薄膜的制备进行研究,并对其性能进行分析和评估。
主要研究内容包括材料制备方法、薄膜结构和性能分析、导电性能测试等方面。
研究内容:材料制备方法:采用溶胶-凝胶法制备ITO薄膜。
该方法通过水解和凝胶化反应得到ITO前驱体,然后通过热处理将前驱体转化为ITO薄膜。
在材料制备过程中,考虑控制溶液浓度、水解温度、酸碱度、加热温度和时间等因素,以获得优良的ITO薄膜。
薄膜结构和性能分析:采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X 射线光电子能谱(XPS)等技术对ITO薄膜的结构和组成进行分析。
同时,利用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和霍尔效应测试仪(Halls)等仪器对ITO薄膜的光学和电学性能进行测试和分析。
导电性能测试:采用四探针法测试ITO薄膜的导电性能,并分析其性能与材料结构之间的关系,探究导电性能的提升机理。
预期结果:本课题通过溶胶-凝胶法制备ITO薄膜,从结构和性能两个方面全面探究其优缺点,并对薄膜进行性能测试和分析。
预期结果包括以下几个方面。
(1)成功制备出ITO透明导电薄膜,并确定制备条件的最优组合,达到最佳的ITO薄膜性能。
(2)对ITO薄膜结构进行分析,了解其表面形貌和内部结构,并实现优化材料的性能。
(3)对ITO薄膜的光学和电学性能进行测量和分析,并比较不同方法制备的ITO薄膜性能。
(4)探究ITO薄膜导电性能提升的机理,为形成更高性能ITO薄膜的研究提供了指导建议。
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2 实
验
2 1 样 品准 备 .
称取 25gL C,・ H 0( 析 纯 ) . u 1 6 分 粉末 加 入
到 4 m 的 无 水 乙 醇 水 溶 液 ( C H O 5 L V( : H): (: H O)= : ) , 8 c下 搅 拌 2 h后 使 得粉 8 1 中 在 0c
目前关 于 L O薄 膜 的制 备 方 法 主要 有 脉 冲 S 激 光沉 积法 、 控 溅 射 方法 、 相 外延 法 , 磁 液 这 三种 方法 所使 用 的设 备 较 为 昂贵 , 料 成 本 较 原 高 j法 国 C Ma sr . nuy等 首先 使 用 sl e 法 制 o— l g
00 , 度与 S M测试结果相一致 。 .5 厚 E
关
键
词: 溶胶一 凝胶法 ;C : S e L O薄膜 ; 发光 ;真空紫外光谱 ;光学 常数
P S: 24 . P AC 8 .5 M P CC: 85 A 7 6 文 献标 识 码 : A
中 图分 类号 : 4 4 4 0 8 .
20 7 0 0 2;
205 0 00)
摘要: 采用 Pci 溶胶一 e n hi 凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅( 1 ) 11 上制备了 C“离子掺杂的硅酸镥( uS e L,i ) O
薄膜 , 用热重差热分析 ( G D C 、 利 T —S ) X射线衍 射( R 、 X D) 扫描 电镜 ( E 、 S M) 真空紫外光谱 ( U V V)及 椭偏 ( E) S 测试对 C : uSO 薄膜 的物相 、 e L i 形貌 、 发光性质 和光学常数进行 了表征 。结果表 明 : 薄膜样 品从 90℃开始 晶 0
DO I: 1 37 8 g b 01 3 09. 88 0. 8 /f x 2 1 2 0 0
1 引
言
采 用 的原料 ( 属醇 盐 ) 本 高 且需 要 氩 气 气 氛 。 金 成
2 1 , 牧 等 用 sl e法 结合 旋 涂 工 艺在 石 00年 顾 o— l g
英 玻璃 上 制备 出 了 L :i C u SO : e透 明薄 膜 。与 其 他 方 法相 比 , ehn 溶 胶一 胶 法 。具 有 合 成 温 P cii 凝 1 。
c “掺 杂 的硅 酸镥 ( uSO , S 材 料 是 一 e L ,i L O)
种综 合 性 能 优 良 的 闪烁 探 测 材 料 , 有 高 密 具 度 ( . / . ) 高光 输 出( 800M V) 快 衰 减 74go, 、 2 0 e 、
( 0n ) 物理 化 学 和机 械 性 能 好 等 优 点 , 核 医 4 s 、 在 学监 测 和安 全监 测方 面具 有 良好 的应 用前 景 。 目 前 , 于 C :S 关 e L O材料 的研 究 主要 集 中在 粉体 、 单 晶和 陶瓷方 面 , 于薄 膜 的研 究 报 道 还 较少 。闪 关 烁 薄膜 与发 光粉 制成 的显 示 屏相 比 , 匀性 、 密 均 致 性、 热稳 定 性 以及 与 衬底 的 附着性 更佳 , 能有效 提 高成 像分 辨 率 ; 闪烁单 晶或 陶瓷 材料 相 比 , 备 与 制
第3 2卷
第பைடு நூலகம்9期
发 光 学 报
CH I NES 0URNAL OF L E J UM I NES CENCE
V0l3 No 9 _2 .
S pt e .,2011
2 1 年 9月 01
文 章 编 号 :10 —0 2 2 1 )90 8 — 007 3 (0 0 -8 00 1 5
化 , 10℃ 时晶化完 全。薄膜表面均匀 、 10 平整 、 无裂纹 。真空 紫外 激发光谱 中存在较强 的基质发射 , 发射光谱
是一个 3 0~ 0 l 的宽带谱 , 5 5 0nl I 宽带 中心 在 4 0n 0 m左右 。折射 率 、 消光 系数分 别为 1 8 .2~1 9 .4和0 0 5~ .0
本 文采 用 P cii 胶 ehn 溶 凝胶 法 结合 旋 涂工 艺
在单 晶硅 ( 1 ) 11 上制 备 了 c ¨ 掺 杂 的 L O 薄 膜 , e S
利用热重差热 分析 ( G D C 、 线衍射 ( R 、 T — S ) X射 X D)
扫描电镜(E )真空紫外光谱 ( U ) SM 、 V V 及椭偏(E S)
备 出 了 c ¨ 、h e r ¨掺 杂 的 L O 薄 膜 闪 烁体 , 所 r S 但
收 稿 日期 :2 1 52 ;修 订 日期 : 0 1 6 1 0 13-6 4 2 1- —2 0 基 金项 目 : 海 市 自然 科 学 基 金 (0 RI14 0 ;上 海 科 委 基 础 研 究 重 点 项 目 ( J l0 50) 1Z 4 10 ) 9 C 4 60 ;上 海 市 重 点 学 科 ( 3 17 ;上 海 大 ¥0 0 ) 学 21 0 1年度研 究生创新基金( 6 10 1-1 ) A1 - 1 —1 7 资助项 目 0 0 作者简 介:沈思情( 9 6一) 18 ,女 , 江西 高安人 , 主要从事 固体发光材料 的研究 。
度低 、 掺杂 均 匀 、 备价格 低 等优 点 。 目前 还未 见 设
使 用 P c ii ehn 溶胶 一 胶法 结 合旋 涂 工艺 在 单 晶硅 凝 上 制备 C : S e L O薄 膜 , _ 陔薄 膜 的 真 空 紫 外 且火
光 谱测 试及 光 学常数 测 试也 未见 报道 。
C : S 多 晶薄 膜 的 溶 胶 - 胶 法 制 备 及 其 发 光 性 能 eL O 凝
沈思情 许 志斌 马 清 , , ,谢建军h,施 鹰 袁 晖 巍。 , ,熊
( 上海大学材料科学与工程学院 电子信息材料系 , 1 上海
2 .中 国科 学 院 上 海 硅 酸 盐 研 究 所 ,上 海
测 试 对 C : u SO 薄 膜 的物 相 、 貌 、 光 性 质 e L i 形 发
和光 学 常数 进 行 了表征 。
薄 膜 闪烁体 所要 求 的设 备 较 为 简 单 , 以大 面 积 可
生长, 便于加 工 。 因此用 L O 闪烁 薄膜 制成 的探 S
测 器有着 非 常广 阔的应用 前 景 。