第3章-逻辑门电路
数字电子技术基础第三章逻辑门电路
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第一节 常见元器件的开关特性
❖以TTL门电路为例:高电平范围2.4V~3.6V,标准高电平为 3V;低电平范围0V~0.8V,标准低电平为0.3V。
数字电路中,不需要 关注具体电压值,只 需关注电平状态
标准低电平 0.3V
0.8V 0V
0
3.6V
1
2.4V
标准高电 平 3V
TTL门电路中的高、低电 平构成的正逻辑示意图
第一节 常见元器件的开关特性
1.二极管的开关特性
A、晶体二极管静态开关特性
VON :门槛电压或称阈值电压、开启电压 VD :导通电压降
二极管正向导通时 的等效电路
VD =0.7V 视为硅二极管导通的条件(锗二极管0.3V)
第一节 常见元器件的开关特性
1.二极管的开关特性
A、晶体二极管静态开关特性
第一节 常见元器件的开关特性
2.三极管的开关特性
B、晶体三极管动态开关特性
ton和toff一般约在几十纳秒(ns=10-9 s)范围。通常都
有toff > ton,而且ts > tf 。
ts 的大小是影响三极管速度的最主要因素,要提高三极 管的开关速度就要设法缩短ton与toff ,特别是要缩短ts 。
第一节 常见元器件的开关特性
❖数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三极管或单极 型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在导通和截止状态
,相当于开关的“接通”和“断开”,故门电路又称为电子
开关。
静态开关特性 : 什么条件下导通,什么条件下截止
开关特性
动态开关特性 : 导通与截止两种状态之间转换过程的特性
数字电子技术基础第三 章逻辑门电路
2020/8/1
第3章门电路
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&Y
4
第三章门电路
2.二极管或门
图3.2.6 二极管或门
A/V B/V Y/V
000 0 3 2.3 3 0 2.3 3 3 2.3
AB
Y
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
Y=A+B A
B
A
≥1
Y
Y
B
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叶青制作
5
3.3 TTL门电路
第三章门电路
集成电路(IC):在一块半导体基片上制作出一个完整的逻辑电路所 需要的全部元件和连线。使用时接:电源、输入和输出。
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叶青制作
3
第三章门电路
1.二极管与门
设:VCC=5V, VIH=3V, VIL=0V
A/V 0 0 3 3
B/V 0 3 0 3
Y/V 0.7 0.7 0.7 3.7
AB
Y
00
0
01
0
10
0
11
1
图3.2.5 二极管与门
Y=AB
A B
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YA B
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1.电路
(5v)
EN:使能端,控制端 R1
R4 R2
VB1 0.9V 4.3V 0.9V
T4
A B
T1
T2
D3 Y 2.9V
T5 (Vo)
3.6V EN 0.2V
D
R3
3.6V
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31
(三)三态输出门电路(TS) 1.电路
第三章门电路
第 三 章 逻辑门电路
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是构成数字电路的基本单元之一
CMOS 集成门电路 用互补对称 MOS 管构成的逻辑门电路。
TTL 集成门电路 输入端和输出端都用 三极管的逻辑门电路。
CMOS 即 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor TTL 即 Transistor-Transistor Logic 按功能特点不同分 普通门 输出 三态门 CMOS (推拉式输出) 开路门 传输门 EXIT
CE(sat) CE
B
C
uI 增大使 uBE > Uth 时,三极管开始导通, iB > 0,三极管工作于放 大导通状态。
uBE < Uth E
三极管 截止状态 等效电路
EXIT
iC 临界饱和线 M T IC(sat) + uBE S Q
放大区
IB(sat)
uI=UIH
饱 和 区
O UCE(sat)
t
uI 负跳变到 iC 下降到 0.1IC(sat) 所需的时间 toff 称 为三极管关断时间。 通常 toff > ton
UCE(sat) O
开关时间主要由于电 通常工作频率不高时, 荷存储效应引起,要提高 可忽略开关时间,而工作 开关速度,必须降低三极 频率高时,必须考虑开关 管饱和深度,加速基区存 速度是否合适,否则导致 储电荷的消散。 不能正常工作。 EXIT t
iB 0,iC 0,C、E 间相当 于开关断开。
三极管 截止状态 等效电路
E
Uth为门限电压 EXIT
iC u S 为放大和饱和的交界点,这时的临界饱和线I 增大使 iB 增大, 放大区 从而工作点上移, iC 增 iB 称临界饱和基极电流,用 IB(sat) 表示; M T 相应地,IC(sat) 为临界饱和集电极电流; S 大,uCEI减小。 IC(sat) B(sat) UBE(sat) 为饱和基极电压; 饱 Q UCE(sat) 为饱和集电极电压。对硅管, 和 截止区 UBE(sat) 0.7V, UCE(sat) 0.3V。在临 A 区 界饱和点三极管仍然具有放大作用。 U O N u
《逻辑门电路 》课件
![《逻辑门电路 》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/4b04fd7f66ec102de2bd960590c69ec3d5bbdbf2.png)
符号表示:通常用"NAND"表 示
真值表:列出所有输入和输出 组合的真值表
应用:常用于实现逻辑运算, 如与、或、非等
逻辑功能:输入全为1时输出为0,其他情况输出为1 符号表示:输入端A、B,输出端Y 真值表:列出所有输入输出组合及其对应的输出值 应用:用于实现逻辑运算、控制电路等
实现逻辑运算:与、或、非等 基本逻辑运算
控制信号:控制电路的通断、 开关等
数据处理:处理二进制数据, 实现数据传输、存储等
构建复杂电路:通过组合逻辑 门电路,构建更复杂的电路系 统
PART THREE
功能:实现逻辑与 运算
输入:两个输入信 号
输出:一个输出信 号
真值表:当两个输 入信号均为1时, 输出为1;否则输 出为0。
低功耗技术的挑 战与机遇
低功耗技术的未 来展望
人工智能:逻辑门电路是实现人工智能的关键技术之一,未来将在智能机器人、智能语音识别等领域发挥重要作 用。
物联网:逻辑门电路是实现物联网的关键技术之一,未来将在智能家居、智能交通等领域发挥重要作用。
量子计算:逻辑门电路是实现量子计算的关键技术之一,未来将在量子通信、量子加密等领域发挥重要作用。
生物科技:逻辑门电路是实现生物科技的关键技术之一,未来将在基因编辑、生物制药等领域发挥重要作用。
汇报人:
小型化趋势:随着半导 体技术的发展,逻辑门 电路的尺寸越来越小, 提高了集成度和性能
技术挑战:如何实现 更高集成度和更小尺 寸的逻辑门电路,同 时保证性能和可靠性
应用前景:随着物联 网、人工智能等新兴 技术的发展,逻辑门 电路的集成化和小型 化将更加重要。
低功耗技术在逻 辑门电路中的应 用
第三章逻辑门电路
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➢ 电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种,大致可以分为以下几类: 门电路、译码器/驱动器、触发器、计数器、移位寄存器、单稳/双稳电路和多谐
振荡器、 加法器、乘法器、奇偶校验器、 码制转换器、线驱动器/线接收器、多路 开关、存储器
2020/4/21
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CMOS集成电路
➢ CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属
2020/4/21
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VDS增加到使VGD=VGS-VDS =VT时, 导电沟道在靠近漏极的一点刚开始出现夹断,称为预夹断。 此时的漏极电流ID 基本饱和。
VDS继续增加使VGD=VGS-VDS <VT
导电沟道夹断的区域向源极方 向延伸,对应特性曲线的饱和 区,VDS增加的部分基本降落 在随之加长的夹断沟道上, ID基本趋于不变。
输入高电平的下限值 VIH(min)
输出高电平的下限值 VOH(min)
输出低电平的上限值 VOL(max)
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注意:
1. VH 和 VL都是对具体门输入/输出高、低电平电压值的要 求。
2. 在正逻辑体制中,用逻辑1和0分别表示高、低电平。 3. 高电平表示逻辑状态1,低电平表示逻辑状态0,一种状态
74LS系列
74AS系列
2020/4/21
74ALS
9
3.1.2 逻辑电路的一般特性
▪ 输入和输出的高、低电平 ▪ 噪声容限 ▪ 传输延迟时间 ▪ 功耗(静态和动态) ▪ 延时–功耗积 ▪ 扇入数与扇出数
2020/4/21
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1. 输入和输出的高、低电平
1输出 0输出
数电-第三章逻辑门电路
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了解和掌握常见时序逻辑电路的原理和应用,如寄存器、 计数器、顺序脉冲发生器等。
可编程逻辑器件应用
1 2
可编程逻辑器件简介
了解可编程逻辑器件的基本概念和分类,如PAL、 GAL、CPLD、FPGA等。
可编程逻辑器件编程
学习使用相应的开发工具和编程语言,对可编程 逻辑器件进行编程和配置,实现特定的逻辑功能。
典型组合逻辑电路
了解和掌握常见组合逻辑电路的 原理和应用,如编码器、译码器、
数据选择器、比较器等。
时序逻辑电路分析与设计
时序逻辑电路分析
分析时序逻辑电路的工作原理,包括触发器的状态转换、 时钟信号的作用等,进而理解电路的功能。
时序逻辑电路设计
根据实际需求,设计实现特定功能的时序逻辑电路。包括 确定输入、输出变量,选择适当的触发器类型,画出状态 转换图或时序图等步骤。
数电-第三章逻辑门 电路
• 逻辑门电路基本概念 • 基本逻辑门电路 • 复合逻辑门电路 • 逻辑门电路应用 • 逻辑门电路实验与仿真 • 逻辑门电路总结与展望
目录
Part
01
逻辑门电路基本概念
逻辑门定义与分类
逻辑门定义
逻辑门是数字电路中的基本单元 ,用于实现基本的逻辑运算功能 ,如与、或、非等。
逻辑符号为带有小圆圈的与门符号。
或非门电路
01
02
03
或非门逻辑功能
实现输入信号的逻辑或操 作,并取反输出结果。
或非门符号
逻辑符号为带有小圆圈的 或门符号。
或非门真值表
输入全为0时,输出为1; 输入有1时,输出为0。
异或门电路
异或门逻辑功能
实现输入信号的异或操作, 即输入信号相同时输出为0, 不同时输出为1。
第3章逻辑门电路
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数字电路——分析与设计
(1)A、B有一端为低电平(UL=0.3v)
• UB1=0.7+0.3=1v, T1饱和, UCE1=0.1v。 • UB2=0.1+0.3=0.4v, T2截止, T5亦截止。 • UCC通过R2给T4供以基流IB4, T4、D3导
通(在输出端接负载时)。
• IB4很小,在R2上的压 降亦很小 (约0.2v)。
2020/3/28
北京理工大学 信息科学学院
12
数字电路——分析与设计
第3章 逻辑门电路
§3.3 基本逻辑门电路
1.二极管“与” • 输门入端A、B、C全部输入
U ( 12V) R
为3v(逻辑“1”)则输出
D1
端Y的电平为3.3v(逻辑 A
“1”)。
B
•
D2 •
Y
A
B
C
Y
• 这是一个“与”门:
C
D3
• 输入端A、B、C全部输入为 0.3v(逻辑“0”)则输出端 Y的电平为0v(逻辑“0”)。
• 这是一个“或”门:
Y = A+B+C。
第3章 逻辑门电路
D1
D2
•
A
D3
B
Y
•
Y
C
( a)
R U( 12V)
(b)
二极管“或”门电路
(a) 二极管或门 (b) 逻辑符号
2020/3/28
北京理工大学 信息科学学院
U ( 12V)
R
D1
•
Y
A
D2
B
Y
•
C
D3
( b)
0 ~ 0.3v为逻辑“0”; 3v以上为逻辑“1”;
第三章 门电路
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-
-
当VI为高电平VIH=Vcc时,D截止,Vo=Vcc ,输出高 电平。
当VI为低电平VIL=0时,导通,Vo=0 ,输出低电平.。
实际的二极管特性 曲线如下图:
并非我们假设的理想特性,其特性
i
O
v
即其反向电阻不是无穷大(有反向饱和电流IS),正向 电阻不为0,且其导通有一定的起始电压。
常等效成下列几种情况: 1) 当外电路电源VSS和等效电阻RS都很小时: VON S VSS VSS RS RS D
rD
2) 当二极管的导通压降与外电路电源VSS不能 忽略,二极管的正向电阻与外电路电阻相比可以 忽略时:
VSS RS VSS S VON
D
RS
在数字电路中,高电平一般仅为3V或5V,故VON的影响 不可忽略。所以常等效为这种方式。(硅二极管的导通 压降VON=0.7V,锗二极管的导通压降VON=0.3V。)
为满足输出电平变换、吸收大负载电流、 以及实现线与等需要,有时将输出级电路结构 改为一个漏级开路的MOS管,构成漏级开路输 出的门电路——OD门。
VDD
例:漏级开路 的与非门
VDD
'
Y A B
两个OD门的线与
Y=?
4)CMOS传输门和双向模拟开关
传输 门电 路结 构
T2 vI/ vO
VDD
VGS(th) ----Mos的开启电压。
MOS管的基本开GS< VGS(th) 时,
Mos管截止, iD ≈0 。输出VO为高
电平,Mos管的D—S之间就象一个断
开的开关。 当VI= VGS> VGS(th)时,
Mos管导通, iD =VDD/(RD+rDS). 输出VO= iD* rDS ≈0,
第三章_门电路
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空穴
+3
硼原子
+4
10
归纳
1、杂质半导体中两种载流子浓度不同,分为多 ◆数载流子和少数载流子(简称多子、少子)。 2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂 ◆ 浓度,少数载流子的数量取决于温度。
◆ 3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。 ◆ 4、N型半导体中电子是多子,空穴是少子;
P型半导体中空穴是多子,电子是少子。
多数载流子(多子):电子。取决于掺杂浓度; 少数载流子(少子):空穴。取决于温度。
8
N型半导体
磷原子
+4
+4
多余电子
+5
+4
9
2)P型半导体
在硅或锗晶体(四价)中掺入少量的三价元素硼, 使空穴浓度大大增加。 多数载流子(多子):空穴。取决于掺杂浓度; 少数载流子(少子):电子。取决于温度。
+4
+4
D
+ vI -
当vI=VIH时,D截止,vO=VCC=VOH
用vI的高低电平控制二极管的开关状态, 在输出端得到高、低电平输出信号
33
二极管的开关特性
i
E
D
正向导通时
20℃
UD(ON)≈0.7V(硅) 0.3V(锗)
U(BR) IS 0 Uon u
RD≈几Ω ~几十Ω
相当于开关闭合
34
二极管的等效模型
求: uO的波形 解: 此类电路的分析方法: 将二极管看成理想二极管
当D的阳极电位高于阴极电位时, D导通,将D作为一短路线; 当D的阳极电位低于阴极电位时, D截止,将D作为一断开的开关; 10V 5V
uO
ui
t
数字电子技术基础:第三章 逻辑门电路
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逻辑符号
C
vI /vO
TG
vO /vI
C
C
υo/ υI
2. CMOS传输门电路的工作原理
vI /vO
5V到+5V
C
+5V
TP +5V vO /vI
5V TN
5V
C
设TP:|VTP|=2V, TN:VTN=2V
I的变化范围为-5V到+5V。
c=0=-5V, c =1=+5V
1)当c=0, c =1时 GSN= -5V (-5V到+5V)=(0到-10)V
在由于电路具有互补对称的性质,它的开通时间与关 闭时间是相等的。平均延迟时间:<10 ns。
动态功耗
CMOS反相器的PD与f和 2 VDD
CMOS反相器从一个稳定状态转变到另一个稳定状态时所产生的功耗
PD=PC+PT
分布电容CL充放电引起的功耗: PC CL fVD2D
CMOS管瞬时交替导通引起的功耗:PT CPD fVD2D
74标准系列 74LS系列
74AS系列
74LVC 74VAUC 低(超低)电压 速度更加快 与TTL兼容 负载能力强 抗干扰 功耗低
74ALS
3.1 概述
门电路:实现基本逻辑/复合逻辑运算的单元电路
逻辑状态的描述—— 正逻辑:高电平→1,低电平→0 负逻辑:高电平→0,低电平→1
缺点:功耗较大/速度较慢
VDD VIH(min) I OH(total) I IH(total)
… …
I0H(total) &1
+V DD RP
&
&1
IIH(total) &
数电-第三章 门电路
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三、门电路概述 • 工艺分类 –双极型门电路 双极型门电路 – MOS门电路 门电路 – Bi-CMOS电路 电路 • 基本逻辑门电路 –与门、或门、非门 与门、或门、 与门 • 常用门电路 –与门、或门、非门 与门、 与门 或门、 –与非门、或非门、与或非门、同或、异或 与非门、 与非门 或非门、与或非门、同或、
A B ≥1 L=A+B
逻辑电平关系 正逻辑
真值表
VD1 A VD2 B R Y
A/V B/V Y/V
0 0 3 3 0 3 0 3 0 2.3 2.3 2.3
A B
0 0 1 1 0 1 0 1
Y
0 1 1 1
只有A、B同时为低电平(0V),Y才为低电平 (0V)。即:只有A+B=0,才有Y=0。 只要A、B中有一个为高电平(3V),Y就为高电 平(2.3V),即:只要A+B=1,则Y=1。 这种或门电路同样存在“电平偏离” 这种或门电路同样存在“电平偏离”和带载能力差的问 题
四、二极管或门 或门
VD1 A
Y 2.7V 0V
3V 0V A、B——输入,Y——输出 VD2 B 以A=1为例 设:UIH=3V, UIL=0V 0V 二极管正向导通压降 UDF=0.7V。
R
只要A、B中有一个为高电平(3V), 则相应的二极管导通, Y就为低电平(2.3V),即:只要A+B=1,则Y=1。 只有A、B同时为低电平(0V),两个二极管均截止。 Y才为低电平(0V),即:只有A+B=0,才有Y=0 所以:管的截止条件和等效电路 当输入信号uI=UIL=0.3V时(UBE=0.3V<0.5V) i 三极管截止,B=0, iC ≈ 0, uO=UOH=UCC 可靠截止条件为:UBE<0V 截止时,iB、iC都很小,三个极均可看作开路
数字逻辑 第三章
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首先分析给定问题,弄清楚输入变量和输出变量是 哪些,并规定它们的符号与逻辑取值(即规定它们何时 取值 0 ,何时取值1) 。然后分析输出变量和输入变量 间的逻辑关系,列出真值表。 根据真值表用代数法或卡诺图法求最简“与或” 式,然后根据题中对门电路类型的要求,将最简与或 式变换为需要的逻辑函数表达式。
x1
输入信号
F1
F2=f2(x1,…xn)
组合逻辑电路
输出信号
xn
Fm
Fm=fm(x1,…xn)
n个二进制输入变量共有2n种可能的组合。
组合逻辑电路的基本分析方法
分析思路:根据给定逻辑电路,找出输出输入
间的逻辑关系,从而确定电路的逻辑功能。 步骤:
根据逻辑 图,写出 输出函数 的表达式 简化函数 (代数法, 卡诺图法)
F
A3 A4
F2 A3⊕A4 A3 A4 A3 A4
1 2 1 2 1 2
=1
F2
F F ⊕F F F F F
+ A1A 2 A 3 A 4 + A1A 2 A 3 A 4
= A1A 2 A 3 A 4 + A1A 2 A 3 A 4 + A1 A 2 A 3 A 4 + A1 A 2 A 3 A 4 + A1 A 2 A 3 A 4 + A1 A 2 A 3 A 4
3.1.1 简单逻辑门电路
与门 或门 与或非逻辑运算
F1=AB
F2=A+B
F3= A
3.1.2 复合逻辑门电路
与非门
或非门
与或非门
F1=AB
F2=A+B
F3=AB+CD
异或运算
A 0 0 1 1
逻辑门电路ppt课件
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第3章 逻辑门电路
3.2.1 TTL系列门电路 ◆ TTL(晶体管—晶体管逻辑)门电路只制成单片集成电路。输入级由多发射极晶体管构成, 输出级由推挽电路(功率输出电路)构成。标准TTL与非门如下图所示。
◆ 标准TTL与非门
◆ 电路工作原理
1. 电路组成 2. 逻辑关系 当当3一个个发发射射极极都或接3高个电发平射(极A都、接B、低C电都平 接导通(定U通,+B工A25≈(则、V作0).有倒B2在V、时置饱,C,工接和晶T作地导体1的状)通 管集态,状T电2)多态必结至发,定处使射其截于T极集止正2晶电,、向体使极T偏4管T电饱置3T饱压和而1一和导 导U通B4,≈0而.7VT,4截U止CE,S2≈输0出.2V端L 为高电平。 UB3≈0.9V,T3截止,UL≈0
带灌电流负载特性:与非门输出uO为低电平 时,带灌电流负载。当输入都为高电平时, 与非门的V2、V5饱和导通,输出uO为低电平 UOL,这时,各个外接负载门的输入低电平电 流都流入(即灌入)V5的集电极,形成了输 出低电平电流。当外接负载门的个数增加时, 流入V5集电极的电流随之增大,输出低电平 稍有上升,只要不超过输出低电平允许的上 限值,与非门的正常逻辑功能就不会被破坏。 设与非门输出低电平时,允许V5最大集电极 电流为IOL(max),每个负载门输入低电 平电流为IIL时,则输出端外接灌电流负载 门的个数NOL为。NOL=IOL(max)/IIL
第3章 逻辑门电路
第3章 逻辑门电路
一、学习目的
逻辑门电路是构成数字电路的基本单元。要从内部结构上认识了解逻辑门电路的基本构造和性能 特点,了解逻辑门电路的逻辑关系用分立元件是如何实现的,了解集成门电路的分类和各类集成 逻辑门电路的工作特点及主要参数。
数字电子技术基本教程 阎石 3逻辑门1
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典型值:9nS
2.动态功耗
以反相器为例,静态时,CMOS反相 器工作在工作区AB和CD,总有一个MOS 管处于截止状态,流过的电流为极小的漏 电流。 所以静态功耗极低。
倒三角形“▽”表示逻辑门是三态输 出
EN’
A
Y
三态门的应用:
①作多路开关: E’=0时,门G1使 能,G2禁止, Y=A;E’=1时, 门G2使能,G1禁 止,Y=B。
G1 Y
②信号双向传输: E’=0时信号向右传 送,B=A;E’=1时 信号向左传送, A=B 。
③构成数据总线:让各门的控制 端轮流处于低电平,即任何时刻 只让一个TSL门处于工作状态, 而其余TSL门均处于高阻状态, 这样总线就会轮流接受各TSL门 的输出。
4000B系列部分器件
编号 CD4001B CD4002B CD4011B CD4012B CD4030B 说 明 四-2输入或非门 二-4输入或非门 四-2输入与非门 二-4输入与非门 四-2输入异或门 编号 CD4048B CD4050B CD4066B CD4069B CD4085B 说 明
六缓冲器 六双向模拟开关 六反相器 二-2-2与或非门
G (Gate):栅极 B (Substrate):衬底
以N沟道增强型为例:
当加+VDS时,
开启电压
VGS=0时,D-S间是两个背向PN结串联,iD=0 加上+VGS,且足够大至VGS >VGS (th), D-S间形成导电沟道 (N型层)
NMOS管的基本开关电路
数字电子技术-逻辑门电路PPT课件
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或非门(NOR Gate)
逻辑符号与真值表
描述或非门的逻辑符号,列出其对应的真值表, 解释不同输入下的输出结果。
逻辑表达式
给出或非门的逻辑表达式,解释其含义和运算规 则。
逻辑功能
阐述或非门实现逻辑或操作后再进行逻辑非的功 能,举例说明其在电路中的应用。
异或门(XOR Gate)
逻辑符号与真值表
01
02
03
Байду номын сангаас
04
1. 根据实验要求搭建逻辑门 电路实验板,并连接好电源和
地。
2. 使用示波器或逻辑分析仪 对输入信号进行测试,记录输
入信号的波形和参数。
3. 将输入信号接入逻辑门电 路的输入端,观察并记录输出
信号的波形和参数。
4. 改变输入信号的参数(如频 率、幅度等),重复步骤3, 观察并记录输出信号的变化情
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低功耗设计有助于提高电路效率和延长设 备使用寿命,而良好的噪声容限则可以提 高电路的抗干扰能力和稳定性。
扇入扇出系数
扇入系数
指门电路允许同时输入的最多 信号数。
扇出系数
指一个门电路的输出端最多可 以驱动的同类型门电路的输入 端数目。
影响因素
门电路的输入/输出电阻、驱动 能力等。
重要性
扇入扇出系数反映了门电路的驱动 能力和带负载能力,对于复杂数字 系统的设计和分析具有重要意义。
实际应用
举例说明非门在数字电路中的应用, 如反相器、振荡器等。
03
复合逻辑门电路
与非门(NAND Gate)
逻辑符号与真值表
描述与非门的逻辑符号,列出其 对应的真值表,解释不同输入下
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3 逻辑门电路3.1 MOS 逻辑门电路3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数:(1)74LS 门驱动同类门;(2)74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。
解:首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值即为扇出数。
从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =0.4mA ,I OL =8mA ,I IH =0.02mA,I IL =0.4mA ;74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =0.02mA ,I IL =0.1mA ,其实省略了表示电流流向的符号。
(1) 根据(3.1.4)和式(3.1.5)计算扇出数74LS 系列驱动同类门时,输出为高电平的扇出数0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA ===所以,74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。
(2) 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时,有0.4200.02OH OH IH I mA N I mA=== 8800.1OL OL IL I mA N I mA === 所以,74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。
3.1.4 已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的T V =2V ,忽略电阻上的压降,试确定其工作状态(导通或截止)。
解:图题3.1.4(a )和(c )的N 沟道增强型MOS ,图题3.1.4(b )和(d )为P 沟道增强型MOS 。
N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。
当GS V <V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≥V T ,且DS v ≥(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(a ),GS V =5V ,DS v =5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(c ),GS V =0V <V T ,所以MOS 管处于截止状态。
P 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为负。
当GS V >V T 时,MOS 管处于截止状态;当GS V ≤V T ,且DS v ≤(GS V —V T )时,MOS 管处于饱和导通状态。
对于图题3.1.4(b ),GS V =0V >﹣2V ,该MOS 管处于截止状态。
对于图题3.1.4(d ),GS V =-5V ,GS V =﹣5V ,可以判断该MOS 管处于饱和导通状态。
3.1.5 为什么说74HC 系列CMOS 与非门在﹢5V 电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0:(1)输入端接地;(2)输入端低于1.5V 的电源;(3)输入端同类与非门的输出低电压0.1V ;(4)输入端接10k Ω的电阻到地。
解:对于74HC 系列CMOS 门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:V OL =0.1V , V IL =1.5V 。
因此,有:(1) I v =0<V IL =1.5V ,属于逻辑0。
(2) I v <1.5V=V IL ,属于逻辑0。
(3) I v =0.1V <V IL =1.5V ,属于逻辑0。
(4) 由于CMOS 管得栅极电流非常小,通常小于1uA ,在10k Ω电阻上产生的压降小于10mV 即I v <0.01V <V IL =1.5V ,故亦属于逻辑0。
3.1.6 试分析图题3.1.6所示的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路?解:该电路由两部分组成,如图题3.1.6所示,细线左边为一级与非门,虚线右边组成与或非门,其中T 1N 和T 2N 并联实现与功能,两者再与T 3N 串联实现或功能。
与非门的输出X AB =。
与或非门的输出L 为()()L A B X A B AB AB AB A B =+=+=+=e该电路实现同或功能。
3.1.7 求图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式。
解:图题3.1.7所示电路中,1234,,,L AB L BC L D L ===实现与功能,即4123L L L L =⋅⋅,而4L L E =⋅,所以输出逻辑表达式为L AB BC D E =⋅⋅⋅。
3.1.8 用三个漏极开路与非门74HC03和一个TTL 与非门74LS00实现图题3.1.7所示的电路,已知CMOS 管截止时的漏电流I OZ =5uA, 试计算R P(min)和R P(max)。
解:第一级的两个与非门和一个非门用漏极开路与非门74HC03组成,第二级的与非门用TTL 与非门74LS00实现。
从附录A 查得74HC 系列的参数为:V OL(max)=0.33V ,I OL(max)=4 mA ,V OH(min)=3.84V ;74LS 系列的参数为:I IL(max)=0.4mA ,I IH(max)=0.02mA 。
因为三个漏极开路门的公共上拉电阻R P 的下端74LS00的一个输入端,即:在灌电流情况下,求出R P 的最小值:(max)(min)(max)()(50.33) 1.3(40.4)DD OL p OL IL total V V V R k I I mA--==≈Ω-- 在拉电流情况下,求出R P 的最大值(min)(max)()()(5 3.84)33.1(0.00530.02)DD OH p OZ total IH total V V V R k I I mA--==≈Ω+⨯+ 3.1.9 .图题.3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n 个三态门的输出接数据传输总线,D 1、D 2、…、n D 为数据输入端,CS 1、CS 2、…、i CS 为片选信号输入端。
试问:(1)CS 信号如何进行控制,以便数据D 1、D 2、…、n D 通过该总线进行正常传输;(2)CS 信号能否有两个或两个以上同时有效?如果CS 出现两个或两个以上有效,可能发生什么情况?(3)如果CS 信号均无效,总线处在什么状态?解:(1)根据图题3.1.9可知,片选信号CS 1、CS 2、…、i CS 为高电平有效,当i CS =1时,第i 个三态门被选中,其输入数据被送到数据传输总线上。
根据数据传输的速度,分时地给CS 1、CS 2、…、i CS 端以正脉冲信号,使其相应的三态门的输出数据能分时地到达总线上。
(2)CS 信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突。
即总线不能同时既为0又为1。
(3)如果所有CS 信号均无效,总线处于高阻状态。
3.1.10 某厂生产的双互补对及反相器(4007)引出端如图题3.1.10所示,试分别连接:(1)三个反相器;(2)三输入端或非门;(3)三输入端与非门;(4)或与非门[()L C A B =+];(5)传输门(一个非门控制两个传输门分时传送)。
解:(1)三个反相器将图题3.1.10所示电路按下列方式连接,可以得到三个反相器。
①8、13相连,6端为输入,8端为输出,14端接V DD,7端接地;②1、5相连,3端为输入,5端为输出,2端接V DD,4端接地;③10端为输入,12端为输出,11端接V DD,9端接地。
(2)三输入端或非门电路图如图题解3.1.10(a)所示。
(3)三输入端与非门电路图如图题解3.1.10(b)所示。
(4)或与非门电路图如图题解3.1.10(c)所示。
(5)传输门电路图如图题解3.1.10(d)所示,由6端输入的信号控制TG1、TG2、分时传送数据。
6端接低电平时,TG1、导通,2端得数据传送到12端;6端接高电平时,TG2导通,4端得数据传送到12端。
3.1.11试分析图题3.1.11所示某CMOS器件的电路,写出其逻辑表达式,说明它是什么逻辑电路。
解:电路由两个输入反相器、一个输出反相器、一个传输门T1、T2、和T3构成的电路组成。
传输门由B和B控制,当B=0时传输门导通,当B=1时传输门截止。
T1、T2、和T3构成电路的工作状态由B控制,当B=1时T1、T3均截止,T1、T2、和T3构成的电路不工作;当B=0时T1、T3均导通,T1、T2和T3构成的电路工作,并且起反相作用,其输出等于A。
综上所述,当B=0时,T1、T2、和T3构成的电路不工作,传输门导通,输出L=A;当B=1=。
列出真值表如表题解3.1.11时T1、T2、和T3构成的电路工作,传输门截止,输出L A=+=⊕,故电路为异或门电路。
所示。
其逻辑表达式L AB AB A B3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS电路,说明它们的逻辑功能。
解:对于图题3.1.12(a)所示的CMOS电路,当EN=0时,T P2和T N2均导通,T P1和=;当EN=1时,T P2和T N2均截止,无论A为高电平T N2构成的的反相器正常工作,L A还是低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解3.1.12所示,该电路是低电平使能三态非门,其表示符号如图题解3.1.12(a)所示。
图题3.1.12(b)所示的CMOS电路,EN=0时,T P2导通,或非门打开,T P1和T N1构成的反相器正常工作,L=A;当EN=1时,T P2截止,或非门输出低电平,使T N1截止,输出端处于高阻状态,该电路是低电平使能三态缓冲器,其标示符号如图题解3.1.12(b)所示。
同理可以分析图题3.1.12(c)和图题3.1.12(d)所示的CMOS电路,它们分别为高电平使能三态缓冲器和低电平使能三态非门,其标示符号分别如图题解3.1.12(c)和图题解3.1.12(d )所示。
3.1.13 试分析图题3.1.13所示传输门的电路,写出其逻辑表达式,说明它是说明逻辑电路。
解:对于图题3.1.13所示的电路,输入信号A 作为传输门的控制信号,输入信号B 通过传输门与输出L 相连。
当A=0时,传输门TG 1导通,TG 2断开,L=B ;当A=1时,传输门TG 1断开,TG 2导通,L B =;其真值表如表题解3.1.13所示,该电路实现异或功能,L A B =⊕。
3.1.14 由CMOS 传输门构成的电路如图题3.1.14所示,试列出其真值表,说明该电路的逻辑功能。
解:当CS=1时,4个传输门均为断开状态,输出处于高阻状态。
当CS=0时,4个传输门的工作状态由A 和B 决定,A=B=0时,TG 1和TG 2导通,TG 3和TG 4截止,L=1。
依此分析电路可以列出真值表如表题解3.1.14所示,根据真值表可得L A B =+。
该电路实现三态输出的2输入的或非功能。
3.2 TTL逻辑门电路3.2.2为什么说TTL与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑1:(1)输入端悬空;(2)输入端接高于2V的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电压3.6V;(4)输入端接10kΩ电阻到地。