晶体管参数

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晶体管常用型号

78L15
+15V 100mA稳压
7815
+15V 1A稳压
79L15
-15V 100mA稳压
7915
-15V 1A稳压
78L18
+18V 100mA稳压
7818
+18V 1A稳压
79L18
-18V 100mA稳压
7918
-18 1A稳压
78L24
+24V 100mA稳压
7824
+24V 1A稳压
79L24
12A 600V双向硅
CR8AM
8A 600V单向硅
BTA16·600
16A 600V双向硅
BT151
10A 600V单向硅
BTA26·600
26A 600V双向硅
BTA41·600
41A 600V双向硅
型号
参数
单价
型号
参数
单价
场
效
应
管
IRF530
NMOS 100V 14A 79W
IRFP9530
PMOS 100V 12A 75W
D669
NPN 180V 1.5A 1W
MJE13003
NPN 400V 1.5A 14W
B772
PNP 40V 3A 10W
MJE13005
NPN 400V 4A 60W
D882
NPN 40V 3A 10W
MIE13007
NPN 1500V 2.5A 60W
BU406
型号
参数
单价
型号
参数
单价
达林顿
三极管
TIP31C
NPN 100V 3A 40W

晶体管参数大全

晶体管参数大全晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。

根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。

一、三极管参数1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。

在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。

在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。

在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。

它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到几百。

5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。

6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。

一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。

7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。

一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。

8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。

一般来说，动态电阻越小，对输入信号的影响越小。

9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。

二、场效应管参数1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。

在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。

在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。

在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。

转导越大，场效应管的放大能力越强。

常用晶体管参数

D13007 NPN 8 80 450 700
D13008 NPN 12 100 300 600
D13009 NPN 12 100 400 700
二、功放对管
型号极性 Ptot lc VCBO
(W) (A) (V)
2SC3455 NPN 25 160 800/500 800/500
2SC5200 NPN 15 150 230 280
2SC1140(..1) NPN 15 150 800/400 800/400
器件型号极性 lc Pcm Vceo Vcbo
(A) (W) (V) (V)
3CF10 100W -10A 0-250V -250V TO-3P
3CF15 150W -15A -250V -250V TO-3PⅡ
3CF20 200W -20A -250V -250V TO-3PⅡ
3CD6 50W -5A -300V TO-220
3CD8 100W -10A -300V TO-3PⅡ
2SA982 PNP -8 80 -140 -160
2SA1672 PNP -10 80 -140 -160
2SA1673 PNP -15 80 -180 -200
2SA1672 PNP -8 75 -120 -150
2SA745A PNP -8 70 -120 -150
2SA1292 PNP -15 70 -80 -100
2SA1216 PNP 200 -20 -180
2SC2922 NPN 200 20 180
2SA1301 PNP 120 -12 -160
2SC3280 NPN 120 12 160

晶体管参数大全

晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型901830V0.05A0.4W*1G NPN901550V0.1A0.4W*150MHZ PNP901450V0.1A0.4W*150MHZ NPN901350V0.5A0.6W**NPN901250V0.5A0.6W**PNP901150V0.03A0.4W*150MHZ NPNTIP147100V10A125W**PNPTIP142100V10A125W**NPNTIP127100V8A65W**PNPTIP122100V8A65W**NPNTIP102100V8A2W**NPNTIP42C100V6A65W**PNPTIP41C100V6A65W**NPNTIP36C100V25A125W**PNPTIP35C100V25A125W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型TIP32C100V3A40W**PNPTIP31C100V3A40W**NPNMJE130071500V 2.5A60W**NPNMJE13005400V4A60W**NPNMJE13003400V 1.5A14W**NPNMJE2955T60V10A75W**NPNMJE350300V0.5A20W**NPNMJE340300V0.5A20W**NPNMJ15025400V16A250W**PNPMJ15024400V16A250W**NPNMJ13333400V20A175W**NPNMJ11033120V50A300W**NPNMJ11032120V50A300W**NPNMJ10025850V20A250W**NPNMJ10016500V50A200W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BUS13A1000V15A175W**NPNBUH5151500V10A80W**NPNBU25321500V15A150W**NPNBU25271500V15A150W**NPNBU25251500V12A150W**NPNBU25221500V11A150W**NPNBU2520800V10A150W**NPNBU2508700V8A125W**NPNBU25061500V7A50W**NPNBU932R500V15A150W**NPNBU806400V8A60W**NPNBU406400V7A60W**NPNBU323450V10A125W**NPN(达林顿) BF458250V0.1A10W**NPNBD682100V4A40W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型MJ10015400V50A200W**NPNMJ10012400V10A175W**NPN(达林顿) MJ450290V30A200W**PNPMJ305560V15A115W**NPNMJ295560V15A115W**PNPMN6501500V6A80W**NPNBUX98A400V30A210W**NPNBUX84800V2A40W**NPNBUW13A1000V15A150W**NPNBUV48A450V15A150W**NPNBUV28A225V10A65W**NPNBUV2690V14A65W**NPNBUT12A450V10A125W**NPNBUT11A1000V5A100W**NPNBUS14A1000V30A250W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型BD681100V4A40W**NPNBD24445V6A65W**PNPBD24345V6A65W**NPNBD238100V2A25W**PNPBD237100V2A25W**NPNBD13860V 1.5A12.5W**PNPBD13760V 1.5A12.5W**NPNBD13645V 1.5A12.5W**PNPBD13545V 1.5A12.5W**NPNBC54750V0.2A0.5W*300MHZ NPNBC54680V0.2A0.5W**NPNBC33850V0.8A0.6W**NPNBC33750V0.8A0.6W**NPNBC32750V0.80.6W**PNPBC30750V0.2AA0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SDK55400V4A60W**NPN2SD24451500V12.5A120W**NPN2SD238890V3A 1.2W**NPN(达林顿) 2SD23351500V7A100W**NPN2SD23341500V5A80W**NPN2SD2156120V25A125W2000-20000*NPN(达林顿) 2SD2155180V15A150W**NPN2SD203660V1A 1.2W**NPN2SD201260V3A2W**NPN2SD200880V1A 1.5W**NPN2SD199740V3A 1.5W*100MHZ NPN2SD199460V1A1W**NPN2SD199350V0.1A0.4W**NPN2SD1980100V2A10W1000-10000*NPN(达林顿) 2SD1978120V 1.5A1W30000*NPN(达林顿)晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1975180V15A150W**NPN2SD1930100V2A 1.2W1000*NPN(达林顿) 2SD184750V1A1W**NPN(低噪)2SD176260V3A25W*90MHZ NPN2SD1718180V15A 3.2W*20MHZ NPN2SD1640120V2A 1.2W4000-40000*NPN(达林顿) 2SD1590150V8A25W15000*NPN(达林顿) 2SD1559100V20A20W5000*NPN(达林顿) 2SD141580V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD141680V7A40W6000*NPN(达林顿) 2SD130225V0.5A0.5W*200MHZ NPN2SD127380V3A40W*50MHZ NPN2SD1163A350V7A40W*60MHZ NPN2SD1047160V12A100W**NPN2SD1037150V30A180W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD1025200V8A50W**NPN(达林顿) 2SD789100V1A0.9W**NPN2SD774100V1A1W**NPN2SD669180V 1.5A1W*140MHZ NPN2SD667120V1A0.9W*140MHZ NPN( 达林顿 ) 2SD560150V5A30W**NPN( 达林顿 ) 2SD547600V50A400W**NPN2SD438500V1A0.75W*100MHZ NPN2SD415120V0.8A5W**NPN2SD385100V7A30W**NPN( 达林顿 ) 2SD32550V3A25W**NPN2SD40C40V0.5A40W**NPN( 达林顿 ) 2SC52521500V15A100W**NPN2SC52511500V12A50W**NPN2SC52501000V7A100W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC52441500V15A200W**NPN2SC52431500V15A200W**NPN2SC52071500V10A50W**NPN2sc5200230V15A150W**NPN2sc51321500V16A50W**NPN2sc50881500V10A50W**NPN2sc50861500V10A50W**NPN2sc50681500V10A50W**NPN2sc50201000V7A100W**NPN2sc4953500V2A25W**NPN2sc49411500V6A65W**NPN2sc49271500V8A50W**NPN2sc4924800V10A70W**NPN2sc49132000V0.2A35W**NPN2sc47691500V7A60W**NPN( 带阻尼 )晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2sc47471500V10A50W**NPN2sc47451500V6A50W**NPN2sc47421500V6A50W**NPN( 带阻尼 ) 2sc4706900V14A130W*6MH NPN2SD18871500V10A70W**NPN2SD18861500V8A70W**NPN2SD18851500V6A60W**NPN2SD18841500V5A60W**NPN2SD18831500V4A50W**NPN2SD18821500V3A50W**NPN2SD18811500V10A70W**NPN2SD18801500V8A70W**NPN2SD18791500V6A60W**NPN2SD18781500V5A60W**NPN2SD18761500V3A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD17391500V6A100W**NPN2SD17381500V5A100W**NPN2SD17371500V 3.5A60W**NPN2SD17321500V7A120W**NPN2SD17311500V6A100W**NPN2SD17301500V5A100W**NPN2SD17291500V 3.5A60W**NPN2SD17111500V7A100W**NPN2SD17101500V6A100W**NPN2SD16561500V6A60W**NPN2SD16551500V5A60W**NPN2SD16541500V 3.5A50W**NPN2SD16531500V 2.5A50W**NPN2SD16521500V6A60W**NPN2SD16511500V5A60W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD16501500V 3.5A50W**NPN2SD16351500V5A100W**NPN2SD16321500V4A70W**NPN2SD15771500V5A80W**NPN2SD15541500V 3.5A40W**NPN2SD15481500V10A50W**NPN2SD15471500V7A50W**NPN2SD15461500V6A50W**NPN2SD15451500V5A50W**NPN2SD14561500V6A50W**NPN2SD14551500V5A50W**NPN2SD14541700V4A50W**NPN2SD14341700V5A80W**NPN2SD14311500V5A80W**NPN2SD14261500V 3.5A80W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD14021500V5A120W**NPN2SD13991500V6A60W**NPN2SD13441500V6A50W**NPN2SD13431500V6A50W**NPN2SD13421500V5A50W**NPN2SD19411500V6A50W**NPN2SD19111500V5A50W**NPN2SD13411500V5A50W**NPN2SD12191500V3A65W**NPN2SD12901500V3A50W**NPN2SD11751500V5A100W**NPN2SD11741500V5A85W**NPN2SD11731500V5A70W**NPN2SD11721500V5A65W**NPN2SD11431500V5A65W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD11421500V 3.5A50W**NPN2SD10161500V7A50W**NPN2SD9952500V3A50W**NPN2SD9941500V8A50W**NPN2SD957A1500V6A50W**NPN2SD9541500V5A95W**NPN2SD9521500V3A70W**NPN2SD9041500V7A60W**NPN2SD9031500V7A50W**NPN2SD8711500V6A50W**NPN2SD8701500V5A50W**NPN2SD8691500V 3.5A50W**NPN2SD8382500V3A50W**NPN2SD8221500V7A50W**NPN2SD8211500V6A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD3481500V7A50W**NPN2SC4303A1500V6A80W**NPN2SC42921500V6A100W**NPN2SC42911500V5A100W**NPN2SC4199A1500V10A100W**NPN2SC38831500V5A50W**NPN2SC37291500V5A50W**NPN2SC36881500V10A150W**NPN2SC36871500V8A150W**NPN2SC36861500V7A120W**NPN2SC36851500V6A120W**NPN2SC34861500V6A120W**NPN2SC34851500V5A120W**NPN2SC34841500V 3.5A80W**NPN2SC34821500V6A120W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC34811500V5A120W**NPN2SC34801500V 3.5A80W**NPN2SC21252200V5A50W**NPN2SC20271500V5A50W**NPNBUY712200V2A40W**NPNBU508A1500V7.5A75W**NPNBU5001500V6A75W**NPNBU3081500V5A12.5W**NPNBU209A1700V5A12.5W**NPNBU208D1500V5A12.5W**NPNBU208A1500V5A12.5W**NPNBU1081500V5A12.5W**NPN2SD158560V3A15W**NPN2SD77320V2A1W**NPN2SC278560V0.1A0.3W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC40350V0.1A0.1W**NPN2SD124630V2A0.75W**NPN2SC2570A25V0.07A0.6W**NPN2SC104730V0.015A0.15W**NPN2SC311460V0.15A0.2W**NPN2SD40025V1A0.75W**NPN2SC192340V0.02A0.1W**NPN2SC2621300V0.2A10W**NPN2SC2568300V0.2A10W**NPN2SC221650V0.05A0.3W**NPN2SC167430V0.02A0.1W**NPN2SC536F40V0.1A0.25W**NPN2SA608F30V0.1A0.25W**PNP2SD1271A130V7A40W**NPN2SD113370V4A40W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC1890A120V0.05A0.3W**NPN2SC136050V0.05A0.5W**NPN2SA1304150V 1.5A25W**PNP2SD1274A150V5A40W**NPN2SC2371300V0.1A10W**NPN2SA966Y30V 1.5A0.9W**PNP2SD137880V0.7A10W**NPN2SD553Y70V7A40W**NPNRN120450V0.1A0.3W**NPN2SD1405Y50V3A30W**NPN2SC287850V0.3A0.4W**NPN2SC195930V0.4A0.5W**NPN2SC1569300V0.15A 1.5W**NPN2SC2383Y160V1A0.9W**NPN2SA129950V0.5A0.3W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SB564A45V0.050.25W**PNP2SD1877800V4A50W**NPNBU508A1500V8A125W**NPNBUT111500V5A80W**NPN2SD3505900V6A50W**NPN2SD9061400V8A50W**NPN2SD9051400V8A50W**NPN2SC19421500V3A100W**NPN2SD13971500V 3.5A50W**NPN2SD13961500V 2.5A50W**NPN2SC3153900V6A100W**NPN2SD14031500V6A50W**NPN2SD14101500V 3.5A80W**NPN2SD20571500V5A100W**NPN2SD20271500V5A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD9531500V7A95W**NPN2SD9511500V3A65W**NPN2SD9501500V 3.5A80W**NPN2SD8521500V5A70W**NPN2SD8501500V3A25W**NPN2SD900B1500V5A50W**NPN2SD899A1500V4A50W**NPN2SD898B1500V3A50W**NPN2SD8711500V6A50W**NPN2SD8701500V5A50W**NPN2SD8691500V 3.5A50W**NPN2SD14331500V7A80W**NPN2SD14321500V6A80W**NPN2SD14311500V5A80W**NPN2SD8201500V5A50W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD8191500V 3.5A50W**NPN2SD14971500V6A50W**NPN2SD13981500V5A50W**NPN2SD14271500V5A80W**NPN2SD14281500V6A80W**NPN2SD14261500V 3.5A80W**NPN2SC206870V0.2A0.62W**NPN2SC1627Y80V0.3A0.6W**NPN2SC495Y70V0.8A5W**NPN2SC388A20V0.02A0.2W**NPN2SB686100V6A60W**PNP2SA940150V 1.5A 1.5W**PNP2SC2120Y30V0.8A0.6W**NPN2SD15551500V5A50W**NPN2SD880660V3A30W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC2456300V0.1A10W**NPN2SA130020V2A0.7W**PNP2SC304CD60V0.5A0.8W**NPN2SC2238160V 1.5A25W**NPN2SC332880V2A0.9W**NPN2SC2190450V5A100W**NPN2SA968Y160V 1.5A25W**PNP2SC340250V0.1A0.3W**NPN2SC2168200V2A30W**NPN2SC3198G60V0.15A0.4W**NPN2SC2655Y60V2A0.9W**NPN2SC182780V4A30W**NPN2SA1266Y50V0.15A0.4W**PNP2SD88060V3A30W**NPN2SC190630V0.05A0.3W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC94550V0.1A0.25W**NPN2SC327930V2A0.75W**NPN2SC2229200V0.05A0.8W**NPN2SC223630V 1.5A0.9W**NPN2SC38320V0.05A0.2W**NPN2SA950Y150V0.8A0.6W**PNPBC548B30V0.2A0.5W**NPN2SC339950V0.1A0.3W**NPN2SD14551500V5A50W**NPN2SC1983R80V3A30W**NPN2SC227300V0.1A0.75W**NPN2SC1213D50V0.5A0.4W**NPN2SA778AK180V0.05A0.2W**PNPDTC114ES50V0.1A0.25W**NPN2SC3413C40V0.1A0.5W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SC2611300V0.1A 1.25W**NPN2SC1514300V0.1A 1.25W**NPNDTC124ES50V0.1A0.25W**PNP2SD107850V2A20W**NPN2SA139035V0.5A0.3W**PNP2SD78820V2A0.9W**NPN2SD88240V3A10W**NPN2SD78720V2A0.9W**NPN2SD401AK200V2A25W**NPN2SC2610300V0.1A0.8W**NPN2SC2271N300V0.1A0.75W**NPN2SC174050V0.3A0.3W**NPN2SC1214C50V0.5A0.6W**NPN2SC458D30V0.1A0.2W**NPN2SA67350V0.5A0.4W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD15561500V6A50W**NPN2SD1499100V5A40W**NPN2SD1264A200V2A30W**NPN2SD101050V0.05A0.3W**NPN2SD96660V5A1W**NPN2SD601AR60V0.1A0.2W**NPN2SC3265Y30V0.8A0.2W**NPN2SC3063300V0.1A 1.2W**NPN2SC259440V5A10W**NPN2SC1317-R30V0.5A0.4W**NPN2SB1013A30V0.5A0.3W**PNP2SD122660V3A35W**NPN2SC2636Y30V0.05A0.4W**NPN2SB940200V2A30W**PNP2SA720-Q50V0.5A0.4W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SD13911500V5A80W**NPN2SC218845V0.05A0.6W**NPN2SK301-R*0.14A0.25W**N沟场效应管2SD126660V3A35W**NPN2SD11751500V5A100W**NPN2SD97330V1A1W**NPN2SC2923300V0.2A15W**NPN2SC2653H250V0.2A15W**NPN2SC2377C30V0.15A0.2W**NPN2SC1685Q30V0.1A0.25W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN2SB642-R60V0.2A0.4W**PNP2SA1309A25V0.1A0.3W**PNP2SA1018150V0.07A0.75W**PNP2SA564A25V0.1A0.25W**PNP晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SK301-Q*0.14A0.25W**N沟场效应管2SD15411500V3A50W**NPN2SC168530V0.1A0.25W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN2SA1309A25V0.1A0.3W**PNPUN421350V0.1A0.25W**NPNUN421150V0.1A0.25W**NPNUN421250V0.1A0.25W**NPNUN411150V0.1A0.25W**PNP2SD15411500V3A50W**NPN2SD96540V5A0.75W**NPN2SC283930V0.1A0.1W**NPN2SC2258250V0.1A1W**NPN2SC184645V1A 1.2W**NPN2SC1573A250V0.07A0.6W**NPN晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型2SA1309A25V0.1A0.3W**PNP2SD15441500V 3.5A40W**NPN2SD802900V6A50W**NPN2SC271735V0.8A7.5W**NPN2SC2482150V0.1A0.9W**NPN2SC2073150V 1.5A25W**NPN2SC1815Y60V0.15A0.4W**NPN2SB774T30V0.01A0.25W**PNP2SA1015R50V0.15A0.4W**PNP2SA90490V0.05A0.2W**PNP 2SA562T30V0.4A0.3W**PNP。

晶体管的参数

晶体管的参数晶体管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视以及各种电子仪器仪表中。

在电子技术领域，晶体管的参数是评估其性能与特性的重要指标。

本文将介绍晶体管的一些常见参数及其相关参考内容。

1. 器件类型：晶体管根据其结构和工作原理可以分为多种类型，包括普通二极管、NPN型和PNP型晶体管、场效应晶体管等。

对于不同类型的晶体管，其参数也会有所不同。

2. 极间电容（Cj）：晶体管的结构中存在着不同电势的极之间的电容，极间电容即指的是这种电容。

它会对高频特性产生影响。

Cj的值越小，晶体管的高频性能越好。

可以参考不同型号晶体管的数据手册，寻找其Cj值。

3. 最大耗散功率（Pd）：晶体管的最大耗散功率是指器件能承受的最大功率，过多的耗散功率会导致晶体管工作不稳定，甚至损毁器件。

因此，选择一个适合工作条件的晶体管时，必须注意其最大耗散功率的额定值。

可以在晶体管的数据手册中查找相关信息。

4. 比输入电容（Cin）：晶体管接收输入信号时的输入电容，其值与晶体管的增益、频率响应等有关。

较大的输入电容会导致信号源与晶体管之间的不匹配，影响信号的输入和输出。

数据手册中可以找到晶体管的输入电容值。

5. 最大搜线速度（fT）：最大搜线速度是指晶体管的最高工作频率。

它是晶体管的一个重要参数，直接影响到晶体管在高频电路中的应用能力。

查阅数据手册可以找到晶体管的最大搜线速度。

6. 饱和电流（Isat）：在晶体管的饱和区工作时，其主电流达到的最大值。

饱和电流取决于晶体管的材料和结构，并直接影响晶体管的功耗和工作特性。

可以在晶体管数据手册中找到相应的饱和电流值。

7. 最大集电极电流（Icmax）：晶体管集电极能承受的最大电流。

超过最大集电极电流时，晶体管可能会烧毁或损坏。

因此，在使用晶体管时，需要根据实际需求选择合适的最大集电极电流值。

8. 失真参数：晶体管在工作过程中会引入一定的失真，如基极电流的非线性变化导致的失真。

双极型晶体管极限参数及举例

▲ 温度对β的影响表现为，β随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1℃，β值增大0.5%~1%(即 Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。 ◎ 温度对uBE、ICBO和β的影响，其结果反映在输出特性曲线上，表现为温度升高曲线上移且间隔增大。
【例1】晶体管工作状态及放大状态下管型、电极的判别
一. 工作状态判别： [举例] 判别图示中晶体管的工作状态
[举例] 判别图示中晶体管的管型、电极并确定β值。
4.9mA
c
b
0.1mA
-5mA e
(a) NPN型
β=4.9/0.1=49
e 2mA
c - 3mA
b
3.5mA
b
-0.02mA
c 1.98mA
e
0.05mA
(b) PNP型
(c) NPN型
β=1.98/0.02=99 β=3/0.05=60
2.根据放大管的电极电位判别规律：e 结电压为0.7V时为硅管，0.3V时为锗管； c 极电位最高、e 极电位最低，则为NPN管； c 极电位最低、e 极电位最高，则为PNP管；
iC I
CM
安全工作
区
0
PCM =IC·UCE
P CM
最大电流ICM
击穿电压U(BR)CEO
U u (BR)CEO
CE
为了确保管子有效安全工作，使用时不应超出这一工作区。
五. 温度对晶体管参数的影响
温度对晶体管的uBE、ICBO和β有不容忽视的影响。其中，uBE 、ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即 ▲ 温度每升高1℃， uBE减小（2 ~ 2.5）mV； ▲ 温度每升高10℃， ICBO增大一倍。
8V
3V

常用晶体管参数查询

常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。

晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。

下面将介绍几个常用的晶体管参数。

1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。

这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。

2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。

这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。

3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。

这个参数对于功率放大应用非常重要。

4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。

这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。

5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。

这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。

6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。

这个参数对于放大应用非常重要。

7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。

这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。

8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。

这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。

9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。

这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。

10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。

这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。

晶体管的参数

晶体管的参数
晶体管是一种重要的电子器件，用于放大和控制电流的流动。

以下是晶体管的一些常见参数：
1. 最大电流（Maximum Current）：晶体管能够承受的最大电流。

超过这个电流值，晶体管可能会受损或过热。

2. 最大电压（Maximum Voltage）：晶体管能够承受的最大电压。

超过这个电压值，晶体管可能会发生击穿。

3. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：晶体管能够承受的最大功率。

超过这个功率值，晶体管可能会受损或过热。

4. 增益（Gain）：晶体管的放大倍数。

增益指的是晶体管输出电流与输入电流之间的比值。

5. 饱和电流（Saturation Current）：当晶体管处于饱和状态时，从集电极到发射极的电流值。

在饱和状态下，晶体管能够提供最大的电流放大效果。

6. 截止电流（Cutoff Current）：当晶体管处于截止状态时，从集电极到发射极的电流值。

在截止状态下，晶体管不提供放大作用。

7. 输入电容（Input Capacitance）：晶体管的输入端所具有的电容值。

输入电容会影响晶体管的输入阻抗和高频性能。

8. 输出电容（Output Capacitance）：晶体管的输出端所具有的电容值。

输出电容会影响晶体管的输出阻抗和高频性能。

这些参数对于电路设计和应用中的晶体管选择和使用非常重要。

不同类型的晶体管（如BJT、MOSFET等）具有不同的参数特性，因此在实际应用中，需要根据具体需求和电路设计要求选择合适的晶体管。

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晶体管参数大全

晶体管参数大全晶体管是一种重要的电子元件，包括三极管和场效应管两种类型。

以下是关于晶体管参数的详细介绍。

1.三极管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（hfe）：表示输入电流和输出电流之间的放大倍数；- 饱和电流（Isat）：在基极电流最大的情况下，由集电极和发射极之间的饱和电流；- 集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）：集电极和发射极之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示三极管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示三极管的输出端电阻。

(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示三极管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示三极管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示三极管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示三极管的上升和下降时间。

2.场效应管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（gm）：表示输出电流和输入电压之间的增益；- 饱和电流（Idss）：在栅压为零时，漏极电流最大的情况下，由源极和漏极之间的饱和电流；- 开启电压（Vgs_th）：栅极电压与源极电压之间的临界电压，开始导通的电压；- 漏极-源极饱和电压（Vds_sat）：漏极电压与源极电压之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示场效应管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示场效应管的输出端电阻。

(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示场效应管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示场效应管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示场效应管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示场效应管的上升和下降时间。

以上是晶体管参数的一些常见指标，不同型号的晶体管具体参数可能会有所不同。

在实际应用中，根据具体电路设计和需求，选择合适的晶体管参数非常重要。

同时，要注意不同厂家制造的晶体管参数可能存在差异，需要仔细查阅相关型号的数据手册。

常用晶体管参数

2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP
2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP
2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）
2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）
2SB686 100V 6A 60W * * PNP
2SC2190 450V 5A 100W * * NPN
2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN
2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN
2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN
2SA1302 200V 15A 150W * * PNP
2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP
2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP
2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP
2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP
2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN
2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN
2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN
2SB1429 180V 15A 150W * * PNP
2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）
2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP

常用晶体管参数

2N3440 6 NPN 视放开关 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
2N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
HQ1F3P 贴片 NPN 功放开关 20V 2A 2W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
TIP132 28 NPN 音频功放开关 100V 8A 70W TIP137 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
A1020 21 PNP 音频开关 50V 2A 0.9W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3522V 5V稳压管 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全

晶体管的主要电参数及温度特性

IBQ 40μA
iB 60 40
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
(3) 极限参数
B (b) C(c) B (b) C(c)
T
T
E(e)
E(e)
(1) 集电极开路时发射极—基极间反向击穿电压 U（BR）EBO
(2) 发射极开路时集电极—基极间反向击穿电压 U（BR）CBO
(3) 基极开路时集电极—发射极间反向击穿电压 U（BR）CEO (4) 集电极最大允许电流 ICM
（2）共射极交流电流放大系数β
β
iC
iE
i C 常数
iB
β值与iC的关
系曲线
iC
0
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
iC(mA)
4
2.3 3 IC 1.5 2
100 25 C
80
60
Q 40
IB
iB=20(A)
10 2 4 6 8
uCE(V)
ICQ 1.5mA 37.5 i C 2.3 1.5 40
iB =100μA
80 60
40 20 0
6 8 uCE / V
模拟电子技术
谢谢！
模拟电子技术
(1) 直流参数
（1）共基极直流电流放大系数
IC
ICBO 0 IE
（2）共射极直流电流放大系数
IC
IB
ICBO 0
（3）发射极开路，集电极—基极间反向饱和电流 ICBO
（4）基极开路，集电极—发射极间反向饱和电流 ICEO
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
(2) 交流参数
（1）共基极交流电流放大系数α
2. 晶体管及放大电路基础

晶体管参数有哪些-晶体管的参数

晶体管参数有哪些-晶体管的参数晶体管参数有哪些-晶体管的参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

下面，我具体地为大家讲讲晶体管的参数，希望能关怀到大家!最高频率fM最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率f，而特征频率fT则高于共基极截止频率f、低于共集电极截止频率f。

放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无转变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或表示。

沟通放大倍数沟通放大倍数，也即沟通电流放大系数、动态电流放大系数，是指在沟通状态下，晶体管集电极电流转变量△IC与基极电流转变量△IB的比值，一般用hfe或表示。

hFE或既有区分又关系亲热，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数转变不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的最高允许结温顺集电极最大电流有亲热关系。

晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

特征频率fT晶体管的.工作频率超过截止频率f或f时，其电流放大系数值将随着频率的升高而下降。

特征频率是指值降为1时晶体管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

最大电流集电极最大电流(ICM)是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。

当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的值等参数将发生明显转变，影响其正常工作，甚至还会损坏。

晶体管的参数

晶体管的参数晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子设备中，例如电子计算机、通信设备、放大器、开关等。

晶体管的性能特征由多个参数来描述，下面将介绍一些与晶体管相关的重要参数。

1. 最大电流和功率：最大电流指的是晶体管能够承受的最大电流值，一般以直流或者脉冲形式表示。

最大功率是指晶体管能够承受的最大功率值，它与最大电流和工作电压有关。

2. 最大工作频率：最大工作频率指的是晶体管能够正常工作的最高频率。

这是由于晶体管内部的电容和电感等元件所引起的传输延迟，导致高频信号衰减和相位失真。

3. 转导系数：转导系数也称为电流增益，是指输入和输出电流之间的比值。

这个参数是用来衡量晶体管放大器的增益能力的，一般以倍数表示，如hfe、h21e等。

4. 饱和电流：饱和电流是指当晶体管处于饱和状态时的电流值。

在饱和状态下，进一步增加基极驱动电流不会再引起集电极电流的增加。

饱和电流的大小与晶体管内部的结构和材料有关。

5. 饱和压降：饱和压降是指当晶体管处于饱和状态时的集电极与发射极之间的电压降。

饱和压降与晶体管的材料、温度以及工作电流等因素有关，一般在规格书中给出。

6. 硬开关能力：硬开关能力是指晶体管在开关操作时的能力，即能够快速地从导通状态转变为截止状态，或者从截止状态转变为导通状态。

硬开关能力对于实现高效能、低功耗的电子设备至关重要。

7. 噪声系数：噪声系数是衡量晶体管噪声性能的一个参数。

晶体管的噪声主要分为热噪声、功率噪声和互流调制噪声等。

噪声系数越小，表示晶体管的噪声性能越好。

8. 热阻：热阻是指晶体管中热量传导的阻力。

热阻越小，晶体管在工作时产生的热量能够更快地散发出去，降低器件的温度。

以上是晶体管的一些重要参数，它们可以用来评估晶体管的性能和适用范围。

在使用晶体管时，我们需要根据具体的应用需求选择合适的晶体管，确保其性能满足要求。

晶体管的主要参数有电流放大系数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

※电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。

根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

1．直流电流放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2．交流电流放大系数交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

※耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。

晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

※频率特性晶体管的电流放大系数与工作频率有关。

若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。

1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。

特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

晶体管的参数

晶体管的参数晶体管是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备和电路中。

在电路设计和分析中，了解晶体管的参数是十分重要的。

本文将介绍晶体管的几个重要参数，包括增益、阈值电压、输出电阻和频率响应等。

1. 增益：晶体管的增益是指输入和输出信号之间的放大倍数。

以BJT晶体管为例，常用的增益参数有直流电流增益（hFE）和交流电流增益（hfe）。

直流电流增益表示输入电流与输出电流的比值，在常用的晶体管参数手册中一般给出一个范围值。

交流电流增益则表示在交流条件下输入电流与输出电流的比值。

2. 阈值电压：阈值电压是指在晶体管进行开关动作时所需要的输入电压。

对于MOSFET晶体管，阈值电压是控制沟道开启状态的关键参数。

当输入电压高于阈值电压时，晶体管会被打开，允许电流通过。

当输入电压低于阈值电压时，晶体管处于关闭状态。

3. 输出电阻：输出电阻是指晶体管的输出端对外部电路的阻抗。

输出电阻越大，对外部电路的影响越小。

输出电阻可以描述晶体管输出信号的稳定性和负载能力。

对于BJT晶体管，输出电阻是一个重要的参数，可以影响放大器的性能。

4. 频率响应：频率响应是指晶体管在不同频率下的输出特性。

晶体管作为放大器时，输出信号在不同频率下的增益可能会有所变化。

频率响应参数通常以增益-频率图（Bode图）的形式给出，可以帮助设计工程师了解晶体管在不同频率下的性能表现。

除了以上几个常见参数之外，晶体管的参数还包括输入电阻、输出电容和温度特性等。

输入电阻是指晶体管的输入端对外部电路的阻抗，它可以影响信号的输入效果。

输出电容是指晶体管的输出端与输入端之间存在的电容效应，它可能会影响电路的带宽和相应速度。

需要注意的是，晶体管的参数可能存在一定的变化和尺寸差异。

因此，在实际电路设计中，选型和匹配晶体管时要结合具体使用场景和需求，同时参考厂家提供的参数手册和数据表。

总结起来，晶体管的参数是电路设计与分析过程中不可忽视的一部分。

熟悉晶体管的参数可以帮助工程师更准确地选取合适的晶体管，并优化电路设计。

有机场效应晶体管的特征参数

有机场效应晶体管的特征参数
有机场效应晶体管（OFET）是一种新型的半导体器件，其特征参数包括：
1. 阈值电压（Vth）：OFET的阈值电压是指当控制电极（Gate）施加的电压达到一定值时，OFET开始导通的电压。

与传统晶体管相比，OFET的阈值电压相对较高。

2. 漏电流（Ioff）：OFET的漏电流是指当控制电极未施加电压时，OFET的漏电流大小。

OFET的漏电流越小，其性能越好。

3. 饱和漏电流（Idss）：OFET的饱和漏电流是指当控制电极的电压达到一定值时，OFET漏电流的最大值。

与传统晶体管相比，OFET 的饱和漏电流较小。

4. 转移特性曲线：OFET的转移特性曲线是指控制电极施加电压与OFET漏电流之间的关系曲线。

OFET的转移特性曲线越陡峭，其性能越好。

5. 压敏特性：OFET的压敏特性是指其在受到外部压力或形变时，漏电流发生的变化。

OFET的压敏特性越强，其应用场景越广。

- 1 -。

晶体管参数解释大全

共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo
共发射极开路输出电容
Coe
共发射极输出电容
Co
零偏压电容
Co
输出电容
Cp
并联电容（外电路参数）
Cre
共发射极反馈电容
Cs
管壳电容或封装电容
CTC
电容温度系数
CTV
电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct
总电容
IFMP
正向脉冲电流
IFRM
正向重复峰值电流
IFSM
正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF
正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
VGFM
门极正向峰值电压
VGT
门极触发电压
Vk
膝点电压（稳流二极管）
VL
极限电压
Vn(p-p)
输入端等效噪声电压峰值
Vn
中心电压
VOM
最大输出平均电压
Vop
工作电压
Vo
交流输入电压
Vp
峰值电压
VRM
反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM
反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM
反向工作峰值电压
VR
反向工作电压（反向直流电压）
Cvn
标称电容
di/dt
通态电流临界上升率
dv/dt
通态电压临界上升率
D
占空比
ESB

MOS管各项参数介绍

MOS管各项参数介绍MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种重要的半导体器件，常用于集成电路中。

下面简要介绍一些MOS管的各项参数。

1. 阈值电压（Threshold voltage）：阈值电压是指在MOS管的栅极-漏极电压（VGS）不大于零时，漏极电流（ID）在较低水平的临界点。

这是控制MOS管导通与截止转换的重要参数。

2. 分布电容（Distributed Capacitance）：MOS管的栅极与漏极之间以及栅极与源极之间会存在电容，称为分布电容。

它会影响MOS管的高频特性。

3. 导通电阻（On-resistance）：导通电阻是指MOS管导通时的沟道电阻。

低导通电阻意味着MOS管能够承受更大的电流，具有更好的导电性能。

4. 漏极电流（Drain Current）：漏极电流是指MOS管从漏极处流出的电流。

它与栅极-源极电压、栅极-漏极电压等参数有关。

5. 饱和区漏极电流（Saturation Drain Current）：当MOS管的栅极-源极电压（VGS）大于阈值电压时，漏极电流会进入饱和区。

饱和区漏极电流是MOS管在这种情况下的最大漏极电流。

6. 漏极饱和电压（Saturation Drain Voltage）：漏极饱和电压是指MOS管在饱和区时的栅极-漏极电压。

当栅极-漏极电压超过漏极饱和电压时，MOS管会进入饱和区。

7. 负温度系数（Negative Temperature Coefficient）：MOS管具有负温度系数，即漏极电流与温度呈负相关。

当温度升高时，MOS管的漏极电流会下降。

8. 压降（Voltage drop）：在MOS管中，电流从源极到漏极经过一个沟道，会产生一定的电压降。

这个电压降可以通过改变栅极电压来调控。

9. ESD保护（Electrostatic Discharge Protection）：为了保护MOS管免受静电放电（ESD）的损坏，常常需要在输入端加入ESD保护电路。