飞思卡尔针对移动蜂窝基站发布氮化镓射频功率晶体管
全球15家射频器件供应商盘点（附国内上市公司名单）
全球15家射频器件供应商盘点（附国内上市公司名单）如今，手机中射频（RF）器件的成本越来越高。
一个4G全网通手机，前端RF套片的成本已达到8-10美元，含有10颗以上射频芯片，包括2-3颗PA、2-4颗开关、6-10颗滤波器。
未来随着5G的到来，RF套片的成本很可能会超过手机主芯片。
再加上物联网的爆发，势必会将射频器件的需求推向高潮。
成本昂贵，95%的市场被欧美厂商把持通常情况下，一部手机主板使用的射频芯片占整个线路面板的30%-40%。
据悉，一部iPhone 7仅射频芯片的成本就高达24美元，有消息称苹果今年每部手机在射频芯片上的投入将历史性地超过30美元。
随着智能手机迭代加快，射频芯片也将迎来一波高峰。
目前，手机中的核心器件大多已实现了国产化，唯独射频器件仍在艰难前行。
据悉，全球约95%的市场被控制在欧美厂商手中，甚至没有一家亚洲厂商进入顶尖行列。
射频器件细分领域目前，手机中的射频器件主要包括功率放大器（PA）、双工器、射频开关、滤波器（包括SAW与BAW两种）、低噪放大器（LNA）等等。
归结起来，射频器件主要三大细分领域为射频滤波器、射频开关、PA芯片（功率放大器芯片）。
滤波器：对于中国公司来说，滤波器是最难跨过的一道门槛，因为面临着专利和工艺两大难题，所以目前几乎没有能够量产的国产Saw滤波器。
由于芯片太厚，都没法做进集成模块，只能做外挂。
总体而言，国内的滤波器目前还处在中低端。
SOI射频开关：国内做SOI射频开关的公司已有20-30家，价格战已开始进入白热化。
其中，中国电科55所研制生产的GaAs及SOI 移动终端射频开关产品在华为、中兴等知名国产品牌移动终端产品中得到广泛应用，实现年出货量2亿只。
特别是SOI移动终端射频开关产品，采用了GPIO和MIPI控制模式，具有高效率、低损耗、高隔离的技术优势，同时做到了尺寸更小、成本更低、集成度更高。
PA（功率放大器）：手机中除主芯片外最重要的外围元件之一，影响着手机的信号强度、通信质量以及基站效率。
飞思卡尔技术助力中国TD-SCDMA网络建设
I NDUSTRY TECH 产业技术 @(投稿专用) 年第期M &Sy 1.5GHz 不等。
QorIQ 系列的高端产品还具有进一步提升性能的突破性嵌入式处理创新,包括每个内核的专属后端缓存、数据路径加速架构(DPAA )和C oreNet 相干性构造。
Qor IQ 平台最低为45n m 量级,并提供了一个32nm (及以上)路线图。
与其他嵌入式多核架构相比,基于Qor IQ 技术的产品功耗要低得多。
45nm 节点上提供的Qor IQ 产品包括的解决方案,其范围从4W 上高度集成的产品到30W 以下的“多核”器件。
QorIQ P3和P4平台允许系统开发人员严格管理器件频率和电压。
通过在基于e500P o wer A rchit ect ure 内核的架构上的整合,Qor IQ 平台为客户提供了一条向多核处理移植的简单路径,从单核到双核再到多核器件的移植。
平台继续利用广泛的Power A rchit ecture 生态系统,飞思卡尔也会一如既往地与其合作伙伴密切合作,应对一些常见的多核开发挑战。
在高端QorIQ 平台中,旨在简化开发的片上功能,包括嵌入式hyperviso r 技术、代码性能监视器和广泛的调试可视性及接入。
飞思卡尔也一直在与虚拟化软件开发公司Virtut ech 合作,以便为嵌入式多核环境中的软件开发、调试和基准开发出一个混合模拟环境,提供可控制的、确定的和完全可逆的环境。
5款针对不同要求的QorIQ 平台系列产品在45nm 量级,Qor IQ 系列推出了5款产品平台,每款都基于飞思卡尔的e500P o wer A rchit ect ure 内核。
平台与PowerQ U ICC 处理器产品软件兼容,能够满足各种功率、性能和价格要求。
平台包括:(1)Qo rIQ P1平台系列由双核和提供了向双核处理移植路径的单核产品组成,提高了PowerQU ICC II Pro 处理器客户的性能。
Ku波段300WBUC线性固态功放研制
Ku波段300WBUC线性固态功放研制作者：周二风来源：《无线互联科技》2021年第20期摘要：文章介绍了一种Ku波段300W BUC线性固态功放的研制。
该功放采用12路氮化镓功放芯片，通过波导功率合成技术和预失真技术相结合的方式，实现连续波输出功率可达300 W，线性度三阶互调可达-27dBc@52dBm以上，谐杂波抑制度可达-60dBc以上的性能。
固态功放效率高达20%，同时其功放内部自带频率源和上变频功能。
功放具有高集成度、高稳定性、高可靠性等特点，并具备完善的监控保护功能和友好的人机交互界面，可面向工程化应用，满足卫星通信系统中央站或区域站需求。
关键词：氮化镓功放;预失真;功率合成;上变频模块0 引言随着卫星通信系统的飞速发展，系统对高效、宽带大功率固态功放的需求与日俱增，大功率固态功放作为微波、毫米波发射链路中的核心设备将逐渐取代行波管放大器，其在线性度、使用寿命和可靠型等方面具有明显优势。
同时，通信产品的高集成化趋势日益明显，大功率通信系统射频前端高集成化也是大势所趋。
本文介绍了一种Ku波段300W BUC线性固态功放工程研制，其具有高集成度、高线性度等特点。
该功放连续波输出功率可达300W以上，三阶互调线性度高达-27dBc@52dBm。
此外，固态功放还具有友好的人机交互界面及完善的监控保护功能，工程实用性较强。
1 整机方案设计及工作原理根据固态功放功能将其划分为BUC上变频及功率驱动单元、Ku 300W末级功放单元以及电源和监控处理单元等部分，并将其集成于标准3U机箱内。
该固态功放同时具有失锁、过压、过流、过激励、过反射、过温等告警保护功能，采用内嵌式操作系统控制方式，具有高效的多任务处理能力。
此外，人机交互通过彩色触屏监控，方便工程应用。
该固态功放的主要功能是将来自卫星Modem中频信号进行上变频，同时对上变频后的射频信号进行功率放大，以至于射频信号能量足以发射到空间卫星转发器，以此满足卫星通信功率需求。
飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管
飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频
功率晶体管
飞思卡尔公司
【期刊名称】《电子技术应用》
【年(卷),期】2007(33)9
【摘要】飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。
MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。
【总页数】1页(P20)
【作者】飞思卡尔公司
【作者单位】飞思卡尔公司
【正文语种】中文
【中图分类】TN323.4
【相关文献】
1.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 [J], 飞思卡尔半导体
2.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 [J], 周鑫
3.飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准 [J],
4.飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能 [J],
5.飞思卡尔推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管 [J],
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《硅光子设计：从器件到系统》笔记
《硅光子设计：从器件到系统》阅读记录目录一、基础篇 (3)1.1 光子学基础知识 (4)1.1.1 光子的本质与特性 (4)1.1.2 光子的传播与相互作用 (5)1.2 硅光子学概述 (6)1.2.1 硅光子的定义与发展历程 (7)1.2.2 硅光子学的应用领域 (9)二、器件篇 (10)2.1 硅光子器件原理 (11)2.2 硅光子器件设计 (13)2.2.1 器件的结构设计 (14)2.2.2 器件的工艺流程 (15)2.3 硅光子器件的性能优化 (16)2.3.1 集成电路设计 (17)2.3.2 封装技术 (18)三、系统篇 (20)3.1 硅光子系统架构 (21)3.1.1 系统的整体结构 (22)3.1.2 系统的通信机制 (23)3.2 硅光子系统设计 (25)3.2.1 设计流程与方法 (26)3.2.2 设计实例分析 (27)3.3 硅光子系统的测试与验证 (29)3.3.1 测试平台搭建 (30)3.3.2 性能评估标准 (31)四、应用篇 (31)4.1 硅光子技术在通信领域的应用 (33)4.1.1 光纤通信系统 (34)4.1.2 量子通信系统 (35)4.2 硅光子技术在计算领域的应用 (36)4.2.1 软件定义光计算 (37)4.2.2 光子计算系统 (38)4.3 硅光子技术在传感领域的应用 (39)4.3.1 光学传感器 (40)4.3.2 生物传感与检测 (41)五、未来展望 (42)5.1 硅光子技术的发展趋势 (43)5.1.1 技术创新与突破 (44)5.1.2 应用领域的拓展 (45)5.2 硅光子技术的挑战与机遇 (47)5.2.1 人才培养与引进 (48)5.2.2 政策支持与产业环境 (49)一、基础篇《硅光子设计：从器件到系统》是一本深入探讨硅光子技术设计与应用的专著，涵盖了从基础理论到系统应用的全面知识。
在阅读这本书的基础篇时，我们可以对硅光子设计的核心概念有一个初步的了解。
高频课程设计报告_调频发射机
高频课程设计报告_调频发射机目录1. 内容概述 (2)1.1 课程背景 (3)1.2 报告目的 (3)1.3 报告结构 (4)2. 调频发射机概述 (5)2.1 调频通信原理 (6)2.2 调频发射机组成 (7)3. 调频发射机设计要求 (8)3.1 系统指标 (10)3.2 性能要求 (11)4. 设计方案与实现 (11)4.1 发射机结构设计 (13)4.2 高频电路设计 (14)4.3 调制和解调电路设计 (15)4.4 电源模块设计 (17)5. 调试与优化 (19)5.1 测试方法 (21)5.2 调试过程 (22)5.3 性能优化 (23)6. 测试结果与分析 (25)6.1 发射功率 (26)6.2 频谱纯度 (27)6.3 调制质量 (28)6.4 系统稳定性 (30)7. 结论与展望 (31)7.1 设计总结 (32)7.2 存在问题 (34)7.3 未来改进方向 (35)1. 内容概述本报告详细介绍了调频发射机的高频课程设计，围绕其工作原理、设计要点、实现路径以及未来改进方向展开深入探讨。
从调频发射机的基本原理出发，我们讨论了信号调制、载波频率的调整以及功率放大等关键技术点。
报告紧密结合实际工程需求，详尽阐述了调频发射机的工作著魔步骤和各个模块的功能设计，包括射频前端、调制器、功率放大器等核心部件。
在分析过程中，我们考虑了复杂信号环境下的抗干扰性设计，确保信号传输的稳定性和清晰度。
通过对调频发射机的仿真和数据分析，本报告优化了不同负载条件下的性能表现，为实际生产提供了有效的理论支持。
本课程设计报告还包括了项目实施过程中的遇到的挑战和解决方案，同时讨论了调频发射机在现代无线通信技术中的应用及其市场潜力。
报告最后展望了的未来科技发展趋势，提出了进一步提升调频发射机性能的潜在技术和创新方向。
通过本报告的学习与应用，读者能够获得关于高频调频发射机设计过程的全面了解，并为后续相关研究提供有益的参考和指导。
飞思卡尔芯片简介
• RS08微控制器—S08內核的簡化版， 在某些應用領域更有效，更便宜。 例如簡單的電子機械設備遷移到固態 控制。 • S08微控制器—從通用HC08微控制器 轉化而來。總線速度更快，操作電壓 更低，S08更適用于電池供電的應用。 • ColdFire嵌入式控制器—可兼容，
微處理器
歡迎來到飛思卡爾獨家 推出的微控制器集
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飛思卡爾公司 的優勢
飛思卡爾公司是嵌入式控制領域的全球 帶頭人，是MCU技術的先驅，並是主要 技術創新者。我們開發了首個基于flash 存儲的MCU。微控制器集提供了接觸我 們市場主導產品的簡單方法。全套的工 具、培訓和支持，包括常規開發工具、 參考設計、應用筆記和網上直播。使得 你的設計更快捷。
關于微控制器集
飛思卡爾公司的微控制器集是業界首個也是唯一一個8位到32位兼容產品的路線圖。從入門 級的RS08和S08控制器到全特征的ColdFire產品，微控制器集使用相同的外圍模塊和開發工 具，簡化了設計過程並縮短推向市場的時間。逐步兼容即可將微控制器集內的設備從低端 到高端遷移到下一個兼容的設備上。例如：將MC9S08JM60 (JM60)遷移到MCF51JM128 (JM128)上，然後只要花少量時間和精力就可遷移到MCF5221x MCUs。 在優化產品性能，價格和功能時，您可能會產生從8位轉到32位的需求，反之亦然。您只要簡 單地更換板上的控制器，重新編譯代碼。微控制器集的8位和32位的連接點是我們的FlexisTM 系列微控制器。
8 KB SRAM
MCF51JM128:
• 50.33MHz V1 ColdFire 內核 • 25.17MHz總線頻率 • 2.7-5.5V的操作電壓 • 80引腳LQFP,64引腳LQFP, 64引腳QFP,44 引腳LQFP封裝
NEWTEC公司推出FlexACM产品
…
…
…
兰兰三兰二二二二二二二二二二二
看 移动通信的性能价格比应该 ．
， 还 有很 大潜力可 挖 随着话音压 ，
缩技术 信号处理 技术 调 制技
、
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术与智能 天 线技术 的进一 步发
展 单位话音的成本将继续降 ，
低 而 新 的数据和 多媒体 业 务将 ，
会创造一 个 更 加灿烂 的个人 移
动世 界。 激
2 0 0 8 年 9 月 的荷 兰 IB c 展 会 上 ， NE WT E C 公 司推 出 了专 门适 用 于 DVB - S 2 卫 星 通 信 系统 A CM 工 作模 式 下 的 F le x A CM 产 品 ， 第一 次 向世 人 真 正 展 示 了代 表 卫 星 通 信 最 高传 输 效 率 的应 用 ： DVB — S 2 ／ACM 应 用模 式 ， 该 产 品 无 可 争议 地 成 为 本次展 会 上 的一 大 亮点
ACM 的 应 用模 式 允 许 动 态地 调 整 调 制 方 式和 F E C 前 向 纠错 编 码 率 ， 结 合 远 端 站 对 实 际 通 信 链 路 条件 的 测 量 结 果 ， 可
以 保 证 无 差错 无 中断 的 传 输 ， 并且 实 时保 证 采 用可 允 许 的 最 高调 制 方 式和 最佳 的 前 向纠错 编 码 率 最 大 限 度 地 发挥 卫 星
与长伪随机码 和短伪 随机码 组 合起来用于 扩展 。 基于 导航 信 号 的一 致 解调 主 要 用于 前 向链 路 (基 站到移 动 台 ) 传输 和 传输 功率 控制 (T P C j 用于 反 向链 路 (移动 台到基 站 ) 传 输 。 卷 积 编码 用于 误 差 纠正 编码 (E C C ) 与正 交相移键 控 (QP S K ) 用 于 调 制 。
24l01(1)
24L01+超低功耗高性能 2.4GHz GFSK 无线收发芯片主要特性 工作在 2.4GHz ISM 频段 调制方式：GFSK/FSK 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps 超低关断功耗：<0.7uA 超低待机功耗：<15uA 快速启动时间： <130uS 内部集成高 PSRR LDO 宽电源电压范围：1.9-3.6V 数字 IO 电压: 3.3V/5V 低成本晶振：16MHz±60ppm 接收灵敏度：<-83dBm @2MHz 最高发射功率：7dBm 接收电流（2Mbps） ：<15mA 发射电流(2Mbps):<12mA（0dBm) 10MHz 四线 SPI 模块 内部集成智能 ARQ 基带协议引擎 收发数据硬件中断输出 支持 1bit RSSI 输出 极少外围器件,降低系统应用成本 QFN20 封装或 COB 封装应用范围 无线鼠标、键盘 无线遥控、体感设备 有源 RFID、NFC 智能电网、智能家居 无线音频 无线数据传输模块 低功耗自组网无线传感网节点封装图结构框图24L01+术语缩写术语 ARQ ART ARD BER CE CRC CSN DPL GFSK IRQ ISM LSB Mbps MCU MHz MISO MOSI MSB PA PID PLD RX TX PWR_DWN PWR_UP RF_CH RSSI RX RX_DR SCK SPI TX TX_DS XTAL 描述 Auto Repeat-reQuest Auto ReTransmission Auto Retransmission Delay Bit Error Rate Chip Enable Cyclic Redundancy Check Chip Select Dynamic Payload Length Gaussian Frequency Shift Keying Interrupt Request Industrial-Scientific-Medical Least Significant Bit Megabit per second Micro Controller Unit Mega Hertz Master In Slave Out Master Out Slave In Most Significant Bit Power Amplifier Packet Identity Payload RX TX Power Down Power UP Radio Frequency Channel Received Signal Strength Indicator Receiver Receive Data Ready SPI Clock Serial Peripheral Interface Transmitter Transmit Data Sent Crystal 中文描述 自动重传请求 自动重发 自动重传延迟 误码率 芯片使能 循环冗余校验 片选 动态载波长度 高斯频移键控 中断请求 工业-科学-医学 最低有效位 兆位每秒 微控制器 兆赫兹 主机输入从机输出 主机输出从机输入 最高有效位 功率放大器 数据包识别位 载波 接收端 发射端 掉电 上电 射频通道 信号强度指示器 接收机 接收数据准备就绪 SPI 时钟 串行外设接口 发射机 已发数据 晶体振荡器24L01+目 录1、简介.................................................. 4 2、引脚信息 .............................................. 5 3、工作模式 .............................................. 6 4、寄存器映射表 .......................................... 9 5、主要参数指标 ......................................... 10 6、封装................................................. 12 7、典型应用原理图 ....................................... 14 8、订单信息 ............................................. 17附： 典型配置方案 ....................................... 1924L01+1、简介24L01 是一颗工作在2.4GHz ISM频段，专为低功耗无线场合设计，集成嵌 入式 ARQ 基带协议引擎的无线收发器芯片。
飞思卡尔Airfast射频功率解决方案为多标准基站提供空前强大的功率、效率以及带宽
有 的 移 动 操 作 系统 和 硬 件 兼 容 ， 可轻 松 与全 系列 的 移动 解 决 方 案 集 成 。 还
飞 思 卡 尔的 Ｘ ｒ ｓ Ｃ ｍｐ ｓ 软 件 特 性 包括 ： ｔｉ ｉ ｅ ｏ ａ ｓ ｎ ｃ
・
带 倾 斜 补 偿 的 Ｘ ｒ ｓ Ｃ ｍ ａｓ ｔｉ ｉ ｅ ｏ ｐ ｓ ｎｃ
传 感 器 解 决 方案 的诸 多 产 品 中 的一 种 ， 采 用 以 性 能 为 导 向 的 软 件 算 法 ， 传 统 产 品 相 比 具 有 很 大 的 差 异 化 优 势 ， 实 现 快 速 实 它 与 可
施 和 面 市 。 ”Fra bibliotek据 Ｉ ｕ ｐｉ 司 的 ＭＥ Ｌ ｅ ｓｒ ０ １ 告 ， 传 感 器在 无 线 市 场 的 复合 年 均 增 长 率 （ Ａ ） １ ， 消 费市 场 ＨＳｉ ｐ ｌ公 Ｓ ＭＳ８ Ｓ ｎ ｏｓＨ２２ １ 报 磁 Ｃ ＧＲ 为 ４ 在
２１ ０ ２年 第一 季 度 提 供 批 量 订 购 ， 价 为 ８ 定 ５美 元 。Ｌ ｎ ｘ ｉｕ 和 Ａｎ ｒ ｉ 动 将 在 线 提 供 ， 有 免 费 的 图 形 用 户 界 面 ｄ ｏｄ驱 还
（ ＧＵＩ 演 示 和 飞 思 卡 尔 Ｐ ） ＥＧ 图形 库 示 例 ， 网址 为 ｈ ｔ ／ ｔｐ：／
滚 动 角 、 仰 角和 偏 航 角 俯
・
・ 纯 ４参数 硬 铁 选 项
・
带软 铁 增 益校 准 的 ７ 数 硬 铁 参
・ 带全轴软铁校准的 １ ０参 数
・ 标 准 ＡＮＳ 源代 码 ＩＣ
・ ２ ０ＫＢ 的 编 译 码 大 小
・ 需要 ６ ＫＢ ＲＡＭ 。
・
带 传 感 器 仿 真 模 块 ， 实现 立 即验 证 可
飞思卡尔面向中国TD—SCDMA无线网络推出RF功率系列产品
网络 接 受 服 务 。
为 一 ０ ６ｄ ± ｚ偏 移 下 的 通 道 带 宽 为 ３ ８ ３ ． Ｂ（ ５ＭＨ ．４ＭＨｚ 。 ）
ＭＲ ８ ２ １ ０ Ｒ Ｆ Ｐ ０ ０ ＨＳ ３产 品 特 性
在业 界被广 泛部署 。
－
・
在Ｐ ＡＣ Ｒ
Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ是 在 中 国 开发 的第 三 代 无 线 标 准 ， 中 国 由 最 大 的 无 线 通 信 运 营 商 使 用 。根 据 Ｔ Ｓ Ｄ Ｄ— Ｃ ＭＡ 论 坛 ， 将
・
在 输 入 信 号 峰 均 比为 ９ ９ｄ 的 状 态 下 测 量 ， 邻 ． Ｂ 相
信 道 功 率 比（ Ｃ Ｒ） 一 ３ ５ｄ ± ｚ偏 移 下 的 通 道 带 Ａ Ｐ 为 ３ ． Ｂ（ ５ＭＨ
宽 ３８ ．４ＭＨｚ 。 ）
两 款 器 件 的 工 作 电 压 均 为 ２ ３ 能 在 ３ 直 ６ Ｖ～ ２Ｖ， ２Ｖ
在 中 国 ， 分 同 步 码 分 多 址 存 取 （ Ｄ— Ｃ 时 Ｔ Ｓ ＤＭＡ） 线 无
网络 被 广 泛 应 用 ， 这 些 射 频 功 率 晶体 管 已 经 专 为 服 务 而 于 上 述 网络 的 基 站 中所 使 用 的 功 率 放 大 器 进 行 了优 化 。 这 些 先 进 的 器 件 是 专 为 Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ 设 计 的 飞 思 卡 尔
放 大 器 的 生 产 成 本 、 少 所 需 的 组 件 并 降 低 放 大 器 的 复 减
杂度 。
频 功 率 放 大 器 阵 营 中 的成 员 ，用 于 支 持 Ｔ Ｓ ＤＭＡ 的 运 Ｄ— Ｃ 行 ， 中包 括 ＭＲ ７ ２ ０ ０ ＤＭＯ Ｅ 其 Ｆ Ｐ ０ ４Ｈ Ｌ Ｓ Ｆ Ｔ和 ＭＤ Ｉ ２ ５ Ｎ ７Ｃ ０ ０ 多 级 集 成 功 率 放 大 器 集 成 电 路 ， 每 个 器 件 均 可 在 两 个 Ｔ ＳＤ Ｄ— Ｃ ＭＡ频 带 上 交 付 １ 的 平 均 功 率 。 ０ｗ
RDA
RDA TD-SCDMA/GSM 双模全集成 CMOS 射频收发器芯片的实现锐迪科微电子 在过去的几十年里，半导体技术取得了突飞猛进的发展，同时也为现代通信 技术的发展起了巨大的推动作用。
尤其是移动通信技术的应用由此得到了极大的 推广， 从上世纪八十年代开始商用的第一代模拟移动通信技术的出现到今天的第 三代（3G）数字移动通信技术的推广，短短二十多年的时间，移动通信技术经 历了飞速的发展， 全球数以十亿的普通用户得已体验移动通信技术给人来社会带 来的极大方便。
截止 2006 年底，全球已经有二十多亿移动通信用户，目前，用 户数还在快速地增长。
其中，中国就有四亿用户，占全球移动通信用户的五分之 一。
可以说，中国是全球移动通信市场的最大的重心。
随着移动通信技术的发展和应用进入到第三代，尤其在 WCDMA 和 CDMA2000 两种第三代（3G）移动通信技术在全球越来越多的国家投入商用阶 段，全球的目光都在关注着中国移动通信市场，这不仅仅是因为中国是最大的移 动通信市场，更重要的是作为三种国际 3G 技术标准之一的 TD-SCDMA 是中国 自主提出的移动通信标准，被无数人寄予极大的厚望。
作为中国自主知识产权的国际移动通信标准却在国内迟迟未能正式投入商 用，其中一个很重要的原因就是 TD-SCDMA 的移动终端产品成为其正式商业化 进程中的一大瓶颈，这其中 TD-SCDMA 终端射频芯片更成为制约其快速商业化 的瓶颈之一。
锐迪科微电子在经过数月的科研攻关，成功地开发出了全球第一款 CMOS 单芯片 TD-SCDMA/GSM 双模手机终端射频芯片。
本文将详细介绍这款 芯片的特点、功能以及应用原理。
RDA TD-SCDMA/GSM 双模射频收发器芯片基本特性 这是一款全集成的 CMOS 射频收发器芯片，采用了业界主流的 0.18 µm CMOS 半导体工艺制造， 片内集成了射频接收机和射频发射机， 同时还集成了模 拟基带（ABB）功能，能够同时支持模拟基带信号接口和数字基带信号接口。
飞思卡尔半导体公司MC33797四通道点火驱动器IC技术数据说明书
飞思卡尔半导体公司 文档编号：MC33797技术数据第6.0版，2014年2月©飞思卡尔半导体公司，2006 - 2014。
保留所有权利。
四通道点火驱动器IC四通道点火驱动器IC 是一款用于汽车安全气囊模块的完整点火诊断和部署接口。
拥有全面的诊断和系统控制功能，可实现故障安全操作。
该器件包含一个兼容串行外设接口(SPI)的8位接口，支持微处理器控制。
该器件可用于标准的四通道点火驱动器IC ，或用于高边和低边点火驱动器位于不同点火驱动器IC 时的交叉耦合状态。
高边和低边的输出驱动器均受到保护，不会受对电池或对地临时短路的影响。
限流阈值由外部电阻设置。
该器件采用SMARTMOS 技术。
特性 • 四通道高边和低边2.0 A FET 开关 • 外部可调的FET 限流功能 • 可调限流范围：0.8至2.0 A • 通过与SPI 通信实现单个通道限流检测以及定时持续时间测量 • 用于诊断和FET 开关激活的8位SPI • 高边安全传感器状态诊断 • 点火装置的电阻和电压诊断 • 点火驱动器IC 可用于交叉耦合驱动器点火应用（将高边和低边FET 开关置于不同的点火驱动器IC 上）EW 后缀（无铅） 98ARH99137A 32引脚SOICW应用 • 汽车安全气囊展开 • 安全带自动锁止• 计算机控制模型火箭点火器 • 远程发射烟花焰火表演• 采矿和建筑施工中计算机控制的雷管点火 •军用或警用武器系统图1. 33797简化应用电路图337972 模拟集成电路器件数据飞思卡尔半导体公司1 可订购部件表1. 可订购部件版本注1. 要订购以带/卷形式提供的零件，请在部件编号后面添加R2后缀。
内部功能框图33797模拟集成电路器件数据飞思卡尔半导体公司3内部功能框图图2.33797简化内部功能框图引脚连接337974 模拟集成电路器件数据飞思卡尔半导体公司引脚连接图3. 引脚功能说明表2. 引脚功能说明引脚连接33797模拟集成电路器件数据飞思卡尔半导体公司5表2. 引脚功能说明（续）电气特性最大额定值337976 模拟集成电路器件数据飞思卡尔半导体公司电气特性最大额定值表3. 最大额定值所有电压都是相对于地而言，除非另有说明。
飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能
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２１ 年第 期 卑 嵌入式 ’应国 ０１ ｔ 札名 彖毫 ．
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协 作 ， 已 成 为 嵌 入 式 系 统 行 业 开 发 者 的年 度 盛 会 。 自从 它
该 论 坛 于 ２ ０ 年 开 始 举 办 以来 ， 经 在 世 界 各 地 吸 弓 了 ０５ 已 ｌ
该 技 术 是 飞 思卡 尔 广泛 的创 新 产 品 的核 心 ， 包括 专 为 满 足 和 超 过 下一 代 网络 应 用 严格 性 能要 求 而 设 计的 先 进 的 多核 处 理 器 ， 以及 专 为 满足 全球 成 本 竞 争 最 为 激 烈 的 嵌入 式 市场 要 求 而设 计 的坚 固耐 用 ≮ 低 功 耗 的 微 处 理 器 超 飞 思 卡 尔 的 Ｔｏ ｒＳ ｓｅ 模 块 基 于 Ｐ ｗｅ ｃ ｉ ｃｕ ｅ技 术 ， Ｔｏ ｒ ｙ ｔｍ 外 形设 计 提 供 了 最 为丰 富 的特 性 ｗｅ ｙ ｔｍ ｏ ｒＡｒｈｔ ｔｒ ｅ 以 ｗｅ ｓｅ Ｓ
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飞 思 卡 尔 使 用 新 型 Ａｉｆ ｓ ＲＦ功 率 解 决 方 案 ｒａ ｔ 重 新 定 义 晶体 管 性 能
飞 思 卡 尔 半 导体 公 司
过 去 ， Ｆ功 率 的性 能 完 全 取 决 于 线 性 效 率 。 如今 ， Ｒ 开 发 者 遇 到更 加 复 杂 的 挑 战 ： 要 满 足 多 种 标 准 、 号 变 化 需 信
关 于 飞 思 卡 尔 半 导 体
飞 思卡 尔 半 导体 是全 球 优 秀 的 半 导 体 公 司 ， 为汽 车 、 费 、 业 和 网络 市 场 设 计 并 刺 造 嵌 入 式 半 导 体 产 品 。公 司 消 工 总部 位 于德 州 奥 斯 汀 市 ， 在 全 球 范 围 内拥 有 设 计 、 发 、 造 和 销 售 机 构 。 并 研 制
ku频段100 w氮化镓发射机设计
摘 要: 针对砷化镓发射机体积大的问题, 基于氮化镓功率放大器芯片, 研制了一款 Ku 频段小型化 100 W 发射机。 在
改进型波导 E-T 结和波导—微带探针过渡结构基础上, 提出了一种新型四路功率分配 / 合成结构。 发射机机箱采用三明治结
构, 使用 Icepak 软件对整机进行了热仿真分析。 经测试, 发射机在 13.75 ~ 14.5 GHz 频率范围内输出功率大 于 126 W, 整 机
LIU Lihao, WANG Lei, XUE Teng
( The 54th Research Institute of CETC, Shijiazhuang 050081, China)
Abstract: Considering the problem of large dimensions of GaAs transmitter,a Ku-band miniaturized 100 W transmitter is developed
片,但 GaAs 热阻高、击穿电压小的缺点限制了其在高
电压及高功率方向的应用,GaAs 器件经过几 十 年 的
发展,其性能已经达到了极限。 氮化镓( GaN) 作为第
三代半导体材料,是高频、高压、高温和大功率应用的
优良半导体材料,能满足下一代电子装备对功率器件
更高频率、更大功率、更小体积和更高温度工作的要
based on a GaN power amplifier chip. A novel four-way power allocation / combining structure is introduced,which is based on improved
waveguide E-plane T-junction and waveguide-microstrip probe transition structure. A sandwich structure is adopted in the design of cabinet
飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗
飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的迫切需求。
飞思卡尔的第八代高压（HV8）射频功率LDMOS 技术沿袭了公司一贯领先的射频功率晶体管技术，专门用来满足W-CDMA 和WiMAX 等高数据速率应用以及LTE 和多载波GSM 等新兴标准的严苛要求。
基于HV8 技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化，包括与数字预失真（DPD）结合使用的Doherty。
飞思卡尔HV8 技术的首要优势是提高了运行效率，这样就帮助降低了基站系统的总功耗，进而降低了运营成本。
此外，HV8 还能够适应先进系统架构的更严苛的操作环境要求。
“飞思卡尔实现了大幅的性能提高，使LDMOS 继续作为功率放大器的主导技术，”飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理Gavin P. Woods 表示，“当与先进架构结合使用或者在传统系统中使用时，我们的HV8 系列都有望在下一代发射器设计中实现相当高的系统效率水平。
”最初几款产品的功率水平将在100W 至300W 之间。
此外，HV8 产品还能够利用并扩大飞思卡尔的低成本模压封装系列，具有极高的价值，覆盖了700 MHz 至2.7 GHz 范围的主要频带。
针对900 MHz 频带内的运行做了优化的晶体管有望率先从HV8 射频功率LDMOS 技术中受益，以有效满足多载波GSM 系统的严苛要求。
Doherty 参考设计专门针对MC-GSM 市场做了优化，显示出出色的效率和DPD 校正性能，即使是在一些最严格的信号配置条件下。
Si基GaN在5G通信中的应用
Si基 GaN在 5G通信中的应用摘要：Si基GaN因其在制备功率电子器件领域重大的应用优势，且具有低衬底成本，衬底8英寸技术非常成熟，使得Si基GaN(GaN-on-Si)电子器件的社会经济效益比较高，在5G通信领域应用前景比较明朗。
本文介绍了GaN-on-Si器件在5G通信领域内的技术应用趋势，以及所面临的市场竞争。
关键词：功率器件；5G；Si基GaN1引言在功率放大器pa方面，GaN凭借更高的禁带宽度，能够在高功率、高频工作环境下表现出相当优良的通信性能，并呈现出更高的输出的功率和更好的效率。
低噪声放大器lna方面，GaN呈现出更低噪声系数，仅弱于 inp hemt、gass mhemt。
GaN射频器件具有不同衬底，其中Si基GaN具有低衬底成本，Si 衬底8英寸技术很成熟，利用现有硅代工厂的规模生产优势，使得Si基GaN电子元器件产品应用越来越成为人们关注的焦点。
另外，现有的硅基GaN衬底技术也可兼容常规CMOS工艺，将CMOS器件与硅基GaN电子元器件集成在同一张芯片上，因此，硅基GaN能够成为市场主流，并且主要应用在5G射频领域，以硅基GaN材料为基础所研制的功率放大器即将大批量应用于5G基站中。
硅基衬底GaN完全可以满足5G通信系统对射频功率放大器的技术需求，将随着5G通信系统的大规模建设迎来新的发展机会。
2 Si衬底GaN基材料的特性与优势随着无线通信技术发展到5G时代，用户对通信服务的联网速度，5G流量密度、时效性有了更好的需求。
为了满足这个需求，通信服务商会引入更高频率的微波波段来升高频率，增加频宽来缓解带宽波段，提升数据传输效率和传输质量，这些需求会使得射频功率放大器的重要性得到不断提升。
目前在现有的5G基站，硅基GaN电子元器件能在功率放大器领域取代硅基射频电子元器件，主要是因为GaN是宽禁带（wide-bandgap）电子元器件，禁带宽度3.4eV，击穿电压3MV/cm。