SI名词解释
药理学名词解释
药理学名词解释汇总1.药物:影响细胞生物学过程,用来诊断、预防和治疗疾病的化学物质。
2.药理学:是研究药物在人体或动物体内的化学反应产生的作用、规律和机制的一门学科3.药动学:研究药物的吸收、分布、代谢和排泄。
4.药效学:研究药物作用,作用机制,不良反应,禁忌症,适应症等。
5.药物作用:是指药物与机体组织间的原发作用。
6.药物效应:是指药物原发作用所引起机体器官原有功能的改变。
7.治疗作用:符合用药目的,对疾病有防治效果的作用。
8.不良反应:凡不符合用药目的,甚至会给病人带来不适和痛苦的药物反应。
9.副作用:药物在治疗量时出现的与治疗目的无关的作用。
10.毒性反应:用药量过大或用药时间过长使机体内药量达到最小中毒量以上时出现的反应。
11变态反应:是机体对药物的不正常的免疫反应,又称过敏反应。
12.继发效应(继发性反应):是由药物的治疗作用引起的不良后果,又称治疗矛盾。
13.后遗效应:指停药后,血药浓度已降低至最低有效浓度以下时,仍残存的生物效应。
14.特异质反应:指少数病人对药物产生的特殊反应。
15.受体:是存在于细胞膜或细胞内的能与特异性配体(ligand)结合,并能传递生物信息,引起生物效应的生物大分子,多为蛋白质、核酸等。
16.激动剂:与受体有较强亲和力,又有较强内在活性的药物。
17.拮抗剂(部分激动剂):对受体有较强亲和力,但缺乏内在活性的药物。
(能阻断激动剂作用的药物)18.竞争性拮抗剂:指拮抗剂和激动剂可相互竞争相同的受体,其药理效应强弱取决于两者的浓度和亲和力。
19.非竞争性拮抗剂:指拮抗剂和激动剂虽不争夺相同受体,但会妨碍激动剂与特异性受体结合,即使不断提高激动剂的浓度,也不能达到激动剂单独使用时的最大效应。
20.强度(效价):药物产生一定效应所需要的剂量。
剂量与效价成反比。
21.效能:指药物产生最大效应的能力。
此时增加剂量,效应不再增强。
22.半数有效量(ED50):使全部实验动物半数产生有效的作用所需的剂量。
si名词解释
si名词解释
SI,全称系统集成(System Integration),是指将不同的独立
子系统(或部件)通过接口和协议进行有机整合,形成一个功能更加
完善的大系统或网络。
系统集成旨在解决由于各个子系统独立存在而
导致信息孤岛、功能冗余、效率低下等问题。
在SI中,各个子系统可以来自不同的厂商、不同的技术平台或
不同的领域,如软件系统、硬件设备、网络设施等。
通过将这些子系
统进行整合,SI可以实现数据的共享与交互、功能的互补与优化,以
及系统的协同与协调。
SI的过程主要包括需求分析、系统设计、接口开发、集成测试和上线部署等环节。
在需求分析阶段,SI工程师会与客户充分沟通,了
解用户的需求和期望,明确整合系统的目标和功能。
在系统设计过程中,SI工程师会对子系统进行细致规划,确定各个子系统之间的接口
和协议。
在接口开发和集成测试阶段,SI工程师会编写代码、进行配
置和调试,确保各个子系统之间的数据传输和功能协调正常。
最后,
在上线部署阶段,SI工程师会将整合后的系统交付客户,并进行后续
的运维和维护工作。
SI在各个行业中都得到广泛应用,例如电信、金融、军事、交通等。
通过SI,不仅可以提高系统的可靠性和稳定性,降低成本和风险,还可以为用户提供更加完善和便捷的服务体验,实现效益的最大化。
金属材料学名词解释
热处理名词解释1.A0温度:210℃,Χ碳化物转变为渗碳体的温度。
2.A1温度:727 ℃,共析转变温度。
3.A2温度:770 ℃(居里点),发生α铁的磁性转变,居里点以上磁性消失。
4.A3温度:912 ℃,体心立方的α铁转变为面心立方的奥氏体。
5.A4温度:1394 ℃,面心立方的奥氏体转变为体心立方的δ铁。
6.在1538℃以上,纯铁由固体转变为液态。
1495℃为包晶转变温度,1148℃为共晶转变温度。
7.奥氏体:碳在γ-Fe中的间隙固溶体,体心立方结构,性能与纯铁基本相同。
8.铁素体:碳在α-Fe中的间隙固溶体称,为面心立方结构,塑性很好,且具有顺磁性。
9.珠光体:共析转变产物,珠光体是铁素体与渗碳体片层相间的组织,有较好的强度和韧性但总体上说比较软。
10.莱氏体:共晶转变产物为莱氏体,莱氏体是共晶奥氏体和共晶渗碳体的机械混合物,呈蜂窝状,莱氏体是塑性很差的组织。
11.马氏体:碳在α-Fe中形成的过饱和间隙固溶体称为马氏体,有着高的强度和硬度。
12.二次渗碳体:从奥氏体中析出的渗碳体,称为二次渗碳体。
二次渗碳体通常沿着奥氏体晶界呈网状分布。
13.贝氏体:钢在奥氏体化后被过冷到珠光体转变温度区间以下,马氏体转变温度区间以上这一中温度区间转变而成的由铁素体及其内分布着弥散的碳化物所形成的亚稳组织,具有较高的强韧性配合。
14.网状碳化物:过共析碳素钢、合工钢、高碳铬轴承钢等钢材在轧后冷却过程中,在Acm~Ar1温度范围内,浓度过高的碳以碳化物形式沿奥氏体晶粒边界析出,包围着奥氏体晶粒,在显微镜下呈现网状,叫网状碳化物。
15.带状碳化物:高碳铬轴承钢钢锭冷却时形成的结晶偏析,在热轧变形时延伸而成的碳化物富集带,呈颗粒状,叫带状碳化物。
16.变态莱氏体:莱氏体在727℃以下即发生共析反应后的莱氏体称为变态莱氏体,变态莱氏体塑性很差,难以进行变形加工,但因具有共晶转变,有良好的铸造性能。
17.钢的奥氏体化:将钢加热到A1温度以上,珠光体开始向奥氏体转变,加热到Ac3或Acm以上将全部变为奥氏体的工艺与过程。
联通移动运营商政企业务ICT、SI模式知识普及差异v1.1 - 百度文库
一、名词解释1、ICTICT (Information and Communication Technology)业务是中国三大运营商针对大客户所提供的重要转型业务,是信息和通信技术,是电信服务、信息服务、IT 服务及应用的有务。
ICT是一个比较宽泛的概念,即综合信息服务提供,以计算机为核心的,包括互联网、多媒体、IT专业服务等业务,近年来,ICT凭借网络飞速发展,已经渗透到社会生活的各个领域。
2、SI 系统集成商传统IT领域的SI(System Integrator系统集成商),主要开展软硬件集成业务。
3、SI 业务集成商SI 业务集成商:Service Integrator,是在运营商向集团行业客户提供信息化覆盖的过程中,与运营商开展合作,具有优势客户资源和核心技术能力,共同为集团客户及集团客户的目标客户提供业务功能和优质服务的合作伙伴的总称;业务集成商,除软硬件集成外还结合了通信和增值行业应用。
二、SI的类型与商务模式联通方SI类型(一)SI按合作关系的层级,由高至低划分为自有SI、项目合作型SI、SI储备资源库。
项目合作型SI:与联通采取项目合作方式共同拓展客户,在与客户的商务合同上,采取三方(多方)签约模式,明确约定各方责权,在项目型合作方式中,联通可统一收费,承担通信服务的实施与维护,由厂家为客户提供行业应用产品原厂的实施与维护服务。
(二)按照SI在行业信息化价值链中的能力贡献,划分为:应用提供SI、信息源SI、市场拓展型SI、服务提供SI、平台提供SI、设备提供SI。
1.应用提供型SI为集团用户提供信息化应用产品/解决方案的开发商/集成商,称为应用提供SI。
2.信息源型SI拥有和提供有价值信息的内容所有者、占有者或经营者,特别是拥有垄断性、稀缺性或权威性信息的SI,向集团客户提供信息服务,并由集团统一付费,称为信息源SI。
3.市场拓展型SI利用其在行业内的客户关系、在集团客户市场的影响力,负责集团信息化应用的市场拓展工作,帮助联通与集团客户建立合作。
汽车英语所写名词解释
汽车英语所写名词解释Quattro-全时四轮驱动系统Tiptronic-轻触子-自动变速器Multitronic-多极子-无级自动变速器ABC-车身主动控制系统DSC-车身稳定控制系统VSC-车身稳定控制系统TRC-牵引力控制系统TCS-牵引力控制系统ABS-防抱死制动系统ASR-加速防滑系统BAS-制动辅助系统DCS-车身动态控制系统EBD-电子制动力分配系统EDS-电子差速锁ESP-电子稳定程序系统HBA-液压刹车辅助系统HDC-坡道控制系统HAC-坡道起车控制系统DAC-下坡行车辅助控制系统A-TRC--车身主动循迹控制系统SRS-双安全气囊SAHR-主动性头枕GPS-车载卫星定位导航系统i-Drive--智能集成化****作系统Dynamic.Drive-主动式稳定杆R-直列多缸排列发动机V-V型汽缸排列发动机B-水平对置式排列多缸发动机WA-汪克尔转子发动机W-W型汽缸排列发动机Fi-前置发动机(纵向)Fq-前置发动机(横向)Mi-中置发动机(纵向)Mq-中置发动机(横向)Hi-后置发动机(纵向)Hq-后置发动机(横向)OHV-顶置气门,侧置凸轮轴OHC-顶置气门,上置凸轮轴DOHC-顶置气门,双上置凸轮轴CVTC-连续可变气门正时机构VVT-i--气门正时机构VVTL-i--气门正时机构V-化油器ES-单点喷射汽油发动机EM-多点喷射汽油发动机SDi-自然吸气式超柴油发动机TDi-Turbo直喷式柴油发动机ED-缸内直喷式汽油发动机PD-泵喷嘴D-柴油发动机(共轨)DD-缸内直喷式柴油发动机缸内直喷式发动机(分层燃烧/均质燃烧)TA-Turbo(涡轮增压)NOS-氧化氮气增压系统MA-机械增压FF-前轮驱动FR-后轮驱动Ap-恒时全轮驱动Az-接通式全轮驱动ST-无级自动变速器AS-转向臂QL-横向摆臂DQL-双横向摆臂LL-纵向摆臂SL-斜置摆臂ML-多导向轴SA-整体式车桥DD-德迪戎式独立悬架后桥VL-复合稳定杆式悬架后桥FB-弹性支柱DB-减震器支柱BF-钢板弹簧悬挂SF-螺旋弹簧悬挂DS-扭力杆GF-橡胶弹簧悬挂LF-空气弹簧悬挂HP-液气悬架阻尼HF-液压悬架QS-横向稳定杆S-盘式制动Si-内通风盘式制动T-鼓式制动汽车上各个部件的国语—粤语—英语对照(引擎部分)引擎机动力改装部分:国语==粤语==英语进气管==Intake空气过滤器==冬菇头==Air Filter排气管==尾喉/死气喉==Exhaust消音器==Mufeler or Exhaust机油冷却器==Oil Cooler火花塞==火嘴==Spark Plug火嘴线==spark Plug Wires阀门==滑老==Valve滑轮==Pully活塞==Piston曲轴==Crankshaft凸轮轴==Cam Shaft气门弹簧==滑老弹弓==Valve Spring涡轮增压==蜗牛挣扎==Turbo Charger机械增压==Super Charger中冷==Inter Cooler放气阀门==放气滑老==Blow-off Valve废气阀门==Wastgate压力控制器==水喉制==Boost Controller喷油嘴==大唧咀==Injector头批==Down Pipe行车电脑==ECU车身部分:大包围==Bodykit(车头==Front bumper, 车尾==Rear Bumper, 车别裙==Side Skirt)尾翼==Sopiler车头盖==Hood (两种不同材质:碳纤维==Carbon Fiber, 玻璃钢== Firberglass)传动部分:主减速器==大尾牙==Final Drive差速器==LSD离合器==极力子==Clutch飞轮==Flywheel制动悬挂部分:轮圈==车伶==Rim刹车碟==迫力碟==Rotor活塞卡钳==鲍鱼==Caliper刹车片==迫力皮/来令片==brake pad避震==Suspention(避震分为弹簧/弹弓==Spring 和减震桶==Shock 两部分)整套可调高低、软硬避震又叫Coilover波子塔顶==Pillow Ball Top Mounts防倾杆==Sway Bar用在车里的加强杆==Tower Bar or Tie Bar用在车底的加强杆==Lower Arm Bar汽车油品常用英语缩写术语AAMA美国汽车制造商协会ACEA欧洲汽车制造商协会AGMA美国齿轮制造商协会API美国石油学会ASTM美国材料与试验协会CCMC欧洲共同市场汽车制造商协会(ACEA前身)CEC欧洲协调委员会CMA美国化学品制造商协会DIN德国试验标准EMA美国发动机制造商协会GB中国国家试验标准ILSAC 国际润滑油标准和批准委员会ISO 国际标准化组织JAMA 日本汽车制造商协会JASE 日本汽车工程师协会JASO 日本汽车标准化组织JIS 日本工业标准LMOA 美国机车保养员协会NF 法国试验标准NLGI 美国润滑脂协会NMMA 美国船舶制造商协会NPRA 美国石油炼制协会SAE 美国汽车工程师协会VG 粘度级别日本丰田公司车型中英文对照AValonBlizzardCARINA 1.6GLCaribCarinaCAMRYCedric/GloriaCelica GTSCenturyCieloCimaCivilianChaserCoasterCorolla FX-16 GTS Corolla·Executive CoronaCorona MarkCressidaCrestaCrownCrown MajestaCurrenCynosDYNAGeoGLORIA 亚洲龙布利扎德卡瑞那1.6GL卡里布卡里纳(卡瑞那)佳美(卡姆利)公爵/光荣赛利卡GTS世纪西洛西玛市民查塞考斯特(巡游者)花冠(可罗拉)FX-16GTS花冠·董事光冠光冠·马克克瑞西达(姬仙达)克莱西达(登峰)皇冠皇冠庄严牌卡伦牌赛诺黛娜杰欧光荣HIACEHILUXInfiniti M30LevinLEXUS ES300LEXUS LS400LEXUS SC400Land·CruiserLiteaceMark-IIMaster acePaseoPick upPREVIASeraSoarerSprinterSprinter caribStarletStoutSupraTercel LEToyoaceTruenoToyota MR2 TurboRunnerVanVista海狮(海艾斯)海勒克斯茵费里提M30莱文凌志ES300凌志LS400凌志SC400陆地巡洋舰莱特艾斯马克-II马斯特艾斯入场式皮卡大霸王(普雷维亚)赛拉索雷尔短跑家(斯普林特)斯普林特·卡里布小星斯托特超级人(萨普拉)雄鹰LE(特塞尔)丰田之花特鲁诺丰田MR2增压赛跑者先锋维斯塔本田、三菱公司车型中英文对照本田车型Accord Acty 阿科德(雅确、雅歌、雅阁)、(和弦牌)阿克蒂(阿克泰)LegendlifePrelude传奇(里程),(莱根德)利弗(生活)序曲(披露,前奏),普雷卢德Acura NSX Ballade Concerto Civic(civin) Country Integra RS JazzHonda CRX si 爱克(阿科乐,阿库拉)NSX巴拉德协奏曲市民(思域),(西维克)康特里形格RS雅斯本田 CRX siQuint IntegraShuttle 1.6iRT4 4WDTodayVigorHonda NS·XCVCCDOMANIELISE昆特·形格(英特格拉)飞船1.6iRT4四轮驱动托戴(今日)伟高,活力本田NS·X居民多马尼莲花三菱车型AerobusAero king CanterChariotCordia Debonair DelicaDelica L300 Eterna πEterna ΣFuso FMGalant πGalant sapporo Galant ΣLancer EX Lancer Fiore 埃罗巴斯埃罗·金坎特查理奥科迪亚快乐(德博奈尔)德利卡德利卡L300埃特纳π埃特纳Σ扶桑FM华丽π(格兰特π)华丽·蓝宝石华丽Σ(格兰特Σ)枪骑兵(力劲)EX(兰瑟EX)枪骑兵(兰瑟)菲奥雷Mini CabMirage TurboMitsubishiPajeroForteColt 1500GLXRoseShogun V6Space RunnerSpace-WagonStarion 2.6 TurboSiGMACarismaTrediaDiamante LSMinica米尼·卡布米拉奇(海市蜃楼)增压三菱(米楚毕希)帕杰罗(山猫)强音小马1500GLX罗塞(玫瑰)幕府将军V6宇宙竞跑者(太空赛跑者)斯帕斯·瓦贡(太空旅行车)斯塔里恩2.6增压西格马卡利斯马特雷迪亚戴姆特(钻石)LS米尼卡。
高分子物理名词解释1
一、概念与名词第一章高分子链的结构高聚物的结构指组成高分子的不同尺度的结构单元在空间相对排列,包括高分子的链结构和聚集态结构。
高分子链结构表明一个高分子链中原子或基团的几何排列情况。
聚集态结构指高分子整体的内部结构,包括晶态结构、非晶态结构、取向态结构、液晶态结构和织态结构。
近程结构指单个大分子内一个或几个结构单元的化学结构和立体化学结构。
远程结构指单个高分子的大小和在空间所存在的各种形状称为远程结构化学结构除非通过化学键的断裂和生成新的化学键才能改变的分子结构为化学结构。
物理结构而一个分子或其基团对另一个分子的相互作用构型分子中各原子在空间的相对位置和排列叫做构型,这种化学结构不经过键的破坏或生成是不能改变的。
旋光异构结构单元-CH2--C*HR-型的高分子,由于每一个结构单元含有一个C*,因此,它们在高分子链中有三中键接方式,即全同、间同、无规立构,此即为旋光异构。
全同立构结构单元-CH2--C*HR-型的高分子,由于每一个结构单元含有一个C*,因此,它们在高分子链中有三种键接方式,若高分子链中C*的异构体是相同的,此即为全同立构。
间同立构结构单元-CH2--C*HR-型的高分子,由于每一个结构单元含有一个C*,因此,它们在高分子链中有三种键接方式,若高分子链中C*的两种异构体是交替出现的,此即为间同立构。
无规立构结构单元-CH2--C*HR-型的高分子,由于每一个结构单元含有一个C*,因此,它们在高分子链中有三种键接方式,若高分子链中C*的两种异构体是无规则出现的,此即为无规立构。
有规立构全同和间同立构高分子统称为有规立构。
等规度全同立构高分子或全同立构高分子和间同立构高分子在高聚物中的百分含量。
几何异构当主链上存在双键时,而组成双键的两个碳原子同时被两个不同的原子或基团取代时,即可形成顺反异构,此即为几何异构。
顺反异构当主链上存在双键时,而组成双键的两个碳原子同时被两个不同的原子或基团取代时,即可形成顺反异构,此即为几何异构。
药学院药理学名词解释
药学院药理学名词解释安全指数(SI)最小中毒量与最大治疗量之比半衰期(t1/2)血浆药物浓度降低一半所需的时间。
表观分布容积(vd)体内药物总量按血浆药物浓度推算时所需的体液总体积。
不良反应:在治疗剂量下,药物在发挥治疗作用的同时,可能产生一些其他作用,大都是人们不愿发生的。
变态反应(过敏反应allergic drug reaction):药物作为抗原或者半抗原刺激机体产生免疫反应引起生理功能障碍和组织损伤。
被动转运(passive transport):指药物借助细胞膜两侧存在的药物浓度梯度或电位差,以电化学势能差为驱动力,从高浓度侧向低浓度侧扩散。
迟后除极(DAD):细胞内钙超载下,发生在动作电位完全接近完全复极时的一种短暂的震荡性除极。
毒性反应(toxic reaction):在用药剂量较大和用药时间地过长情况下发生的机体组织、器官以器质性损伤为主的严重不良反应。
二重感染:广谱抗生素长期应用,使敏感菌受到抑制,而不敏感菌在体内繁殖生长,造成二重感染。
副反应:应用治疗量药物后出现的与治疗无关的反应。
肝肠循环:由胆汁排入十二指肠的药物,经肠粘膜上皮细胞吸收,再经门静脉进入肝脏干扰素(IFN):机体受到病毒或者其他微生物感染时,体内产生的一类抗毒糖蛋白物质,具有抗肿瘤和免疫调节作用。
后遗效应(residual effect):停药后血药浓度虽已降至有效浓度以下,但仍存留的生物效应。
化疗指数(CI)抗菌药物具有抑制或杀灭病原菌的能力激动剂(agonist):与受既有高亲和力,也有高内在活性,能产生最大效应。
拮抗剂(antagonist):与受体结合后本身不引起生物学效应,,但阻断激动剂介导的效应。
解离常数竞争性拮抗剂药物与受体有亲和力,但不产生受体激动效应,可以阻断激动剂与该受体的结合。
金鸡纳反应:应用奎尼丁的不良反应,耳鸣,听力减退,精神失常等。
继发性反应:由于药物治疗作用引起的不良后果。
简单扩散:抗生素:来自真菌或细菌的具有干扰细菌繁殖和生长的药物。
汉语基础名词解释
作业一一、名词解释音节:语音里最自然、听觉上最容易分辨出来的单位叫音节。
音素:语音的最小单位叫音素。
声母:声母一般是指汉字字音中开头的辅音音素。
韵母:韵母指汉字字音中声母后面的音素。
声调:声调指读一个汉字时声音的高低升降变化。
调值:调值是指某一种声调高低升降变化的具体读法。
调类:调类是指在一种语言或方言里,把调值相同的字归在一起所建立的声调类别。
四呼:四呼是韵母按韵头情况分出的类型,包括开口呼、齐齿呼、合口呼、撮口呼。
二、填空1.语音具有物理性质、生理性质和社会性质三个属性,其物理性质、生理性质是语音的自然属性,社会性质是本质属性。
2.从物理性质看,语音同自然界的其他声音一样,也具有音高、音强、音长、音色四个要素,如 yē和yě的不同是音高的不同。
3.人体发音器官可分肺和气管、声带、口腔和鼻腔三大部分。
4.根据发音特点,音素可分为元音、辅音两大类。
如b、p是辅音,a 、o 是元音。
5.汉语音韵学把音节分为声母、韵母、声调三个部分。
6.普通话中辅音共22个,其中n既能作声母又能作韵尾,ng则只能作韵尾不能作声母。
7.声母的发音特点是由发音部位和发音方法决定的。
8.从发音部位看,b 是双唇音,k是舌根音,zh 是舌尖后音;从发音方法看,s是擦音,j 是塞擦音,l是边音;从送气与否看, p 、t、k、z只有z不是送气音。
9.韵母由韵头、韵腹、韵尾三部分构成,每个韵母都必须有韵腹。
10.从结构成分分类,an、iong是鼻韵母,iao、uei是复韵母,a、i是单韵母。
11.从韵头情况看,iong是撮口呼韵母,音节 zhi中的i是开口呼韵母,yuan中的韵母是撮口呼韵母,wang中的韵母是合口呼。
12.普通话声调由音高变化形成,可分为阴平、阳平、上声、去声四类。
13.ü行韵母同j、q、x相拼时,省略ǖ上两点;同零声母相拼时,写成yu。
14.舌根音声母只能同四呼中的开口呼韵母、合口呼韵母相拼。
三、判断(如有错误,请予以改正)1.凡由人的发音器官发出的声音都是语音。
名词解释si
三,名词解释
1微生物的比增长速率:(dx/dt)/x 即单位微生物量的增值速率
2曝气生物滤池:集生物降解,固液分离于一体的污水处理设备。
3生物接触氧化:在填料上布满生物膜,污水与生物膜广泛接触,在生物膜上微生物的新陈代谢功能的作用下,污水有机污染物得到去除,污水得到净化。
4.生物流化床:是以砂、活性炭、焦炭一类的较小的惰性颗粒为载体充填在床内,载体表面被覆盖着微生物膜,其质变轻,污水以一定流速从下向上流动,使载体处于流动状态。
5.MLSS:混合液悬浮固体浓度,它表示的是在曝气池单位容积混合液内所含有的活性污泥固体物的总量,即:MLSS=Ma+Me+Mi+Mii
6.MLVSS :混合液挥发悬浮固体浓度,表示的是混合液活性污泥中有机性固体物质部分的浓度,即:MLvSS=Ma+Me+Mi
污泥沉降比:又称30min沉降率。混合液在筒内静置30min后所形成沉淀污泥的积占原混合液容积的百分率,以%表示。
23、污泥含水率---污泥中所含水分的重量与污泥总量之比的百分数。
24、固体通量---单位时间内,通过单位面积的固体重量。(kg/(㎡.h))
25、消化池的投配率---每日投加新鲜污泥体积占消化池有效容积的百分数.
26、湿污泥比重---湿污泥重量和湿污泥水之比
27.污泥龄:曝气池内活性污泥总量与每日排放的剩余污泥之比,即平均停留时间。
7..容积指数:简称污泥指数。本项指标的物理意义是从曝气池出口处取出的混合液,经过30min静沉后,每克干污泥形成的沉淀污泥所占有的容积,单位ml/g.
8.、污泥龄:曝气池内活性污泥总量与每日排放的剩余污泥量之比。即平均停留时间。
药理学名词解释汇总
药理学名词解释汇总1.药物:影响细胞生物学过程,用来诊断、预防和治疗疾病的化学物质2.药理学:是研究药物在人体或动物体内的化学反应产生的作用、规律和机制的一门学科3.药动学:研究药物的吸收、分布、代谢和排泄。
4.药效学:研究药物作用,作用机制,不良反应,禁忌症,适应症等。
5.药物作用:是指药物与机体组织间的原发作用。
6.药物效应:是指药物原发作用所引起机体器官原有功能的改变。
7.治疗作用:符合用药目的,对疾病有防治效果的作用。
8.不良反应:凡不符合用药目的,甚至会给病人带来不适和痛苦的药物反应。
9.副作用:药物在治疗量时出现的与治疗目的无关的作用。
10.毒性反应:用药量过大或用药时间过长使机体内药量达到最小中毒量以上时出现的反应。
11变态反应:是机体对药物的不正常的免疫反应,又称过敏反应。
12.继发效应(继发性反应):是由药物的治疗作用引起的不良后果,又称治疗矛盾。
13.后遗效应:指停药后,血药浓度已降低至最低有效浓度以下时,仍残存的生物效应。
14.特异质反应:指少数病人对药物产生的特殊反应。
15.受体:是存在于细胞膜或细胞内的能与特异性配体(ligand)结合,并能传递生物信息,引起生物效应的生物大分子,多为蛋白质、核酸等。
16.向下调节(又称不应性或衰减性调节):指长期使用激动剂后,使受体数目减少或亲和力下降。
17.向上调节(又称上增性调节):指长期使用拮抗剂后,使受体数目增多或亲和力增强。
18.同种调节:配体作用于其特异性受体,使自身的受体发生变化。
19.异种调节:配体作用于其特异性受体,对另一种配体的受体产生调节作用。
20.激动剂:与受体有较强亲和力,又有较强内在活性的药物。
21.拮抗剂(部分激动剂):对受体有较强亲和力,但缺乏内在活性的药物。
(能阻断激动剂作用的药物)22.储备受体:有些药物只占领部分受体,就能引起最大效应,剩余的受体称为储备受体。
23.竞争性拮抗剂:指拮抗剂和激动剂可相互竞争相同的受体,其药理效应强弱取决于两者的浓度和亲和力。
半导体名词解释(三)
半导体名词解释(三)184) Short Channel Effect 短通道效应当MOS组件愈⼩,信道的长度将随之缩短,电晶体的操作速度将加快,但是,MOS电晶体的通道长度并不能⽆限制缩减,当长度缩短到⼀定的程度之后,各种因通道长度变⼩所衍⽣的问题便会发⽣,这个现象称为“短通道效应”。
185) Selec ti vity选择性两种材抖,分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率的⽐值,谓之:例如,复晶电浆蚀:对复晶的蚀刻率为2OO0Å /min (分)对氧化层的蚀刻率为20OÅ /min (分)则复晶对氧化层的选择性:S20OO Å/minfile:///C:\Users\bstc\AppData\Local\Temp\ksohtml1336\wps183.png S= =102OO Å/min选择性愈⾼表⽰蚀刻特性愈好,⼀般⼲式蚀刻选择性较化学湿蚀刻为差,吾⼈取较⾼的选择性的⽬的即在于电浆蚀刻专⼼蚀刻该蚀刻的氧化层,⽽不会伤害到上层光阻或下层氧化层,以确保蚀刻的完整性。
186) Silicide硅化物⼀般称为硅化物 (Silicide),指耐⽕⾦属 (Refratory Metal)的硅化物,如钛(Ti)、钨(W)、钼 (Mo)等元素硅(Si)结合⽽成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。
硅化物应⽤在组件的⽬的,主要为降低⾦属与硅界⾯、闸极或晶体管串连的阻抗,以增加组件的性能。
以钛的硅化物为例,其制造流程如下所⽰:187) Silicide⾦属硅化物'Silicide'通常指⾦属硅化物,为⾦属舆硅的化合物。
在微电⼦⼯业硅晶集成电路中主要⽤为:(1) 导体接触(Ohmic Contact)(2) 单向能阻接触(Schottky Barrier Contact)(3) 低阻闸极(Gate Electrode)(4) 组件间通路(Interconnect)在VLSI(超⼤型积逞电路)时代中,接⾯深度及界⾯接触⾯积分别降⾄次微⽶及1-2平⽅毫⽶。
生理学名词解释
生理学名词解释100条(含答案)1. Negative feedback:负反馈:在一个闭环系统中,控制部分活动受受控部分反馈信号(Sf)的影响而变化,若Sf为负,则为负反馈。
其作用是输出变量受到扰动时系统能及时反应,调整偏差信息(Se),以使输出稳定在参考点(Si)。
2. homeostasis(稳态):内环境的理化性质不是绝对静止的,而是各种物质在不断转换之中达到相对平衡状态,即动态平衡,这种平衡状态为稳态。
3. Autoregulation:自身调节,指组织、细胞在不依赖于外来的神经和体液调节情况下,自身对刺激发生的适应性反应过程。
4. Paracrine:旁分泌,内分泌细胞分泌的激素通过细胞外液扩散而作用于临近靶细胞的作用方式。
5. 局部电位: 由阈下刺激引起局部膜去极化(局部反应),引起邻近一小片膜产生类似去极化。
主要包括感受器电位,突触后电位及电刺激产生的电紧张电位。
特点:分级;不传导;可以相加或相减;随时间和距离而衰减。
6. 内向电流:指细胞膜激活时发生的跨膜正离子内向流动或负离子外向流动。
7. fluid mosaic model:液态镶嵌模型,是有关膜的分子结构的假说,内容是膜的共同特点是以液态的脂质双分子层为骨架,其中镶嵌有具有不同分子结构、因而也具有不同生理功能的蛋白质。
8. 跳跃式传导:有髓纤维受外加刺激时,动作电位只能发生在相邻的朗飞结之间,跨髓鞘传递。
9. 膜片钳:用来测量单通道跨膜的离子电流和电导的装置。
10. 后负荷:指肌肉开始收缩时遇到的阻力。
11. 横桥:肌凝蛋白的膨大的球状部突出在粗肌丝的表面,它与细肌丝接触共同组成横桥结构。
它对肌丝的滑动有重要意义。
12. 后电位:在锋电位下降支最后恢复到静息电位水平前,膜两侧电位还要经历一些微小而较缓慢的波动,称为后电位。
13. Chemical-dependent channel:化学门控通道能特异性结合外来化学刺激的信号分子,引起通道蛋白质的变构作用而使通道开放,然后靠相应离子的易化扩散完成跨膜信号传递的膜通道蛋白。
半导体物理学名词解释
半导体物理学名词解释1、直接复合:电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。
2、间接复合:指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。
3、俄歇复合:载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时,把多余的能量传给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去,当它重新跃迁回到低能级时,多余的能量常以声子的形式放出,这种复合称为俄歇复合,显然这是一种非辐射复合。
4、施主杂质:V族杂质在硅、锗中电离时,能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。
5、受主杂质:Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负点中心,所以称它们为受主杂质或p型杂质。
6、多数载流子:半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
在N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
7、能谷间散射:8、本征半导体:本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
9、准费米能级:半导体中的非平衡载流子,可以认为它们都处于准平衡状态(即导带所有的电子和价带所有的空穴分别处于准平衡状态)。
对于处于准平衡状态的非平衡载流子,可以近似地引入与Fermi能级相类似的物理量——准Fermi能级来分析其统计分布;当然,采用准Fermi能级这个概念,是一种近似,但确是一种较好的近似。
基于这种近似,对于导带中的非平衡电子,即可引入电子的准Fermi能级;对于价带中的非平衡空穴,即可引入空穴的准Fermi能级。
10、禁带:能带结构中能态密度为零的能量区间。
11、价带:半导体或绝缘体中,在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
12、导带:导带是自由电子形成的能量空间,即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
13、束缚激子:等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心,这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子,称为束缚激子。
14、浅能级杂质:在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子,往往就是能够提供载流子(电子或空穴)的施主、受主杂质,它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底,因此称其为浅能级杂质。
硅的名词解释
硅的名词解释硅的名词解释:探索制造业的未来1. 引言:硅,简称Si,是一种化学元素,其原子编号为14,属于碳族元素。
硅在自然界中广泛存在,是地壳中第二多的元素,占比约为27.7%。
它是制造业中极为重要的元素之一,因其独特的性质而受到广泛应用。
本文将深入探讨硅的不同方面,从材料科学到电子行业,展示其在制造业中的重要地位和潜力。
2. 材料科学中的硅应用:a. 硅的晶体结构:硅具有钻石型结构,每个硅原子与周围四个硅原子共享键结合,形成坚固的晶格。
正是由于这种结构稳定性,使得硅在材料科学中广泛应用。
b. 硅的半导体性质:硅是最重要的半导体材料之一。
由于硅具有带隙,可以通过掺杂来改变其电导性能。
这使得硅在电子行业中得到了广泛应用,如晶体管、太阳能电池等。
3. 硅在电子行业的应用:a. 硅晶体管:硅晶体管是现代电子设备中的基本元素之一。
从计算机到智能手机,硅晶体管的发展推动了电子行业的快速发展。
b. 太阳能电池:硅是最主要的太阳能电池材料。
硅光伏技术成为解决能源问题的重要手段之一,通过其能够将太阳光能直接转化为电能。
4. 硅对制造业的影响:a. 提高生产效率:硅的特性使其成为制造业中的重要材料。
利用硅材料,制造商可以开发出更高效、更精密的机械设备,从而提高生产线的生产效率。
b. 创新新产品:硅材料的特性使其能够应用于制造新产品,并推动技术创新,如半导体产业的发展,给电子产品带来了革命性的改变。
c. 促进可持续发展:硅光伏技术的应用可以减少对化石燃料的依赖,实现低碳发展。
这对保护环境和可持续发展至关重要。
5. 硅的发展前景:a. 人工智能时代的推动:随着人工智能技术的迅速发展,需要更高性能的计算设备。
硅作为主要的电子材料,将继续发挥重要作用,满足人工智能时代的需求。
b. 新材料的应用:随着科技的进步,新型材料的研究与应用也得到了重视。
硅在新材料领域有着广阔的发展空间,开发出更多具有独特性能的硅材料将推动制造业的进步。
金属热加工名词解释
1,成分过冷:由溶质再分配导致界面前方熔体成分及其凝固稳定发生变化而引起的过冷称为成分过冷。
条件:合金中的溶质含量较高;液相斜率大;溶质在液体中的扩散系数小;对于K0<1的合金,K0值很低,反之很高;凝固界面前的液相中温度梯度小;晶体生长速率高.2 溶质再分布:凝固时固相中不能容纳的B原子被排挤出来,富集在界面上的液体中,然后逐渐向液体内部扩散均化。
三种:1.溶质通过扩散进行再分布;2.溶液中有对流,局部增多的溶质借助熔体流动而达到在大体积液相中均匀分布;溶质即通过扩散也借助液体流动而进行再分布.3伪共晶:非平衡凝固状态下,非共晶成分的合金凝固得到的共晶组织。
17回火抗力(回火稳定性):在回火过程中随回火温度的升高钢抵抗硬度下降的能力,4二次硬化:某些淬火合金钢在500℃以上回火后,形成特殊碳化物,弥散细小,使硬度在硬度-回火温度曲线上出现峰值的现象5、邻先相两个共晶相得析出次序和生长速度是不相同的,就是说,在两个相的生核和生长中必有一个相位先导。
由于次相的析出,引起溶质的富集而导致另一相的析出和生长,此相成为领先相。
6、平衡凝固凝固过程中的每个阶段都达到平衡,即相变过程中有充分时间进行组元间的扩散,以达到平衡相的成分7、固态相变固体物质内部结构的转变成为固态相变8调幅分解:某些合金在高温下具有均匀单相固溶体,但冷却到某一温度范围时可分解成为与原固溶体结构相同但成分不同的两个威区的转变9、热处理热处理的基本过程就都是把金属材料加热到一定温度并保温一段时间后,以规定的冷却速率冷却下来。
10过冷奥氏体:在临界点以下存在且不稳定的将要发生转变的奥氏体11、回火M马氏体经分解后, 原马氏体组织转化为由有一定过饱和度的立方马氏体和ε-碳化物所组成的复相组织。
12、回火脆性定义:随回火温度升高,一般是钢的强度、硬度降低,塑性升高,但冲击韧性不一定总是随回火温度升高而升高,有些钢在某些温度回火时,韧性反而显著下降的现象13、A1称为共析转变线或共析温度,凡是含碳量大于0.0218的铁碳合金都将发生共析转变;A3它是在冷却过程中由奥氏体析出铁素体的开始线,或者说在加热过程中铁素体溶入奥氏体的终了线;Acm是二次渗碳体的开始析出线。
声母名词解释
声母名词解释声母,即是韵母前的辅音,与韵母一起构成的一个完整的音节。
而辅音则是发声时,气流在口腔中受到各种阻碍所产生的声音,发音的过程即是气流受阻和克服阻碍的过程。
声母的分类1.按发音部位分类(发音部位:发音时发音器官构成阻碍的部位)①双唇音:b p m(3个)②唇齿音:f(1个)③舌尖前音:z c s(3个)④舌尖中音:d t n l(4个)⑤舌尖后音:zh ch sh r(4个)⑥舌面音:j q x(3个)⑦舌根音:ɡ k h(3个)2.按发音方法分类(发音方法:发音时喉头,口腔和鼻腔节制气流的方式和状况),包括三个方面:(1)阻碍方式①塞音:b p d t ɡ k(6个)②塞擦音:z c zh ch j q(6个)③擦音:f h s sh r x(6个)④鼻音:m n(2个)⑤边音:l(1个)(2)声带是否颤动①清音(不颤动):b p f d ……(17个)②浊音(颤动):m n l r (4个)(3)气流的强弱①送气音:p t k c ch q(6个)②不送气音:b d ɡ z zh j(6个)21个辅音声母总起来可以从发音部位和发音方法四个方面去描写,将这四个方面综合起来就形成各个声母的“名称”。
其公式:名称=部位+气流+声带+阻碍方式如:b 双唇不送气清塞音p 双唇送气清塞音m 双唇浊鼻音f 唇齿清擦音声母的发音要区分声母的本音和呼读音:声母的本音是声母本来的音值,不带元音。
声母的呼读音是声母后面带上一个元音而成的音。
如:bo,po,mo,fo,de,te,ne,le,ge,ke,he,ji,qi,xi,zhi,chi,shi,ri,zi,ci,si,yi,wu ,yu。
电磁场名词解释
“电磁场”:名词解释请点击所要查询名词的首字母A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y ZA(返回顶端)安培环路定律1)真空中的安培环路定律在真空的磁场中,沿任意回路取B的线积分,其值等于真空的磁导率乘以穿过该回路所限定面积上的电流的代数和。
即2)一般形式的安培环路定律在任意磁场中,磁场强度H沿任一闭合路径的线积分等于穿过该回路所包围面积的自由电流(不包括磁化电流)的代数和。
即B(返回顶端)边值问题1)静电场的边值问题静电场边值问题就是在给定第一类、第二类或第三类边界条件下,求电位函数的泊松方程()或拉普拉斯方程()定解的问题。
2)恒定电场的边值问题在恒定电场中,电位函数也满足拉普拉斯方程。
很多恒定电场的问题,都可归结为在一定条件下求拉普拉斯方程()的解答,称之为恒定电场的边值问题。
3)恒定磁场的边值问题(1)磁矢位的边值问题磁矢位在媒质分界面上满足的衔接条件和它所满足的微分方程以及场域上给定的边界条件一起构成了描述恒定磁场的边值问题。
对于平行平面磁场,分界面上的衔接条件是磁矢位A所满足的微分方程(2)磁位的边值问题在均匀媒质中,磁位也满足拉普拉斯方程。
磁位拉普拉斯方程和磁位在媒质分界面上满足的衔接条件以及场域上边界条件一起构成了用磁位描述恒定磁场的边值问题。
磁位满足的拉普拉斯方程两种不同媒质分界面上的衔接条件边界条件1.静电场边界条件在场域的边界面S上给定边界条件的方式有:第一类边界条件(狄里赫利条件,Dirichlet)已知边界上导体的电位第二类边界条件(聂以曼条件 Neumann)已知边界上电位的法向导数(即电荷面密度或电力线)第三类边界条件已知边界上电位及电位法向导数的线性组合静电场分界面上的衔接条件和称为静电场中分界面上的衔接条件。
前者表明,分界面两侧的电通量密度的法线分量不连续,其不连续量就等于分界面上的自由电荷面密度;后者表明分界面两侧电场强度的切线分量连续。
休克指数 名词解释
休克指数名词解释英文回答:Shock index (SI) is a physiological parameter used to assess the severity of shock and predict mortality. It is calculated as the ratio of the patient's heart rate totheir systolic blood pressure. A higher shock index indicates a more severe degree of shock and is associated with worse outcomes.The shock index is a simple and inexpensive tool that can be used to rapidly assess the severity of shock in a variety of settings, including the emergency department, intensive care unit, and operating room. It has been shown to be a useful predictor of mortality in patients with sepsis, trauma, and other forms of shock.The normal value of the shock index is less than 0.7. A shock index of 0.7 to 1.0 indicates a mild degree of shock, a shock index of 1.0 to 1.4 indicates a moderate degree ofshock, and a shock index of 1.4 or greater indicates a severe degree of shock.The shock index is a useful tool for assessing the severity of shock and predicting mortality. It is a simple and inexpensive tool that can be used to rapidly assess the patient's condition and guide treatment decisions.中文回答:休克指数(SI)是一个生理参数,用于评估休克的严重程度和预测死亡率。
灰分元素名词解释
灰分元素名词解释
灰分是指样品中不可燃的物质,包括无机物和有机物。
灰分元素是指在样品中所含有的不可燃元素。
下面是一些灰分元素的名词解释: 1. 硅(Si):在一些样品中,硅是主要的灰分元素之一。
硅是一
种非金属元素,化学符号为Si,原子序数为14,属于第14族元素。
硅在自然界中广泛存在,是地壳中含量第二高的元素。
2. 铝(Al):铝是一种常见的灰分元素,属于第13族元素。
化学符号为Al,原子序数为13。
铝的化学性质活泼,在空气中易氧化生
成氧化铝,该物质是一种常见的灰分物质。
3. 钙(Ca):钙是一种重要的灰分元素,属于第2族元素。
化学
符号为Ca,原子序数为20。
钙广泛存在于自然界中,是人体和动植
物生长发育必需的元素之一。
4. 镁(Mg):镁是一种轻金属元素,属于第2族元素。
化学符号
为Mg,原子序数为12。
镁在自然界中广泛存在,是一种常见的灰分
元素。
5. 铁(Fe):铁是一种常见的灰分元素,属于第8族元素。
化学
符号为Fe,原子序数为26。
铁在自然界中广泛存在,是地壳中含量
第四高的元素。
以上是几种常见的灰分元素的名词解释,这些元素的含量和性质不同,对样品的分析和处理都有不同的影响。
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SI名词解释1、什么是信号完整性(Singnal Integrity)?信号完整性(Singnal Integrity)是指一个信号在电路中产生正确的相应的能力。
信号具有良好的信号完整性(Singnal Integrity)是指当在需要的时候,具有所必须达到的电压电平数值。
主要的信号完整性问题包括反射、振荡、地弹、串扰等。
常见信号完整性问题及解决方法:问题可能原因解决方法其他解决方法过大的上冲终端阻抗不匹配终端端接使用上升时间缓慢的驱动源直流电压电平不好线上负载过大以交流负载替换直流负载在接收端端接,重新布线或检查地平面过大的串扰线间耦合过大使用上升时间缓慢的发送驱动器使用能提供更大驱动电流的驱动源时延太大传输线距离太长替换或重新布线, 检查串行端接头使用阻抗匹配的驱动源, 变更布线策略振荡阻抗不匹配在发送端串接阻尼电阻2、什么是串扰(crosstalk)?串扰(crosstalk)是指在两个不同的电性能之间的相互作用。
产生串扰(crosstalk)被称为Aggressor,而另一个收到干扰的被称为 Victim。
通常,一个网络既是Aggressor(入侵者),又是Victim(受害者)。
振铃和地弹都属于信号完整性问题中单信号线的现象(伴有地平面回路),串扰则是由同一PCB板上的两条信号线与地平面引起的,故也称为三线系统。
串扰是两条信号线之间的耦合,信号线之间的互感和互容引起线上的噪声。
容性耦合引发耦合电流,而感性耦合引发耦合电压。
PCB板层的参数、信号线间距、驱动端和接收端的电气特性及线端接方式对串扰都有一定的影响。
3、什么是电磁兼容(EMI)?电磁干扰(Ectromagnetioc Interference),或者电磁兼容性(EMI),是从一个传输线(transmission line)(例如电缆、导线或封装的管脚)得到的具有天线特性的结果。
印制电路板、集成电路和许多电缆发射并影响电磁兼容性(EMI)的问题。
FCC定义了对于一定的频率的最大发射的水平(例如应用于飞行控制器领域)。
4、在时域(time domain)和频域(frequency domain)之间又什么不同?时域(time domain)是一个波形的示波器观察,它通常用于找出管脚到管脚的延时(delays)、偏移(skew)、过冲(overshoot)、下冲(undershoot)以及设置时间(setting times)。
频域(frequency domain)是一个波形的频谱分析议的观察,它通常用于波形与频谱分析议的观察、它通常用于波形与FCC和其他EMI控制限制之间的比较。
(有一个比喻,它就象收音机――你在时域(time domain)中听见,但是你要找到你喜欢的电台是在频域(frequency domain)内。
)5、什么是传输线(transmission line)?传输线(transmission line)是一个网络(导线),并且它的电流返回的地和电源。
电路板上的导线具有电阻、电容和电感等电气特性。
在高频电路设计中,电路板线路上的电容和电感会使导线等效于一条传输线。
传输线是所有导体及其接地回路的总和。
6、什么是阻抗(impedance)?阻抗(Impedance)是传输线(transmission line)上输入电压对输入电流地比率值(Z0=V/I)。
当一个源发出一个信号到线上,它将阻碍它驱动,直到2*TD时,源并没有看到它地改变,在这里TD时线的延时(delay)。
7、什么是反射(reflection)?反射(reflection)就是在传输线(transmission line)上回波(echo)。
信号功率(电压和电流)的一部分传输到线上并达到负载处,但是有一部分被反射(reflected)了。
如果负载和线具有相同的(impedance),发射(Reflections)就不会发生了。
如果负载阻抗小于源阻抗,反射电压为负,反之,如果负载阻抗大于源阻抗,反射电压为正。
布线的几何形状、不正确的线端接、经过连接器的传输及电源平面的不连续等因素的变化均会导致此类反射。
8、什么是过冲(overshoot)?过冲(Overshoot)就是第一个峰值或谷值超过设定电压――对于上升沿是指最高电压而对于下降沿是指最低电压。
下冲(Undershoot)是指下一个谷值或峰值。
过分的过冲(overshoot)能够引起保护二级管工作,导致过早地失效。
9、什么是下冲(undershoot)(ringback)?过冲(Overshoot)是第二个峰值或谷值超过设定电压――对于上升沿过度地谷值或对于下降沿太大地峰值。
过分地下冲(undershoot)能够引起假的时钟或数据错误(误操作)。
10、什么是振荡(ringing)?振荡(ringing)就是在反复出现过冲(overshoots)和下冲(undershoots)。
信号的振铃(ringing)和环绕振荡(rounding)由线上过度的电感和电容引起,振铃属于欠阻尼状态而环绕振荡属于过阻尼状态。
信号完整性问题通常发生在周期信号中,如时钟等,振荡和环绕振荡同反射一样也是由多种因素引起的,振荡可以通过适当的端接予以减小,但是不可能完全消除。
11、什么是设置时间(settling time)?设置时间(settling time)就是对于一个振荡的信号稳定到指定的最终值所需的时间。
12、什么是管脚到管脚(pin-to-pin)的延时(delay)管脚到管脚(pin-to-pin)的延时(delay)是指在驱动器状态的改变到接收器状态的改变之间的时间。
这些改变通常发生在给定电压的50%,最小延时发生在当输出第一个越过给定的阀值(threshold),最大延时发生在当输出最后一个越过电压阀值(threshold),测量所有这些情况。
13、什么是偏差(skew)?信号的偏移(skew)是对于同一个网络到达不同的接收器端之间的时间偏差。
偏移(skew)还被用于在逻辑门上时钟和数据达到的时间偏差。
14、什么是斜率(slew rate)?Slew rate就是边沿斜率(-个信号的电压有关的时间改变的比率)。
I/O的技术规范(如PCI)状态在两个电压之间,这就是斜率(slew rate),它是可以测量的。
15、什么是静态线(quiescent line)?在当前的时钟周期内它不出现切换。
另外也被称为“stuck-at”线或static线。
串扰(crosstalk)能够引起一个静态线在时钟周期内出现切换。
16、什么是假时钟(false clocking)?假时钟是指时钟越过阀值(threshold)无意识的改变了状态(有时在VIL或VIH之间)。
通常由过分的下冲(undershoot)或串扰(crostalk)引起。
17、什么是IBIS?IBIS 是描述一个输入/输出(I/O)的EIA/ANSI标准。
它包括DC(V/I)特性曲线,也包括瞬态(transient)(V/T)特性曲线curves as tables of points。
HyperLynx的网页(Web site)上有连接到IBIS的主页,另外还有许多供应商的IBIS模型网页。
18、什么是IC 的高低电平切换门限?IC 的高低电平切换门限指的是信号从一个状态向另一个状态转换所需的电压值。
当发生阻尼现象时,信号电平可能会超过IC 输入脚的切换门限,从而将IC 输入信号变为不确定状态,这会导致时钟出错或数据的错误接收。
19、什么是地电平面反弹噪声和回流噪声?在电路中有大的电流涌动时会引起地平面反弹噪声(简称为地弹),如大量芯片的输出同时开启时,将有一个较大的瞬态电流在芯片与板的电源平面流过,芯片封装与电源平面的电感和电阻会引发电源噪声,这样会在真正的地平面(0V)上产生电压的波动和变化,这个噪声会影响其它元器件的动作。
负载电容的增大、负载电阻的减小、地电感的增大、同时开关器件数目的增加均会导致地弹的增大。
由于地电平面(包括电源和地)分割,例如地层被分割为数字地、模拟地、屏蔽地等,当数字信号走到模拟地线区域时,就会产生地平面回流噪声。
同样电源层也可能会被分割为2.5V,3.3V,5V等。
所以在多电压PCB设计中,地电平面的反弹噪声和回流噪声需要特别关心。
20、高频电路的定义在数字电路中,是否是高频电路取决于信号的上升沿和下降沿,而不是信号的频率。
F=1/(Tr*л),Tr为上升/下降延时时间,当F>100MH他(Tr<3.183ns)时就应该按照高频电路进行考虑,下列情况必须按照高频规则进行设计:l 系统时钟超过50Hzl 采用了上升/下降时间少于5ns的器件l 数字/模拟混合电路高频电路是取决于信号的上升沿和下降沿,而不是信号的频率,但是不是Tr>100MHz时才考虑高频规则进行设计,还要看传输介质而定。
通常约定如果线传播延时大于1/2数字信号驱动端的上升时间,则认为此类信号是高速信号并产生传输线效应。
信号的传递发生在信号状态改变的瞬间,如上升或下降时间。
信号从驱动端到接收端经过一段固定的时间,如果传输时间小于1/2的上升或下降时间,那么来自接收端的反射信号将在信号改变状态之前到达驱动端。
反之,反射信号将在信号改变状态之后到达驱动端。
如果反射信号很强,叠加的波形就有可能会改变逻辑状态。
21、什么是长线高速系统中的长线(Electrically Long Trace)定义可以从频域和时域两个角度来定义:1、频域定义当线的物理长度和相应频率的波长具有可比性的时候(一般的说法是大于1/20波长),这样的trace 就叫做Electrically Long Trace,或者transmission line(传输线)。
2、时域定义当信号线的传输延迟(propagation delay)大于1/4信号上升时间(rise time)的时候,该信号线就应视为传输线。
22、什么是微带线和带状线1.微带线参考平面(reference plane)只有一个。
有些朋友认为微带线就是位于PCB表层的传输线。
这种看法不全面。
设想一种情形:一个多层板的第一和第二层都是信号层,而第三层为地平面,那么在第一和第二层上的传输线都叫微带线。
位于第二层的微带线也叫做掩埋式微带线(embedded microstrip)。
微带线的阻抗与它的线宽、频率和它到参考平面的垂直距离有关。
2.带状线位于两个参考平面之间,所以它有两个参考平面,阻抗的计算公式与微带线的也不一样。
当然,带状线肯定是位于PCB的内层。