低压MOS管推荐DTL9826
MOS管工作原理及芯片汇总
MOS管工作原理及芯片汇总一：MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率M OS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
低压大电流mos管型号
低压大电流mos管型号一、引言低压大电流MOS管，是指工作电压低于100V，电流能够达到几百安培的金属氧化物半导体场效应管。
由于其在各种电子设备中的广泛应用，已成为电子行业中不可或缺的重要元件。
本文将就低压大电流MOS管的不同型号及其特点进行探讨。
二、N沟道和P沟道MOS管N沟道和P沟道MOS管是低压大电流MOS管的两种常见类型。
其中，N沟道MOS管是指其沟道为N型半导体材料构成，P沟道MOS 管则为P型半导体材料构成。
它们在特性上有所差异，适用于不同的电子电路设计。
1. N沟道MOS管N沟道MOS管通常分为增强型和耗尽型两种。
增强型N沟道MOS 管工作电压较低，具有较大的导通电流和较小的开启电压。
耗尽型N 沟道MOS管的工作电压范围较高，适用于高压环境，但其导通电流较小。
常见的N沟道MOS管型号有IRF530、IRF632等。
2. P沟道MOS管P沟道MOS管适用于负载开关和功率放大，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
不同于N沟道MOS管，P沟道MOS管在关闭状态下电流通过，而在开启状态下电流截断。
一些常见的P沟道MOS管型号包括IRF9540、IRF540等。
三、低压大电流MOS管的选择要素在选择低压大电流MOS管型号时，需要考虑以下几个要素：1. 峰值电压（Vds）峰值电压是MOS管能够承受的最大电压，超过该电压则易引发击穿现象。
根据实际工作电压需求，选择适当的峰值电压范围。
2. 漏极电流（Id）漏极电流是指在非导通状态下，MOS管的漏极电流大小。
根据实际应用需求，选择合适的漏极电流范围，以确保MOS管的工作稳定性。
3. 导通电阻（Rds(on)）导通电阻是指在导通状态下，MOS管的电流和电压之比。
导通电阻的大小直接影响MOS管的功耗和效率，选择较小的导通电阻有利于提高电路效率。
4. 开启时间（t-on）和关闭时间（t-off）开启时间和关闭时间是指MOS管从关断到导通、从导通到关断所需的时间。
工程师常用mos管封装及图片要点
MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。
因此，MOS管有时被称为场效应管。
在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。
MOS管的作用是什么MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。
目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。
由于MOS 管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU和插槽等附近。
MOS 管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。
MOS管封装形式MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。
MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。
按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。
插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。
表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
常见的插入式封装MOSFET典型的表面贴装式封装MOSFET随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。
故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。
MOS管外部封装-标准封装形式概览MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。
DTL9826 P沟道MOS
DTL9826N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesz 100V/65AR DS (ON) = 32mΩ (Type) @ VGS=10VR DS (ON) = 43mΩ (Type) @ VGS=4.5Vz Super High Dense Cell Designz Reliable and Ruggedz TO-220 packageLead Free and Green Devices Available(ROHS Compliant)Applicationsz Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Powered System.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta = 25°C unless otherwise noted)Symbol Parameter ValueUnit V DSS Drain-to-SourceVoltage 100 V V GSS Gate-to-SourceVoltage ±20 VI D* Continuous Drain Current@ T J = 125℃65I DM* Pulsed Drain Current (tp ≤10us)V GS=10V160AI S* Diode Continuous Forward Current 5 ATA = 25℃100 W P D* Total Power DissipationTA = 100℃50 W T J,T STGOperating and Storage Temperature Range -55 to 150 ℃Rth J A*Thermal Resistance,Junction-to-Ambient65 ℃/WT LMaximum Lead Temperature forSoldering Purposes, 1/8″ f rom case for 10 seconds260 ℃Note: *Surface Mounted on 1in*1in pad area, t ≤ 10 Sec.Pin DescriptionPIN1Ｆａｘ：０７５５ ２６９９１９７９Ｎｕｍ：１３５ １０２９ ４４０６ 李生Test circuitFigure 1．Switching times test circuit for Resistive loadFigure 2. Gate charge test circuitFigure 3．Test circuit for inductive load and dioderecovery timesFigure 4. Unclamped Inductive load test circuit switchingFigure 5. Unclamped inductive waveformFigure 6.Switching time waveformＦａｘ：０７５５ ２６９９１９７９Ｎｕｍ：１３５ １０２９ ４４０６ 李生Package Information TO-220MillimetersInchesDim Min. Max.Min.Max. A 3.56 4.830.1400.190 A1 0.51 1.400.0200.055 A2 2.03 2.920.0800.115 b 0.38 1.020.0150.040 b2 1.14 1.780.0450.070 c 0.36 0.610.0140.024 D 14.22 16.510.5600.650 D1 8.38 9.020.3300.355 D2 12.19 12.880.4800.507 E 9.65 10.670.3800.420 E1 6.86 8.890.2700.350 E2 -0.76-0.030e 2.54 BSC0.100 BSCH1 5.84 6.860.2300.270 L 12.70 14.730.5000.580 L1 - 6.35-0.250 P 3.53 4.090.1390.161 Q2.543.430.1000.135May 2011 Doc ID 0065 Rev 1 6/8Ｆａｘ：０７５５ ２６９９１９７９Ｎｕｍ：１３５ １０２９ ４４０６ 李生PackageCarrier Tape & Reel Dimensions Devices per UnitPackage TypeUnit Q uantityQuantityTO-22050May 2011 Doc ID 0065 Rev 1 7/8Ｆａｘ：０７５５ ２６９９１９７９Ｎｕｍ：１３５ １０２９ ４４０６ 李生Please Read CarefullyInformation in this document is provided solely in connection with DIN-TEK products. DIN-TEK Microelectronics and its subsidiaries (“DIN-TEK”) reserve the right to make changes, corrections, modifications or improvements, to this document, and the products and services described herein at any time, without notice.All DIN-TEK products are sold pursuant to DIN-TEK’s terms and conditions of sale.Purchasers are solely responsible for the choice, selection and use of the DIN-TEK products and services described herein, and DIN-TEK assumes no liability whatsoever relating to the choice, selection or use of the DIN-TEK products and services described herein.No license, express or implied, by estoppels or otherwise, to any intellectual property rights is granted under this document. If any part of this document refers to any third party products or services it shall not be deemed a license grant by DIN-TEK for the use of such third party products or services, or any intellectual property contained therein or considered as a warranty covering the use in any manner whatsoever of such third party products or services or any intellectual property contained therein.UNLESS OTHERWISE SET FORTH IN DIN-TEK IS TERMS AND CONDITIONS OF SALE DIN-TEK DISCLAIMS ANY EXPRESS OR IMPLIED WARRANTY WITH RESPECT TO THE USE AND/OR SALE OF DIN-TEK PRODUCTS INCLUDING WITHOUT LIMITATION IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY, FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION), OR INFRINGEMENT OF ANY PATENT, COPYRIGHT OR OTHER INTELLECTUAL PROPERTY RIGHT.）UNLESS EXPRESSLY APPROVED IN WRITING BY AN AUTHORIZED DIN-TEK REPRESENTATIVE, DIN-TEK PRODUCTS ARE NOT RECOMMENDED, AUTHORIZED OR WARRANTED FOR USE IN MILITARY, AIR CRAFT, SPACE, LIFE SAVING, OR LIFE SUSTAINING APPLICATIONS, NOR IN PRODUCTS OR SYSTEMS WHERE FAILURE OR MALFUNCTION MAY RESULT IN PERSONAL INJURY, DEATH, OR SEVERE PROPERTY OR ENVIRONMENTAL DAMAGE. DIN-TEK PRODUCTS WHICH ARE NOT SPECIFIED AS "AUTOMOTIVE GRADE" MAY ONLY BE USED IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS AT USER’S OWN RISK.Resale of DIN-TEK products with provisions different from the statements and/or technical features set forth in this document shall immediately void any warranty granted by DIN-TEK for the DIN-TEK product or service described herein and shall not create or extend in any manner whatsoever, any liability of DIN-TEK.DIN-TEK and the DIN-TEK logo are trademarks or registered trademarks of DIN-TEK in various countries. Information in this document supersedes and replaces all information previously supplied.The DIN-TEK logo is a registered trademark of DIN-TEK Microelectronics. All other names are the property of their respective owners.© 2011 DIN-TEK Microelectronics - All rights reservedDIN-TEK Microelectronics group of companies。
低压大电流mos管型号
低压大电流mos管型号摘要：1.低压大电流mos管简介2.低压大电流mos管的分类3.低压大电流mos管的主要参数4.低压大电流mos管的应用领域5.低压大电流mos管的选型建议正文：低压大电流mos管是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，具有在较低电压下承受大电流的特点。
它在我国的电子产业中具有重要地位，为许多电子产品的设计和制造提供了关键支持。
本文将为您介绍低压大电流mos管的相关知识，以帮助您更好地了解和选择这种器件。
首先，低压大电流mos管（Low Voltage High Current MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），具有低输入阻抗、高输入电流和较低的导通电阻等特点。
根据其结构和工作原理，低压大电流mos管可分为沟槽型（Trench）、平面型（Planar）、增强型（Enhanced）和耗尽型（Depletion）等不同类型。
其次，选择低压大电流mos管时需要关注的主要参数包括：额定电压（Rating Voltage）、最大漏极电流（Maximum Drain Current）、导通电阻（On-Resistance）、栅极电荷（Gate Charge）、开关速度（Switching Speed）等。
这些参数将直接影响到器件的性能和应用范围，因此在实际应用中需要根据具体需求进行权衡和选择。
低压大电流mos管广泛应用于各种电子设备中，如电源、通信、计算机、家电等领域。
例如，在电源系统中，低压大电流mos管可用于实现开关电源、直流稳压器等功能；在通信系统中，它可用于放大、开关等功能；在计算机和家电领域，低压大电流mos管则可用于控制和驱动电路等。
最后，针对低压大电流mos管的选型，建议您首先明确应用需求，然后根据需求关注器件的主要参数，进行性能对比。
此外，考虑生产厂家的技术实力、产品质量和服务等因素，以确保选购到合适的低压大电流mos管。
总之，低压大电流mos管作为半导体器件的一种，具有广泛的应用前景和重要的实用价值。
MOS管知识最全收录技术参数详解!MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS 管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图
从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理
1N沟道增强型场效应管原理。
ZL8205B--SOT23-6(双N低压MOS管)
2013/3/4深圳市卓朗微电子有限公司Ｓｈｅｎｚｈｅｎ Ｚｈｕｏｌａｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，ＬＴＤＺＬ８２０５Ｂ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｖ１．０Ｎ－Ｃｈａｎｎｅｌ Ｔｒｅｎｃｈ Ｐｏｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴN -Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching applications.Features●V DS =20V,ID =5AR DS(ON)<21mΩ@V GS =4.5V R DS(ON)<28mΩ@V GS =2.5V●High Power and current handing capability ●Lead free product is acquired ●Surface Mount PackageApplication●Battery protection ●Load switch●Power managementTable 1.Absolute Maximum Ratings (T A =25℃)Symbol ParameterValueUnitV DS Drain-Source Voltage (V GS=0V ）20V V GS Gate-Source Voltage (V DS=0V)±10V I D Drain Current-Continuous5A IDM (pluse)Drain Current-Continuous@Current-Pulsed (Note 1)25A P D Maximum Power Dissipation1.25W T J ,T STGOperating Junction and Storage Temperature Range-55To 150℃Notes 1.Repetitive Rating:Pulse width limited by maximum junction temperatureTable 2.Thermal CharacteristicSymbolParameter ValueUnitR JAThermal Resistance,Junction-to-Ambient100℃/WSchematic DiagramＺＬ８２０５ＢBMarking and pin AssignmentSOT23-6 top viewTable 3.Electrical Characteristics (T A =25℃unless otherwise noted)Symbol Parameter ConditionsMin Typ Max UnitOn/Off States BV DSSDrain-Source Breakdown Voltage V GS =0V I D =250μA 20V I DSS Zero Gate Voltage Drain Current V DS =20,V GS =0V 1μA I GSS Gate-Body Leakage Current V GS =±10V,V DS =0V ±100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS =V GS ,I D =250μA 0.50.71.1V g FS Forward Transconductance V DS =5V,I D =5A 4S R DS(ON)Drain-Source On-State ResistanceV GS =4.5V,I D =5A 15.521mΩV GS =2.5V,I D =3A2028mΩDynamic CharacteristicsC issInput Capacitance V DS =8V,V GS =0V,f=1.0MHz605pF C oss Output Capacitance315pF C rssReverse Transfer Capacitance132pFSwitching Times t d(on)Turn-on Delay Time V DD =10V,I D =1A,V GS =4.5V,R G =6Ω11nS t r Turn-on Rise Time 12nS t d(off)Turn-Off Delay Time 36nS t f Turn-Off Fall Time 32nS Q g Total Gate Charge V DS =10V,I D =4A,V GS =4.5V10nC Q gs Gate-Source Charge 2.8nC Q gdGate-Drain Charge1.8nCSource-Drain Diode CharacteristicsI SD Source-Drain Current(Body Diode)5A V SDForward on Voltage (Note 1)V GS =0V,I S =5A1.2VNotes 1.Repetitive Rating:Pulse width limited by maximum junction temperature.Switch Time Test Circuit and Switching Waveforms：TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)Figure1.Power DissipationFigure2.Drain CurrentT J -Junction Temperature (℃)T J -Junction Temperature (℃)Figure3.Output CharacteristicsFigure4.Transfer CharacteristicsVds Drain-Source Voltage (V)Vgs Gate-Source Voltage(V)D r a i n C u r r e n t (A )P o w e r D i s s i p a t i o n (W)ＺＬ８２０５ＢFigure5.CapacitanceFigure6.R DS(ON)vs Junction TemperatureFigure7.Max BV DSS vs Junction Temperature Figure8.V GS(th)vs Junction TemperatureFigure9.Gate Charge Waveforms Figure10.Maximum Safe OperatingAreaＺＬ８２０５ＢFigure11.Normalized Maximum Transient Thermal ImpedanceSquare Wave Pluse Duration(sec)R (t ),N o r m a l i z e d E f f e c t i v eT r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c eDimensions in Millimeters (UNIT:mm)NOTES：1. All dimensions are in millimeters.2. Dimensions are inclusive of plating3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 6 mils.4. Dimension L is measured in gauge plane.5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.。
MOS管型号参数表
外形/封装
138
138B
150 150 150 150A 350 150B 150B 150A 150A
138A
150 150 150 150
256C
150B 150 150 150 150B
138A
138E
138A
138E
138A
138E
150 150
256C
150B 139A 139E 150 150 150 150A
4 4.4 6.5
开关时间 ton/toff
60/30 71/59 86/38
国内外相 似型号 RRF121 RRFF121
IRFU9010 IRFR9010 IRFU9020 IRFU9022 CPY301E
50/30 83/39 83/39 75/29
J1025(A) RFD14N05 J843(A) IRFU9014
3 4.5 1.5 2.4 0.19 0.19 0.21 0.55 0.55
4 0.27 4.4
开关时间 ton/toff
90/30 90/30 90/30 90/30 60/30 35/35 35/35
60/25
国内外相 似型号 IRFR020 BUZ71AL BUZ71 BUZ71F1
NDP406AEL BUZ11 BUZ11A
86/38
IRFU9024 IRFU9024 TN0106N2
83/39
2SK1033 IRFU9110 IRFR9120
IRF5522 IRF5522 MHT10P10(A)
25/20
IRFU9110 IRFU9120
41/29 18/18
IRFU9210 IRFU9212 IRFU9220 IRFU9222 IRFJ430 IRFJ430 IRFJ440 IRFJ440 IRFU422 IRFUC20 SDFE20JAA
常用低压mos管_概述说明以及解释
常用低压mos管概述说明以及解释1. 引言1.1 概述在现代电子设备中，低压MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种重要的器件，广泛应用于各种电路中。
低压MOS管具有特殊的结构和工作原理，可以在低压下实现高速开关和放大功能。
本文将对常用低压MOS管进行概述说明和解释，旨在帮助读者更好地了解它们的特点、工作原理以及在电路中的应用场景。
1.2 文章结构本文共分为五个主要部分。
首先，在引言部分我们将对本文进行概括性介绍，并明确文章结构。
其次，在第二部分中，我们将详细讨论常用低压MOS管的特点，包括定义和作用、分类及特点以及应用场景。
第三部分将深入介绍低压MOS管的工作原理与结构，并进行相关特点分析。
接下来，在第四部分中，我们将列举并解决常见问题，并分享实践经验以防止未来出现类似问题。
最后，在第五部分中，我们将总结低压MOS管的重要性和应用前景，并展望技术发展方向和挑战，并给出对读者的建议和启示。
1.3 目的本文的目的是帮助读者全面理解和掌握常用低压MOS管的相关知识。
通过深入讲解低压MOS管的特点、工作原理及其在电路中的应用场景，读者将能够更好地应用和选择合适的低压MOS管，从而提高电路设计和性能。
同时，本文也旨在引发对低压MOS管技术发展方向和挑战的思考，为相关领域的研究和创新提供指导与启示。
通过本文，希望读者能够深入了解低压MOS管，并在实践中取得更好的成果。
2. 常用低压mos管的特点2.1 低压MOS管的定义和作用低压MOS管是一种常用的场效应晶体管，其主要作用是在电路中作为开关或放大器使用。
它具有低阻抗、高输入电阻和高输出电容等特点。
2.2 常见的低压MOS管分类及特点常见的低压MOS管可以根据其功率级别分为小功率MOS管和中功率MOS管。
小功率MOS管通常工作在数十毫安到几安的电流范围内，适用于低功率应用场景。
中功率MOS管则能承受更高电流，可在几安到数十安之间进行工作。
常用MOS管型号大全
NMOS
GD S
功放开关
500V13A125W66/60nS0.4
IRF460(铁)
NMOS
GDቤተ መጻሕፍቲ ባይዱS
功放开关
500V A W66/60nS0.4
2404 (铁)
NMOS
GD S
功放开关
400V30A200W
IRF530
NMOS
GDS
功放开关
100V14A79W51/36nS0.18
高频放大
-20V0.03A0.2W100MHz1.7dB
2SK304
NJ
GSD
音频功放
30V0.6-12mA0.15W
2SK385
NMOS
GDS
高速开关
400V10A120W100/140nS0.6
2SK386
NMOS
GDS
高速开关
450V10A120W100/140nS0.7
2SK413
NMOS
GDS
NMOS
GDS
低噪放大
120V3A20W25/195nS0.4
2SK1271
NMOS
GDS
功放开关
1400V5A240W55/260nS4.0
2SK1329
NMOS
GDS
电源开关
500V12A60W90/180nS0.6
2SK1335
NMOS
GDS
功放开关变频
200V3A20W37/50nS0.8
2SK1358
2SJ172
PMOS
GDS
激励
-60V10A40W73/275nS0.18
2SJ175
PMOS
MOS管全系列选型表
MOS 管选型HV+MV TO-247P0990AU TO-247SingleNNoNo900TO-220F P0690ATF TO-220F Single N No No 900P0780ATF TO-220F Single N No No 800P1070ATF TO-220F Single N No No 700P0770ETF New TO-220F Single N No No 700P0670ATF NRND P0770ETFTO-220F Single N No No 700P0470ETF New TO-220F Single N No No 700P0470ATF NRNDP0470ETF TO-220F Single N No No 700P0270ATF TO-220F Single N No No 700P1665ZTF New TO-220F Single N No No 650P1065ATF NRND P1065ETF TO-220F Single N No No 650P0765ATF NRND P0770ETF TO-220F Single N No No 650P0765GTF NRND P0770ETF TO-220F Single N No No 650P0665ATF NRNDP0770ETFTO-220F Single N No No 650P0465CTF TO-220F Single N No No 650P0465ATF NRND P0465CTFTO-220F Single N No No 650P0265ATF NRND TO-220F Single N No No 650P2060ZTF New TO-220F Single N No No 600P1560ZTF New TO-220F Single N No No 600P1160ZTF New TO-220F Single N No No 600P0760ZTF New TO-220F Single N No No 600P1260ATF NRND P1260ETF TO-220F Single N No No 600P1060ETF New TO-220F Single N No No 600P1060ATF NRND P1060ETF TO-220F Single N No No 600P0660ETF New TO-220F Single N No No 600P0660GTF NRND P0660ETF TO-220F Single N No No 600P0660ATF NRND P0660ETF TO-220F Single N No No 600P0460ETF NRND P0460ETFATO-220F Single N No No 600P0460ETFA NewTO-220F Single N No No 600P0460ATF NRND P0460ETFA TO-220F Single N No No 600P0260ATF NRNDP0260ETF TO-220F Single N No No 600P0260ETF TO-220F Single N No No 600P1650GTF TO-220F Single N No No 500P1350ETF New TO-220F Single N No No 500P1350ATF NRND P1350ETF TO-220F Single N No No 500P0850ATF NRND P0950ETFTO-220F Single N No No 500P0950ETF New TO-220F Single N No No 500P0550ATF NRND P0550ETF TO-220F Single N No No 500P0550ETF NewTO-220F Single N No No 500P1825ATF NRND P1825HTFB TO-220F Single N No No 250P1825BTF NRND P1825HTFB TO-220F Single N No No 250P1525ETFB NewTO-220F Single N No No 250P0925BTF TO-220F Single N No No 250P1820ATF NRND P1820HTFB TO-220F Single N No No 200P1820BTF NRND P1820HTFB TO-220F Single N No No 200P1520ETF New TO-220F Single N No No 200P1120ETFB NewTO-220F Single N No No 200P0920ATF NRND P1120ETFB TO-220F Single N No No 200P0920BTF NRND P1120ETFB TO-220F Single N No No 200P0420ATFNRND P0420HTFB TO-220FSingleNNoNo200ESDDiodeSchottky DiodeV DS (V)Device Part Status Alternative PartPackageConfigurationType。
mos管8726参数
mos管8726参数（最新版）目录1.MOS 管的基本概念2.MOS 管 8726 的参数介绍3.MOS 管 8726 参数的应用领域正文一、MOS 管的基本概念MOS 管，全称为金属 - 氧化物 - 半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），是一种半导体器件。
它具有三个端子，分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
MOS 管根据栅极电压的不同，可以分为 NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应管）和 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应管）。
MOS 管在集成电路中应用广泛，如 CPU、内存等芯片。
二、MOS 管 8726 的参数介绍MOS 管 8726 是一款常见的 MOS 管型号，它的具体参数如下：1.源极到漏极的电流 ID（Drain Current）：8726 代表该参数为 8726μA。
2.漏极到源极的电压 VDS（Drain-Source Voltage）：该参数表示 MOS 管在正常工作状态下，源极和漏极之间的电压。
3.栅极到源极的电压 VGS（Gate-Source Voltage）：该参数表示 MOS 管在正常工作状态下，栅极和源极之间的电压。
4.功耗 PD（Power Dissipation）：表示 MOS 管在正常工作状态下所消耗的功率。
5.输入电阻 Rin（Input Resistance）：表示 MOS 管栅极输入电流与栅极电压之间的比值，即输入电阻。
6.输出电阻 Rdson（Output Resistance）：表示 MOS 管漏极输出电流与漏极电压之间的比值，即输出电阻。
三、MOS 管 8726 参数的应用领域MOS 管 8726 广泛应用于各种电子设备和系统中，如电源管理、信号放大、开关控制等。
由于其具有低噪声、低失真、低功耗等特点，因此在模拟电路和数字电路中都有较好的性能表现。
mos管8726参数
mos管8726参数
MOS管8726是一种金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），常用于功率放大、开关和调节电路中。
以下是关于MOS管8726的一些参数的解释：
1. 器件类型，MOS管8726是一种N沟道增强型MOSFET，具有负电压栅极和正电压源极。
2. 最大漏极电流（ID），这是MOS管8726能够承受的最大漏极电流。
超过此电流可能导致器件损坏。
3. 最大漏极-源极电压（VDS），这是MOS管8726能够承受的最大漏极-源极电压。
超过此电压可能导致器件损坏。
4. 最大栅极-源极电压（VGS），这是MOS管8726能够承受的最大栅极-源极电压。
超过此电压可能导致器件损坏。
5. 阻态漏极电阻（RDS(on)），这是MOS管8726在导通状态下的漏极-源极电阻。
较低的RDS(on)值意味着较小的导通电阻，从而减少功耗和发热。
6. 栅极电荷（Qg），这是MOS管8726栅极电荷的总量。
较小的Qg值意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。
7. 栅极阈值电压（Vth），这是MOS管8726的栅极电压与漏极电流之间的临界电压。
当栅极电压高于此值时，MOS管开始导通。
8. 漏极电流温度系数（ID Temperature Coefficient），这是MOS管8726漏极电流随温度变化的比例。
了解此系数可以帮助设计者在不同温度下预测器件的性能。
需要注意的是，以上只是MOS管8726的一些常见参数，具体的参数取决于制造商和型号。
如果你需要更具体的参数，请提供更详细的型号或参考相关的器件手册。
MOS管开关
MOS管开关之答禄夫天创作现在经常使用的MOS管大多是N沟道增强型的了，一般一块钱左右的管子，源极电流可以达到近十安培而导通电阻仅在几毫欧。
另外现在的MOS管已经不像早期那样脆弱，因为SD上并联有可以承受几安培电流的反向呵护二极管。
MOS管有几个重要的参数，Vgs，Vds,Id/Is以及Ron，其中对于Vgs也就是栅极控制电压有一些特殊的要求与用法，它就像三极管的Ibe，之所以称为Vgs 就是因为这个电压必须相对于S级而言，也就是G极必须比S极高出一定的电压才干驱动MOS管，否则管子的导通电阻会很大，也就是管子不克不及导通。
比方Vgs耐压在12V左右的管子，当Vgs高于1.5V以上时就基本可以认为导通，一般45V就可以达到其最小Ron了。
但是，由于这个电压是基于S极的，所以对于电源一类的开关管应用场合（靠低压控制高压输入），必须想法子让Vgs高于Vs足够高（或者也可以让管子并联于电源，靠储能器件工作于高速开关状态），而为了简化电路一般都是在栅极上添加自举电路。
自举电路一般由一个电容和反向二极管组成，相当于给栅极增加了一个串联的电池。
自举电容根据使用情况的分歧，可以选用极性电容，也可以选择非极性电容。
在选择这个电容时，如果电容很小，则电容储能不敷，放电很快，开关管很难被有效打开或关闭；如果电容过大，也会导致开关速度受限，电路板面积也会增加。
所以，电容要根据开关管工作速度适当选取，一般将电容值选择在放电时间稍长与开关周期即可，具体的参数可以根据实验来确定。
相对与N沟道的MOS管，P沟道的管子在驱动起来就稍微容易一些，因为不必再去创造高于电源电压的驱动环境，使用一个简单的三极管调压电路就可以实现了使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但其实不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
mos管调谐振软开关
调谐振软开关是一种广泛应用于电力电子和交流传动系统中的重要电气设备。
它通过控制电路中的开关元件，实现对电能的高效控制和转换，具有调节电压、频率和功率因素的功能。
本文将从MOS管、调谐振路及软开关的基本原理和工作过程、优缺点以及在实际应用中的发展趋势等方面进行详细介绍。
一、MOS管的基本原理及特点MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应管，是一种常见的功率半导体器件，具有开关速度快、损耗小、耐压能力强等特点。
它由金属栅极、氧化物层和半导体衬底构成，通过控制栅极电压来改变通道的导电状态。
MOS管在电力电子领域得到了广泛应用，尤其是在调谐振软开关中扮演着至关重要的角色。
二、调谐振路的基本原理和工作过程调谐振路是指在电路中引入电感和电容等元件，以实现谐振现象的发生。
在软开关电源中，通过合理设计调谐振路可以降低开关损耗、提高效率，并减小对电网的干扰。
在调谐振软开关中，通过控制MOS管的导通和关断时机，配合电感和电容的谐振作用，实现对电能的高效控制和转换。
三、软开关的基本原理及特点软开关技术是指在开关元件导通和关断时引入合适的控制策略，以减小开关过渡损耗和电磁干扰，从而提高电路的工作效率和稳定性。
相比传统硬开关，软开关技术具有损耗小、噪音低、寿命长等优点，能够有效改善电力电子设备的性能指标。
四、调谐振软开关的优缺点调谐振软开关作为一种先进的电力电子技术，具有诸多优点，如工作效率高、损耗小、电磁干扰小、适应性强等。
然而，也存在一些挑战和局限，比如对元器件参数的严格要求、控制策略的复杂性、成本较高等。
因此，在实际应用中需要综合考虑各方面因素，进行合理的设计和优化。
五、调谐振软开关的实际应用及发展趋势调谐振软开关技术已经在电力电子变换器、电能质量调节装置、新能源发电系统等领域得到了广泛应用。
随着科学技术的不断进步，人们对电能转换和控制的需求也在不断提高，调谐振软开关技术在实际应用中将会继续得到推广和完善。
未来，随着功率半导体器件、控制算法等方面的发展，调谐振软开关技术有望在电力电子领域发挥更为重要的作用，为实现高效、稳定的电能转换提供更加可靠的解决方案。
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1N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURES•TrenchFET ® Power MOSFET •175 °C Junction Temperature•Low Thermal Resistance Package •100 % R g TestedAPPLICATIONS•Isolated DC/DC ConvertersPRODUCT SUMMARYV (BR)DSS (V)r DS(on) (Ω)I D (A)1000.032 at V GS = 10 V65aNotes:a.Package limited.b.Duty cycle ≤1 %.c.See SOA curve for voltage derating.d.When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C= 25 °C, unless otherwise notedParameterSymbol Limit Unit Drain-Source Voltage V DS 100VGate-Source VoltageV GS± 20Continuous Drain Current (T J = 175 °C)T C = 25 °C I D 65a AT C = 125 °C37a Pulsed Drain Current I DM140Avalanche CurrentL = 0.1 mH I AS 35Single Pulse Avalanche Energy b E AS 61mJ Maximum Power DissipationbT C = 25 °C P D 375c W T A = 25 °C d3.75Operating Junction and Storage T emperature RangeT J , T stg- 55 to 175°CTHERMAL RESISTANCE RATINGSParameter Symbol Limit Unit Junction-to-Ambient PCB Mount (TO-263)dR thJA 40°C/WJunction-to-Case (Drain)R thJC0.4T O -220ABTop ViewG D S ２３５５３Ｑ６８８７２黄Ｒ１３７６０３２电５０７０2Notes:a.Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.b.Guaranteed by design, not subject to production testing.c.Independent of operating temperature.Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise notedParameter Symbol Test Conditions Min.Typ.Max.UnitStaticDrain-Source Breakdown Voltage V (BR)DSS V DS = 0 V , I D = 250 µA 100V Gate-Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 µA 24Gate-Body LeakageI GSS V DS = 0 V, V GS = ± 20 V ± 100nAZero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS = 100 V , V GS = 0 V 1µA V DS = 100 V, V GS = 0 V , T J = 125 °C 50V DS = 100 V, V GS = 0 V , T J = 175 °C250On-State Drain Current aI D(on)V DS ≥ 5 V , V GS = 10 V 120A Drain-Source On-State Resistance a r DS(on) V GS = 10 V, I D = 30 A 0.0230.032ΩV GS = 10 V, I D = 30 A, T J = 125 °C 0.063V GS = 10 V, I D = 30 A, T J = 175 °C0.084Forward T ransconductance a g fsV DS = 15 V , I D = 30 A25S Dynamic bInput Capacitance C iss V GS = 0 V , V DS = 25 V , f = 1 MHz5100pFOutput CapacitanceC oss 480Reverse Transfer Capacitance C rss 210Total Gate Charge c Q g V DS = 100 V , V GS = 10 V , ID = 65 A 90130nC Gate-Source Charge c Q gs 23Gate-Drain Charge c Q gd 34Gate Resistance R g 0.51.7 3.3ΩTurn-On Delay Time c t d(on) V DD = 100 V, R L = 1.5 Ω I D ≅ 65 A, V GEN = 10 V , R g = 2.5 Ω2435ns Rise Time ct r 220330Turn-Off Delay Time c t d(off) 4570Fall Time ct f 200300Source-Drain Diode Ratings and Characteristics T C = 25 °C b Continuous Current I S 65A Pulsed Current I SM 140Forward Voltage a V SD I F = 65 A, V GS = 0 V1.0 1.5V Reverse Recovery Time t rr I F = 50 A, di/dt = 100 A/µs 130200ns Peak Reverse Recovery Current I RM(REC)812A Reverse Recovery ChargeQ rr0.521.2µCOutput CharacteristicsTransconductanceCapacitanceTransfer CharacteristicsOn-Resistance vs. Drain CurrentGate Charge34TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedAvalanche Current vs. TimeSource-Drain Diode Forward VoltageDrain Source Breakdown vs. Junction TemperatureTHERMAL RATINGSNormalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case51TO-220ABNotes*M = 1.32 mm to 1.62 mm (dimension including protrusion)Heatsink hole for HVMMILLIMETERSINCHES DIM.MIN.MAX.MIN.MAX.A 4.25 4.650.1670.183b 0.69 1.010.0270.040b(1) 1.20 1.730.0470.068c 0.360.610.0140.024D 14.8515.490.5850.610E10.0410.510.3950.414e 2.41 2.670.0950.105e(1) 4.88 5.280.1920.208F 1.14 1.400.0450.055H(1)6.09 6.480.2400.255J(1) 2.41 2.920.0950.115L 13.3514.020.5260.552L(1)3.32 3.820.1310.150Ø P 3.54 3.940.1390.155Q2.603.000.1020.118ECN: X12-0208-Rev. N, 08-Oct-12DWG: 5471N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURES•TrenchFET ® Power MOSFET •175 °C Junction Temperature•Low Thermal Resistance Package •100 % R g TestedAPPLICATIONS•Isolated DC/DC ConvertersPRODUCT SUMMARYV (BR)DSS (V)r DS(on) (Ω)I D (A)1000.032 at V GS = 10 V65aT O -220ABTop ViewG DSN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURES•TrenchFET ® Power MOSFET •175 °C Junction Temperature•Low Thermal Resistance Package •100 % R g TestedAPPLICATIONS•Isolated DC/DC ConvertersPRODUCT SUMMARYV (BR)DSS (V)r DS(on) (Ω)I D (A)1000.032 at V GS = 10 V65aT O -220ABTop ViewG DS。