微弧氧化工艺参数设置

微弧氧化工艺参数设置 Document serial number【LGGKGB-LGG98YT-LGGT8CB-LGUT-

微弧氧化工艺参数设置

1：对于纯铝的微弧氧化，纯铝的起弧电压在300V左右，当峰值电流加到一定程度时电压上升到300V左右应减慢峰值的增加，并保持峰值不变的情况运行一段时间，通过观察电压的变化和工件微弧氧化过程的变化，而改变峰值电流的。纯铝的微弧氧化终止电压在600V左右，当电压在600V时应该变峰值不变的情况持续运行。600V左右的时间连续运行10分钟左右就可以达到耐磨，硬度的一般要求。

脉宽的改变就会改变平均电流，平均电流不能过大也不能太小，太大会造成电的浪费，太小会造成涨膜速度减慢，对于微弧氧化应按照每平方分米5A的电流计算，如果受电源规格的限制每平方分米应保持2A（电流密度越大起弧电压会变低，涨膜速度加快）所以做微弧氧化可以先将平均电流加到工件所需的电流当起弧后，电压上升到一定的程度这时慢慢减脉宽。

2：对于高硅铝的微弧氧化起弧电压在400V左右终止电压在650V左右，平均电流按照上面的设定。当电压上升到400V时应减慢峰值的增加，让微弧氧化保持这个过程进行一段时间后再改变峰值使电压在往上升，并让微弧氧化持续的运行一段时间。对于高硅铝的微弧氧化时间一般在30分钟，可根据实际增加时间。